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爱尔HOOK-UP工程施工保障方案中国电子系统工程第二建设有限公司200７年０3月9日第一节项目概况本工程为西安爱尔微电子生产线工艺设备HOOＫ-UＰ工程和划片车间净化改造工程，位于西安市高新技术开发区新型工业园内。
主要系统包括:电气系统、压缩空气系统、氮气系统、氮氢混合气系统、工艺冷却水系统、排风系统、生产废水系统、工艺真空系统、自来水系统、纯水系统、配管配电的金属壁板开孔及安装工程、划片车间净化通风系统升级改造工程。
我方的工作范围包括上述各系统的方案设计、施工及管理、竣工资料整理、测试验收，并最终确保一次性交验合格,满足业主的使用。
第二节项目特点➢技术要求高、施工难度大二次配管种类繁多，设备分布广泛，涉及到不同种类、不同介质和不同材质的配管和连接,各系统的测试调试也具有较为严格的要求。
此外,主要工作在已经建成的洁净室进行，工艺生产及施工同时进行，洁净施工管理要求严格。
因此对施工单位管理能力和施工技术水平等要求较高。
➢工期较为紧张本工程施工总工期根据业主设备到场情况待定，每台设备业主方需提供详细的动力需求及设备定位时间,以便我方编制详细的机台ＨＯOK-UP计划。
➢交叉施工作业多每一台工艺设备的ＨOOK-ＵP可能均涉及到排风管道、给排水管道、大宗气体管道、配电和控制等，涉及面广泛。
而且设备安装比较集中，因此安装工程存在较多的交叉作业。
需要现场进行有效的协调管理。
➢合理、有效的施工空间管理。
施工中由于工期要求高,技术含量要求高,厂房内工艺设备的摆放比较密集，HOOK－UP施工和生产同时进行,如何有效合理的利用厂房的空间,确保施工的安全性、工期和质量也是本工程的一个特点。
第三节编制说明该方案针对本工程HＯOK-UP项目的系统安装与施工管理,作以合理的统。
半导体upw工艺流程The semiconductor ultra-pure water (UPW) process is a critical aspect of semiconductor manufacturing, ensuring that the water used in various processes is free from contaminants that could negatively impact the quality of the final product. UPW is required for cleaning, rinsing, and dilution processes in semiconductor fabrication, as even small impurities can lead to defects in the integrated circuits produced.半导体超纯水（UPW）工艺流程是半导体制造中一个至关重要的环节，确保用于各种工艺的水不含有可能对最终产品质量产生负面影响的污染物。
UPW在半导体制造中用于清洁、冲洗和稀释过程，因为即使是微小的杂质也可能导致生产的集成电路存在缺陷。
The UPW process involves multiple steps to purify the water to the required level, including filtration, ion exchange, and ultraviolet sterilization. High levels of purity are necessary to prevent contamination of the semiconductor materials and to ensure the reliability and performance of the integrated circuits. Any deviationfrom the specified purity levels can result in yield loss and increased production costs.UPW流程包括多个步骤，以将水纯化到所需水平，包括过滤、离子交换和紫外线消毒。
GAS系统基础知识概述HOOK-UP专业认知一、厂务系统HOOK UP定义HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。
HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。
机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。
HOOK UP 项目主要包括∶CAD，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，VACUU，GAS，CHEMICAL，D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN.二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas （一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1Hook-up），自Take Off出口点至机台（Tool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。
以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。
自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。
GAS系统基础知识概述HOOK-UP专业认知一、厂务系统HOOK UP定义HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。
HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。
机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。
HOOK UP 项目主要包括∶CAD，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，VACUU，GAS，CHEMICAL，D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN.二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas （一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1Hook-up），自Take Off出口点至机台（Tool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。
以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。
自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。
晶圆拉晶装料系统流程The semiconductor industry is a dynamic and fast-paced environment where the demand for high-quality wafers is ever-growing. As a result, the wafer fabrication process, including wafer pulling and loading, is a critical aspect of producing efficient and reliable semiconductor components. 晶圆拉晶和装料系统是半导体制造过程中至关重要的环节，对于生产高效可靠的半导体器件至关重要。
The wafer pulling process, also known as crystal growth, plays a crucial role in creating the silicon wafers that serve as the foundation for semiconductor devices. During this stage, a single crystal ingot is pulled from a molten silicon material, and then sliced into thin wafers using a diamond saw. 拉晶过程，也被称为晶体生长，对于制造半导体器件的硅片具有至关重要的作用。
在这个阶段，单晶锭从熔化的硅材料中拉出，然后用金刚石锯切割成薄硅片。
The quality and consistency of the pulled wafers are paramount tothe overall success of the semiconductor manufacturing process. Any irregularities or defects in the crystal structure can have a significant impact on the performance and reliability of the final semiconductorcomponents. 因此，拉晶薄片的质量和一致性对半导体制造过程的整体成功至关重要。
HOOK-UP系统简介工作特点1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特性与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特性4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来区分。
可分为特殊气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如SiH4、NF3等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas。
特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。
目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。
以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储存槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=-195.6°C O2=-183°CPN2将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为99.9999%经纯化器纯化过的氮的纯度为99.9999999%GN2&PN2 System(见附图)<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。
半导体trap原理
半导体中的trap（陷阱）是指能够俘获电子或空穴的晶体缺陷或物理中心。
这些陷阱能级是由于半导体中的杂质或晶格缺陷引入的。
当半导体处于热平衡状态时，这些能级上会有一定数量的热平衡电子。
当半导体受到外界激发，例如光照或电注入，会产生非平衡载流子，这些载流子可能会被陷阱能级俘获，从而改变半导体的电学性质。
陷阱能级分为电子陷阱和空穴陷阱。
如果陷阱能级上的电子数目增加，则该能级具有俘获非平衡电子的能力，称为电子陷阱。
反之，如果陷阱能级上的电子数目减少，则该能级具有俘获空穴的能力，称为空穴陷阱。
陷阱对半导体材料的载流子没有直接的贡献，但它们可以作为电子或空穴的复合中心，影响非平衡载流子的寿命。
当非平衡载流子落入陷阱后，基本上不能直接发生复合，而必须首先激发到导带或价带，然后才能通过复合中心而复合。
这个过程中，载流子从陷阱激发到导带或价带所需的平均时间比它们从导带或价带发生复合所需的平均时间长得多，因此陷阱的存在大大增加了从非平衡恢复到平衡态的弛豫时间。
陷阱在半导体器件中具有重要的应用，例如在金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）中，陷阱可以影响阈值电压和载流子迁移率等关键参数。
同时，陷阱也是半导体材料辐射损伤的主要原因之一，因为辐射会在半导体中产生大量的陷阱，从而影响器件的性能和可靠性。
HOOK-UP系统简介工作特点1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特性与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特性4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来区分。
可分为特殊气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如SiH4、NF3等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas。
特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。
目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。
以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储存槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=-195.6°C O2=-183°CPN2将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为99.9999%经纯化器纯化过的氮的纯度为99.9999999%GN2&PN2 System(见附图)<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。
IC FAB 廠務系統簡介2. Electrical power supply condition :2-1. Voltage & Loading :480V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire（R,S,T,G）208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire（R,S,T,G）208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 5 wire（R,S,T,N,G）120V : 60Hz ±0.5Hz, 1 phase 3 wire（L,N,G）※If tool loading of 208V is greater than 400A, we suggest to use480V power source.※Process tool should follow IEEE standard 466 -electrical power voltage requirement.As attachment-1.2-2. Type :Normal Power : without supply when power outageEmergency Power : can sustain power failure more than 10 minutesDynamic UPS : continuously supply even thought power outage3. EMI：＜10mG dc &＜1mG ac, and maximum 0.2 mG variation over 5 minutes nearsensitive equipment.4. ESD：4-1. Raised floor and concrete floor = 10E6~5×10E8Ω/□4-2. Clean room wall = 10E6~5×10E8Ω/□4-3. Voltage : ＜100 V level4-4. Photo area : discharge time: +1000V to +100V under emitter＜40 sec.5. Grounding : ≦1Ω6. Noise : ≦60 NC7. Illumination : 750 ~ 800 lux for C/R；but photo area 500 ~ 600 lux with yellow light10. Drain :10-1.『HF-S Drain』: the waste water contain fluorine ion, [F-] ＞200 mg/l10-2.『HF-W Drain』: the waste water contain fluorine ion, [F-] ＜200 mg/l10-3.『IPA Waste』: the waste liquid contain IPA and concentration [IPA]＞80%10-4.『Solvent Waste』: the waste liquid contain solvent and concentration [Solvent] ＞80% 10-5.『DA（Waste Drain）』: DA is dedicated to followed condition.A. The waste water contain TOC and concentration [TOC]＞2mg/lB. The waste water contain acid or alkali but not first acid rinse waterC. Conductivity＞800μs/㎝but not first acid rinse water10-6.『FDA Drain』: is dedicated to first acid rinse water10-7.『DG（general drain）』: DG is dedicated to followed condition.A. The waste water doesn't contain fluorine ion.B. [TOC]＜2mg/lC. Conductivity＜800μs/㎝but not hot water10-8.『DAH Drain』: hot drain water with [TOC]＜2mg/l and conductivity＜800μs/㎝and without fluorine ion.10-9.『Oxide Slurry Drain』: is dedicated to CMP oxide waste water10-10.『Metal Slurry Drain』: is dedicated to CMP metal waste water10-11.『Cu-W Drain』: is dedicated to CMP copper waste water10-12.『Cu-S Drain』: is dedicated to electroplating waste for Cu process10-13.『H2SO4-S』: the waste liquid contain H2SO4 and concentration [H2SO4]＞80%10-14.『H3PO4-S』: the waste liquid contain H3PO4 and concentration [H3PO4]＞80%10-15. Other waste collection systems are dedicated to specialty chemical waste such as EKC, coater, T-12…etc.Typical Power Design Goals for Semiconductor Process Equipment Voltage: 120/208, 277/480 variations as defined by CEBMA curve (IEEE Standard 446)RCFSUB-FABExhaustMUAoutdoor airULPA ChamberEQ-2Clean RoomHc\潔淨室air 品質管理f2.PPT, @2002/01/08.Fab Air Quality ManagementSMIF FOUPEQ-1Local Chemical FilterRCFChemical Filtermicro-environment Chemical FilterMUA Chemical Filter23511. Wafer Operation Area.2. RCF CF 前.3. RCF CF 後.4. MUA CF 前.5. MUA CF 後.儀器與方法1. IMS. (HF,Cl2,NH4OH,VOC/ppb)2. TLD-1. (Cl2 / ppb)3. CCT/ERM. (Å/hr, Å/day)4. Cu/Silver Coupon. (Å/day, Å/week)5. Metal Wafer Queue Time.6. Others. (CD, Defect, Lens,…)1FFUChemical Filter11. Air Velocity.2. Temp./Humidity.333功能與應用1. 晶片保護. (Alarm, OCAP/MRB,…), [ERT]2. Chemical Filter 之Lifetime 管理. [治標]3. 污染洩漏源管理.(Pattern,Map,...) [治本]4. CR 微污染有效管理. (計劃實驗), [持續改善]5. MUA 空氣品質管理. [提昇品質]6. 人員衛生品質管理. [特殊應用]杜絕漏源人人有責4WwaferSMIF/FOUP: Standard Mechanical Inter-Face, Front Opening Unified Pod.Fab Layout (air quality monitor)15112552434323Hc\潔淨室air 品質管理5.ppt1. Wafer Operation Area.2. RCF/FFU CF 前.3. RCF/FFU CF 後.4. MUA CF 前.5. MUA CF 後.RCFSUB-FABExhaustMUAoutdoor airULPA ChamberEQ-2Clean RoomHc\潔淨室particl e 理f2.PPT, @2002/05/13.Fab Particle ManagementSMIF FOUPEQ-1231. Wafer Exposure Area.2. ULPA 後.3. Mfg Working Area4. MUA 後.儀器與方法1. Particle Counter. (.1um)2. Particle monitor. (.3um)3. Air Velocity Meter. (0.1-1m/sec.)4. Flow pattern monitor5. Smog Generator.6. De-bug Tool. (Item1,2 + CCTV)111. Air Velocity.2. Flow Pattern23功能與應用1. 晶片保護. (Alarm, OCAP/MRB,…), [ERT]2. Filter 之Lifetime 管理. [治標]3. Particle 來源管理.(Pattern,Map,...) [治本]4. CR 微塵有效管理. (計劃實驗), [持續改善]5. MUA Particle 品質管理. [提昇品質]微塵控管人人有責4Class 1@0.1um Class 0.1@0.1umClass 100T @0.3umClass 100, @0.3umWClass 10@0.1umWafer SMIF/FOUP: Standard Mechanical Inter-Face, Front Opening Unified Pod.Gerneral Fab Layout (particle monitor)15112523323Hc\潔淨室particl e 管理5.ppt1. Wafer Operation Area.2. Mfg Working Area.3. ULPA 前.4. ULPA 後.5. MUA 前.444。
工作特点1．晶圆厂简介2．晶圆厂所需气体之特性与功能3．晶圆厂所需化学物质及其特性4．工作内容1．晶圆厂简介晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其主要工作场所为无尘室。
无尘室是恒温恒湿的，温度为21°C。
相对湿度为65%。
一般晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、蚀刻区、薄膜区。
2．晶圆厂所需气体之特性及功能由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体。
一般我们皆以气体特性来区分。
可分为特殊气体及一般气体两大类。
前者为使用量较小之气体。
如SiH4、NF3等。
后者为使用量较大之气体。
如N2、CDA等。
因用量较大；一般气体常以“大宗气体”称之。
即Bulk Gas。
特气—Specialty Gas。
2-1 Bulk Gas在半导体制程中，需提供各种高纯度的一般气体使用于气动设备动力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反应或去除杂质度等不同功能。
目前由于半导体制程日益精进，其所要求气体纯度亦日益提并。
以下将简述半导体厂一般气体之品质要求及所需配合之设备及功能。
2-1-1大宗气体种类：半导体厂能使用的大宗气体，一般有CDA、GN2、PN2、PAr、PO2、PH2、PHe等7种。
2-1-2 大宗气体的制造：<1> CDA/ICA(Clean Dry Air)洁净干燥空气。
CDA之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及碳氢化合物以供给无尘室CDA/ZCD。
CDA System:空气压缩机缓衡储存槽冷却干燥机过滤器CDA<2> GN2利用压缩机压缩冷却气体成液态气体。
经触媒转化器，将CO反应成CO2，将H2反应成H2O，再由分筛吸附CO2、H2O，再经分溜分离O2&CnHm。
N2=°C O2=-183°CPN2将GN2经由纯化器(Purifier)纯化处理，产生高纯度的N2。
一般液态原氮的纯度为%经纯化器纯化过的氮的纯度为%GN2&PN2 System(见附图)<3> PO2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得99%以上纯度之O2，再除去N2、Ar、CnHm。
另外可由电解方式解离H2&O2PO2 System（见附图）<4> PAr经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得%以上纯度之氩气。
因Ar在空气中含量仅%。
生产成本相对较高。
PAr System (见附图)<5> PH2经压缩机压缩冷却气体成液态气体，经二次分溜获得%以上纯度之H2。
另外可由H2O电解解离H2&O2。
制程廉价但危险性高易触发爆炸。
PH2 System (见附图)<6> PHe由稀有富含He的天然气中提炼，其主产地为美国及俄罗斯。
利用压缩机压缩冷却气体为液态气体，易由分溜获得。
He lium=°C Methane (甲烷)= °CPHe System (见附图)2-1-3 大宗气体在半导体厂中的用途CDA主要供给FAB内气动设备动力气源及吹净(Purge),Local Scurruber助燃。
ICA主要供给厂务系统气动设备动力气源及吹净。
N2主要供给部份气动设备气源或供给吹净、稀释惰性气体环境及化学品输送压力来源。
O2供给ETCH制程氧化剂所需及CPCVD制程中供给氧化制程用，供给O3 Generator所需之O2供应及其他制程所需。
Ar供给Sputter制程，离子溅镀热传导介质，Chamber稀释及惰性气体环境。
H2供给炉管设备燃烧造成混氧环境，POLY制程中做H2 BAKE之用。
W-PLUG制程中作为WF6之还原反应气体及其他制程所需。
He供给化学品输送压力介质及制程晶片冷却。
Bulk Gas虽不像Specialty Gas，有的具有强烈的毒性、腐蚀性。
但我们使用大宗气体时仍需要注意安全。
GN2、PN2、PAr、PHe具有窒息性的危险，这些气体无色无味，若大量泄出而导致空气中含O2量(一般为21%)，减少至16%以下时，即有头痛与恶心症状。
当O2含量少至10%时，人将陷入意志不清状态，6%以下，瞬间昏倒，无法呼吸，6分钟以内即死亡。
PH2因泄漏或混入时，其本身之浓度只要在H2之爆炸范围（4%-75%）内（相对空气），只要一有火源此气乃会因相混而燃烧。
PO2会使物质易于氧化产生燃烧，造成火灾的不幸事件。
因此，身在半导体厂工作的我们，在设计上，施工中，如何避免泄漏、如何防患，则是我们努力工作之一。
2-2 Specialty Gas半导体厂所使用的Specialty Gas种类繁多，约有四、五十种，依危险性可分为以下数类：2-2-1易燃性气体有些气体当因泄漏或混入时，其本身之浓度只要在某一范围内（相对空气），只要一有火源，此气体乃会因相混而燃烧。
此称为该气体之爆炸范围。
如：SiH4 %-100% SiH2CL2 %% PH3 %-100%2-2-2低压性气体有些气体常态下为粘稠液态气体，室温的饱和蒸汽压均小于10Psi，易造成管线阻塞，需包加热套，提高气体蒸汽压，才能充分供应气体。
如：DCS、CLF3、WF62-2-3毒性气体有些气体由于其反应性很强，对动物（含人类）的呼吸、粘膜、皮肤等功能有强烈影响。
如：NF3,PH32-2-4腐蚀性气体有些气体与水分一作用，即水解后产生HCL或HF等酸化物，对人体（包含眼睛、鼻子、皮肤、呼吸系统等）及设备（如管路及阀件）多少有腐蚀作用。
此气体有下列：<1> HCL、CL2、SiH2CL2、BCL3等含CL元素的气体---HCL<2> BF3、SiF4、WF6含F元素---HF<3> NH3---氨水极刺激性2-2-5窒息性气体如：CO2、CF4、C2F6等气体，无臭无味。
若大量泄出而相对致空气含O2量减少至16%以下时，即有头痛与恶心症状。
当O2含量少至10%时，人将陷入意志不清状态，6%以下，瞬间昏倒，无法呼吸，6分钟以内即死亡。
2-2-6自燃性气体有些气体，一与空气相混，即使没有火源也会自燃起火。
此称为自燃气体。
一般其起火点在常温以下。
此气体有：SiH4、PH3、B2H6等我们虽不能排除这些气体会对我们产生的种种不良影响。
但身在半导体厂工作的我们，可以在设计上、施工中，杜绝缺失。
以避免泄漏，防患未然。
3．晶圆厂所需之化学物质及其特性3-1 化学品种类（溶剂类）C260、EKC-270、NMP、OK-73、A515、IPA除EKC-270使用PFA/304 BA管，其余均使用316L EP管。
接管方式配合VMB出口及机台入口端形式接管。
3-2 化学品种类（酸碱类）HF1%、HF49%、H2O2、NH4OH29%、DEVELOPER、M1、BOE 200:1、BOE 500:1、BOE 50:1、HNO3、HCL、H3PO4、H2SO4。
使用PEA/CLEAR PVC双层管直接弯管，接管方式配合VMB出口及机台入口端，内管直接扩管。
外管使用40A C-PVC SOKET固定。
3-3化学特性见下表序号化学式中文名称化学特性1 H2SO4 硫酸强腐蚀性液体2 H3PO4 磷酸腐蚀性液体3 HNO3 硝酸强腐蚀性液体4 HCL 盐酸强腐蚀性刺激性液体5 BOE 50:1 蚀刻液腐蚀性、毒性液体6 BOE 100:1 蚀刻液腐蚀性、毒性液体7 BOE 200:1 蚀刻液腐蚀性、毒性液体8 DEV 显影剂腐蚀性液体9 NH4OH 氨水强刺激性液体10 H2O2 双氧水刺激性、腐蚀性液体11 M1 硝酸氢氟酸混合液强腐蚀性液体12 49% HF 氢氟酸水溶液腐蚀性剧毒液体13 1% HF 氢氟酸水溶液腐蚀性剧毒液体14 Thinner 晶边清洗液易燃液体15 EKC270 光阻去除液腐蚀性、刺激性液体16 A515 显影液易燃性、刺激性液体17 NMP 正甲基比喀酮可燃性、刺激性液体18 IPA 异丙醇易燃性、强毒性液体19 C260 润湿液易燃性、刺激性液体4．工作内容我们所做的工作就是利用自动焊机、弯管器等工具。
由气瓶柜（或气罐）一端架设管路至FAB内机台附近并开设预留阀即TAKE OFF点（此段工作称为一次配）。
然后再由TAKE OFF点配制管线至机台接点即二次配（HOOK UP）。
半导体配管材料及阀件简介1.管件---Pipe&Tube2.连接配件---Fittings3.阀件---Ultra Clean Valves4.调压阀---Pressure Regulator5.压力侦测器---Pressure Gauge&Transducer6.过滤器---Gas Filter7.选用材料依据8.二次阀盘组之形式1．About Pipe&Tube1-1.依材质分类管材可分为：<1>SUS 304 <2>SUS 316 <3>SUS 316L其差异在于SUS316增加钼（Mo）金属，改善其机械性质。
L则表示材料降低含C量，增加含镍（Ni）量。
1-2.依规格分类可分为：<1>日规（JIS）：PIPE SIZE<2>美规（ASTM）：TUBE SIZE其中须注意：<1>1”之尺寸在PIPE SIZE=25A,其外径OD为,在TUBE SIZE其OD为<2>在PIPE SIZE中25A又称1”,50A又称2”,80A又称3”,100A又称4”<3>TUBE SIZE（一般使用在1”以下之Gas配管）,常用尺寸为1/8”（一分）、2/8”（二分）、3/8”（三分）、4/8”（四分）、5/8”（五分）、6/8”（六分）、1”。
1-3．依表面处理方法分类：一般分为三种<1>AP（Annealed and pickled）级（素管）：酸洗管<2>BA (Bright-annealed)级：光辉退火管<3>EP (Electrolytic polished)级：电解抛光管注意：影响管子价格之因素最为重要之决定因素在表面处理之方法，其价格之高低顺序EP>BA>AP。
1-4.依厚度来区分：一般厚度之规格有SCH5S、SCH10S、SCH20S、SCH40S。
1-5.依管材制程可分：<1>SINGLE MELT<2>DOUBLE MELT（目的在于降低管内杂质及增加腐蚀性）例：VIM+V AR（SUMKIN之专利代称）VIM—V ACUUM INDUCTION MELTINGV AR—V ACUUM ARC REMELTING1-6．管材又可分为有缝、无缝两种。
