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一、实验目的1. 了解场效应管的基本特性和工作原理。
2. 掌握场效应管放大器的设计与调试方法。
3. 学习测量场效应管放大器的各项性能参数。
二、实验原理场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制器件，具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性好、抗辐射能力强等优点。
根据结构，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。
1. 结型场效应管（JFET）：JFET是一种三端器件，包括源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
其工作原理是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流。
2. 绝缘栅型场效应管（IGFET）：IGFET是一种四端器件，包括源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和衬底。
其工作原理是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄，从而控制电流的大小。
场效应管放大器主要由输入级、中间级和输出级组成。
输入级主要起信号放大作用，中间级主要起信号传递作用，输出级主要起功率放大作用。
三、实验仪器与设备1. 实验箱：包含电源、示波器、信号发生器等。
2. 场效应管：JFET、IGFET各一只。
3. 电阻、电容、电感等电子元件。
4. 接线板、导线等。
四、实验步骤1. 搭建场效应管放大电路，包括输入级、中间级和输出级。
2. 调整电路参数，使放大器处于正常工作状态。
3. 使用示波器观察放大器的输出波形，分析放大器的性能。
4. 测量放大器的各项性能参数，如增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。
五、实验结果与分析1. 放大器输出波形通过示波器观察，放大器输出波形基本符合预期，说明放大器能够正常工作。
2. 放大器性能参数（1）增益：通过测量输入信号和输出信号的幅度，计算得到放大器的增益为20dB。
（2）带宽：通过测量放大器的-3dB带宽，得到放大器的带宽为1MHz。
（3）输入阻抗：通过测量放大器输入端电压和电流，计算得到放大器的输入阻抗为1kΩ。
（4）输出阻抗：通过测量放大器输出端电压和电流，计算得到放大器的输出阻抗为50Ω。
场效应管实验报告场效应管实验报告引言：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
本实验旨在通过实际操作，深入了解场效应管的性质和特点，以及其在电路中的应用。
一、实验目的通过实验，掌握场效应管的基本原理和工作特性，了解其在放大电路中的应用。
二、实验原理场效应管由栅极、漏极和源极三个电极组成。
栅极与源极之间的电压可以控制漏极与源极之间的电流，从而实现对电路的放大和控制。
根据栅极结构的不同，场效应管可以分为金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET）和结型场效应管（Junction Field Effect Transistor，简称JFET）两种。
三、实验器材和仪器1. 场效应管（MOSFET或JFET）2. 直流电源3. 变阻器4. 示波器5. 电阻、电容等元件四、实验步骤及结果分析1. 实验一：静态特性测量通过调节直流电源的电压，测量并记录场效应管在不同栅极电压下的漏极电流。
根据测量数据，绘制栅极电压与漏极电流之间的关系曲线。
分析曲线的特点，了解场效应管的工作状态和特性。
2. 实验二：动态特性测量将场效应管作为放大器的关键元件，通过接入变阻器、电容等元件，构建放大电路。
调节输入信号的幅值和频率，测量并记录输出信号的波形和幅度。
通过对比输入输出信号，分析场效应管的放大特性和频率响应。
3. 实验三：稳定性和可靠性测试在实验二的基础上，通过调节电源电压和工作温度，测试场效应管在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
观察输出信号的变化情况，分析场效应管的工作范围和极限。
五、实验结论1. 场效应管的静态特性曲线呈现出明显的非线性特点，通过调节栅极电压可以实现对漏极电流的控制。
2. 场效应管作为放大器的关键元件，能够实现输入信号的放大，并具有一定的频率响应。
场效应管放大电路
一、实验要求
(1)建立场效应管放大电路。
(2)分析场效应管放大电路的性能
二、实验内容
(1)建立结型场效应管共源放大电路。
结型场效应管取理想模式。
用信号发生器产生频率为lkHz、幅值为10mV的正弦信号。
(2)打开仿真开关，用示波器观察场效应管放大电路的输入波形和输出波形。
测量输出波形的幅值，计算电压放大倍数。
(3)建立如图3-3所示的场效应管放大电路的直流通路。
打开仿真开关，利用电压表和电流表测量电路静态参数。
三、实验电路原理图
结型场效应管共源放大电路
场效应管放大电路的直流通路
四、实验结果及分析
1、函数信号发生器
输入信号输出信号波形：
分析：
共源放大电路的电压放大倍数为10。
输出波形的幅值为100mv。
2、场效应管放大电路的直流通路大电路的直流通路
分析：
根据实验数据可得，场效应管的漏源电压为15.076V，栅源电压为0.411V，漏极电流为0。
.05mA。
电压表和电流表测到的栅源电压，漏源电压，漏极电流。
五、实验结论
与双极型晶体管放大电路的共发射极、共集电极和共基极电路相对应，场效应管放大电路也有三种基本组态：共源电路、共漏电路、共栅电路。
其电路结构与分析方法与双极型晶体管放大电路类似。
场效应管放大器实验报告场效应管放大器实验报告引言：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的三极管。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声和低失真等优点，因此在放大器电路中得到了广泛应用。
本实验旨在通过搭建场效应管放大器电路，探究其性能特点和工作原理。
一、实验目的本实验的主要目的是研究场效应管放大器的工作原理和性能特点，包括输入输出特性、放大倍数、频率响应等。
二、实验原理场效应管是一种三极管，由栅极、漏极和源极组成。
其工作原理是通过栅极电压的变化来控制漏极-源极之间的电流，从而实现信号的放大。
场效应管有不同的类型，包括MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。
本实验采用JFET作为放大器的核心元件。
三、实验器材和电路图实验器材包括JFET、电阻、电容、信号发生器、示波器等。
电路图如下所示。
（此处省略电路图的描述）四、实验步骤与结果1. 搭建电路：根据电路图连接JFET、电阻和电容等元件，接入信号发生器和示波器。
2. 测量输入输出特性：通过调节信号发生器的频率和幅度，测量不同输入电压下的输出电压并记录。
3. 测量放大倍数：固定输入电压，测量输出电压，并计算放大倍数。
4. 测量频率响应：在一定的输入电压下，改变信号发生器的频率，测量输出电压的变化，并绘制频率响应曲线。
根据实验步骤，我们进行了一系列的实验测量，并得到了以下结果。
（此处省略实验结果的具体数值和图表）五、实验分析与讨论通过实验测量，我们可以得到场效应管放大器的输入输出特性曲线、放大倍数曲线以及频率响应曲线。
根据实验结果，我们可以进行以下分析和讨论。
1. 输入输出特性曲线显示了场效应管放大器的非线性特点。
随着输入电压的增大，输出电压也会相应增大，但是当输入电压达到一定值后，输出电压将不再线性增大。
2. 放大倍数曲线显示了场效应管放大器的放大效果。
我们可以通过计算不同输入电压下的输出电压比值来得到放大倍数。
本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。
为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。
增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该场效应管才能进入放大区。
IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。
只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压GND_0VOFF = 0v电阻的阻值取常用的即可。
从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。
功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。
功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。
如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。
甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。
(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。
实验2场效应管放大电路设计解读
场效应管是一种三端型半导体器件，可用于放大电路中。
实验2的设计是一个简单的场效应管放大电路，其主要目的是理解场效应管的工作原理以及了解场效应管放大电路的基本特性。
该放大电路由一个场效应管、直流偏置电路和负载电阻组成。
场效应管被连接在共源极模式下，其栅极通过直流偏置电阻与电源相连，通过控制栅极电压可以控制场效应管的工作状态。
源极通过电流源与接地相连，负载电阻则连接在漏极和电源之间。
在该电路中，直流偏置电路的作用是将场效应管的栅极电压稳定在工作范围内的适当电压，以使场效应管工作在放大区。
通过设定适当的栅极电压，可以控制场效应管的输出电流从而实现放大功能。
负载电阻的作用是提供电路的负载，当场效应管输出电压变化时，负载电阻将产生相应的电压变化，从而实现放大效果。
该电路的设计中需要考虑的关键参数是场效应管的工作点。
工作点的选择可以根据场效应管的数据手册来确定，一般要选取适当的工作点，使得电路能够实现最大放大增益和最低失真。
在实验中，需要根据电路的输入和输出特性曲线来确定电路的工作状态。
通过改变输入信号，可以观察输出信号的变化，如幅度放大倍数、相位变化等。
可以通过示波器和信号发生器来测量和调整电路的性能。
需要注意的是，该电路需要进行稳定性分析，以确保在不同工作条件下电路可以保持稳定。
稳定性分析可以通过输入、输出增益和相位的频率响应来完成。
总之，实验2的场效应管放大电路设计可以帮助理解场效应管的工作原理和放大电路的基本特性。
通过实验可以观察和测量电路的输入、输出特性以及频率响应，以获取有关场效应管放大电路性能的定量信息。
一、实训目的1. 理解场效应管的基本工作原理和特性。
2. 掌握场效应管在电路中的应用，如放大、开关等。
3. 学会使用场效应管进行电路设计和调试。
4. 增强动手能力和实际操作经验。
二、实训器材1. 场效应管（如JFET或MOSFET）2. 电阻、电容、二极管等电子元件3. 万用表4. 信号发生器5. 电路板及焊接工具三、实训内容1. 场效应管基本特性测试（1）测量场效应管的静态特性，如漏源电流、栅源电压等。
（2）测试场效应管的动态特性，如跨导、输出阻抗等。
2. 场效应管放大电路设计（1）设计一个简单的场效应管放大电路，实现信号的放大。
（2）调整电路参数，如栅源电压、漏源电压等，观察放大效果。
3. 场效应管开关电路设计（1）设计一个场效应管开关电路，实现信号的开关控制。
（2）测试开关电路在不同输入电压下的开关特性。
4. 场效应管电路调试（1）对设计的放大电路和开关电路进行调试，确保电路正常工作。
（2）使用万用表等工具测量电路的关键参数，如电压、电流等。
四、实训步骤1. 准备工作（1）查阅场效应管相关资料，了解其基本特性和应用。
（2）根据设计要求，选择合适的场效应管型号。
（3）准备所需的电子元件和工具。
2. 电路设计（1）根据设计要求，绘制电路原理图。
（2）选择合适的电路元件，计算电路参数。
3. 电路焊接（1）按照电路原理图，将元件焊接在电路板上。
（2）注意焊接质量和电路布局。
4. 电路调试（1）使用万用表等工具测量电路的关键参数，如电压、电流等。
（2）根据测量结果，调整电路参数，确保电路正常工作。
5. 实验记录（1）记录实验过程中观察到的现象和结果。
（2）分析实验结果，总结经验教训。
五、实训结果与分析1. 放大电路设计的场效应管放大电路在输入电压为0.5V时，输出电压可达10V，放大倍数为20倍。
经过调试，电路工作稳定，满足设计要求。
2. 开关电路设计的场效应管开关电路在输入电压为5V时，输出电压可达15V，开关特性良好。
场效应管放大器实验报告场效应管（FET）是一种常用的放大器元件，它具有高输入阻抗、低噪声、低失真等优点，因此在电子电路中得到了广泛的应用。
本实验旨在通过实际操作，了解场效应管放大器的工作原理、特性和参数测量方法，以及对放大器性能的影响。
下面将从实验目的、实验原理、实验步骤、实验数据处理和分析、实验结论等方面进行详细的报告。
实验目的。
1. 了解场效应管放大器的基本工作原理；2. 掌握场效应管放大器的参数测量方法；3. 理解不同参数对放大器性能的影响。
实验原理。
场效应管放大器是利用场效应管的放大特性来实现信号放大的电路。
场效应管由栅极、漏极和源极组成，通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流，从而实现信号放大。
在放大器电路中，场效应管通常作为放大器的输入级，其输入阻抗高，对输入信号不产生负载效应，能够有效地将输入信号传递到后级放大器，因此被广泛应用于各种电子设备中。
实验步骤。
1. 搭建场效应管放大器电路，连接电源和信号源；2. 调节栅极电压，测量输入输出电压和电流；3. 改变栅极电压，测量不同工作点下的电压增益、输入阻抗和输出阻抗；4. 记录实验数据，进行数据处理和分析。
实验数据处理和分析。
通过实验数据的记录和分析，我们得到了不同工作点下的电压增益、输入阻抗和输出阻抗的变化情况。
根据实验结果，我们可以看出，随着栅极电压的变化，电压增益呈现出不同的变化趋势，输入阻抗和输出阻抗也有所不同。
这些数据反映了场效应管放大器在不同工作点下的性能特点，为进一步了解其工作原理和优化设计提供了重要参考。
实验结论。
通过本次实验，我们深入了解了场效应管放大器的工作原理和参数测量方法，掌握了实际操作技能，对放大器性能的影响有了更清晰的认识。
实验结果表明，场效应管放大器具有较高的输入阻抗和电压增益，能够有效地实现信号放大，为电子电路设计和应用提供了重要的技术支持。
总结。
通过本次实验，我们对场效应管放大器有了更深入的了解，实践操作使我们更加熟悉了电子电路中的放大器元件，提高了我们的实际动手能力和技术水平。
一、实验目的1. 了解场效应管的基本结构、工作原理和特性。
2. 掌握场效应管放大电路的设计、调试和测试方法。
3. 培养实验操作技能和数据分析能力。
二、实验原理1. 场效应管的基本结构和工作原理场效应管是一种电压控制型器件，具有高输入阻抗、低功耗、热稳定性好等优点。
根据导电沟道的不同，场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。
本实验主要研究JFET的特性。
JFET由一个P型或N型半导体做衬底，在衬底上制作两个N型或P型区作为源极和漏极，在源极和漏极之间夹一个金属氧化物半导体作为栅极。
当栅极与源极之间施加反向电压时，在源极和漏极之间形成导电沟道，电流由源极流向漏极。
2. 场效应管放大电路的设计、调试和测试方法场效应管放大电路主要包括共源极放大电路、共栅极放大电路和共漏极放大电路。
本实验主要研究共源极放大电路。
共源极放大电路由场效应管、电阻、电容等元件组成。
其中，场效应管作为放大元件，电阻用于提供偏置电压和稳定静态工作点，电容用于滤波和耦合。
实验中，首先搭建共源极放大电路，然后调整电阻和电容等元件，使放大电路达到最佳工作状态。
最后，通过测试放大电路的增益、输入电阻、输出电阻等参数，评估放大电路的性能。
三、实验仪器与设备1. 场效应管：2SK1632. 信号发生器：DG41023. 示波器：MSO2000A4. 数字万用表：DM30585. 直流稳压电源：DP83216. 电阻器、电容器若干四、实验内容与步骤1. 搭建共源极放大电路（1）根据电路图，连接场效应管、电阻、电容等元件。
（2）设置直流稳压电源，为放大电路提供合适的偏置电压。
2. 调试静态工作点（1）使用数字万用表测量场效应管的漏源电压、栅源电压和漏极电流。
（2）根据实验要求，调整电阻和电容等元件，使放大电路达到最佳静态工作点。
3. 测试放大电路性能（1）使用信号发生器产生输入信号，接入放大电路。
（2）使用示波器观察输出波形，记录放大电路的增益、输入电阻、输出电阻等参数。
3.2 场效应管放大电路设计
3.2.1、实验目的
1.掌握场效应管的特性和参数的测试方法。
2.掌握场效应管放大器性能的调测方法。
3.2.2、实验原理与设计方法
1. 场效应管的分类
场效应管(FET 是一种电压控制电流器件。
其特点是输入电阻高,噪声系数低,受温度和辐射影响小。
因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。
场效应管的种类很多,按结构可分为两大类:结型场效应管(JFET 和绝缘栅型场效应管 (IGFET . 结型场效应管又分为 N 沟道和 P 沟道两种。
绝缘栅场效应管主要指金属一氧化物—半导体(MOS 场效应管。
MOS 管又分为“耗尽型”和“增强型”两种,而每一种又分为 N 沟道和 P 沟道。
结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的,输入电阻(105---1015 之间;绝缘栅型是利感应电荷的多少来控制导点沟道的宽窄从而控制电流的大小
其输入阻抗很高 (其栅极与其他电极互相绝缘 , 以及它在硅片上的集成度高, 因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。
2. 场效应管的特性
下面以 N 沟道增强型 MOS 场效应管为例进行说明场效应管的特性 . 图
3.2.1为 N 沟道增强型 MOS 场效应管的输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区。
(1可变电阻区
当 UGs>Ut时,沟道形成;在 UDS= 0时,沟道内横向电场等于零,所以 I D =0;当 U DSd 大于 ~0时,沟道内的
击
穿
区
图 3.2.1 N 沟道增强型 MOS 场效应管
电子在横向电场作用下,产生漏极电流 ID 。
但当 UDS 较小时,由于 UDS 的变化对沟道大小影响不大,沟道电阻基本为一常数, ID 基本随 UGS 作线性变化。
当 UGs 恒定时,沟道导通电阻近似为一常数, 从此意义上说, 该区域为恒定电阻区,当 Ucs 变化时, 沟道导通电阻的值将随 UGS 变化而变化, 因此该区域又可称为可变电阻区。
利用这一特点, 可用场效应管作为可变电阻器。
(2恒流区
当 UGs 恒定,在未饱和时,增加 UDs ,使漏极电流 ID 增加,当加大到使靠近漏极端的栅漏电压等于开启电压, ,漏极电流达到最大值,漏极端的导电沟道将开始消失 (称为预夹断 ,此时场效应管刚好饱和;若继续增加 UDS ,即 UDs>UT,会使漏极端导电沟道被夹断而出现耗尽层, 并随着 UDS 的增加, 夹断点向源极移动。
由于耗尽层的电阻率远大于沟道的电阻率, 因此当漏极端出现耗尽层后, 所增加
的 UDS 几乎全部降在耗尽层两端, 而加在沟道两端的电压几乎不变,从而使漏极电流 ID 基本不随 UDs 而变。
在输出特性曲线上,将不同值时的预夹断点连起来,即是图 3.2.1中左侧的虚线。
虚线右面即为恒流区 (或称为饱和区。
场效应管作为放大器使用时,一般工作在此区域内。
(3击穿区当
UDs 增加到某一临界值时, I D 开始迅速增大 , 曲线上翘 , 场效应管不工作 , 甚至烧毁, 场效应管工作时要避免进入此区间 . 3. 场效应管的参数
衡量场效应管控制能力的重要参数指标是跨导 m g 。
即
D GS
i m Q
v g ∂=
∂
其大小表征在工作点 Q 处栅源交流电压 UGS 对漏极交流电流的控制作用, 其典型直为 lms 一 10ms 。
表征场效应管器件输出电流减小到接近于零时的栅源电压称为夹断电压,它是耗尽型场效应管的重要参数; 表征场效应管器件开始有输出电流时的栅源压¨, 它是增强型场效应管的重要参数。
4.场效应管的判别与实验测试
结型场效应管有三个电极,即源极、栅极和漏极, 可以用万用表测量电阻的方法, 把栅极找出, 而源极和漏极一般可对调使用,所以不必区分。
测的依据是,源极和漏极之间为一个半导体材料电阻,用万用表测量电阻的R×1kQ量程挡,分别测量源极对漏极、漏极对源极的电阻值,它们应该相等。
也可以根据栅极相对于源极和漏极都应为 PN 结,用测量二极管的办法,把栅极找出。
一般 PN 结的正向电阻为 5kQ ~10kn ,反向电阻近似为无穷大。
若黑表笔接栅极、红表笔分别接源极和漏极,测得 PN 结正向电阻较小时,则场效应管为 N 沟道型。
场效应管的种类和系列品种比较多,但它们的电路测试原理和测量方法基本相同。
在测量和存放绝缘栅型场效应管时,由于其输入电阻非常高,管内不存在保护性元件, 一般将它的三只管脚短路, 以免静电感应而击穿其绝缘层, 待测试电路与其可靠连接后, 再把短路线拆除,然后进行测量。
测试操作过程应十分细心周密,稍有不慎,造成栅极悬空,很可能损坏晶体管。
5.场效应管的正确使用
场效应管主要用于前置电压放大、阻抗变换电路、振荡电路、高速开关电路等方面。
不同类型的场效应管的偏置电压极性要求是不一样的, 表 3.2.1列出了各类场效应管的偏置极性要求。
式电烙铁,并有良好的接地措施,或在焊接时切断电烙铁电源。
6.场效应管的基本应用共源极放大器
图 3.2.3为场效应管共源极放大器实验电路图。
该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点,栅极通过 R 1接地,因 R 1中无电流流过,所以栅极与地等电位。
即 V G =0, 所以:
V GS =V G -V S =-I S ·R S =-I D ·R S
I I m A (
GS (V
场效应管漏极特性曲线
图 3.2.2
V 10K
L 图 3. 2. 3 场效应管共极放大器场效应管放大电路的放大倍数为
D m i
V R g V V A ' 0
⋅-==
式中 L D L
D D R R R R R +⋅=
' , 常数 ==∆∆=DS CS
O m V i g
g m 为场效应管的跨导(即类同于三极管的β ,它的单位为毫西(mS ,因场效应管的跨
导比较小, 要提高 Av , 只有增大 R D 和 R L , 但 R D 和 R L 的增大, 相应地漏极电源电压必须提高。
2
121GS GS D D GS D m V V I
I V I g --=∆∆=
.场效应管放大电路电压放大倍数 A V 的测试 (1输入端输入正弦信号
(f=1KHZ, V 1=25mV ,用示波器观察输入电压波形,如果输出波形出现双向切顶失真, 可以减小输入电压幅值; 如输出波形单峰切顶失真, 可增大或减小 R S 使输出波形不失真。
则
i
o
V V V A
(2去掉输入信号,串入电流表(可用万用表测出静态工作点 I DQ 和 V DSQ 值。
(3 将源极自偏压电阻 R S 改换成另一阻值 (如680Ω或200Ω , 得测 I DQ 、 V DSQ , V i , V 0, 并将两次结果进行比较。
5.场效应管放大电路的输出电阻 R 0和输入电阻 R i 的测试(半电压测试法
3.2.3实验要求
1.基本要求
1] 测量结型场效应管的可变电阻
在可变电阻区内, ID 与 VDs 的关系近似于线性关系, , ID 增加的比率受UGS 控制。
因此, 可以把场效应管的 D 、 s 之间看成一个受 UGS 控制的电阻。
测量 rDs 电路如图 7— 4— 3所示。
图中,
ID=V1/RD r Ds=V2/ID=V2/V1RD
. (1按图 7— 4— 3接线。
其中, Vi 为 10mV 一 100mV,f =1000Hz的正弦波信号。
(2令 VGS=0,调节 Vi 使 v2在 0mV 一 100mV 范围内变化,读出 V1和v2的值,计算 rDs值并填入表 .
(3分别将 ugs 调至 VP-5,2VP-5, 3VP-5.4VP-5,重复以上几步
(4以测得的 UDs 为 X 轴, ID 为 Y 轴,画出 MOSFET 栅极一漏极连接的电阻特性曲线。
2 . 设计一个 AV=10的绝缘栅型场效应管共源放大电路。
已知输入信号有效值 Vi=150mv , Rl=20kQ,选 3D01D 型场效应管,其参数为 2扩展要求场效应管源极跟随器电路设计 .AV=1 Ri=2m 。
R 0
fl fh
3.2.4、实验仪器
1.直流稳压电源 l台
2.函数信号发生器 1台
3.双踪示波器 VP— M5220A —1型 1台
4.晶体管毫伏表 1台
5.万用表 500型 1只
3.2.5、预习要求实验报告
1.复习场效应管的内部结构、组成及特点。
2.复习场效应管放大电路的工作原理。
4.比较场效应管放大器与晶体管放大器的特点。
5.通过实验测得的放大倍数 A v 、输入电阻 R i 、输出电阻 R 0与理论值进行比较。
4.分析 R S 和 R D 对放大器的性能有何影响。
3.2.6 实验与思考题
’ 1测量场效应管的输入电阳 R 时,应考虑哪些因素 ? 为什么 ?
2 为什么场效应管输入端的耦合 (隔直电容 c 。
一般只要 0. 021uF 左右(它比晶体管的耦合电容要小得多 17
3 为什么场效应管电压放大器的放大倍数一般没有晶体管的电压放大倍数大 ?
··。
