《电子技术基础》习题三答案教程文件
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A、6.25W B、4W C、12.5W D、8W
10、为了提高放大电路的效率和带负载能力，多级放大电路的输出级常采用（A）。
A、互补对称功率放大电路B、三极管差动放大电路
C、共发射极放大电路D、共集电极放大电路
11、图示电路中RF引入的级间反馈类型为( C )。
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈
C、发光一段时间后自动熄灭D、开始不发光，过一段时间后一直发光
24、具有定时功能的电路是（C）。
A、多谐振荡器B、双稳态触发器C、单稳态触发器D、施密特触发器
25、某10位数模转换器，当输入二进制数为0000000001时，输出为0.01V，若输入二进制数为0100100101时，输出将为（C）。
A、0.7325V B、1.465V C、2.93V D、5.86V
14、集成稳压电源W7805应用电路如图所示，输出电压UO的大小为( C )。
A、5V B、6V C、11V D、18V
15、逻辑电路如图所示，TTL逻辑门电路的关门电阻ROFF=0.7kΩ，开门电阻RON=2kΩ，在上拉电阻RU取值正常的情况下，输出端F的逻辑表达式为（A）。
A、 B、 C、 D、
16、三态门电路如图所示，则F的逻辑表达式为( D )。
A、 B、 C、 D、
17、图示逻辑电路中，已知TTL门电路的关门电阻ROFF=0.7k，开门电阻RON=2k，则输出输出F的逻辑表达式为( B )。
A、 B、 C、 D、
18、对TTL与非门电路多余的输入端子，不可以（C）.
A、接高电位B、与有用输入端子并联C、接地D、通过 电阻接地
C、该三极管是硅管且管脚①是发射极D、该三极管是硅管且管脚②是发射极
5、增强型NMOS管的电路符号是下图中的（A）
6、图示差动电路，在电路非理想对称的条件下，增大RE对放大电路性能的影响是( B )。
A、提高共模电压放大倍数B、提高共模抑制比
C、提高差模电压放大倍数D、增加差模输入电阻
7、图示差动电路中，增加RE对放大电路性能的影响是( C )。
《电子技术基础》习题三答案
《电子技术基础》习题三答案ห้องสมุดไป่ตู้
一、单项选择题（本大题共30小题，每小题2分，共60分）
1、测得处于放大状态的某三极管当IB=30A时，IC=2.4mA；IB=40A时，IC=3mA；该三极管的交流放大倍数为（B）
A、80 B、60 C、75 D、100
2、图示三极管应用电路中，三极管的UBE= 0.6V，=50，如果近似认为三极管集电极与发射极间饱和电压UCES≈0，则三极管的集电极电流IC( C )。
19、TTL逻辑电路如图所示中、输出F的高、低电平值约为（D）。
A、 B、
C、 D、
20、时序逻辑电路如图(a)所示，设D触发器的初始状态为“0”，在时钟脉冲CP作用下Q端的波形为图(b)中的（D）。
21、JK触发器组成的电路如图(a)所示，设触发器的初始状态为“0”，时钟脉冲CP的波形如图(b)中所示，则输出Q的波形为图(b)中的( A )。
22、555集成定时器构成的应用电路如图所示，当开关S接通后扬声器( A )。
A、将会一直发出声响B、发出声响一段时间后自动停止
C、永远不会发出声响D、开始不会发出声响，延时一段时间后会一直发出声响
23、由555集成定时器构成的应用电路如图所示，当把按钮SB按下并迅速释放后，发光二极管( C )。
A、将会一直发光B、永远不会发光
C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈
12、图示电路中RF引入的级间反馈类型为（A）
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈
C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈
13、在放大电路中引入负反馈后，对放大电路性能的影响是（B）。
A、增大放大倍数，提高放大倍数的稳定性B、减小放大倍数，改善非线性失真
C、提高输入电阻，减小输出电阻D、减小放大倍数，消除非线性失真
A、等于5mAB、等于3mAC、约等于4mAD、等于0
3、图示三极管应用电路中，三极管工作在( C )。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、击穿区
4、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为：管脚①2.3V，管脚②3V，管脚③-9V，则可判定( D )。
A、该三极管是锗管且管脚①是发射极B、该三极管是硅管且管脚③是发射极
6、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起平衡作用。（T）
7、绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。（F）
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为仍为正弦。（F）
9、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是发射结反偏、集电结反偏。（F）
A、减小共模抑制比B、减小差模电压放大倍数
C、减小共模电压放大倍数D、增加差模输入电阻
8、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降UCES=2V，该电路的最大效率ηmax为( B )。
A、78.5% B、62.8% C、50% D、100%
9、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降UCES=2V，则负载RL可获得的最大不失真功率Pomax为（B）。
26、在数字系统中，为了把模拟量转换为数字量，应采用的集成器件是（B）。
A、D/A转换器B、A/D转换器C、计数器D、译码器
27、在数字系统中，为了把数字量转换为模拟量，应采用的集成器件是（A）。
A、D/A转换器B、A/D转换器C、计数器D、译码器
28、存储容量为 的ROM，其地址线数和位线数分别为（D）。
A、12和7 B、8和12 C、8和13 D、13和8
29、为了将1k×4的RAM扩展为4k×8的RAM，所需的1k×4的RAM片数为（D）
A、2片B、4片C、6片D、8片
30、交流放大电路如图所示，已知三级管β=100，UBE= 0.6V，其余参数值如图中所示，电压放大倍数Au为（B）
A、-0.99 B、0.99 C、-1.98 D、1.98
二、判断题（本大题共20小题，每小题2分，共40分，正确填“T”，错误填“F”）
1、各种比较器的输出只有两种状态。（T）
2、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。（T）
3、理想运放的两个重要结论是虚短与虚地。（F）
4、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是线性与非线性区。（T）
5、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是虚断。（F）
10、为了提高放大电路的效率和带负载能力，多级放大电路的输出级常采用（A）。
A、互补对称功率放大电路B、三极管差动放大电路
C、共发射极放大电路D、共集电极放大电路
11、图示电路中RF引入的级间反馈类型为( C )。
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈
C、发光一段时间后自动熄灭D、开始不发光，过一段时间后一直发光
24、具有定时功能的电路是（C）。
A、多谐振荡器B、双稳态触发器C、单稳态触发器D、施密特触发器
25、某10位数模转换器，当输入二进制数为0000000001时，输出为0.01V，若输入二进制数为0100100101时，输出将为（C）。
A、0.7325V B、1.465V C、2.93V D、5.86V
14、集成稳压电源W7805应用电路如图所示，输出电压UO的大小为( C )。
A、5V B、6V C、11V D、18V
15、逻辑电路如图所示，TTL逻辑门电路的关门电阻ROFF=0.7kΩ，开门电阻RON=2kΩ，在上拉电阻RU取值正常的情况下，输出端F的逻辑表达式为（A）。
A、 B、 C、 D、
16、三态门电路如图所示，则F的逻辑表达式为( D )。
A、 B、 C、 D、
17、图示逻辑电路中，已知TTL门电路的关门电阻ROFF=0.7k，开门电阻RON=2k，则输出输出F的逻辑表达式为( B )。
A、 B、 C、 D、
18、对TTL与非门电路多余的输入端子，不可以（C）.
A、接高电位B、与有用输入端子并联C、接地D、通过 电阻接地
C、该三极管是硅管且管脚①是发射极D、该三极管是硅管且管脚②是发射极
5、增强型NMOS管的电路符号是下图中的（A）
6、图示差动电路，在电路非理想对称的条件下，增大RE对放大电路性能的影响是( B )。
A、提高共模电压放大倍数B、提高共模抑制比
C、提高差模电压放大倍数D、增加差模输入电阻
7、图示差动电路中，增加RE对放大电路性能的影响是( C )。
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一、单项选择题（本大题共30小题，每小题2分，共60分）
1、测得处于放大状态的某三极管当IB=30A时，IC=2.4mA；IB=40A时，IC=3mA；该三极管的交流放大倍数为（B）
A、80 B、60 C、75 D、100
2、图示三极管应用电路中，三极管的UBE= 0.6V，=50，如果近似认为三极管集电极与发射极间饱和电压UCES≈0，则三极管的集电极电流IC( C )。
19、TTL逻辑电路如图所示中、输出F的高、低电平值约为（D）。
A、 B、
C、 D、
20、时序逻辑电路如图(a)所示，设D触发器的初始状态为“0”，在时钟脉冲CP作用下Q端的波形为图(b)中的（D）。
21、JK触发器组成的电路如图(a)所示，设触发器的初始状态为“0”，时钟脉冲CP的波形如图(b)中所示，则输出Q的波形为图(b)中的( A )。
22、555集成定时器构成的应用电路如图所示，当开关S接通后扬声器( A )。
A、将会一直发出声响B、发出声响一段时间后自动停止
C、永远不会发出声响D、开始不会发出声响，延时一段时间后会一直发出声响
23、由555集成定时器构成的应用电路如图所示，当把按钮SB按下并迅速释放后，发光二极管( C )。
A、将会一直发光B、永远不会发光
C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈
12、图示电路中RF引入的级间反馈类型为（A）
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈
C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈
13、在放大电路中引入负反馈后，对放大电路性能的影响是（B）。
A、增大放大倍数，提高放大倍数的稳定性B、减小放大倍数，改善非线性失真
C、提高输入电阻，减小输出电阻D、减小放大倍数，消除非线性失真
A、等于5mAB、等于3mAC、约等于4mAD、等于0
3、图示三极管应用电路中，三极管工作在( C )。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、击穿区
4、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为：管脚①2.3V，管脚②3V，管脚③-9V，则可判定( D )。
A、该三极管是锗管且管脚①是发射极B、该三极管是硅管且管脚③是发射极
6、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起平衡作用。（T）
7、绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。（F）
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为仍为正弦。（F）
9、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是发射结反偏、集电结反偏。（F）
A、减小共模抑制比B、减小差模电压放大倍数
C、减小共模电压放大倍数D、增加差模输入电阻
8、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降UCES=2V，该电路的最大效率ηmax为( B )。
A、78.5% B、62.8% C、50% D、100%
9、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降UCES=2V，则负载RL可获得的最大不失真功率Pomax为（B）。
26、在数字系统中，为了把模拟量转换为数字量，应采用的集成器件是（B）。
A、D/A转换器B、A/D转换器C、计数器D、译码器
27、在数字系统中，为了把数字量转换为模拟量，应采用的集成器件是（A）。
A、D/A转换器B、A/D转换器C、计数器D、译码器
28、存储容量为 的ROM，其地址线数和位线数分别为（D）。
A、12和7 B、8和12 C、8和13 D、13和8
29、为了将1k×4的RAM扩展为4k×8的RAM，所需的1k×4的RAM片数为（D）
A、2片B、4片C、6片D、8片
30、交流放大电路如图所示，已知三级管β=100，UBE= 0.6V，其余参数值如图中所示，电压放大倍数Au为（B）
A、-0.99 B、0.99 C、-1.98 D、1.98
二、判断题（本大题共20小题，每小题2分，共40分，正确填“T”，错误填“F”）
1、各种比较器的输出只有两种状态。（T）
2、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。（T）
3、理想运放的两个重要结论是虚短与虚地。（F）
4、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是线性与非线性区。（T）
5、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是虚断。（F）
