模拟电子技术基本概念题--填空题及答案
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一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。
2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。
3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。
6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。
9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。
模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
一、填空(共20空,每空1分,共20分,所有答案均填写在答题纸上)1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。
2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在区时,关系式Ic Ib才成立。
3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。
4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。
5、在绘制放大电路的交流通路时,视为短路,视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。
6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。
7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。
8、放大电路的直流通路用于研究。
9、理想运放的两个输入端虚短是指。
10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。
若输出电压置零后反馈仍然存在则为。
11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。
12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。
13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。
14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。
二、单项选择题(共10题,每题2 分,共20分;将正确选项的标号填在答题纸上)1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时,稳压二极管。
A:稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大C:反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为。
A:饱和状态B:截止状态C:放大状态D:不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。
关于这两只三极管,正确的说法是。
图1(a) 图1(b) 图2A:(b)图中电流为5.1mA的电极为发射极。
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路:①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下,上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ,输入电阻最 ,频带最宽 的电路是 ;只能放大电流,小 的电路是②,输出电阻最小 的电路是③② ;既能放大电流,又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③;只能放大电压,不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中,已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ,电流放大系BEQ数为β,B- E 间动态电阻为 r 。
填空:beV CC U BEQ( 1)静态时, I 的表达式为BQ, I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ;,U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L (2)电压放大倍数 的表达式为A u,输入电阻 的表达式为r be,输出电阻 的表达式为R R // r be R R ;0 Ci B(3)若减小 R ,则 I 将 A ,r 将 C ,将 C ,R 将iC ,A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时, R 减小到一定程度,输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中,(1)若测得输入电压有效值为 10mV ,输出电压有效值为 1.5V ,则其电压放 大倍数 = 150 ;若已知此时信号源电压有效值为 20mV ,信号源内阻A u为 1k Ω,则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i(2)若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ,带 5 k Ω负载时变为 0.75V , 则放大电路 的输出电阻 Ro(3)若输入信号增大引起电路产生饱和失真,则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真;若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真,则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。
√ 8、 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
× 9、 因为P 型半导体的多子是空穴,所以它带正电。
× 10、 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
√ 11、 稳压管工作在截止区时,管子两端电压的变化很小。
×12、 BJT 型三极管是电流控制型有源器件,基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
× 13、 放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、 放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
×16、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。
× 17、 共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√18、 共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用。
√ 19、 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
× 20、 放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、 射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用。
× 22、 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空(18分)1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。
3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1=100V ,u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ;共模输入电压u Ic =90 V 。
4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。
5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。
6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 % ,但这种功放有 交越 失真。
7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。
二、选择正确答案填空(20分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V , V ,则这只三极管是( A )。
A .NPN 型硅管 型锗管型硅管 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。
A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。
A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术基础试题库(附参考答案)一、选择题1. 下列关于二极管的描述,错误的是()A. 二极管具有单向导电性B. 二极管具有稳压作用C. 二极管正向导通时,电流与电压成线性关系D. 二极管反向截止时,电流为零答案:C2. 下列关于三极管的描述,正确的是()A. 三极管具有单向导电性B. 三极管具有放大作用C. 三极管具有稳压作用D. 三极管具有整流作用答案:B3. 下列关于放大电路的描述,错误的是()A. 放大电路可以提高信号的幅度B. 放大电路可以改变信号的频率C. 放大电路可以改变信号的相位D. 放大电路可以提高信号的功率答案:B4. 下列关于运算放大器的描述,正确的是()A. 运算放大器是一种非线性元件B. 运算放大器具有很高的开环增益C. 运算放大器可以用于放大信号D. 运算放大器可以用于整流答案:B5. 下列关于反馈放大电路的描述,错误的是()A. 反馈放大电路可以提高放大倍数B. 反馈放大电路可以提高输入阻抗C. 反馈放大电路可以提高输出阻抗D. 反馈放大电路可以改善放大电路的线性度答案:A二、填空题1. 二极管正向导通时,电流与电压成 _______ 关系。
答案:非线性2. 三极管具有 _______ 作用。
答案:放大3. 放大电路可以提高信号的 _______。
答案:幅度4. 运算放大器具有 _______ 开环增益。
答案:很高5. 反馈放大电路可以提高放大电路的 _______。
答案:线性度三、判断题1. 二极管具有稳压作用。
()答案:×(二极管具有稳压二极管,但不是所有二极管都具有稳压作用)2. 三极管具有整流作用。
()答案:×(三极管具有放大作用,但不具有整流作用)3. 放大电路可以提高信号的功率。
()答案:×(放大电路可以提高信号的幅度,但不一定提高功率)4. 运算放大器是一种非线性元件。
()答案:×(运算放大器是一种线性元件)5. 反馈放大电路可以提高放大倍数。
填空题二极管:1. 在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。
(电场,浓度差)2. 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
(单向导电性,IF ,UR )3. 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V ;硅二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V 。
(0.1, 0.3, 0.5, 0.7)4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。
(减小)5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。
(反向击穿区)晶体管及放大电路基础:6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。
它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。
(NPN ,PNP ;硅,锗;电子,空穴)7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 (P 区和N 区的位置不同)8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。
—般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。
(集电极)10. 已知晶体管β=99,IE=1mA ,ICBO=0,则IB= ,IC= 。
(0.01mA ,99mA )11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。
(共射,共集,共基)12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。
(降低,增大,增大)13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。
硅管的死区电压约为 ,锗管约为 ;晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大,硅管的UBE 约为 .锗管的UBE 约为 。
(0.5 0.1 0.7 0.2)14. 从晶体管的输出特性可知,当基极电流增大,集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。
模拟电子技术基础填空题及答案模拟电子技术基础填空题及答案1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小;反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术,称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时,PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后,其管压降是恒定的,且不随电流而改变,典型值为0.7伏;其门坎电压Vth约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为空穴(P)半导体和电子(N)半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性,它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下,输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中,影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变,三极管的β增加,则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。
填空题二极管:1. 在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。
(电场,浓度差)2. 二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
(单向导电性,IF ,UR )3. 在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V ;硅二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V 。
(0.1, 0.3, 0.5, 0.7)4. 二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。
(减小)5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。
(反向击穿区)晶体管及放大电路基础:6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。
它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。
(NPN ,PNP ;硅,锗;电子,空穴)7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 (P 区和N 区的位置不同)8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。
—般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。
(集电极)10. 已知晶体管β=99,IE=1mA ,ICBO=0,则IB= ,IC= 。
(0.01mA ,99mA )11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。
(共射,共集,共基)12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。
(降低,增大,增大)13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。
硅管的死区电压约为 ,锗管约为 ;晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大,硅管的UBE 约为 .锗管的UBE 约为 。
(0.5 0.1 0.7 0.2)14. 从晶体管的输出特性可知,当基极电流增大,集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
练习一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ .2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ . 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真.6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域.二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,—10 V,-9。
3 V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( ).A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( ).A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV.D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的().A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为().A.1500 B.80 C.50 D.307.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和( )。
《模拟电子技术》试题(1卷)一、填空题(每空1分,共20分)1。
PN结中内电场阻止的扩散,推动的漂移运动.2. BJT工作在放大区时,其发射结处于偏置,集电结处于偏置。
3。
射极输出器的输入信号从极间输入,而输出是从极间取出。
因此,射极输出器是一个共极放大器。
4。
甲类功放BJT的导通角为;乙类功放BJT的导通角为;甲乙类功放BJT的导通角为;5。
若两个输入信号电压的大小,极性,就称为差模输入信号.6。
为了稳定放大器的工作点,应引入负反馈;为了稳定放大器的性能,应引入负反馈。
7.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够的放大倍数,后者要求反馈信号与输入信号。
8.在电感反馈三点式振荡器中,BJT c-e极间的回路元件是;b-e极间的回路元件是;c—b极间的回路元件是 .二、判断题(每小题1分,共10分)1.P型半导体中的多数载流子是空穴,因此,P型半导体带正电。
( )2.发射结处于反偏的BJT,它一定工作在截止区。
( )3.BJT是由两个PN结组合而成的,所以将两个二极管对接,也可以当BJT使用.( )4.BJT的输入电阻r be是对交流而言的一个动态电阻,在小信号情况下为常数。
5。
射极输出器的输入信号加在BJT的基极,输出取自发射极。
因此,输出电压的大小可用公式V E=V B—V BE进行计算。
( )6。
乙类功放中的两个BJT交替工作,各导通半个周期。
( )7。
与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量增大了.( )8。
在运放电路中,闭环增益Àf是指广义的放大倍数.()9。
凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。
()10.由LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性,且为最小值.( )三、选择题(每小题1分,共10分)1。
PN结外加正向电压时,其空间电荷区().a。
不变 b.变宽 c.变窄2。
测得BJT各电极对地电压为:V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该BJT工作在( )状态。
《模拟电子技术》考试试题及答案一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截至),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共集)、(共射)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电压)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=( 1+AF )BW,其中BW=( Fl-Fh ),( 1+AF )称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于或近似等于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=( kuxuy ),电路符号是()。
填空题二极管: 1.在半导体中.漂移电流是在 作用下形成的,扩散电流是在 作用下形成的。
(电场,浓度差) 2.二极管最主要的特点是 ;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
(单向导电性,IF ,UR ) 3.在室温(27度)时,锗二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V ;硅二极管的死区电压约 V ,导通后在较大电流下的正向压降约 V 。
(0.1, 0.3, 0.5, 0.7) 4.二极管的交流等效电阻rd 随静态工作点的增大而 。
(减小) 5. 硅稳压管稳压电路正常工作时,稳压管工作在 状态。
(反向击穿区)晶体管及放大电路基础:6. 晶体管从结构上可分成 和 两种类型:根据使用的半导体材料不同可分成 和 管。
它们工作时有 和 两种载流子参与导电,常称之为双极型晶体管。
(NPN ,PNP ;硅,锗;电子,空穴)7. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是 (P 区和N 区的位置不同)8. 晶体管的穿透电流ICEO 是集—基反向饱和电流ICBO 的 倍。
—般希望尽量选用ICEO 的管子(1+β,小)9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对 电流的控制作用。
(集电极)10. 已知晶体管β=99,IE=1mA ,ICBO=0,则IB= ,IC= 。
(0.01mA ,99mA )11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是 、 和 。
(共射,共集,共基)12. 当温度上升时.晶体管的管压降UBE 、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO 分别将 、 和 。
(降低,增大,增大)13. 从晶体管的输入特性可知,晶体管存在死区电压。
硅管的死区电压约为 ,锗管约为 ;晶体管在导通之后,管压降UBE 变化不大,硅管的UBE 约为 .锗管的UBE 约为 。
(0.5 0.1 0.7 0.2) 14. 从晶体管的输出特性可知,当基极电流增大,集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而 。
(减小)15. 温度升高时,晶体管的共射极输入特性曲线将 ,输出特性曲线将 。
而且输出特性曲线的间隔将 。
(左移,上移,增大)16.晶体管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地的电位分别为UA=-5V 、U B=-8V 、U C=-5.2V ,则晶体管对应的电极是:A 为 、B为 、C为 。
该晶体管属于 型 晶体管。
(发射极,集电集,基极,PNP ,锗) 17. 晶体管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地的电位分别为A U =7V 、B U =2.3V 、C U =3V ,则晶体管对应的电极是:A 为 、B为 、C为 。
该晶体管属于 型 晶体管。
(集电集,发射极,基极,NPN ,硅)18. 在晶体管共射放大电路中,当CE BE U U 时,管子工作于 状态,此时集电极电流C I 的大小只与 有关,而与 几乎无关。
当B I 恒定, 具有恒流的特性。
(线性放大,IB ,UCE ,IC )19. 某晶体管的最大允许耗散功率CM P 是受 限制的。
(管子的结温允许值的大小)20. 在晶体管放大电路中,集电极负载电阻C R 的主要作用是把电流的控制和放大作用转化为 放大作用。
(电压)21. 放大电路的非线性失真包括 失真和 失真。
引起非线性失真的主要原因是 。
(饱和,截止,静态工作点不合适,太高或太低,或输入信号幅度太大)22. 引起电路静态工作点不稳定的主要因素是 。
为了稳定静态工作点,通常在放大电路中引入 。
(温度变化引起元器件参数变化,直流负反馈)23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4v ,接入3k Ω的负载后输出电压降为3v ,则此电路的输出电阻为 。
(1k ) 24.在晶体管组成的三种基本放大电路中,输出电阻最小的是 电路.输入电阻最小的是 电路,输出电压与输入电压相位相反的是 电路。
无电流放大能力的是 放大电路,无电压放大能力的是 路。
但三种放大电路都有 放大的能力。
(共集,共基,共射,共基,共集,功率) 25.多级放大电路常见的耦合方式有 、 和 。
(直接,阻容,变压器) 26.直接耦合多级放大电路存在的两个主要的问题是 和 。
(零点漂移,静态工作点互相影响。
27.所谓零点漂移是输入信号为零时, 信号会产生缓慢的无规则的变化。
(输出) 28.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移,因此会引起放大电路的输出信号产生失真。
这种晶体管工作在线性区而引起的失真称为 ,也称为 。
(线性失真,频率失真) 29.放大电路的频率失真包括 失真和 失真。
(幅度,相位) 30.在阻容耦合放大电路中加入不同频率的正弦信号时,低频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在 :高频区电压增益下降的主要原因是由于在电路中存在 。
(耦合电容或旁路电容,结电容,) 31. 在晶体管三种基本放大电路中, 放大电路的高频特性最好。
(共基)32. 单级阻容耦合放大电路加入频率为H f 和L f 的输入信号时,电压增益的幅值比中频区下降了 dB ,输出电压的相位与中频区相比,在量值上有 的附加值。
(3,45度)33. 多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益 ,通频带 。
(提高,变窄)34. 多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单级放大电路在相同频率下产生的附加相移 。
(大)35. 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性如下式所示:6101000111010u fjA f f j j =⎛⎫⎛⎫++ ⎪⎪⎝⎭⎝⎭式中f 单位为Hz 。
那么,该电路的下限截止频率为 ,上限截止频率为 ,中频电压增益为 dB ,输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。
(10Hz ,1000000Hz ,60,0度)36. 在单管阻容耦合放大电路的波特图中,幅频响应曲线的斜率在低频区和高频区分别为 和 ;相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别 和 。
(20db/十倍频,-20db/十倍频,-45度/十倍频,-45度/十倍频,)场效应管及其放大电路:1. 按照结构,场效应管可分为 。
(结型和绝缘栅型)2. 场效应管属于 型器件,它是利用一种载流子导电的。
(电压控制)3. 场效应管突出的优点是 。
(输入电阻高)4. 与双极性晶体管类似,场效应管也可接成三种基本放大电路,即 极, 极和 极放大电路。
(共源,共漏,共栅) 5. 当场效应管工作于线性区时,其漏极电流D i 只受电压 的控制。
而与电压 几乎无关。
D i 的数学表达式为:耗尽型 ,增强型 。
(22()(),,(1),()GS GS DS D DSS D GS GS th GS off u u u i I i K u U U =-=-6. 通常场效应管的噪声要比双极型晶体管的噪声 ,这是因为场效应管中不存在 的注入、扩散和复合过程,基本上不产生散粒噪声。
(小,少数载流子)7. 在使用场效应管时,由于结型场效应管的结构是对称的,所以 极和 极是可互换的。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起 极和 极也可互换。
(源,漏,源,源,漏8. 耗尽型场效应管可采用 偏压电路,增强型场效应管只能采用 偏置电路。
(自给,分压式)9. 绝缘栅型场效应管与晶体管比较,其主要特点有:① ② ③ 。
场效应管的热稳定性比晶体管好的原因是因为场效应管的少数载流子 。
(只有一种载流子;是电压控制型器件;输入电阻很大;不参与导电。
)10. 在构成放大器时,可以采用自给偏压电路的场效应管是 。
(耗尽型场效应管)集成运算放大电路:1. 集成运放是一种直接耦合的多级放大电路,因此其下限截止频率 。
(等于0)2. 集成运放的两个输入端分别是 和 , 输入端的极性与输出端相反, 输入端的极性与输出端相同。
(同相输入端,反相输入端,反相,同相。
)3. 电流源电路的特点是输出电流 、直流等效电阻 和交流等效电阻 。
(恒定,小,大)4. 在多级直接耦合放大器中,对电路零点漂移影响最严重的一级是 ,零点漂移最大的一级是 。
(输入级,输出级)5. 理想集成运放的放大倍数u A = ,输入电阻i R = 输出电阻o R = 。
(∞∞0)6. 通用型集成运放的输入级大多采用 电路,输出级大多采用 电路。
(差分放大,互补)7. 由于电流源的交流等效电阻 ,因而若把电流源作为放大电路的有源负载,将会 电路的电压增益。
(大,提高)8. 差分放大电路有 种输入输出连接方式,其差模电压增益与 方式有关.与 方式无关。
(四,输出,输入。
)9. 差分放大电路放大两输入端的 信号,而抑制 信号,两差放管的输出电流具有 关系。
(差模,共模,大小相等而方向相反。
)10. 如果差分放大电路完全对称,那么双端输出时,共模输出电压为 ,共横抑制比为 。
(0,∞)11. 当晶体管工作在线性区,且其基极电流不变时,集电极电流具有 特性。
(恒流)12. 当场效应管工作在放大区.且栅源电压不变时,漏极电流具有 特性。
(恒流)反馈:1. 根据反馈的极性,反馈可分为 和 。
(正反馈,负反馈)2. 反馈的四种组态为 、 、 和 (电压串联,电压并联,电流串联,电流并联)3. 电压负反馈可以稳定输出 ,降低 电阻。
(输出电压,输出电阻)4. 电流负反馈可以稳定输出 ,提高 电阻。
(输出电流,输出电阻)5. 当放大电路的环路增益 时,称为深度负反馈。
(远大于1)6. 当放大电路满足深度负反馈的条件时,电路的闭环增益f A ≈ ,净输入信号文id X ≈ 。
(1/F,0)7. 为了减小信号源的负载,提高电路的放大能力,对于内阻较小的信号源,通常应该引入 负反馈;对于内阻大的信号源,通常应该引入 负反馈。
(串联,并联)8. 对负反馈放大电路来说,反馈越深,对电路性能的改善越显著。
但是,反馈太深,将容易引起电路产生 。
(自激振荡)9. 自激振荡是一种没有 ,但有一定幅度输出信号的现象。
(输入信号)10.负反馈放大电路引起自激振荡的根本原因是电路在高频或低频区产生了足够大的 ,使负反馈变成了正反馈。
(附加相移) 11. 负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件是 ,幅度条件是 。
((21),1A F n AF ϕϕπ∆+∆=+=)12. 一般说来,只要电路产生自激振荡的相位条件不满足,电路一定不会产生自激振荡的。
即使是 条件满足了,电路也不一定会产生自激振荡。
(相位)13. 消除负反馈放大电路自激振荡一般采用 。
(相位补偿法)14. 负反馈可以从 、 、 、 和 方面改善放大电路的性能。
(提高稳定性,减小非线性失真,抑制噪声,扩展频带,改变输入输出阻抗。
)15. 电流串联负反馈放大电路是一种输出端取样量为 .输入端比较量为 的负反馈放大电路,它使电路输入电阻 ,输出电阻也 。
(电流,电压,增大,增大)16. 要得到一个由电流控制的电压源,应选择 负反馈电路。