第11章金属化工艺

半导体制造工艺第章：金属化在半导体制造过程中，金属化是一个至关重要的步骤。

在这个过程中，金属被用来建立电路中的连线，使芯片能够进行电气连接。

本文将介绍半导体制造工艺中的金属化过程，包括种类、步骤、材料和要点。

金属化种类半导体制造中的金属化可以分为两种类型：全金属化和部分金属化。

全金属化是指整个芯片表面都被金属覆盖。

这种方法会消耗大量金属，但能够提高芯片的电性能，例如在高频和高速应用中使用。

部分金属化是指仅在需要的位置上涂覆金属，这种方法会减少金属的使用量，但这也会导致电性能不如全金属化。

因此，部分金属化常常被用在较低的频率和速度应用中。

金属化步骤金属化的步骤大致可以分为以下几个：1.陶瓷氧化物底片准备：第一步是将金属蒸发到陶瓷氧化物底片上。

在这之前，必须将底片表面彻底清洁，以确保金属与底片能够连接。

2.准备光刻胶：将光刻胶涂在底片表面上，这种胶质稳定且可以保护底片表面。

3.照相排版：使用照相版，将图案转移到底片表面上。

这个过程可以用来确定哪些区域需要涂金属。

4.以金属充电：将金属塔蒸发到底片表面上，确保金属已经完全充电。

5.除去光刻胶：将光刻胶除去，只剩下金属图案。

6.沉积门电极：将金属导线或电路图案分别与门电极一起沉积在甲烷基硅酸锑膜上，然后就可以使用了。

金属化要点1.放热吸附一定要彻底：在金属化过程中，要确保金属与陶瓷氧化物底片的相互作用足够强大，这样才能达到良好的连接。

因此，放热吸附这个步骤必须要彻底，以确保任何潜在污染的消除，其目的是创造一个适合在其上沉积电极材料的表面。

2.光刻过程：光刻过程需要立即消除不需要的区域。

如果光刻胶不符合或者在时间不够的情况下被卸载，则会予以保护，以避免在接下来的沉积过程中产生污染。

3.导线线宽和间距：导线线宽和间距不仅影响芯片的电性能，而且还会影响制造成本。

因此，在金属化步骤中，必须仔细控制导线线宽和间距。

4.金属选择：不同的金属具有不同的电学和物理特性，它们的选择会直接影响芯片的电性能。