深度解读NANDFLASH

NandFlash原理与启动详解一、Nandflash内部是怎么工作的：1片Nandflash=1设备；1设备=4096块；1块=32页；1页=528字节=数据大小（512字节）+oob块大小（16字节）（oob用于Nandflash命令执行完成后设置状态）可以通过NAND Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位，通过NAND Flash内置的指针指向各自的首地址。

存储操作特点有：擦除操作的最小单位是块；NAND Flash芯片每一位只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前一定要将相应块擦除(擦除即是将相应块的位全部变为1)；OOB部分的第6字节(即517字节)标志是否是坏块，值为FF时不是坏块，否则为坏块。

除OOB第6字节外，通常至少把OOB的前3字节用来存放NAND Flash硬件ECC码。

（ECC："Error Correcting Code" "错误检查纠正"，带有奇偶校验的内存的主要功能。

）1.Nand flash以page为单位进行读写，以block为单位进行擦除，没页分为main区和spare区，main区用于存放正常的数据，spare区用于存放一些附加信息2．S3c2440 支持从Nand 启动是因为内部有一个叫做Steppingstone的SRAM buffer，当启动的时候，nand 的前4k的将会代码将被拷贝到steppingstone中执行，注意前4k代码是不会经过ECC校验的，所以必须确保这些代码的准确3.对nand的操作都是通过使用命令来实现，有的操作只要一个命令就可以完成，而有的需要两个命令才能完成,下面是K9F1G08U0B的命令表：4 Flash烧写程序原理及结构基本原理：将在SDRAM中的一段存储区域中的数据写到NAND Flash存储空间中。

烧写程序在纵向上分三层完成。

NAND flash和NOR flash的区别详解[导读]我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的这二种存储.关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。

这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。

Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。

U盘和MP3里用的就是这种存储器。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。

许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。

NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。

用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。

NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

nandflash原理
NAND Flash的工作原理是将电压变化的门极电容器上的电流回到电源中。

当存储器被分为多个分区时，通过门极信号来访问和操作存储空间。

此时，如果将电流沿着多个存储单元传输，就可以建立一个连接，用来将存储单元中的数据传输到计算机中，从而实现数据存储与读取功能。

NAND Flash的物理组成包括存储单元、位线、字线和块等。

每个存储单元以bit的方式保存在存储单元中，通常一个单元中只能存储一个bit。

这些存储单元以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte（x8）/word（x16），这就是NAND Device 的位宽。

存储结构方面，NAND Flash由块构成，块的基本单元是页。

通常来说，每一个块由多个页组成。

NAND Flash每一个页内包含Data area（数据存储区）和Spare area（备用区）。

每一个页的大小为Data area+Spare area。

这个过程造成了多余的写入和擦除，这就是所谓的写放大。

在存储单元的构造方面，NAND Flash的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。

栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。

与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。

以上内容仅供参考，如有需要可以查阅相关文献资料或咨询专业人士。

nand flash读写工作原理概述说明1. 引言1.1 概述NAND Flash是一种非常常见和重要的存储设备，被广泛应用于各种电子产品中。

它的独特设计使得它成为一种高性能、低功耗、擦写可靠且具有较大容量的存储器解决方案。

由于其许多优点，NAND Flash在移动设备、个人电脑、服务器以及其他许多领域都有着广泛的应用。

1.2 文章结构本文将详细介绍NAND Flash的读写工作原理，并探讨其在存储领域中的优势与应用场景。

首先，我们将简要介绍NAND Flash的基本概念和特点，包括其结构和组成部分。

然后，我们将重点讲解NAND Flash进行读操作和写操作时所涉及的工作原理和步骤。

通过对这些原理的详细阐述，读者将能够全面了解NAND Flash如何实现数据的读取和写入。

除此之外，我们还将探讨NAND Flash相对于其他存储设备的优势，并介绍几个典型应用场景。

这些优势包括快速读写速度、低功耗、体积小且轻便、强大的耐久性以及较大的存储容量。

在应用场景方面，我们将重点介绍NAND Flash 在移动设备领域、物联网和服务器等各个行业中的广泛应用。

最后，我们将进行本文的小结，并对NAND Flash未来的发展进行展望。

通过全面了解NAND Flash的工作原理和优势，读者将能够更好地理解其在现代科技领域中的重要性，并对其未来发展趋势有一个清晰的认识。

1.3 目的本文的目的是通过对NAND Flash读写工作原理进行详细说明，使读者能够全面了解NAND Flash是如何实现数据读写操作的。

此外，我们还旨在向读者展示NAND Flash在存储领域中所具有的优势和广泛应用场景，使其意识到这一存储设备在现代科技产业中所扮演的重要角色。

希望通过本文，读者能够加深对NAND Flash技术的理解，并为相关领域或产品的研发与设计提供参考依据。

2. NAND Flash读写工作原理：2.1 NAND Flash简介：NAND Flash是一种非易失性存储器，采用了电子闪存技术。

NandFlash工作原理NAND Flash，是一种非易失性存储设备，常用于闪存存储器和固态硬盘中。

与传统的动态随机存取存储器（DRAM）不同，NAND Flash存储器不需要定期刷新数据，因此具有断电保持数据的能力。

NAND Flash存储器是通过一系列具有浮栅结构的晶体管来实现存储的。

每个晶体管都包含一个浮栅，浮栅上覆盖着一层非导体材料。

这些浮栅允许在其中储存电荷，以表示数据的值。

NAND Flash存储器的基本工作原理是通过对晶体管的控制来擦除和编程这些浮栅中的电荷，从而存储和读取数据。

首先，当NAND Flash存储器被擦除时，所有浮栅中的电荷都被清空。

这是通过应用高电压来驱动控制栅（CG）和源/漏（S/D）端之间的电子流来完成的。

这个高电压会产生强烈的电场，足以将浮栅中的电荷推向源/漏区域，并完全清除。

然后，在编程NAND Flash存储器时，特定的晶体管被选中并编程。

对于存储1的位，电荷会被注入到浮栅中，这是通过应用一定的电压来驱动源/漏端和控制栅端之间的电子流来实现的。

这样，当电压降低时，源/漏区域的电子会绕过绝缘层并进入浮栅，存储为1的位。

当要读取存储器中的数据时，读取器件会对特定的晶体管进行选择，并读取浮栅中的电荷量。

当浮栅中有足够的电荷时，表示存储为1的位；当浮栅中没有电荷时，表示存储为0的位。

需要注意的是，在NAND Flash存储器中，晶体管是按矩阵排列的。

这使得可以同时编程或读取多个晶体管，从而提高了存储器的效率和速度。

此外，为了提高NAND Flash存储器的存储密度，还使用了一种称为多层单元（MLC）技术。

MLC技术允许在每个晶体管中存储多个比特的数据，通过改变电荷量的范围表示不同的数值。

然而，MLC技术增加了位错误率，因为不同电荷量之间的差异更小，容易受到噪声和电荷漏失的干扰。

总的来说，NAND Flash存储器通过控制晶体管上的浮栅电荷来存储和读取数据。

通过擦除，编程和读取操作，它可以实现非易失性的数据存储，并被广泛应用于闪存存储器和固态硬盘中。

全面理解SSD和NANDFlashFlash Memory又叫做闪存，是一种非易失性存储器。

非易失性是指断电之后数据不会丢失，这里就涉及到断电保护（后面详细讲解）。

总体思路1、前言：HDD和SSD的比较引出Flash。

2、Flash的分类：NAND Flash和NOR Flash。

3、NAND Flash规则介绍。

4、SSD固件（Firmware，FW）包括：映射表（Mapping Table）、垃圾回收（Garbage Collection）、磨损平衡（Wear Leveling，WL）等。

5、补充概念：写入放大（Write Application）、预留空间（Over Provisioning）、Flash寿命（Program/Erase Count，P/E）等。

6、断电保护机制。

7、对SSD的评价标准：稳定性、性能、寿命。

1、前言（1）HDDHDD是指机械硬盘，是传统普通的硬盘。

介质：采用磁性碟片来存储。

包括：盘片、磁头、磁盘旋转轴及控制电机、磁头控制器、数据转接器、接口、缓存。

机械式硬盘最大速率约为100MB/s，由于容易发热等原因已经无法再进一步提升速度，所以引入了固态硬盘（2）SSDSSD（Solid State Drives）是固态硬盘。

介质：采用闪存颗粒来存储。

包括：控制单元、存储单元（DRAM芯片/FLASH芯片）。

（3）性能&外观区别HDD是机械式寻找数据，所以防震远低于SSD，数据寻找时间也远低于SSD。

SSD（左图）和HDD（右图）的模样区别如下：（图片来自百度）2、Flash的分类Flash又分NAND Flash和NOR Flash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。

现在大部分的SSD都是用来存储不易丢失的资料，所以SSD存储单元会选择NAND Flash芯片。

这里我们讲的就是SSD中的NAND Flash芯片。

NAND_FLASH_内存详解与读写寻址⽅式⼀、内存详解NAND闪存阵列分为⼀系列128kB的区块(block)，这些区块是 NAND器件中最⼩的可擦除实体。

擦除⼀个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(⽽所有字节(byte)设置为FFh)。

有必要通过编程，将已擦除的位从"1"变为"0"。

最⼩的编程实体是字节(byte)。

⼀些NOR闪存能同时执⾏读写操作(见下图1)。

虽然NAND不能同时执⾏读写操作，它可以采⽤称为"映射(shadowing)"的⽅法，在系统级实现这⼀点。

这种⽅法在个⼈电脑上已经沿⽤多年，即将BIOS从速率较低的ROM加载到速率较⾼的RAM上。

NAND的效率较⾼，是因为NAND串中没有⾦属触点。

NAND闪存单元的⼤⼩⽐NOR要⼩(4F2：10F2)的原因，是NOR的每⼀个单元都需要独⽴的⾦属触点。

NAND与硬盘驱动器类似，基于扇区(页)，适合于存储连续的数据，如图⽚、⾳频或个⼈电脑数据。

虽然通过把数据映射到RAM上，能在系统级实现随机存取，但是，这样做需要额外的RAM存储空间。

此外，跟硬盘⼀样，NAND器件存在坏的扇区，需要纠错码(ECC)来维持数据的完整性。

存储单元⾯积越⼩，裸⽚的⾯积也就越⼩。

在这种情况下，NAND就能够为当今的低成本消费市场提供存储容量更⼤的闪存产品。

NAND闪存⽤于⼏乎所有可擦除的存储卡。

NAND的复⽤接⼝为所有最新的器件和密度都提供了⼀种相似的引脚输出。

这种引脚输出使得设计⼯程师⽆须改变电路板的硬件设计，就能从更⼩的密度移植到更⼤密度的设计上。

NAND与NOR闪存⽐较NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，⽽NOR的优点是具有随机存取和对字节执⾏写(编程)操作的能⼒(见下图图2)。

NOR的随机存取能⼒⽀持直接代码执⾏(XiP)，⽽这是嵌⼊式应⽤经常需要的⼀个功能。

nor flash和nand flash的原理
Nor Flash和Nand Flash是两种不同的闪存存储器技术，具有
不同的工作原理。

1. Nor Flash原理：
Nor Flash是一种非易失性存储器技术，采用了行列式的存储
结构。

它由一组相互连接的存储单元组成，每个存储单元可以存储一个位信息（0或1）。

每个存储单元有自己的地址，通
过提供正确的地址和时钟信号，可以从Nor Flash中读取数据。

Nor Flash的读取操作是以字节为单位进行的，因此可以快速
地访问任何存储位置。

另外，Nor Flash还支持随机访问，即
可以直接按地址读取任何存储单元的数据。

2. Nand Flash原理：
Nand Flash也是一种非易失性存储器技术，采用了串行式的存
储结构。

它由一组相互连接的存储单元组成，每个存储单元可以存储多个位信息。

Nand Flash的读取操作是以块为单位进行的，需要按照顺序从存储块的开头读取数据。

Nand Flash没有
提供直接随机访问的功能，需要通过读取整块数据，并在内部进行解码和处理才能获取所需的数据。

Nor Flash和Nand Flash在存储密度、读写速度、擦除操作等
方面有着不同的优势和局限性。

Nor Flash适用于在系统中需
要频繁读取数据的应用场景，如代码执行、系统启动等；而Nand Flash适用于需要较大存储容量和较低成本的应用场景，
如音视频存储、移动设备存储等。

Nand Flash是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

Nand Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。

闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。

S3C2440的Nand Flash控制器有一个特殊的功能,在S3C2440上电后,NandFlash控制器会自动的把Nand Flash上的前4K数据搬移到4K内部SRAM中,并把0x00000000设置内部SRAM的起始地址,CPU从内部SRAM的0x00000000位置开始启动。

这个过程不需要程序干涉。

程序员需要完成的工作,是把最核心的启动程序放在Nand Flash的前4K中。

启动程序的安排由于Nand Flash控制器从NandFlash中搬移到内部SRAM的代码是有限的,所以在启动代码的前4K里,我们必须完成S3C2440的核心配置以及把启动代码(U-BOOT)剩余部分搬到SDRAM 中运行。

u-boot源码不支持从nand flash启动，可是s3c2440支持从nand flash启动，开发板加电后s3c2440将nand flash的前4k(保存有u-boot的部分功能--拷贝功能--把nand flash 中的内容拷贝到SDRAM)拷贝到sram(s3c2440芯片内的sram)。

这就需要修改u-boot源码，增加u-boot的功能: 使u-boot在得到执行权后能够将其自身拷贝到开发板上SDRAM中，以便处理器能够执行u-boot。

* NOR FLASH地址线和数据线分开，来了地址和控制信号，数据就出来。

*NAND Flash地址线和数据线在一起，需要用程序来控制，才能出数据。

nandflah 块Block 页page1.一个nand flash由很多个块（Block）组成，块的大小一般是-> 128KB，-> 256KB，-> 512KB此处是128KB。

2.每个块里面又包含了很多页（page）。

每个页的大小，老的nand flash，页大小是256B，512B，这类的nand flash被称作small block，。

地址周期只有4个。

对于现在常见的nand flash多数是2KB，被称作big block，对应的发读写命令地址，一共5个周期(cycle)，更新的nand flash是4KB，块，也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。

3.每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB （Out Of Band），这个区域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。

页, 是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。

【Nand Flash数据存储单元的整体架构】简单说就是，常见的nand flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。

而有些复杂的，容量更大的nand flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane。

这类的nand flash，往往也有更加高级的功能，比如下面要介绍的Multi Plane Program和Interleave Page Program等。

比如，型号为K9K8G08U0A这个芯片（chip），内部有:K9F4G08U0A (256MB) : Plane (1Gb), Plane (1Gb)K9F4G08U0A (256MB) : Plane (1Gb), Plane (1Gb)K9WAG08U1A，内部包含了2个K9K8G08U0AK9NBG08U5A，内部包含了4个K9K8G08U0A【Flash名称的由来】Flash的擦除操作是以block块为单位的，与此相对应的是其他很多存储设备，是以bit位为最小读取/写入的单位，Flash是一次性地擦除整个块：在发送一个擦除命令后，一次性地将一个block，常见的块的大小是128KB/256KB。

NandFlash详述1. 硬件特性：【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。

这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。

Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。

NAND flash和NOR flash详解NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。

许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

1. 性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

nand flash基本组成单元-概述说明以及解释1.引言1.1 概述Nand Flash作为一种大容量、快速、稳定的闪存存储器件，在现代电子设备中扮演着重要角色。

本文将深入探讨Nand Flash的基本组成单元，包括闪存芯片、控制器和存储单元。

通过对这些组成单元的分析，我们可以更好地理解Nand Flash的工作原理和性能特点。

同时，文章还将探讨Nand Flash在未来的应用前景，并展望其在电子设备领域的发展趋势。

通过本文的阅读，读者将能够对Nand Flash有更全面的认识，并了解其在存储技术领域的重要性和应用前景。

1.2 文章结构:本文主要分为引言、正文和结论三个部分。

在引言部分中，将概述nand flash的基本组成单元，介绍文章结构和目的。

在正文部分中，将详细介绍nand flash基本组成单元的三个主要部分：闪存芯片、控制器和存储单元。

最后，在结论部分将对本文内容进行总结，探讨nand flash在未来的应用前景和展望。

整篇文章将逐步深入探讨nand flash的基本组成单元，帮助读者更好地了解这一存储设备的结构和原理。

1.3 目的本文旨在深入探讨Nand Flash的基本组成单元，包括闪存芯片、控制器以及存储单元。

通过对这些组成单元的详细分析，读者可以更好地了解Nand Flash的工作原理和内部结构。

同时，本文也旨在展现Nand Flash在存储领域的重要性和广泛应用，为读者提供对其应用前景和未来发展的展望。

通过本文的阅读，读者将获得关于Nand Flash基本组成单元的全面了解，为其在相关领域的学习和研究提供帮助。

2.正文2.1 Nand Flash基本组成单元在Nand Flash存储器中，主要由闪存芯片、控制器和存储单元三个基本组成单元构成。

2.1.1 闪存芯片闪存芯片是Nand Flash存储器的核心部件，它由大量的存储单元组成，每个存储单元都可以存储多个比特的数据。

闪存芯片通过存储单元的组织和管理，实现对数据的读写操作。

终于有⼈说清楚了什么是DRAM、什么是NANDFlash所有使⽤者对“存储器”这个名词可是⼀点都不陌⽣，因为所有的电⼦产品都必须⽤到存储器，且通常⽤到不只⼀种存储器。

不过对于存储器种类、规格与形式，很多⼈容易搞混。

⽐如，最近价格贵到炸的 NAND Flash，产业新闻⾥常常提到的DRAM，还有SRAM、SDRAM、DDR 3、DDR 4、NOR Flash … 这些⼜是什么？先来⼀段百度百科。

存储器是⽤来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常⼯作。

存储器的种类很多，按其⽤途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器⼜称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器，此类储存器⼀般断电后仍然能保存数据。

常见的外存储器有硬盘、软盘、光盘、U盘等。

⽽简单来说，DRAM就是我们⼀般在⽤的内存，⽽NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。

（这段是给电脑⼩⽩的科普，⼤家可以酌情跳过）不熟悉PC知识的朋友常常在选购设备时问，硬盘和内存到底有什么差别？我硬盘容量明明有 1TB，但PC还是跑得很慢哎？硬盘和内存的差异，在于把电源关掉后、空间中储存的数据还会不会留着。

就算关掉电源，硬盘的数据也不会消失。

但我们要运算数据时，如果 CPU 要直接从硬盘⾥⾯抓数据，时间会太久。

所以”内存”会作为中间桥梁，先到硬盘⾥⾯复制⼀份进来、再让 CPU 直接到内存中拿数据做运算。

这样会⽐直接去硬盘抓数据，快约数百万倍。

打开任务管理器，就可以看到现在执⾏中程序占掉的内存空间，很多⼈就在骂Chrome 耗费的运算资源很⾼，内存使⽤率⾼于其他浏览器，多开⼏个分页内存就被吃完了。

所以简单来说，计算机在运作就像是办公⼀样，喝饮料、看书本、听⾳响… 想⼀次使⽤越多东西、桌⾯（内存）就要越⼤。

但其他⼀时间没有要⽤到的东西，都会放在抽屉（硬盘）⾥⾯。

所以硬盘就算再⼤，你⼀次想执⾏很多任务，还是得要看内存⼤⼩。