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多晶硅材料及其在电子领域中的应用多晶硅是一种由数百万小晶体组成的硅材料。
相比于单晶硅，
多晶硅制备过程更加简单，成本更低，且具备一定程度的弹性和
柔韧性。
因此，多晶硅在电子领域中的应用潜力巨大，被广泛用
于集成电路、太阳能电池等领域。
一、多晶硅的制备
多晶硅的制备方式包括热解法、气相沉积法以及溶胶-凝胶法。
其中，热解法是多晶硅最常见的制备方式。
它的原理是将气态硅
化合物（如SiH4）通过热解反应转化为多晶硅。
热解时需要高温、高压和高纯度的气体，在化学反应中，小晶粒之间相互生长，最
终形成大块多晶硅材料。
二、多晶硅在集成电路中的应用
多晶硅广泛用于半导体行业，主要是在集成电路中。
多晶硅可
以作为集成电路中的电阻器、电容器、晶体管等元器件的材料。
它还可以制成红外探测器、热释电CMOS传感器、存储器等元器
件。
此外，多晶硅可以用于制备高分辨率的TFT显示屏幕，如液晶显示器、OLED等。
三、多晶硅在太阳能电池中的应用
多晶硅在太阳能电池领域也有广泛的应用。
太阳能电池是将阳光转化为电能的设备，多晶硅是太阳能电池中的主要材料之一。
多晶硅具备半导体的特性，可以将太阳能转化为电能。
多晶硅太阳能电池以其高效率、长寿命等特点，越来越成为未来太阳能发电的主流技术之一。
四、总结
总而言之，多晶硅材料在电子领域中应用广泛，它可以用于制备集成电路、太阳能电池等元器件。
随着人们对绿色、节能、环保技术需求的不断提高，多晶硅在电子领域中的应用前景更加广阔。
未来，相信多晶硅材料能够在电子领域中发挥更加重要的作用。
太阳能电池材料及性能分析太阳能电池是一种转换太阳能为电能的装置，它是由特定材料构成的。
太阳能电池的性能在很大程度上取决于所使用的材料。
本文将对太阳能电池材料及其性能进行分析。
首先，太阳能电池最常见的材料之一是硅。
硅是一种半导体材料，在太阳能电池中通常以单晶硅、多晶硅或非晶硅的形式存在。
单晶硅具有非常高的晶体质量，但制造成本高。
多晶硅相对便宜且易于制造，但晶体质量较差。
非晶硅的制造成本相对较低，但效率低于晶体硅。
除了硅，还有其他各种材料被研究和应用于太阳能电池。
其中之一是硒化镉（CdTe）。
硒化镉太阳能电池的优点是制造成本低且转换效率较高。
然而，由于镉是一种有毒物质，对环境造成潜在危害，因此需要妥善处理废弃的硒化镉电池。
另一个被广泛研究的材料是铜铟镓硒（CIGS）。
CIGS太阳能电池使用铜、铟、镓和硒等元素的混合物作为吸收层。
CIGS电池具有高效率、灵活性和较低的制造成本，因此备受关注。
然而，其稳定性仍然是一个挑战，因为CIGS电池在长时间使用后可能性能下降。
除了吸收层材料，太阳能电池中的其他材料也很重要。
例如，透明导电氧化物（TCO）是用于覆盖太阳能电池表面的材料。
最常见的TCO材料是氧化锡（ITO），其具有较高的透明度和良好的导电性。
然而，ITO的价格较高且稀缺，因此研究人员正在寻找替代材料，如氧化锌（ZnO）和氧化钢（AZO）。
在对太阳能电池材料进行性能分析时，有几个关键参数需要考虑。
首先是光电转化效率，它表示太阳能电池将太阳辐射转换为电能的比例。
转化效率越高，太阳能电池的性能越好。
另一个重要参数是开路电压（Voc）和短路电流（Isc），它们分别表示太阳能电池在无负载和短路条件下的电压和电流。
最大功率点（Pmax）也是一个关键参数，表示太阳能电池在最大功率输出时的电压和电流。
太阳能电池材料的性能可以通过实验和模拟进行评估。
实验通常包括测量电池的IV曲线（电流-电压曲线），以确定关键参数。
模拟则使用物理和数学模型来预测材料在不同条件下的性能。
2024年电子级多晶硅市场规模分析引言电子级多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子元器件和太阳能电池等领域。
本文将对电子级多晶硅市场规模进行分析，以了解其市场趋势和发展前景。
1. 电子级多晶硅的概述电子级多晶硅是一种高纯度硅材料，其晶粒较大且杂质含量较低，具有较优异的电气性能。
它是制造半导体器件的关键材料之一，如集成电路、晶体管等。
此外，电子级多晶硅还被广泛应用于太阳能电池板的制造。
2. 电子级多晶硅市场规模电子级多晶硅市场规模受多种因素的影响，包括需求量、价格、技术进步和市场竞争等。
2.1 需求量分析电子级多晶硅的需求量受到半导体和太阳能行业的影响。
随着全球经济的增长和技术的进步，半导体器件市场不断扩大，对电子级多晶硅的需求也在增加。
此外，全球对可再生能源的关注度提高，太阳能电池的需求也在增长。
因此，预计未来几年电子级多晶硅的需求量将保持增长趋势。
2.2 价格分析电子级多晶硅的价格受到多个因素的影响，包括原材料成本、生产技术和市场竞争等。
随着电子级多晶硅供应链的优化和成本的下降，其价格逐渐下降。
此外，技术的进步也将推动电子级多晶硅的价格降低。
因此，可以预期价格的竞争将促使电子级多晶硅市场规模的增加。
2.3 技术进步和市场竞争电子级多晶硅市场具有激烈的竞争。
随着技术的进步和创新，越来越多的企业进入电子级多晶硅市场。
这种竞争促使市场不断发展和壮大，产品质量和工艺水平也得到了提高。
3. 电子级多晶硅市场发展前景电子级多晶硅市场具有良好的发展前景。
首先，随着全球电子产业的不断发展，对高质量电子级多晶硅的需求将持续增长。
其次，全球对可再生能源的需求不断增加，太阳能电池市场也将促使电子级多晶硅市场的增长。
此外，技术的进步和市场竞争将推动电子级多晶硅市场规模的扩大。
结论综上所述，电子级多晶硅市场具有良好的发展前景。
随着需求量的增加、价格的竞争和技术的进步，电子级多晶硅市场规模将继续扩大。
然而，企业需要密切关注市场变化，并提高产品质量和技术水平，以保持竞争优势。
多晶硅是什么材料
多晶硅是一种重要的半导体材料，也是太阳能电池的主要原料之一。
它具有优
良的光电性能和导电性能，因此在光伏领域有着广泛的应用。
那么，多晶硅究竟是什么材料呢？
多晶硅，顾名思义，是由多个晶粒组成的硅材料。
晶粒是由原子或分子按一定
的规律排列而成的，因此多晶硅的结构比单晶硅更为复杂。
多晶硅通常是通过硅原料经过高温熔化后再结晶而成，因此在外观上呈现出颗粒状的结构。
多晶硅的主要成分是硅元素，硅元素是地壳中丰富的非金属元素之一，它在自
然界中广泛存在于石英、玻璃、水晶等物质中。
硅元素是一种化学性质非常稳定的元素，具有很高的抗腐蚀性和耐高温性，因此多晶硅具有较好的化学稳定性和耐热性。
多晶硅具有良好的光电性能，它对光的吸收和光电转换效率较高，因此被广泛
应用于光伏发电领域。
通过将多晶硅制成太阳能电池，可以将太阳光能直接转化为电能，实现清洁能源的利用。
此外，多晶硅还可以用于制造光电器件、光学器件等，具有广阔的市场前景。
除了在光伏领域，多晶硅还有着其他的应用。
在半导体行业，多晶硅被用于制
造集成电路、光电器件、太阳能光伏电池等，具有重要的地位。
在化工领域，多晶硅可以用于制备硅树脂、硅橡胶、硅油等化工产品，具有广泛的用途。
总的来说，多晶硅是一种重要的半导体材料，具有良好的光电性能和导电性能，被广泛应用于光伏发电、半导体制造、化工等领域。
随着清洁能源产业的发展和技术的进步，多晶硅的应用前景将会更加广阔，为人类社会的可持续发展做出更大的贡献。
硅在半导体中的应用硅在半导体中的应用引言：硅作为一种常用的半导体材料，已经广泛应用于现代电子技术中的各个领域。
本文将重点讨论硅在半导体中的应用，探讨其在集成电路、太阳能电池和传感器等方面的重要作用。
一、硅在集成电路中的应用：1. MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）：MOSFET是集成电路中最常用的半导体器件之一，由硅制成。
它通过控制电场中的电荷来调节电流流动，在许多电子设备中发挥着关键作用，如计算机芯片和智能手机等。
2. CMOS技术（互补金属氧化物半导体）：CMOS技术是一种低功耗数字集成电路技术，利用硅的特性制造无功耗的电路。
它可以在电路不需要工作时切断电源，从而减少功耗，提高电池寿命。
3. BJT（双极型晶体管）：BJT也是一种常见的半导体器件，由硅制成。
它可以放大和控制电流，并广泛应用于放大器、开关和调制器等电子设备中。
二、硅在太阳能电池中的应用：1. 单晶硅太阳能电池：单晶硅太阳能电池是目前最常用的太阳能电池之一。
它使用高纯度的硅晶体材料制造，具有高转换效率和较长的寿命。
它在太阳能发电领域扮演着重要角色。
2. 多晶硅太阳能电池：多晶硅太阳能电池是另一种常见的太阳能电池类型，由硅晶体小颗粒组成。
相对于单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池成本较低，但转换效率稍低。
3. 薄膜硅太阳能电池：薄膜硅太阳能电池使用薄膜硅层作为吸收材料，结构简单，可以灵活地应用于曲面和柔性电池等领域。
三、硅在传感器中的应用：1. 压力传感器：硅微机电系统（MEMS）技术结合硅半导体材料，可以制造出高度灵敏的压力传感器。
其原理是利用硅的压阻效应来测量与压力相关的电阻变化，广泛应用于工业自动化、汽车和医疗设备等领域。
2. 温度传感器：硅材料具有较高的热敏特性，可以用于制造高精度的温度传感器。
通过测量硅的电阻变化，可以准确地测量温度，广泛应用于温度控制和监测系统中。
3. 加速度传感器：利用硅的微机电系统技术，可以制造出微小而高灵敏度的加速度传感器。
多晶硅的应用及生产技术多晶硅是一种重要的材料，具有广泛的应用领域和多样的生产技术。
下面将分别介绍多晶硅的应用和生产技术。
一、多晶硅的应用多晶硅广泛应用于光伏行业和半导体行业。
1. 光伏行业：多晶硅是太阳能光伏电池的主要材料。
在光伏电池中，多晶硅通过一系列工艺处理，如切割、刻蚀、钝化等，制成具有正负结的片状硅片。
这些硅片通过组装和连接，形成太阳能电池组件，用于太阳能发电。
多晶硅的应用使得太阳能光伏发电成为可持续发展的清洁能源，有助于减少对传统化石能源的依赖。
2. 半导体行业：多晶硅也被广泛用于半导体制造。
半导体是电子器件的基本材料，它具有导电性能介于导体和绝缘体之间。
多晶硅被用作半导体的基础材料，通过控制多晶硅中杂质元素的含量和分布，可以制备出具有特定电学性质的半导体材料，用于制造各种电子器件，如集成电路芯片、电子器件封装等。
多晶硅在半导体行业的应用推动了现代电子技术的发展，广泛应用于计算机、通信、消费电子等领域。
二、多晶硅的生产技术多晶硅的生产技术主要包括潜在载氧体法、克劳修斯法和Siemens法。
1. 潜在载氧体法：潜在载氧体法是一种通过化学反应来制备多晶硅的方法。
该方法首先将硅含氧化物与氢气或碳氢化合物在高温下反应，生成硅气体，然后将硅气体在低温下快速冷凝成多晶硅。
这种方法可以在大规模生产中获得高纯度的多晶硅，适用于太阳能光伏晶圆片的制备。
2. 克劳修斯法：克劳修斯法是一种进一步提高多晶硅纯度的方法。
该方法是通过控制硅气体中氧和杂质的含量，在低温下将硅气体再次凝结成固体硅。
克劳修斯法生产的多晶硅具有更高的晶格质量和更低的杂质含量，适用于半导体行业的生产。
3. Siemens法：Siemens法是一种通过炉管法制备多晶硅的方法。
该方法将氯化硅和氢气在炉管中进行反应，生成硅气体，然后在适当的条件下，将硅气体沉积在内壁上并快速凝结成多晶硅。
这种方法可以实现连续生产，适用于大规模工业化生产。
此外，随着科技进步和工艺改进，还出现了一些新的多晶硅生产技术，如溶液法、喷雾法等。
多晶硅太阳能电池的原料主要包括高纯度的单晶硅棒和多晶硅块料。
为了降低生产成本，地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒作为原料，其材料性能指标有所放宽。
此外，有的也会使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。
对于多晶硅块料，它们通常是由含有大量单晶颗粒的集合体或者由废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。
在制作过程中，首先选择电阻率为100～300欧姆·厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，然后经破碎、腐蚀、冲洗、烘干等步骤进行处理。
接下来，将处理好的多晶硅料放入浇铸炉中进行加热熔化，熔化后保温约20分钟，再注入石墨铸模中慢慢凝固冷却，最终得到多晶硅锭。
这些硅锭可以铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，提高材质利用率和方便组装。
总的来说，多晶硅太阳能电池的原料主要是高纯度的单晶硅棒和多晶硅块料，这些原料经过一系列的加工和处理，最终制成太阳能电池。
半导体多晶硅锭的作用与用途
半导体多晶硅锭是一种用于制造半导体器件的重要材料，它具有多种作用和用途。
多晶硅锭的主要作用是作为半导体芯片的原材料。
通过对多晶硅锭进行切割、研磨和蚀刻等处理工艺，可以制成各种规格和形状的硅片，这些硅片是制造集成电路、晶体管、二极管等半导体器件的基础。
多晶硅锭还被广泛应用于太阳能电池领域。
太阳能电池是将光能转化为电能的装置，多晶硅锭是制造太阳能电池的主要材料之一。
多晶硅太阳能电池具有较高的转换效率和较低的生产成本，因此在太阳能发电领域得到了广泛应用。
此外，多晶硅锭还可用于制造其他电子器件，如传感器、光敏器件等。
它的半导体特性使得它在电子学领域具有重要的地位。
总的来说，半导体多晶硅锭是半导体产业和太阳能电池产业的重要原材料，对于现代电子技术和可再生能源的发展起着至关重要的作用。
随着科技的不断进步，对于多晶硅锭的需求也将持续增长，同时也推动了多晶硅锭生产技术的不断创新和发展。
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料，广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展，对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程，旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段：原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅（Si），其含量在98%以上。
首先，将冶金级硅进行破碎、研磨等处理，使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节，其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除，得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤：（1）将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
（2）在还原炉中通入还原剂，如碳、氢气等，与冶金级硅发生还原反应。
（3）在还原过程中，炉内温度保持在约1100℃左右，反应时间为几小时至几十小时。
（4）反应结束后，将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质，需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤：（1）将粗多晶硅加入熔融炉中。
（2）在熔融炉中通入提纯剂，如氢气、氯气等，与粗多晶硅发生反应，生成挥发性杂质。
（3）将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出，实现提纯。
（4）提纯结束后，将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中，进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤：（1）将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
（2）在铸锭模具中通入冷却水，使多晶硅迅速凝固。
（3）待多晶硅凝固后，将铸锭模具从熔融炉中取出，得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤：（1）将多晶硅铸锭放置在切割机上。
（2）在切割机上安装切割刀片，将多晶硅铸锭切割成硅片。
半导体(电子)及太阳能电池材料的多晶硅一、概要1、从锗到硅锗：融点960℃用石英或炭的容器来熔化。
硅：融点1420℃炭和石英反应生成。
（沸点：2355℃）最初半导体的产生从生产使用方便的锗材料开始的，随着技术进步，开始使用了特别显著性质的硅（从1965年的硅的生产量超过了锗的生产量），用于太阳能电池就从这时开始的。
2、硅的特性半导体：导体、绝缘物的中间导电物。
导电：有P型与N型。
根据温度有所变化，P型N型的结合。
（P 型：空穴；N型：电子）常温下，本征半导体硅的电导率是230000Ω·cm，1100℃时为0.01Ω·cm.纯度为9个9时为100Ω·cm，10个9时为1000Ω·cm。
所含杂质越多，导电性越好。
3、高纯度多晶硅的技术变化进入1950年开始工业性生产（美国Du-pont）日本是从进入1960年代，6个厂家开始生产，以后开始摸索新的尝试。
现状TCS 为原材料，用西门子法为主流MONO 硅烷的西门子法或FBR法也实用。
开始做的是块状，现在做的是棒状。
4、多晶硅生产厂家的变化的现状当初有过各电子器具厂家自己制造多晶硅、单晶硅、硅片素子（Device）的时期。
后来此行业渐渐开始专业化，垄断化，现在只剩8家。
硅的循环（市场需求量）：一般4．5年为一个周期，多晶硅厂家来说10年间（有过2次周期），这期间有设新厂的，也有倒闭的，但总的来说厂家的数目没变。
中国目前可能有30家正在发展。
5、今后的展望从来是主要用于半导体（电子），太阳能级只是利用多晶硅的等外品，或是废料就可。
今后的潮流是太阳能级别的多晶硅的需要更加伸展，新加入此行业也随着增多，一部分多晶硅厂家转为生产太阳能级别的专业厂家。
太阳能级别的多晶硅的新的制造法也有很多种提案正在往实用化方面试验中。
a.SiCl4的锌还原法b.TCS (SiHCl3)的FBR的方法（该方法做出的多晶硅纯度高，而且该方法节电，可以降低成本，但目前没有工业化）c.高温碳表面上反应，生产液状多晶硅的方法d.把金属硅精制，提高纯度的方法二、TCS 为原料的西门子法半导体或太阳能级别的多晶硅纯度非常高，特别是对导电度影响很大的周期表里的Ⅲ族，Ⅴ族元素（B、Al、P、As等），半导体中利用时要求10–11(0.01ppba)的高度水准。
要制造这样高纯度的东西，首先从原料上制造容易精制的液体或气体状的硅化合物，以它为主再蒸馏、吸收等物理的方法来精制。
从高纯度精制出的中间原料中，以没有污染的条件为基础，还原或热分解的反应制造出多晶硅。
1、三氯氢硅（TCS)的制造a、合成工业用金属硅（纯度为98％）与氯化氢（HCl）反应来合成Si+3HCl=SiHCl3+H2(300℃时90％) （1）(90%是摩尔比)Si+4HCl=SiCl4+2H2（高温会增加）（2）此反应在280℃左右开始，是发热反应。
所以需要保证冷却到300℃前后，不然超温就引起四氯化硅的增多。
最高温度不要超过320℃，温度低于280℃时不反应，反应最佳温度是300℃.b、转化（conversion）(TCS)的合成约10%多晶硅的制造的反应里制造1㎏，生产16-18㎏的四氯化硅，把这个，有使用金属硅的和不使用金属硅的。
STC作原料变换成SiHCl3Si+3SiCl4+2H2=4SiHCl3 （550℃）（3）冷氢化SiCl4+H2= SiHCl3+ HCl (clean conversion) （1250℃）（4）热氢化这里开始的反应的一部分STC变化成TCS，未反应的成分，分离回收后再起反应。
冷氢化需要加更多的工序来去除硅粉中的杂质，要得到电子级的多晶硅还是用热氢化方法比较好。
2.TCS的精馏从金属硅制出来的TCS里含不纯物，有氯化物混在里面，还有同时生成的STC。
有时用水蒸气来除掉硼。
精制的最后阶段，用蒸馏或吸着的物理手段防止或除掉添加剂等不纯物的污染。
为了制造比一般化学制品还要高层次的多晶硅，以TCS为中间原料，经数十层的蒸馏塔。
塔也有几座，所有等于蒸馏数百层。
制造太阳能电池级别的时候可以简略蒸馏过程，降低成本（不纯物的纯度可降2.3个百分点）。
3.反应工程西门子法是通过加热保证1000℃以上的情况下送TCS和H2，那么很细的硅芯表面起反应，析出粗状的多晶硅棒。
副原料未使用的H2对TCS需要数倍的摩尔比，跟TCS同样要十分精制品。
a 、硅芯的通电加热高纯度多晶硅电阻在室内温度里大约102－103Ω·cm 在进行反应中 1000℃以上的温度里是10-2Ω·cm有很大变化，反应炉里设置的通硅芯线（slimrod）是保证1000℃的通电加热的特殊手段。
1）预备加热的方法硅芯的温度达300℃-400℃时电阻为1Ω·cm对硅芯1m流100V电压。
具体的硅芯加热方法有从反应炉外边加热法，还有炉内设置的加热器法，还有炉内送N2等，不活性气体的等离子加热法等都在使用，2）增高电压的方法做硅芯时加杂质，使用时电阻低的东西，通上高压电的方法。
此方法线很多厂家正在使用。
此方法因使用高压电，需要高标准的绝缘，所以这方面需要考虑b、多晶硅棒加热用电源多晶硅的电阻随温度所变，温度高电阻反而降低，与通常的金属相反的温度特性。
为了保证多晶硅的流电量（稳定温度），需要特定电流的电源。
从前使用过IVR（induction voltge regulater）方法，现在很多厂家使用硅可控整流器。
反应的初期，加热只有几mmn硅芯，需要100-150A的电流开始，达到直径100mm的多晶硅棒为止，需1500A的电流，对多晶硅棒通电时，需要的电压反而越粗越低。
VI1/3=一定在炉内有复数的多晶硅棒相互加热，所以实际是小于比上面公式算出的电流量，也能保持一定的所需要的温度。
怎么说也是用在多晶硅反应炉的电源，是从高电压低电流开始，移到大电流的。
所以需要有对应此方面的特殊东西。
C、生成多晶硅的反应在炉内起以下2中主要反应4SiHCl3=Si+3SiCl4+2H2 (5) （主反应）SiHCl3+H2=Si+3HCl (6)这个反应制造哪一个TCS时，逆反应时（5）和（3）（6）和（1）实际起反应最多的是（5），供给反应炉中的TCS中的多晶硅的含量中只析出10％，剩下的H2TCS SiCl4 HCl等混合气排出炉外。
既然5为主反应，为什么反应叫做还原反应？日本专家做过72对棒的还原炉，一次产多晶硅8吨，硅棒是130毫米。
d、硅芯的制作法1）从多晶硅棒切出的方法2）从多晶硅溶液中拉出的方法●Ø20-25mm的棒，用高周波的加热变成液状从那里拉出。
●Ø90-100mm的棒上部用特殊的高周波的电线圈加热溶解，同时拉出7根硅芯●石英坩锅里溶解的液体，从低部小孔一点一点凝固起来，拉出细硅棒。
日方拉单晶在真空中是每分钟5毫米（因为冷却慢），我方是每分钟7毫米。
4、处理从炉内排出的气体从炉排出的气体，主要成分是H2未反应的TCS STC HCl dichlosilanl等，为再利用分离回收。
用冷却、压缩、吸收、精馏、吸附组成（CDI）工艺系统。
吸着里使用的活性炭是从有机物量化炭化而成。
含磷所以吸附的活性炭，再利用时产生P的氯化物，必须十分注意。
反应炉内发生的少量高分子量的硅氯化物（polych loro silane）,蓄积在回收装置内。
所以设备维修时必须注意这一点，防止出现故障。
5、多晶硅棒的加工反应炉内生成的硅棒切成合适大小，或破碎、洗净、干燥后成为产品。
太阳能电池用多晶硅时，质量比半导体（电子级）稍低一点，所以洁净室标准也低一点，洗净工程也可省略，最终成本也降低。
这种方法很多厂家在应用中。
多晶硅加工时带来的污染存在于硅棒的外面，在后面的清洗过程中可以清洗掉，切割时用耐高温的金刚石。
6、产品质量分析高纯度多晶硅比通常的工业品纯度要求很高，太阳能电池级别的产品也对周期表中Ⅲ族，Ⅴ族的不纯物要求在10-8（10ppba 电阻为10Ω·cm ）以下的标准。
多晶硅样品，用浮游带域精制法变成单晶硅测定它，一般都在用此方法。
还有红外光线，floating zonemelting process,放射性化学分析法等。
日方用四探针测试仪来测，我们用二探针测试仪，主要测的是电阻率。
测试时取样不要取硅棒截面的中心部分，每次取大约200毫米的长度，直径17~18毫米，取出后，去掉两头的部分。
取样后合格的直接进带，不合格的再清洗。
（太阳能级的杂质含量：V族10ppb，Ⅲ族10ppb，电子级的杂质含量：V族0.1或0.2，Ⅲ族0.1 ppb）7、火灾例与安全对策多晶硅制造中的原料TCS 在反应炉内产生的STC 及HCl对人有害，特别是TCS是在消防法里认定为最容易燃烧的特殊引火物。
燃烧中有害的HCl产生，所以使用或处理中特别注意。
还有因H2，因TCS引起火灾、爆炸、烧伤都经历过。
必须彻底吸取教训，掌握性质，遵守消防法的前提下建立新的工厂。
SiHCl3（燃点：-27.8℃自燃点：104.4℃沸点：31.8℃着火点：100℃）SiHCl3易着火，当SiHCl3的温度达到100℃时，一遇到空气中的O2就着火，着火时用大量的水来灭火，最好在SiHCl3容易泄露的地方，储备一些NaOH溶液。
SiHCl3有恶臭的味道，当闻到臭味时，应及时屏住呼吸，然后进行处理。
针对SiHCl3着火，工人在上岗前应该安排消防演练，发生泄露是要及时要戴口罩和眼罩。
H2的爆炸下限是4%。
要有防电意识，不要用湿手去接触电源开关。
