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本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订华东交通大学毕业设计（论文）任务书华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题（1）、（2）均要填，如AY、BX等。
注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。
“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。
华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录LED 外延片的MOCVD指导教师：宽禁带III －Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。
自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN 基蓝光LED 外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN 基LED 长的关键思想及核心技术仍未公开，的材料生长信息。
基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN 基LED 外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD 和英国进口MOCVD 系统上对III －Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。
通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。
并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN 外延生长上得以实现。
采用这种缓冲层，显著改善了GaN 外延膜的结晶性能，使GaN 基蓝光LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN 基蓝光LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。
毕业论文开题答辩ppt模板范文第1篇1、PPT内容信息应完整，包含回答问题所需素材，如出现文献[2]，应给出该参考文献和方法名称。
2、必要的细节应保留在ppt中，体现自己的工作量，但这部分可以根据情况少讲或不讲。
3、不要进行扫盲式讲解，毕业论文中的`第二章应根据需要略过不讲，除非需要在他人的基础上改进，那么应给出自己的起点位置。
讲解自己工作的时候应注意区分别人的工作。
4、PPT上切忌大段文字，一定要精简。
文字少（让观众直接抓住要点，细节并不重要，比如用于背景和现状介绍），口头上可以补充。
文字多（留余地给提问和体现工作量），口头要精简。
并且回答问题时会带来不必要的麻烦。
6、ppt在25—30页左右，重点讲解大约20页。
另外，建议搞两套配色，一个浅色系，适合投影效果很好的地方；一个深色系（对比强烈），适合投影不佳的场所。
如果ppt有插件，确保在答辩机器上可以工作。
（可备份一个笔记本电脑。
）8、再次强调，在答辩和总结时，界定个人工作要准确，不是自己提出的一定不要随便说“提出了”，到底是“改进”还是“采用”，都必须严格界定。
当然，这些要和论文写作保持一致。
答辩ppt中引用他人的图表一样要注明（本页ppt下方）。
所有在论文和ppt中出现的工作、术语等内容要能解释和说明，以备问题回答阶段。
毕业论文开题答辩ppt模板范文第2篇各位老师好！我叫XXX，来自XXX，我的论文题目是“行政系统中的非正式组织评估”。
在这里，请允许我向XX老师的悉心指导表示深深的谢意，向各位老师不辞劳苦参加我的论文答辩表示衷心的感谢。
下面我将从论文的思想内容、结构框架、遣词造句三个方面向各位老师作一大概介绍，恳请各位老师批评指导。
首先，在思想内容上，本文以行政管理学的一个遗漏点，即行政系统中的非正式组织为切入点进行探索。
通过对图书馆近百本著作进行调查，我发现其中仅有复旦大学出版社出版的行政学原理、公共行政学涉及到了行政系统中的非正式组织。
本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订华东交通大学毕业设计（论文）任务书华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题（1）、（2）均要填，如AY、BX等。
注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。
“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。
华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录LED 外延片的MOCVD指导教师：宽禁带III －Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。
自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN 基蓝光LED 外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN 基LED 长的关键思想及核心技术仍未公开，的材料生长信息。
基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN 基LED 外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD 和英国进口MOCVD 系统上对III －Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。
通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。
并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN 外延生长上得以实现。
采用这种缓冲层，显著改善了GaN 外延膜的结晶性能，使GaN 基蓝光LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN 基蓝光LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。
华东交通大学硕士研究生学位论文答辩评分表
学院：姓名：专业：答辩日期：
专家签名：
【说明】
1、本表由学生本人填写表头，答辩前交答辩秘书，用于专家对答辩情况进行评定；
2、根据五位/六位专家给出的综合评定成绩平均值评定答辩成绩等级：90分以上为优秀；80—90分为良好；70
—80分为中等；60—70分为及格；60分以下为不及格。
3、当平均值处于临界点时，可由答辩委员会商定成绩等级，如：平均值接近90分时，经答辩委员会讨论，在
多数赞同的情况下，该生答辩成绩可以评为优秀。
华东交通大学理工学院本科毕业设计为保证毕业论文质量，实现本科培养目标，从加大毕业论文的严格、科学和规范化治理动身，对我校本科生毕业论文制订出本规范。
有专门要求的论文，各分院亦可参照教育部印发的有关专业“高等学校毕业设计（论文）指导手册”中的评判方案和标准，制订出适合各自专业的规定加以执行。
一、总则本规范适用于华东交通大学理工学院本科生毕业设计（论文）的撰写。
二、毕业设计（论文）的差不多要求1、内容要求毕业设计（论文）应包含作者对研究课题的见解或成果，研究的课题力求在理论上或实践上对经济建设和社会进展具有主动意义，要有正确的理论指导，论证正确，资料或数据可靠，论证或运算严谨准确、条理分明、文字通顺，能表明作者在本门学科上把握了差不多的理论原理和专门技能，具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的初步能力。
毕业设计（论文）应在指导教师指导下，由学生本人独立完成。
2、字数要求毕业设计（论文）用中文撰写，外语专业须用英语撰写。
理工科许多于8000字，文科许多于12000字。
三、毕业设计（论文）书写格式（一）前置部分1、论文封面（详见《华东交通大学理工学院毕业设计（论文）格式范例》）（1）论文题目：A．应能概括整个论文最重要的内容，简明、恰当，便于经历和引用，幸免使用不常见的缩略词、字符、代号和公式等；B．中文题目一样不超过20个汉字，在保证能准确反映最要紧的内容的前提下，题目字数越少越好。
题名语意未尽，可用副题名补充讲明论文中的特定内容；英文题目以反映中文题目内容为限，力求精练；用中文撰写的论文，中文题目居上，英文题目居下；用英文撰写的论文，英文题目居上，中文题目居下；C．题目准确得体并能准确表达论文的中心内容，恰当反映研究的范畴和深度，不能使用笼统的、泛指性专门强的词语和华丽不实的词藻；D. 题目所用词语必须有助于选定关键词和编制题录、索引等二次文献，以便为检索提供特定的有用信息。
（2）起讫时刻：以确定选题时刻至定稿打印时刻为准。
本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订华东交通大学毕业设计（论文）任务书华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题类型：（1）A—工程设计；B—技术开发；C—软件工程；D—理论研究；（2）X—真实课题；Y—模拟课题；Z—虚拟课题（1）、（2）均要填，如AY、BX等。
注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。
“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。
华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录LED 外延片的MOCVD指导教师：宽禁带III －Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。
自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN 基蓝光LED 外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN 基LED 长的关键思想及核心技术仍未公开，的材料生长信息。
基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN 基LED 外延材料提供科学依据。
本文在自制常压MOCVD 和英国进口MOCVD 系统上对III －Ⅴ族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。
通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。
并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN 外延生长上得以实现。
采用这种缓冲层，显著改善了GaN 外延膜的结晶性能，使GaN 基蓝光LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN 基蓝光LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。
…………本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。
