反激式开关电源变压器设计步骤及公式

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反激式开关电源变压器设计步骤及公式(4种计算方法比较)1.确定已知参数: (主要PWM方式)确定已知参数:(主要RCC方式)来自现代高频开关电源实用技术1,确定系统规格输出功率:输入功率: P୧=୔౥஗输入平均电流: Iୟ୴୥ൌ୔౟୚౟౤ሺౣ౟౤ሻ同左边占空比D୫ୟ୶=୲౥౤୘=0.5 f୫୧୬:25KHz输入直流电压Vୈେ=√2Vୟୡ在了解输出功率后确定所需磁芯A p=A e*A w(cm4)Ae:磁芯中心柱横截面积(cm2);A w:磁芯窗口面积(cm2)最小AC输入电压:V ACMIN,单位:V最大AC输入电压:V ACMAX,单位:V输入电压频率:f L,50Hz or 60Hz输出电压:V O,最大负载电流:I O输出功率:P O,单位:WIo:Po=Vo*Ioη:0.85P୧ൌP୭η2.峰值电流1T=10000G s输入峰值电流:I୔୏ൌ୏כ୔౥୚౟౤ሺౣ౟౤ሻ对于BUCK(降压),推挽,全桥电路K=1.4对于半桥和正激K=2.8对于Boost,BUCK-Boost和反激K=5.5 I୮ൌ2כP୭כTηכV୧୬ሺ୫୧୬ሻכt୭୬A e*A w>୔౥כଵ଴లଶכ஗כ୤౩כ୆ౣכஔכ୏ౣכ୏ౙ(cmସ) ;Ae是磁芯截面积(cm2),Aw是磁芯窗口面积(cm2);f的单位为Hz,Bm的单位为Gs,取(1500)不大于3000Gs,δ导线电流密度取:2~3A/mmଶ ,K୫窗口填充系数取0.2~0.4,Kc磁芯填充系数,对于铁氧体该值取1I୅୚ୋൌP୧V୧୬୫୧୬I୔୏ൌIୟ୴୥D୫ୟ୶כ2T୭୬ൌଵ୤D୫ୟ୶(uint:µs)1S=106µsL୔ൌ୚౟౤ౣ౟౤כ୘౥౤୍ౌే(µH)3.计算初级电感因所以t୭୬ൌDכTൌଵଶכ୤若f取25KHz,则t୭୬为20μS选磁芯也可用公式Fosc<50KHz S=1.15*√Po(cmଶሻFosc<60KHz S=0.09*√Po(cmଶሻFosc>=60KHz S=0.075*√Po(cmଶሻNPൌ୐ౌכ୍ౌే୼୆כ୅౛כ10଺L P:mH; ΔB:260mT;A e:mm2NsൌሺV୭൅Vୈሻכሺ1െD୫ୟ୶ሻכN୔V୧୬୫୧୬כD୫ୟ୶NaൌሺVୟ൅Vୟୈሻכሺ1െD୫ୟ୶ሻכN୔V୧୬୫୧୬כD୫ୟ୶L ୔=୚౟౤ሺౣ౟౤ሻכୈ୍ౌేכ୤౥౩ౙ其中L 单位:H f:Hz 电压:V, 电流:A匝比:n=୚౥୚౟౤ሺౣ౟౤ሻ=୒౩୒౦4. 计算初级匝数初级电感:L ୮ൌ୚౟౤ሺౣ౟౤ሻכ୲౥౤୍౦检验磁芯正规名牌磁性材料的Bm 不得大于3000Gs ,国产杂牌不大于2500Gs 更保险A ୐值是在磁芯上绕1000匝测得(美国)则N ୔ൌ1000ට୐ౌ୅ై此式中L ୔单位为mH变压器次级圈数:Ns>୬כ୍౦כ୐౦ୗכ୆ౣ*10଻其中S 为磁芯截面积,B୫值为3000Gs若A ୐值是用100匝测得且单位是nH/N ଶ,则N ୔ൌ100ට୐ౌ୅ై此式中L ୔单位为mH,A ୐单位为mH/N ଶ,在计算时要将A ୐的值由nH 转换为mH 后再代入式中计算;例如:某A ୐值为1300 nH/N ଶ, L ୔值为2.3mH,则A ୐=1300nH/N ଶ=1.3 mH/N ଶ代入中计算得N ୔为133T 初级匝数为:Np=୒౩୬B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss)Lp = 一次侧电感值(uH) Ip = 一次侧峰值电流(A) Np = 一次侧(主线圈)圈数 Ae = 铁心截面积(cm2 )B(max) 依铁心的材质及本身的温度来决定,以TDK Ferrite Core PC40为例,100℃时的B(max)为3900 Gauss ,设计时应考虑零件误差,所以一般取3000~3500Gauss 之间,若所设计的power 为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss 左右,以避免铁心因高温而饱合,一般而言铁心的尺寸越大,Ae 越高,所以可以5. 匝比n=୒౩୒ౌ=୚౥୚౟౤ሺౣ౟౤ሻ晶体管的基极电流I ୆=୍౦୦ూు6. 次级绕组匝数N ୱ=N ୔*n N ୱଵ=୒౦כሺ୚౥ା୚ౚሻכሺଵିୈౣ౗౮ሻ୚౟౤ሺౣ౟౤ሻכୈౣ౗౮多路输出时N ୱ୶=ሺ୚౥౮ା୚ౚ౮ሻכ୒౩భ୚౥భା୚ౚభ其中x 代表几路I ୆୰୫ୱൌI ୆√27. 原边供电绕组N ୟ=N ୱכ୚౗୚౥在多路输出时Vo 为主输出电压计算线径(包括初级次级)同左边8. 选择磁芯型号要满足,磁芯中心柱截面积S=0.09*√Po (cm ଶሻ或满足公式A୔=A ୣכA ୵ൌ୔౥כଵ଴లଶכ஗כ୤౩כ୆ౣכஔכ୏ౣכ୏ౙ(cm ସ ) ;Ae 是磁芯截面积(cm 2),Aw 是磁芯窗口面积(cm 2);f 的单位为Hz ,Bm 的单位为Gs ,取(1500)不大于3000Gs ,δ导线电流密度取:2~3A /mm ଶ ,K ୫窗口填充系数取0.2~0.4,Kc 磁芯填充系数,对于铁氧体该值取1做较大瓦数的 Power 。

检验占空比9. 线径的计算初级电流有效值I ୮୰୫ୱൌ୍౦√଺次级线径计算,次级电流峰值I ୱ୮ൌଶכ୍౥ୈౣ౗౮I ୱ୰୫ୱൌ୍౩౦√଺辅助绕组线径计算:一般选同初级线径导线截面积Sൌ୍౨ౣ౩୎ౚ其中J ୢ自然风冷时取1.5~4A/mm ଶ密闭式强制风冷时J ୢ取3~6A/mm ଶ 导线直径D ൌ2כටୗ஠NS = 二次侧圈数 NP = 一次侧圈数 Vo = 输出电压VD= 二极管顺向电压Vin(min) = 滤波电容上的谷点电压 D = 工作周期(Duty cycle)D =ଵొ౩כ౒౟౤ౣ౟౤ొ౦כሺ౒౥శ౒ీሻାଵD =0.45~0.510. 输出整流二极管选择依据: 输出整流二极管的反向电压V ୖ൐V ୭୳୲൅N ୱୣୡN ୮כV ୧୬୫ୟ୶ 输出整流二极管工作电流I ୊൐I ୟ୴୥11. 确定输出滤波电容的最小值 C ୭ሺ୫୧୬ሻൌ୍౥ሺౣ౗౮ሻכ୘౥౜౜ሺౣ౗౮ሻ୚౨౟౦౦ౢ౛ሺౚ౛౩౟౨౛ౚሻV ୰୧୮୮୪ୣሺୢୣୱ୧୰ୣୢሻ:纹波电压12. 功率管的选择依据MOSFET 的漏端电压值:Vୈ൐ܸ୧୬ሺ୫ୟ୶ሻ൅୒౦୒౩౛ౙכሺV ୭൅V ୈሻൌV ϐ୪ୠ୩ I ୈൌI ୔୏V dsmax =V max +V R相对于MOSFET 的漏端电压值,MOSFET 的耐压应该有足够的余量,同时还要考虑到漏感产生的电压尖峰的叠加。

13. 嵌位元件的设计四种嵌位类型确定 ZD 箝位的大小1. 测量变压器的初级漏感 LL2. 检查使用PI Expert 设计的电源的开关频率fs3. 确定正确的初级电流IP ,方法如下:(注释:以上所有值均在PI Expert 中提供)如果您的设计采用功率限制设定,则 IP = ILIMITEXT如果您的设计采用外部流限设定,则 IP = ILIMITEXT对于所有其他设计,IP = ILIMITMAX 4. 确定初级 MOSFET 所允许的总电压,并根据以下公式计算 Vmaxclamp :确定 RCD 箝位的大小1. 测量变压器的初级漏感 LL2. 检查使用PI Expert 设计的电源的开关频率fs3. 确定正确的初级电流IP ,方法如下: (注释:以上所有值均在PI Expert 中提供) a. 如果您的设计采用功率限制设定,则 IP = ILIMITEXT如果您的设计采用外部流限设定,则 IP = ILIMITEXTb. 对于所有其他设计,IP = ILIMITMAX 4. 确定初级 MOSFET 所允许的总电压,并根据以下公式计算 Vmaxclamp :确定 RCD+Z 箝位的大小1. 测量变压器的初级漏感 LL2. 检查使用PI Expert 设计的电源的开关频率fs3. 检查PI Expert 所预测的峰值初级电流IP4. 确定初级 MOSFET 所允许的总电压,并根据以下公式计算 Vmaxclamp :(注释:建议至少应维持低于 MOSFET 的 BVDSS 50 V 的电压裕量,并另外留出30 V 到 50 V 的电压裕度以满足瞬态电压要求。

对于通用输入设计,建议Vmaxclamp < 200 V 。

Vmaxclamp 不应小于约 1.5*VOR 。

)确定 RCDZ 箝位的大小1. 测量变压器的初级漏感 LL2. 检查使用PI Expert 设计的电源的开关频率fs3. 确定正确的初级电流IP ,方法如下:(注释:所有值均在PI Expert 中提供。

)如果您的设计采用功率限制设定,则 IP = ILIMITEXT如果您的设计采用外部流限设定,则 IP = ILIMITEXT对于所有其他设计,IP = ILIMITMAX 4. 确定初级 MOSFET 所允许的总电压,并根据以下公式计算 Vmaxclamp :(注释:建议至少应维持低于MOSFET的BVDSS 50 V的电压裕量,并另外留出 30 V 到50 V 的电压 裕度以满足瞬态电压要求。

对于通用输入设计,建议Vmaxclamp < 200 V 。

Vmaxclamp 不应小于约 1.5*VOR 。

) 5. 根据以下公式计算漏感中贮存的能量:(注释:并非所有的漏感能量都会转移到箝位。

因此,在计算箝位所消耗的真实能量时,应使用以上公式并将峰值初级电流IP 替代为仅流入箝位的电流IC 。

由于 IC 难以计算或测量,我们将根据已知的比例因数调整 ELL ,从而估算出箝位中耗散的能量:Eclamp 。

)6. 根据以下公式估算箝位中的能量耗散 Eclamp :(注释:连续输出功率< 1.5 W 的电源通常不要求使用箝位电路。

) 7. TVS 击穿电压被指定为:Vmaxclamp(注释:建议至少应维持低于 MOSFET 的BVDSS 50 V 的电压裕量,并另外留出 30 V 到50 V 的电压 裕量以满足瞬态电压要求。

对于通用输入设计,建议Vmaxclamp < 200 V 。

Vmaxclamp 不应小于约 1.5*VOR 。

) 5. 确定箝位电路的电压纹波 Vdelta (注释:建议典型值应为Vmaxclamp 的 10%。

)6. 根据以下公式计算箝位电路的最小电压:7. 根据以下公式计算箝位电路的平均电压 Vclamp : 8. 根据以下公式计算漏感中贮存的能量:(注释:并非所有的漏感能量都会转移到箝位。

因此,在计算箝位所耗散的真实能量时应使用以上公式,同时将峰值初级电流IP 替代为仅流入箝位的电流IC 。

由于IC 难以计算或测量,我们将根据已知的 比例因数调整 ELL ,从而估算出箝位中耗散的能量:Eclamp ) 9. 根据以下公式估算箝位中的能量耗散 5. 确定箝位电路的电压纹波 Vdelta(注释:建议典型值应为Vmaxclamp 的 10%。