光电检测技术基础
3、杂质半导体 在本征半导体中掺入一定数量的杂质就会使半导 体的导电性能发生显著的变化,使它具有制造晶体 管时所需要的特性,并且因掺入杂质元素的不同, 可形成电子型半导体(N型半导体)和空穴型半导体 (P型半导体)两大类(均成电中性)。
① P型半导体 如果在纯净的硅(或锗)中掺入少量的三价元素硼(或 铝等),就能得P型半导体,当硼(B)原子占据硅原子的 位置并和四个相邻的硅原子共价结合时,由于硼只有三 个价电子,要从附近硅原子中拿一个价电子来填补,这 祥就在这个砖原子中产生了一个空穴,掺入的每一个硼 原子都产生一个空穴,所以掺杂的半导体中空穴的数目 就大大增加.由于这些杂质原子必须接受一个电子才能 与相邻的四个原子组成共价键,所以三价元素的硼叫做 受主杂质,接受一个电子的杂质原子叫做受主离子。这 种半导体主要是靠空穴导电的,所以也叫空穴型半导体。
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共价键中的价电子因受热作用而成为自由电子 的过程称为本征激发或热激发。价电子冲破束缚成 为自由电子后,在其原来的位置上留下了一个空位, 我们称它为空穴.空穴是带正电荷的,可以自由移 动。电子、空穴成对产生。
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本征激发使半导体内不断产生电子和空穴,同 时它们又不断地进行着复合。产生和复合这对矛盾 的对立统一,使半导体在一定温度下达到载流子数 目的动态平衡。从而维持了一定数量的自由电子和 空穴这种状态称为热平衡。 必须指出,常温下本征半导体中的电子、空穴 是很少的,因而本征半导体的导电能力是很差的, 所以它不能直接用来制造晶体管。
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如:0.35 m 0.8 m
紫外区 近红外区
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二、光辐射的度量(辐射度参数与光度参数) 为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应, 分析光电敏感器件的光电特性,以及用光电敏感器件进 行光谱、光度的度量计算,常需要对光辐射给出相应的 计量参数和量纲。光辐射的度量方法有两种: 物理(或客观)的计量方法,称为辐射度学计量方 法或辐射度参数,它适用于整个电磁辐射谱区,对辐射 量进行物理的计量; 生理(或主观)的计量方法,以人眼所能见到的光 对大脑的刺激程度来对光进行计量的方法,称为光度参 数。只适用于可见光谱区域,是对光强度的主观评价。