E
kT q
，得：
1W WE BEB
注意：DB 、DE 代表少子扩散系数，μB 、μE 代表多子迁移率。
利用 方块电阻 的概念， 可有更简单的表达式。方块电阻
表示一个正方形薄层材料的电阻，记为：R口 。
L
W
L
对于均匀材料：
R口LLWW qN 1 W
对于厚度方向（x方向）上不均匀的材料：
本节主要思路：令基区多子电流为零，解出基区内建电场
，将其代入少子电流方程，求出 JnE,nBx与 Q B ，进而
求出基区渡越时间 b
QB J nE
，最后求出：
*
1
b B
1、内建电场的形成
0
N
P
x jE
N
x jC
杂质浓度分布图：
NEx
NBx
NC
0 x jE x jC
β＊的典型值：WB =1μm，LB =10 μm ，β＊= 0. 9950 。
3、基区渡越时间 b
定义：少子在基区内从发射结渡越到集电结所需要的平均
时间，称为少子的 基区渡越时间，记为 b 。
可以设想，在 b 期间，基区内的少子全部更新一遍，因此：
b
QB J pE
。将：Q B1 2qB (p 0 )W B ,JpE qB W D p B B 0 代入，得：
由 ，可得： 1
1 12 W L B 2 2 BR R 口 口 B1 E
1
§3-3 缓变基区晶体管的放大系数
以NPN 管为例，结电压为 VBE 与 VBC 。 基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场，使 少子在基区内以漂移运动为主，故缓变基区晶体管又称为 漂移 晶体管。
