微波软件使用经验和常见问题解答
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微波软件使用经验1、ADS2003怎样仿真微带电路ADS2003怎样仿真微带电路ADS2003怎样仿真微带电路把微带加入2003系统后,进行仿真时,总是提示错误:Error detectet by HPEESOFSIM during netlist parsing. No Simulation Component specifie d. 微带的有的关参数见下:DA_MLine_asd DA_MLine1 Subst="Msub1" F=1GHz Zo=50Ohm Lphys=20mil Lelec=30.251.很明显,你忘记了要放一个S-Parameter Simulation Controller (S_Param)。
2.你使用的是Passive Circuit DG - Lines里面的元件吧? 使用这里面的元件必须配合ADS里面Design Guide中的Passive Circuit才能使用. 你在选择该元件的时候就会有小窗口提示你的. Momentum仿真是集成在ADS里面的无源电路的2.5维电磁场仿真(在layout窗口有个Momentum菜单),采用矩量法. 包括Momentum和 Momentum RF两种形式. Momentum采用全波分析, Momentum RF采用准静态场分析. 3.ematic窗口下的window下拉菜单---->layout------>Momentum下拉菜单.2、请教hfss9中solutionfrequency如何设置请教hfss9中solution frequency如何设置小弟在计算天线3~6G的return loss时,选择的算法是interpolation,设置sweep的频率范围为3~6G,但是不知道solution frequency应该设置为多少.在help文件中没有找到相关的内容。
1关系到网格的划分,频率越高,网格划分越细,精度越高,求解时间也越慢。
我通常选择在相应频率附近.2.在8.0中,solution frequency一般选择你所求解问题的的关键频率点,像天线问题,可以设置其为天线的工作频率3、问题求助我现在用MWO仿真软件作一个CDMA功放,但选用的管子没有非线性模型,只能用厂商提供的S参数进行仿真,但一般来说厂商提供的都是小信号S参数,这样设计显然达不到预期的结果,因此我想问几个问题1:在该软件中,如果没有没有晶体管的非线性模型,那么我们怎么利用该软件来进行大功率放大器设计?(因为小信号S参数实际上是建立在线性模型的基础上测得的,那么用它来设计功放,更本就没考虑到大功率晶体管的非线性性能,在软件仿真中就不能对它的非线性性能进行预估,即只能进行匹配、驻波、增益、线性输出功率的仿真,而不能进行诸如:交调、谐波、1dB压缩仿真)2:能不能自己建立晶体管的非线性模型?如果能建立的话,又怎样建立?3:如果没有非线性模型,是不是该软件就不能用来设计大功率放大器了?是不是只能通过试验测试的方法来设计大功率功放了?1.不知你用的是什么管子,MOTO的ADS,MWOFFICE的模型都有的,用他们可以进行非线性仿真。
我以前做功放时用ADS仿过MOTO的MRF系列管子,感觉是和实际相差比较远,尤其是互调等一些非线性的仿真结果,但还是有一些参考价值的,例如一些元件值的变化对匹配的影响趋势,或者是一个管子到底能做到多少互调值等。
一般做功放时都是根据管子的阻抗参数用软件算算匹配拓扑结构,主要以实际调试为主!所以我觉得楼主你没有管子非线性模型并不会对你的设计产生多大影响。
当然进行细致的仿真有助与你深入思考调试中遇到的问提,从而提高理论水平,巩固所得经验。
4、在hfss9里面怎么看方向图在hfss9里面怎么看方向图在results里面怎么看方向图,看了半天帮助也没明白,望高人指点1.set radiation boudary/PML -> solve -> create report -> far field -> radiation pattern5、请教about:PMLinHFSS请教about: PML in HFSS--在assign PML 的时候有一个选项一个是PML objects accept free radiation; 另一个是:PML objects continue guided wave. 有什么区别吗?1.适用于不同的结构,帮助文件里有详细说明6、HFSS90TE,TM两种极化入射平面波如何加入?[求助]HFSS90:TE,TM两种极化入射平面波如何加入?1你可以直接加入平面波的呀。
K矢量和,E矢量的方向你都可以自由设定的。
不过等算完了,后处理的事情多一些,多半要用field caculater来处理。
7、如何在hfss仿真的结果里面看结构内部的场分布如何在hfss仿真的结果里面看结构内部的场分布如何在hfss仿真的结果里面看结构内部的场分布,最简单的就拿波导的中间面来说吧.1.post process--->fields---->plot--->………2.在hfss9.0里面这是看表面的场结构的,fields--plot--e或者h。
我的本意是结构内的,例如,波导中间有一介质块,在介质块表面的场,介质内部的场分布?3.如果看介质板表面的场分布,需要用到 creat surface 功能,创建一组surface,并对其命名,如"aa",再在 field plot 中选择 "aa" ,即可。
8、请问hfss9.0在waveport设置选项中integration line如何理解,通常我采用系统的缺省设置“none”。
但是,integration line在什么情况下不用设置,什么情况下必须设置?如何设置使仿真结果更加准确?1.integration line是指电场积分得到最大电压的路径,一般情况下不用设定,如果要设定,可根据其含义进行定义,很简单9、在HFSS里,怎么定义一个物体为接地面?在HFSS里,怎么定义一个物体为接地面??在HFSS里,怎么定义一个物体为接地面??在HFSS里,怎么定义一个物体为接地面,是不是定义它的阻抗为零,或者其他?1.by default boundary is PEC.2.一个物体还是一个面物体怎么定义接地面,除了楼上兄弟说的,还可以定义一个面为PEC,设定其为接地面。
3.注意在hfss中,暴露在背景的物体的表面为理想导体面(pec)。
你可以想象在物体四周都为pec。
所以在仿真天线时,外面要设radiation。
4.既然默认情况下,暴露在外面的为理想电壁,那么设置微带天线溃源时怎么设置呢,我现在在一个微带端口表面给它加一垂直的面,将此面定义为waveport激励面,但是运行显示错误信息为:There are no bounderies to define wavepor1 correctly. this maybedue to incrrect materia definitions for those object that make up the port surface! 我已将构成次面的物体材料定义为PEC, 为什么还会出先这错误,望指教?5.我认为你应该把端口定义为GAP SOURCE6.同轴馈电,同轴末端要加一个和同轴外导体直径相同的pec,然后在同轴末端定义waveport,10、如何在ADS中实现双调谐电路的仿真?如何在ADS中实现双调谐电路的仿真?最近在做一些双调谐回路的仿真,但在ADS软件软件中却没有找到互感线圈的模型,知道的朋友指点一二。
谢谢!!1.在Lumped-Components有一个叫做MUTIND的东西,可以定义两个电感之间的互感。
11、AnsoftDesigner求救Ansoft Designer 求救大家好:我按照帮助文件的步骤用Ansoft Designer 软件设计的滤波器在做分析的时候怎么总是出现错误,提示是这样的:1 No Circuit elements to analyze. 2 Line no: 16==> Invalid Character in the input.1.重新插入一个滤波器设计,再分析就行.有时在原有的例子上第二次打开分析会出现上述问题.12、请问20*log(S(2,1))在ads里面是什么意思啊?请问20*log(S(2,1))在ads里面是什么意思啊?请问20*log(S(2,1))在ads里面是什么意思啊?他的结果和dB(S(2,1))相差很大,因为S(2,1)是复数不知道这是代表什么物理意义?1.是晶体管在电路中的插入增益2.S21是一个复数,所以一般不要直接用复变量的LOG()函数。
Some facts Let S21 = x + j * y = r * exp(j * phi), here x, y are real numbers, r > 0, and phi is in rads (=degr ees*pi/180)1. dB(S(2,1)) = 20*log(r) = 20*log(MAG(S(2,1))) = 20*log(ABS(S(2,1))), is a real number2. 20*log(S(2,1)) = u + j * v, is a complex numberwhere u = dB(S(2,1)) = 20*log(r) v = 20*log(exp(phi)) 3. Let w = SQRT(u * u + v * v),如果你要直接用20*log(S(2,1))画图,其实画出来的是w的图。
13、求助,关于ADS中微带线模型!求助,关于ADS中微带线模型!各位大侠,想问你们一个可能很简单的问题,在ADS2003中,我们在设计原理图的时候,要用T型结的模型,但是在ADS中,T型结的模型有两个,我们该用那一个呢,我们设计的电路是工作在10GHz和40GHz的。
那两个模型有什么区别呢,我看了帮助,但是还是不知道该用哪个!T-Junction Model都是在数值分析基础上从计算参考面反推出来的。
MTEE_ADS(Libra DS Model)在从参考面反推过程中考虑了色散特性及寄生电容特性,因而比MTEE(MDS Model)更加适合用在微波及毫米波段。
但是MTEE_ADS的三端口线宽比MTEE的限制要多,请参考帮助文件。
问题是如果用Momentum来仿真Layout的话,用哪一个会有什么区别呢?1.ADS我就会一些最简单的操作。