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Introduction of CCM Assembly ProcessDate : 2018/10/31COB介绍手机摄像头定义pact Camara Module ---紧凑摄像模组2.Cmos Camara Module ---CMOS 摄像模组3.Cellphone Camara Module ---手机摄像模组手机摄像头封装工艺类型1.PLCC/CLCC（Plastic/Ceramic Leaded Chip Carrier ）2.CSP（Chip-Scale Package芯片尺寸封装）3.COB（Chip On Board）4.FC（FLIP CHIP芯片倒装）封装工艺对比VCM 对焦马达Lens镜头组Bracket托架IR-Cut Filter红外线截止玻璃Sensor芯片PCB电路板Connector连接器Structure of CCMAssembly Process FlowBracket托架RFPC軟硬複合板GA玻璃鍵合Glue Dispensing膠塗佈DA芯片鍵合托架鍵合機+烤箱Bracket Mount+OvenWB金線鍵合鏡頭鍵合機+烤箱LHA+OvenMachine Configuration 玻璃鍵合機+紫外線照射機Glass Attach+UV machine托架鍵合機+烤箱Bracket Mount+Oven 鏡頭鍵合機+烤箱Lens/Holder Attach+Oven芯片鍵合機Die Attach 快速固化Snap Cure 緩衝機Buffer 金線鍵合Wire Bond 緩衝機BufferDie Attach (DA) + Snap CureDie attach is the process of attaching the silicon chip on the substrate.Key ParameterQuality Requirement Bond ForceDie Placement Bond Time Die tiltCuring TimeDie Rotation Curing Temperature Die Shear RFPC軟硬複合板Glue Dispensing 膠塗佈DA 芯片鍵合Die Attach (DA) + Snap CureDispensing System RW WaferDie Attach (DA) + Snap Cure Datacon 2200evo for exampleDie Attach (DA) + Snap CureDie ShearDage-4000 SeriesSnap Cure SystemCuring profileWire Bond(WB)Make electrical signal connection by welding gold wire from sensoraluminum pad to the substrate golden finger.Key Parameter Quality RequirementBond Force Wire Pull Bond Time Ball Shear Temperature No Crater WB 金線鍵合Gold wire 金線Key parameterWire diameter0.8 milPurity4N : 99.99%(Bondability)2N : 99%(Shaping)Elongation0.5 ~ 3 %Breaking Load 15~19 gCapillary 銲針Wire Bond(WB)SubstrateBall Formation1st BondWire Path Trajectory2nd BondSubstrateGlass Attach (GA) + UV CureDispense GA glue on bracket, then attach blue glass on it and finallyfix it by fully curing GA glue by UV machine or oven.Key Parameter Quality Requirement Bond Force Glass PlacementBond Time Glass tilt Curing TimeGlass RotationCuring Temperature Glass ShearBracket 托架GA 玻璃鍵合Dispense GA glue 玻璃鍵合膠塗佈Bracket Mount + Oven Cure•Dispense adhesive on post-wire bond semi-finished product, then mount bracket on it and finally fix it by fully curing adhesive by oven.Key Parameter Quality Requirement Bond Force Bracket PlacementBond TimeBracket tiltCuring Time Bracket Rotation Post-Wire Bond semi-finished product金線鍵合後半成品Bracket Mount 托架鍵合機Dispense Adhesive接合膠塗佈Lens Holder Attach (LHA) + Oven CureKey Parameter Quality RequirementBond Force Holder Shift Bond TimeHolder tiltCuring Time Holder Rotation 托架鍵合機+烤箱Bracket Mount+Oven 鏡頭鍵合機+烤箱LHA+Oven鏡頭鍵合膠塗佈Dispense LHA glueMaterial Package TypePrecision RequirementUplook CameraDA Wafer Ring High ×GA Medium ×BM JEDEC TrayHigh ○LHAHigh○Comparison of PNP processes•PNP : Pick and PlaceEOL 介绍1.EOL介绍EOL：End Of Line，后段生产线。
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手机生产工艺流程手机生产工艺流程是指手机从原材料到成品的整个生产过程。
手机生产工艺流程可以分为以下几个主要步骤：原材料准备、电路板制作、组装、测试、调试、包装等。
首先是原材料准备。
手机的主要原材料包括屏幕、电池、电路板、塑料壳体等。
这些原材料需要事先准备好，并按照规定质量和标准进行检验，以确保符合手机生产的要求。
接下来是电路板制作。
电路板是手机的核心部件之一，主要负责手机的数据传输和处理功能。
电路板的制作过程主要包括电路图设计、光刻、蚀刻、金属化、焊接等一系列步骤。
经过这些步骤，最终完成电路板的制作。
然后是手机组装。
手机组装是将各个部件进行组合和安装，形成成品手机的过程。
首先将电路板和其他各个零件进行连接和固定，如屏幕、电池、摄像头等。
然后将组装好的部件进行整体的组织和安装，最终形成一台完整的手机产品。
完成组装后，需要进行测试和调试。
测试是为了确保手机的各项功能能够正常运行，如通信、摄像、音频等功能的测试。
调试是为了针对可能出现的问题进行排除和修复，确保手机在使用过程中的稳定性和可靠性。
最后是包装。
手机在出厂前需要进行包装，以确保产品的安全和完整。
通常手机包装可以分为内包装和外包装两部分。
内包装是将手机放入盒子中，外包装是将盒子进行封装和标识。
手机生产工艺流程中有许多专业设备和技术的应用，如自动化生产线、焊接机器人等。
这些技术的应用可以提高生产效率和产品质量。
同时，手机生产工艺流程中还需要严格管理和质量控制，以确保每个环节的质量和要求都达到标准。
手机市场的快速发展，对手机生产工艺流程提出了更高的要求。
手机生产企业需要不断改进工艺技术，提高生产效率和产品质量，以满足市场的需求。
同时，还需要关注环保要求，减少对环境的污染，推进可持续发展。
研究生课程报告题目CMOS制造工艺流程介绍学生姓名鲁力指导教师学院物理与电子学院专业班级电子1602班研究生院制2017年4月CMOS制造工艺流程介绍CMOS的制作过程需要经过一系列复杂的化学和物理操作过程最后形成具有特定功能的集成电路。
而做为一名集成电路专业的学生，如果对于半导体制造技术中具有代表性的CMOS制造工艺流程有个简单的了解，那么对将来进入集成电路行业是有很大帮助的。
同时我也认为只有了解了CMOS的工艺才会在硬件电路设计中考虑到设计对实际制造的影响。
通过查找相关资料，我发现CMOS制造工艺流程非常复杂，经过前面学者的简化主要由14个步骤组成，如下所示：（1）双阱工艺注入在硅片上生成N阱和P阱。
（2）浅槽隔离工艺隔离硅有源区。
（3）多晶硅栅结构工艺得到栅结构。
（4）轻掺杂(LDD)漏注入工艺形成源漏区的浅注入。
（5）侧墙的形成保护沟道。
（6）源漏(S/D)注入工艺形成的结深大于LDD的注入深度。
（7）接触(孔)形成工艺在所有硅的有源区形成金属接触。
（8）局部互连(LI)工艺。
（9）通孔1和钨塞1的形成（10）金属1(M1)互连的形成。
（11）通孔2和钨塞2的形成。
（12）金属2(M2)互连的形成。
（13）制作金属3直到制作压点及合金。
（14）工艺是参数测试，验证硅片上每一个管芯的可靠性。
由于这个CMOS制造工艺的流程太复杂，我主要对其中的部分重要工艺做一些介绍。
1、双阱注入工艺我们都知道n阱工艺是指在N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，而在P型硅衬底上制作NMOS 晶体管；而p阱工艺是指在p阱CMOS工艺采用N型单晶硅作为衬底，在衬底上做出p阱，用于制作nMOS晶体管，而在n型硅衬底上制作pMOS晶体管。
如果要双阱注入在硅片上生成N阱和P阱。
那么只能N阱工艺和P阱工艺结合在双阱cmos工艺采用p型硅晶圆片作为衬底，在衬底上做出N阱，用于制作PMOS晶体管，在衬底上做出p阱，用于制作nMOS晶体管。
手机工艺流程手机工艺流程是指在手机制造过程中所需要经过的工艺步骤。
下面将介绍手机工艺流程的主要步骤。
1. 原材料准备：手机制造的原材料主要包括金属、塑料、玻璃等。
在手机工艺流程中，首先需要准备好这些原材料。
其中，金属主要用于手机的骨架和内部结构，塑料则主要用于手机的外壳，而玻璃则用于手机的显示屏。
2. 零部件制造：手机工艺流程的下一步是制造手机的各个零部件。
包括电池、屏幕、摄像头、主板等。
这些零部件需要在不同的工厂中进行制造。
例如，电池通常由电池厂商生产，屏幕则由显示屏厂商生产。
3. 组装：在零部件制造完成后，需要进行手机的组装。
手机的组装通常在专门的厂房中进行。
在组装过程中，先将各个零部件放置到手机骨架中，然后使用螺丝刀等工具将各个零部件固定在一起。
同时，在组装过程中还需要进行一些必要的测试，以确保手机的功能正常。
4. 调试：在组装完成后，手机需要进行调试。
调试的目的是测试手机的各个功能是否正常工作。
比如，检查手机的屏幕是否显示正常，摄像头是否拍照清晰，通话功能是否正常等。
在调试过程中，如果发现问题，需要对手机进行修复或更换零部件。
5. 质检：在手机调试完成后，需要进行质量检测。
质量检测的目的是确保手机的品质符合标准。
质检通常包括外观检查、功能测试、耐久性测试等。
如果发现手机存在质量问题，需要进行修复或退回厂商。
6. 包装：质检合格后，手机需要进行包装。
手机包装主要包括手机外壳和手机配件的组装。
同时，还需要将手机进行防护，防止运输过程中受到损坏。
手机的包装通常使用塑料袋、泡沫箱等材料进行保护。
7. 运输：手机包装完成后，需要进行运输。
手机的运输通常通过物流公司进行。
物流公司将手机从厂商运送到各个销售点或电商平台。
在运输过程中，需要注意防止手机的损坏或丢失。
总的来说，手机工艺流程包括原材料准备、零部件制造、组装、调试、质检、包装和运输。
每个步骤都是手机制造过程中不可或缺的一部分。
通过这一系列的工艺流程，手机最终能够生产出来，并正常投放市场。
流水线工艺流程流水线工艺流程是指按照一定的方法和步骤，将产品在一条生产线上进行加工和组装的过程。
下面将以手机生产为例，介绍流水线工艺流程。
1. 产品准备：手机生产开始前，需要准备好所需的原材料，如电池、屏幕、机身等。
同时，还需要检查材料的质量和数量是否符合要求。
2. 组件制造：手机的组件制造是流水线生产的关键环节之一。
首先，将准备好的原材料送入自动化设备中进行加工，如使用机械臂进行焊接、打孔等操作。
然后，组装各个组件，如安装电池、屏幕、摄像头等。
3. 测试与质检：在组装完成后，需要对手机进行测试和质检，以确保产品的质量和性能。
通过测试设备对手机的外观、功能、耐久性等进行全面测试，并使用人工检查对产品的外观进行质量检查。
4. 装配与调试：经过测试与质检后，对通过的手机进行装配和调试。
将主板、机身等组件进行组装，并进行软件的加载和调试。
确保手机的所有功能都能正常运行。
5. 包装与标识：完成装配和调试后，对手机进行包装和标识。
选择适合的包装盒，将手机放入包装盒中，并贴上相关的标签和说明书。
同时，还需要对包装盒进行质量检查，确保包装完好，防止运输过程中的损坏。
6. 入库与出库：完成包装和标识后，将手机送入仓库。
仓库需要对产品进行分类和存储，并建立相应的存储系统，以便于查找和管理。
同时，当订单到达时，需要根据订单的要求将产品从仓库中取出，进行出库。
7. 运输与配送：手机从仓库出库后，需要进行运输和配送。
根据不同的区域和客户需求，选择合适的运输方式，如陆运、海运、空运等。
同时，需要合理安排和管理配送时间和路径，确保产品能够按时送达客户手中。
8. 售后服务：当顾客购买手机后，可能会遇到一些问题。
流水线工艺流程中的最后一步是售后服务。
为了解决顾客遇到的问题，手机制造商需要建立一个完善的售后服务体系，提供技术支持、维修、更换等服务。
以上就是手机生产的流水线工艺流程。
通过流水线工艺流程，可以提高生产效率，降低生产成本，提高产品质量和交付速度。
CMOS工艺流程详解说！必看！今天偷个懒，网上下了个标准CMOS流程，给大家看看，顺便简单介绍一下其中步骤，废话少说，直接开始。
CMOS工艺流程介绍1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；2. 开始：Pad oxide氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；接着就淀积氮化硅。
3. A-A层的光刻：STI（浅层隔离）（1）A-A隔离区刻蚀：先将hard mask氮化硅和oxide一起刻掉；（2）STI槽刻蚀：Si3N4的刻蚀菜单刻蚀硅速率过快，不好控制，需要分开刻蚀；（3）刻蚀完成后去胶，为了节省空间，后面的层次去胶将会用一句话带过；（4）STI用氧化硅填充：这里没有讲，其实刻蚀STI会对衬底造成损伤，一般要先长一层薄氧化层，然后再腐蚀掉的，这样可以消除表现损伤；STI填充：HDP高密度等离子淀积STI槽，用其他机器填充会提前将STI槽封死，里面会出现空洞，HDP机台是一遍淀积，一遍刻蚀，可以防止提前封口；（5）简单的做法是直接CMP将二氧化硅磨平，但一般该步骤直接CMP会造成STI表面下陷，STI 槽不满的情况，一般还会再加一层，将STI区域保护起来，将中间区域刻蚀掉，然后再CMP，这里简化处理。
（6）热磷酸腐蚀掉氮化硅，这个不叫常规；4. Nwell光刻、注入：光刻前都有一层pad oxide，这里也没有画。
Nwell注入：一般要注一个阱，一个防传统注入，一个VT调节注入，三次注入分别对应深，中，浅，注入玩去胶，准备做Pwell注入；5. Pwell光刻、注入：方式与Nwell类似，注入改为B注入，然后去胶，去胶后要将Nwell和Pwell 一起推进，使两者有一定的结深和浓度梯度；6. Gate栅的形成：腐蚀掉表现氧化层，再长一层牺牲氧化层，然后再腐蚀掉牺牲氧化层；（1）栅氧化层生长：非常薄，质量非常关键，要控制好厚度，电荷，可动离子等；（2）POLY淀积：淀积 Insu-Poly，或者后面掺杂后再光刻（3）POLY光刻、刻蚀：光刻Gate，并刻蚀POLY，然后去胶；（4）POLY氧化：作为SI3N4 spacer刻蚀的停止层；7. NLDD/PLDD的形成：（1）NLDD光刻，注入，去胶；（2）PLDD光刻，注入，去胶；（3）Si3N4 spacer的刻蚀：氮化硅淀积及刻蚀8. NSD/PSD形成：（1）NMOS的源漏注入：Si3N4 spacer挡住的区域NSD注入注不进去，因此NSD区域要离开gate一小段距离；（2）PMOS源漏注入：做完PSD，一起做一次RTP来退回，激活离子。
