曝光工艺与参数

光刻机的曝光参数对光刻质量的影响光刻技术是半导体工艺中一项重要的工艺步骤，也是制造高集成度集成电路的关键技术之一。

在光刻过程中，曝光参数的设置对光刻质量具有重要影响。

本文将就曝光参数的选择及其对光刻质量的影响进行探讨。

1. 曝光时间曝光时间是指感光胶在曝光机中暴露的时间长短。

曝光时间的选择直接影响着光刻胶的敏感度和解析度。

首先，对于感光胶的敏感度而言，过长的曝光时间可能使感光胶的敏感度下降，导致曝光效果不佳；而曝光时间过短则可能无法充分暴露感光胶，影响图像的清晰度。

其次，曝光时间还决定了光刻胶的解析度。

通常情况下，随着曝光时间的增加，所得到的光刻图形的解析度也得以提高。

2. 曝光光强曝光光强是指曝光机发射的光线中的光强度。

曝光光强的选择同样对光刻质量有着重要影响。

较高的曝光光强可以使感光胶更快速地进行光化学反应，提高感光胶的敏感度，但是过高的曝光光强会导致光刻胶的过度曝光，进而引发曝光剂较长的消除时间，影响光刻结果的图形清晰度。

因此，在实际应用中，需要根据光刻胶的特性以及所需的光刻质量进行合理的曝光光强的选择。

3. 掩膜的设计除了曝光参数的设置，掩膜的设计也是影响光刻质量的重要因素之一。

掩膜的设计决定了最终在感光胶上形成的图案，直接影响光刻的分辨率和精度。

因此，在进行曝光参数选择之前，需要对所需的掩膜图案进行合理的设计和优化。

合理的掩膜设计能够最大程度地提高光刻质量。

总结起来，光刻机的曝光参数对光刻质量有着重要的影响。

曝光时间的设置直接影响到光刻胶的敏感度和解析度，合理的曝光时间选择是确保光刻质量的关键之一。

曝光光强的选择决定了感光胶的快速光化学反应程度，需要根据光刻胶的特性进行合理的选择。

此外，掩膜的设计也是影响光刻质量的重要因素，只有合理的掩膜设计才能最大程度地提高光刻质量。

因此，在进行光刻工艺时，需要综合考虑上述因素，并进行合理的参数选择，以获得良好的光刻质量。

光刻技术在半导体制造中发挥着重要作用，掌握光刻机的曝光参数对光刻质量的影响是提高制造工艺质量的关键一步。

射线检测标准及工艺技术要求及说明一、射线检测标准射线检测的标准是确保检测结果准确性和可靠性的重要依据。

常见的射线检测标准包括国际标准（如 ISO 标准）、国家标准（如 GB 标准）以及行业标准。

这些标准通常涵盖了以下方面：1、检测设备的性能要求：包括射线源的能量、焦点尺寸、辐射剂量等参数的规定，以保证检测设备能够提供足够的穿透能力和清晰度。

2、检测技术的分类和适用范围：例如，根据被检测物体的材质、厚度、形状等因素，确定适合的射线检测技术，如 X 射线检测、γ射线检测等。

3、图像质量要求：规定了检测图像的对比度、清晰度、不清晰度等指标，以确保能够清晰地显示缺陷。

4、缺陷评定标准：明确了不同类型和尺寸的缺陷的评定方法和验收标准，以便对检测结果进行准确判断。

二、射线检测工艺技术要求（一）射线源的选择射线源的选择取决于被检测物体的材质、厚度和检测要求。

一般来说，X 射线适用于较薄的物体和对图像质量要求较高的检测，而γ射线则适用于较厚的物体和野外检测等场合。

（二）胶片的选择胶片的性能对检测结果的质量有重要影响。

应根据射线源的能量、被检测物体的材质和厚度等因素选择合适类型和感光度的胶片。

（三）曝光参数的确定曝光参数包括管电压、管电流、曝光时间等。

这些参数的选择需要综合考虑被检测物体的厚度、材质、射线源的强度以及胶片的特性，以获得最佳的检测图像。

（四）散射线的控制散射线会降低检测图像的质量，因此需要采取有效的措施进行控制。

常见的方法包括使用铅屏、滤波板、背散射防护等。

（五）像质计的使用像质计用于评估检测图像的质量和灵敏度。

应根据标准要求选择合适类型和规格的像质计，并正确放置在被检测物体上。

（六）标记与标识在检测过程中，需要对被检测物体进行清晰的标记和标识，包括工件编号、检测部位、透照方向等信息，以便于对检测结果进行追溯和分析。

三、射线检测工艺技术说明（一）检测前的准备工作在进行射线检测之前，需要对被检测物体进行表面处理，去除污垢、氧化皮、油漆等可能影响检测结果的物质。

曝光机作业指导书（二）引言概述：曝光机是一种用于光刻工艺的重要设备，通过将光线过滤后照射在感光材料上，实现微细图形的转移。

本文是曝光机作业指导书的第二部分，将进一步介绍曝光机的操作方法和注意事项。

正文：一、曝光机的操作方法1.1 确认设备的工作状况，查看是否有异常情况。

1.2 打开曝光机的电源开关，并调整照明强度和曝光时间。

1.3 将待曝光的模板或掩膜放置在曝光台上，并调整其位置以确保准确的曝光。

1.4 根据需要选择曝光模式，如全场曝光、局部曝光等，并设置曝光参数。

1.5 启动曝光过程，并留意曝光机的运行状态，在曝光完成后及时关闭设备。

二、曝光机的注意事项2.1 在操作曝光机之前，必须戴好静电防护手套，以避免静电的影响。

2.2 曝光机工作时需保持环境相对干燥，避免湿度过高导致效果不佳。

2.3 在更换模板或掩膜时，需小心操作并避免损坏这些材料。

2.4 避免曝光机与其他设备的干扰，应单独放置并确保周围环境清洁。

2.5 定期清洁和维护曝光机，包括清除内部灰尘、保养光学部件等。

三、模板的选择和处理3.1 根据实际需要选择合适的模板或掩膜，包括分辨率、材料等方面的考虑。

3.2 在使用模板之前，应对其进行检查，确保没有损坏或污染。

3.3 在处理模板时，应避免接触表面，并使用专用工具进行操作。

3.4 存放模板时应注意防尘和防湿，使用特殊的存储容器。

3.5 定期检查模板的状况，并根据需要进行维修或更换。

四、曝光参数的优化4.1 根据不同的工艺要求和目标，优化曝光机的参数设置。

4.2 进行曝光参数优化时，应根据实际情况进行实验和调整。

4.3 注意不同材料对曝光参数的敏感性差异，进行相应的调整。

4.4 不断改进和优化曝光参数，以提高产品的质量和工艺的稳定性。

4.5 在参数优化过程中，需记录和整理相关数据，并进行分析和总结。

五、曝光机的维护和安全5.1 定期进行曝光机的维护保养，包括清洁内部部件和更换消耗品。

5.2 遵守安全操作规程，特别是严禁在工作状态下触摸光源和镜头。

电子束曝光技术的操作指南随着科技的不断发展，电子束曝光技术在许多领域中得到了广泛应用，包括半导体制造、微电子器件制造、电子显微镜等。

电子束曝光技术作为一种高精度的曝光工艺，能够实现微米甚至纳米级的图形制作，因此对操作者的技术要求较高。

本文旨在为电子束曝光技术的操作者提供一份简明扼要的操作指南。

1. 准备工作在进行电子束曝光之前，操作者需进行一系列的准备工作。

首先，确保设备正常运行，包括电子枪、电磁透镜、显微镜等各部分。

其次，清洁工作也很关键，要确保曝光基板、掩膜以及各个元件表面的干净。

最后，注意工作台的温湿度环境，过高或过低的温度都会对曝光质量产生不良影响。

2. 曝光参数设置在进行电子束曝光之前，需要合理地设置曝光参数。

首先是电子束的电压和电流，通常情况下，电压越高、电流越大，曝光的功率也就越大，但也会产生更大的加热作用，因此需要根据不同的工艺要求进行选择。

其次，需要根据曝光图形的大小和形状来确定扫描速度和模拟步进数，以确保曝光的精度和稳定性。

3. 控制曝光质量在进行电子束曝光时，操作者需要注意控制曝光质量。

首先是对焦准确性，要确保曝光位置的清晰度和准确性，可以通过调整电子镜的聚焦参数来实现。

其次是剂量的精准控制，电子束曝光的剂量过大或过小都会对曝光结果产生影响，需要根据具体工艺要求进行调整。

另外，还要注意光刻胶的均匀涂布，保证整个曝光过程的稳定性。

4. 参数记录和优化在每次曝光之后，操作者需记录下所有的曝光参数，包括电压、电流、扫描速度等。

这样可以为后续的优化工作提供参考依据。

同时，根据不同的曝光效果，可以进行参数的调整和优化，以获得更好的曝光结果。

这也需要操作者具备一定的技术经验和敏锐的观察力。

5. 设备维护和保养电子束曝光设备是一种相对复杂的设备，需要进行定期的维护和保养。

操作者应定期检查设备的各个部分，确保其正常运行和稳定性。

同时，还要注意设备的清洁和防尘工作，避免灰尘和污染物对曝光质量产生影响。

光刻机曝光参数的优化与调整在半导体芯片制造过程中，光刻技术是一项至关重要的关键步骤。

而光刻机作为光刻技术的核心装备，其曝光参数的优化与调整对于芯片的加工质量和性能具有重要影响。

本文将探讨光刻机曝光参数的优化与调整的方法和意义。

一、光刻机曝光参数的定义与影响因素光刻机曝光参数是指在光刻过程中，控制光源的强度、曝光时间、焦距、刻膜材料等参数，以实现期望的芯片图形形成。

曝光参数的合理选择和调整直接决定了芯片的分辨率、对比度、偏差等性能。

影响光刻机曝光参数的因素主要有以下几个方面：1. 光源强度：光源的强度决定了光刻胶的曝光量，过低的光源强度会导致曝光不足，无法形成清晰的芯片图形；而过高的光源强度则容易造成光刻胶过度曝光，形成偏差较大的芯片图形。

2. 曝光时间：曝光时间是指光刻机在进行曝光过程中，光源照射的时间长度。

曝光时间的长短会直接影响光刻胶的固化程度和图形的清晰度。

过短的曝光时间会导致光刻胶未完全固化，造成芯片图形模糊不清；而过长的曝光时间则会使光刻胶过度固化，导致芯片表面粗糙度增加。

3. 焦距：焦距是指光刻机镜头与芯片之间的距离。

焦距的调整会直接影响到光刻胶的厚度以及芯片的分辨率。

当焦距过大时，光刻胶的厚度会增加，而分辨率则会降低；相反，当焦距过小时，光刻胶的厚度会减小，分辨率会提高。

4. 刻膜材料：刻膜材料的选择和性能也会对光刻机的曝光参数产生影响。

不同的刻膜材料具有不同的吸光特性，从而对所需的光源强度和曝光时间产生影响。

二、光刻机曝光参数的优化方法为了获得最佳的光刻效果，光刻机曝光参数需要经过一系列的优化与调整。

以下是几种常见的优化方法：1. 曝光能量刻度：通过调整光源的强度，选择合适的曝光能量刻度，可以控制曝光量的大小。

根据芯片的要求和具体工艺流程，确定合适的曝光能量刻度可以实现最佳的曝光效果。

2. 曝光时间优化：曝光时间的优化通常是通过实验和观察来确定的。

首先，根据芯片设计要求和特性，初步确定一个曝光时间范围；然后，通过在实际加工中对不同曝光时间进行测试，观察芯片的图形清晰度和分辨率，逐步调整曝光时间，找到最佳的曝光时间。

第３２卷㊀第１０期２０１７年１０月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀C h i n e s e J o u r n a l o fL i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ㊀㊀㊀㊀㊀V o l ．３２㊀N o ．１０㊀O c t ．２０１７㊀㊀收稿日期:２０１７Ｇ０４Ｇ２４;修订日期:２０１７Ｇ０６Ｇ２０．㊀㊀∗通信联系人,E Ｇm a i l :d o n g x i a o l o n g＠b o e ．c o m．c n 文章编号:１００７Ｇ２７８０(２０１７)１０Ｇ０７８３Ｇ０４T F T ＧL C D 曝光工艺参数T P 实验研究董小龙∗,张兴强,江俊波,王军才(成都京东方光电科技有限公司,四川成都６１１７３１)摘要:从T o t a l P i t c h (T P )的理论含义与监控原理出发,通过对相同D e v i c e 下P i t c h 量和T P 测试M a r k 的更改,讨论了X 方向以及Y 方向T P 的变化.通过相同L a y o u t 不同产品和相同产品不同L a y o u t 的对比,发现T P 并不随着P i t c h 量的改变而变化,但设备扭曲度(D i s t o r t i o n )影响着T P 的变化,由此T P 也可称为D i s t o r t i o n 在实际生产中的简化监测点,并且得到T P 从N G 到O K 变化的p i t c h 量区间,这也为降低图形在基板上的扭曲程度和优化M a s k 设计提供了新思路.关㊀键㊀词:整体倾斜度;扭曲程度;曝光;产品布局中图分类号:T N ３０５．７㊀㊀文献标识码:A㊀㊀d o i :１０．３７８８/Y J Y X S ２０１７３２１０．０７８３E x p e r i m e n t a l r e s e a r c ho n e x po s u r e p r o c e s s p a r a m e t e r o f t o t a l pi t c h i nT F T ＧL C D p r o c e s s D O N G X i a o Ｇl o n g ∗,Z H A N G X i n g Ｇq i a n g,J I A N GJ u n Ｇb o ,WA N GJ u n Ｇc a i (C h e n g d uB O EO p t o e l e c t r o n i c sT e c h n o l o g y C o ．L t d ,C h e n gd u ６１１７３１,C h i n a )A b s t r a c t :B a se do n t h e t h e o r i e s a n dm o n i t o r i n gp r i n c i pl e o fT o t a l P i t c h (T P ),w e d i s c u s s e d t h e X d i Ｇr e c t i o na n d Y d i r e c t i o nv a r i a t i o no fT P ,w h i c h c h a n g e db yp i t c hv a l u e a n dT Pm e a s u r e m e n tm a r k ．B yc o n t r a s t i n g t h e s a m e l a y o u tb u td i f fe r e n t p r o d u c tw i t ht h es a m e p r o d u c tb u td if f e r e n t l a y ou t ,w e f o u n d t h a tT Pd o e s n o t c h a n g ew i t h t h e v a r i a t i o n o f p i t c h v a l u e ．H o w e v e r ,d i s t o r t i o n a f f e c t s t h e v a r i a Ｇt i o no fT P ,w h i c hc a na l s ob e c a l l e d a s i m p l i f i e dm o n i t o r i n gp o i n t s o f d i s t o r t i o n i n t h e a c t u a l pr o c e s s ．T h e a c q u i s i t i o no f t h e i n t e r v a l o fT Pf r o m N Gt oO K p r o v i d e s an e wi d e ao f o p t i m i z i n g m a s kd e s i gn a n d r e d u c i n g t h e d i s t o r t i o no f g r a ph i c s o n t h e g l a s s ．K e y wo r d s :t o t a l p i t c h ;d i s t o r t i o n ;e x p o s u r e ;l a y o u t １㊀引㊀㊀言㊀㊀薄膜晶体管液晶显示器T F T ＧL C D (T h i nF i l m T r a n s i s t o rL i q u i dC r y s t a lD i s p l a y )因体积小㊁低功耗㊁重量轻㊁美观等优势已获得广泛的研究[１].随着便携式电脑㊁办公应用㊁大屏幕显示器的广泛使用,人们对于显示的品质有了更高的要求[２].那么T F T ＧL C D 制程中对关键参数T o t a lP i t c h (T P )的管控更引起人们的重视,显示点不亮(Z a r aP a r t i c l e )以及C e l l 对盒后产品漏光检测都与T P 有着重要关系,如曝光工艺参数T P 越接近设计值,T o u c h M u r am a r gi n 就越小,从而产生T o u c h M u r a 的风险就越小;曝光工艺参数T P. All Rights Reserved.越接近设计值,V e r t i c a lB l o c k M u r a就会得到改善,从而提高了产品的品质.C a n o n公司于２０００年６月推出的M P AＧ６０００型曝光机是目前世界上面积(８８０mmˑ１０００mm)较大的反射投影L C D曝光机,可批量生产最大８１２．８mm(３２i n)的液晶显示器[３].在T F TＧL C D制程中,９mm扫描狭缝可使该机在一次曝光中保持一致的３μm解像力[４]和２０μm焦深(D O F).可能影响T P的因素有很多[５],考虑到实验成本问题,选择了９mm S l i t曝光设备下的部分因子进行实验:修改L a y o u t P i t c h量㊁更换T P测试M a r k㊁相同L a y o u t条件下不同产品对比㊁相同产品条件下不同L a y o u t 对比.通常情况下会采取两种方法对T P进行补正,一种是采取手动添加数值的方法,将计算得出的补偿值添加到M P AＧ６０００软件中,我们称为手动添加S t e p D a t a,一种是采用光盘刻录的方式将计算得出的补偿值通过光盘自动补偿到软件中,我们称为自动F e e d b a c k.实验发现通过观察T P 从差到好变化的趋势,得到T PP i t c h量变化的区间,从而可以通过控制P i t c h量的变化达到优化T P数值的作用.２㊀实㊀验测试设备及软件为AM C D和VＧM e a s u r e软件,由于T P M a r k的形状为一个正方形,所以测试软件通过探测正方形的四边来确定其中心位置,得到的坐标就是测试坐标,根据M a s k上计算出的坐标即为理论坐标.在日常生产情况下,工艺参数T P被控制在ʃ１．５μm以内,也就是说曝光出图形的实际坐标与理论坐标的差值要小于等于ʃ１．５μm.２．１㊀产品P i t c h量更改对比分析为了排除曝光机M P A６０００型设备硬件及M a s k制作的限制[６],以产品A为例,对曝光图形的P i t c h量进行缩小,即X方向间距(S t e p I n t e r v a l X)从３０１．２mm改为２９９．８mm,Y方向间距(S t e p I n t e r v a l Y)从３５６mm改为２５３mm,通过AM C D测试出数据后整理得到图１㊁图２,倒角在左下角,红色图代表理论坐标,蓝色图代表实际测试坐标,对比分析,T P N G的点并未随着图形P i t c h量的改变而变化,说明在L a y o u t未变的情况下,同台设备相同产品T P测试值与P i t c h 量的变化无关.图１㊀原P i t c h量T P测试图F i g．１㊀T Pt e s tm a p p i n g o f o r i g i n p i t c hv a l ue图２㊀P i t c h量更改后T P测试图F i g．２㊀T Pt e s tm a p p i n g o fm o d i f i e d p i t c hv a l u e ２．２㊀T P测试M a r k更改对比分析由于T P m a r k存在P１㊁P２㊁P３X方向不在同一列的情况(T P N G点正好为X方向),为排除T P m a r k排布的问题,选取 田 字对位M a r k 代替T P测试M a r k,相应的T P理论坐标也会发生变化.通过AM C D测试出数据后整理得到图３,由图１与图３对比分析,测试M a r k的更换对Y方向的T P值影响较大,T P值从N G趋近于O K状态,但并未影响X方向的T P值.２．３㊀不同产品之间T P对比考虑到不同产品间存在差异,选取两种产品分别为型号A与型号B,在产品布局(L a y o u t)相同的情况下,选择同台设备进行曝光工艺,通过AM C D测试出数据后整理得到图４,由图１与图４对比分析,在曝光设备相同且L a y o u t也相同的情况下,通过手动添加S t e p D a t a和设备自动４８７㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３２卷㊀. All Rights Reserved.图３㊀更改测试M a r k后T P测试图F i g．３㊀T P t e s t m a p p i n g a f t e r m o d i f y i n gm e a s u r e m e n tm a r ko f p i t c hv a l u e图４㊀产品BT P测试图F i g．４㊀T Pt e s tm a p p i n g o f p r o d u c t i o nBF e e d b a c k后,T P的变化趋势并未随着型号的改变而发生较大变化,也就是说T P值由设备硬件决定.２．４㊀不同L a y o u t之间对比对于同一款产品,其L a y o u t也是固定的.通过对P i t c h量的计算,将原本L a y o u t为２ˑ２的产品输出成３ˑ２的产品,在保证除P i t c h量外其他参数未变的情况下,进行曝光工艺,通过AM C D测试出数据后整理得到图５㊁图６,由图６可知,在P i t c h量为２１８mm区间时,T P值趋于稳定,由图５可知,在P i t c h量为４３０mm区间时, X方向T P值出现波动导致参数N G,那么在P i t c h量为２１８mm到４３０mm区间时,T P值得变化从稳定到波动,从O K到N G,根据２．３结果可以推断出在相应P i t c h量区间设备D i s t o r t i o n 能力下降,导致工艺参数T P N G,且手动添加S t e p D a t a及设备自动F e e d b a c k仍无法改善.图５㊀L a y o u t为２ˑ２T P测试图F i g．５㊀T Pt e s tm a p p i n g o fL a y o u t２ˑ２图６㊀L a y o u t为３ˑ２T P测试图F i g．６㊀T Pt e s tm a p p i n g o fL a y o u t３ˑ２图７㊀受D i s t o r t i o n影响下的T P等高图F i g．７㊀T Pc o n t o u rm a p p i n g a f f e c t e db y d i s t o r t i o n ３㊀主要结果与分析讨论根据各S p l i t条件汇总出T P受影响较大区域,得到图７,横/纵坐标为T P的实际测试坐标,根据生产工艺参数管控的标准,由图７可以直观看到异常T P相对于G l a s s的位置,这与以上实验数据相吻合,表明设备硬件D i s t o r t i o n能力下５８７第１０期㊀㊀㊀㊀董小龙,等:T F TＧL C D曝光工艺参数T P实验研究. All Rights Reserved.降,所以手动或者自动补偿均无效果,同时也反应出了设备D i s t o r t i o n 能力下降所影响的具体位置,这对之后设备的P M (P r o t e c tM a i n t e n a n c e )及调试带来方便.４㊀结㊀论液晶显示器制造工艺装备中[７],占全线投资额最大的就是曝光及相关设备.而T P 作为曝光工艺的关键生产参数[８],一直影响着边角漏光及对盒精度[９]而被行业内人们所关注.本文以T P的理论含义与监控原理出发,对可能影响因子:L a y o u tP i t c h 量㊁T P 测试M a r k ㊁同产品L a y o u t 进行了对比分析,认为T P 的变化与P i t c h 量的改变并无关联,测试M a r k 的更换对Y 方向的T P 值影响较大,但并未影响X 方向的T P 值,在不同L a y o u t 条件下确定出了T P 变化的P i t c h 量区间,确定为设备D i s t o r t i o n 能力下降导致参数T P 异常的出现,这对下步的调机奠定了理论与数据上的支撑.参㊀考㊀文㊀献:[１]㊀谷至华．薄膜晶体管(T F T )阵列制造技术[M ]．上海:复旦大学出版社,２００７．G UZ H．T h i n F i l m T r a n s i s t o r (T F T )A r r a y M a n u f a c t u r i n g T e c h n o l o g y [M ]．S h a n g h a i :F u d a n U n i v e r s i t y P r e s s ,２００７．(i nC h i n e s e)[２]㊀杨国波,王永茂,赵军,等．O D F 工艺的进展[J ]．光机电信息,２０１１,２８(１):２３Ｇ２７．Y A N G GB ,WA N G Y M ,Z HA OJ ,e t a l ．D e v e l o p m e n t o fO D F p r o c e s s [J ]．O M EI n fo r m a t i o n ,２０１１,２８(１):２３Ｇ２７．(i nC h i n e s e)[３]㊀童志义,葛劢冲．液晶显示器技术及其曝光设备(续)[J ]．电子工业专用设备,２００２,３１(３):１２５Ｇ１３０．T O N GZY ,G E M C ．T h e s i t u a t i o n o f L C Dt e c h n o l o g y a n d e x p o s u r e s y s t e m (C o n t i n u e d )[J ]．E q u i p m e n t fo rE l e c Ｇt r o n i cP r o d u c t sM a n u f a c t u r i n g ,２００２,３１(２):１２５–１３０．(i nC h i n e s e )[４]㊀罗先刚,姚汉民,周冲喜,等．可提高光刻分辨率的新技术[J ]．光子学报,２０００,２９(９):８３４Ｇ８３７．L U O X G ,Y A O H M ,Z HO U C X ,e ta l ．N e wt e c h n o l o g y w h i c hc a n i m p r o v e l i t h o g r a p h y re s o l u t i o n [J ]．A c t a P h o t o n i c aS i n i c a ,２０００,２９(９):８３４Ｇ８３７．(i nC h i n e s e)[５]㊀周崇喜,冯伯儒,侯德胜,等．用于０．３５μm 接触孔图形相移掩模研究[J ]．光学学报,２０００,２０(４):５４３Ｇ５４７．Z HO U CX ,F E N GBR ,HO U DS ,e t a l ．P h a s e s h i f t i n g m a s k f o r ０．３５μmc o n t a c t h o l e s [J ]．A c t aO p t i c aS i n i c a ,２０００,２０(４):５４３Ｇ５４７．(i nC h i n e s e)[６]㊀黄河,朱晓,朱长虹,等．激光化学气相沉积技术在掩模版修复中的应用[J ]．激光技术,２００７,３１(３):３３０Ｇ３３２．HU A N G H ,Z HU X ,Z HUC H ,e t a l ．L a s e r c h e m i c a l v a p o r d e p o s i t i o nu s e d i n p h o t o m a s k r e pa i r [J ]．L a s e rT e c h Ｇn o l o g y ,２００７,３１(３):３３０Ｇ３３２．(i nC h i n e s e )[７]㊀乔中莲,马国恒,杨东升,等．液晶显示的一体化应用[J ]．现代显示,２０１２(６):３１Ｇ３５．Q I A OZL ,MA G H ,Y A N GDS ,e t a l ．I n t e g r a t i o na p p l i c a t i o no f l i q u i dc r y s t a l d i s p l a y [J ]．A d v a n c e d D i s p l a y ,２０１２(６):３１Ｇ３５．(i nC h i n e s e)[８]㊀彭志红,袁野,林韵英,等．国内液晶显示技术的发展概况[J ]．电视技术,２０１３,３７(S ２):４２５Ｇ４２６．P E N GZ H ,Y U A N Y ,L I N YY ,e t a l ．D e v e l o p m e n t r e v i e wo f c r y s t a l l i q u i d d i s p l a y i nC h i n a [J ]．V i d e oE n gi n e e r Ｇi n g ,２０１３,３７(S ２):４２５Ｇ４２６．(i nC h i n e s e )[９]㊀见帅敏,解洋,夏高飞,等．T F T ＧL C D 边角漏光不良机理分析及改善研究[J ]．液晶与显示,２０１７,３２(６):４５５Ｇ４６０．J I A NS M ,X I EY ,X I A G F ,e ta l ．A n a l y s i sa n di m p r o v e m e n to fT F T ＧL C De d g e l i g h t Ｇl e a k i n g me c h a n i s m [J ]．C h i n e s eJ o u r n a l of L i q u i dC r y s t a l s a n dD i s p l a ys ,２０１７,３２(６):４５５Ｇ４６０．(i nC h i n e s e )作者简介:董小龙(１９８８－),男,吉林省吉林市人,硕士研究生,中级工程师,２０１５年毕业于长春理工大学并获得硕士学位,现主要从事光刻设备维护及改善工作.E Ｇm a i :d o n g x i a o l o n g＠b o e ．c o m．c n ６８７㊀㊀㊀㊀液晶与显示㊀㊀㊀㊀㊀㊀第３２卷㊀. All Rights Reserved.。

第九章PHOTO工序PHOTO工序的目的HOTO的基本概念什么是PHOTO?若是从一个液晶厂内部部门来说，PHOTO指的是黄光部。

但是从工艺来说，在半导体和液晶产业，PHOTO指光刻技术。

当然，这两个概念是有实质联系的，因为在液晶厂内负责光刻方面工作的就是黄光部。

HOTO工序的目的PHOTO工序的目的是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。

主要过程依次如下面图（一），图（二）和图（三）所示。

图（一）图（二）图（三）PHOTO工序主要包含三大步骤，即上图所示的光阻涂布（PR coating）; 曝光（Exposure）;和显影（Develop）.光阻涂布（如图一），就是在plate（玻璃基板）上涂布光阻。

光阻是一种对特定波长的UV光敏感的有机材质，遇到一定强度的UV光就会发生化学反应，所以PHOTO工序要在黄光下进行。

因为黄光波长大，光子能量低，强度比较弱（不会引起光阻化学反应）并且照明效果不错的光。

光阻涂布制程主要控制光阻的膜厚及其均一性。

曝光（Exposure）是PHOTO的关键，也是ARRAY的关键。

之前说了PHOTO是把膜层电路结构复制到以后要蚀刻的玻璃基板上。

临时电路结构就设计在MASK（光罩）上，光罩上有电路结构区域不透光，没有电路结构区域可以透光。

这样就使上一步骤涂布的光阻经过曝光工序之后，电路结构就从光罩转移到光阻上。

曝光（Exposure）制程的主要参数是CD（线宽）,Total pitch, Overlay。

Develop即显影。

经过Exposure之后在玻璃基板上喷洒显影液，因为显影液为碱性，对正性光阻而言，被紫外光照射过的光阻可以溶解在碱性显影液中，而未紫外光照射到的部分不溶于显影液。

因此，显影之后，在玻璃基板上，只剩下电路部分有光阻，而其它区域无光阻（注：本节所指光阻为正光阻，一般TFT段都使用正光阻）。

显影液浓度的控制是显影工艺的关键，浓度的高低会影响到线宽。

显影后送去蚀刻，这样有光阻保护部分（即需要的电路部分）的膜不会被蚀刻掉，而没有光阻保护部分的膜就被蚀刻掉。

光刻胶参数及光刻工艺1、正性光刻胶RZJ-304●规格RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038●匀胶曲线注：粉色为50cp，蓝色为25cp●推荐工艺条件①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm②前烘：热板100℃×90sec③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s）④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍⑤清洗：去离子水30sec⑤后烘：热板120℃×120sec●规格S1813，配用显影液为ZX-238●匀胶曲线●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考）①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm）②前烘：热板115℃×60sec③曝光：150mj/cm2④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍⑤清洗：去离子水30sec⑥后烘：热板125℃×120sec●规格AZ-5214，配用显影液AZ-300●匀胶表格（单位：微米）●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考）①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm）②前烘：热板100℃×90sec③曝光：240mj/cm2④后烘：115℃×120sec⑤泛曝光：>200mj/cm2⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍⑦清洗：去离子水30sec⑧坚膜：热板120℃×180sec注意：紧急救护措施（对于光刻胶）①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。

②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。

③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。

光刻胶参数及光刻工艺1、正性光刻胶RZJ-304●规格RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038●匀胶曲线注：粉色为50cp，蓝色为25cp●推荐工艺条件①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm②前烘：热板100℃×90sec③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s）④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍⑤清洗：去离子水30sec⑤后烘：热板120℃×120sec●规格S1813，配用显影液为ZX-238●匀胶曲线●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考）①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm）②前烘：热板115℃×60sec③曝光：150mj/cm2④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍⑤清洗：去离子水30sec⑥后烘：热板125℃×120sec●规格AZ-5214，配用显影液AZ-300●匀胶表格（单位：微米）●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考）①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm）②前烘：热板100℃×90sec③曝光：240mj/cm2④后烘：115℃×120sec⑤泛曝光：>200mj/cm2⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍⑦清洗：去离子水30sec⑧坚膜：热板120℃×180sec注意：紧急救护措施（对于光刻胶）①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。

②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。

③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。

蚀刻曝光显影工艺蚀刻曝光显影工艺是半导体制造过程中的一项重要技术，用于制作芯片电路上的图案。

这项工艺涵盖了蚀刻、曝光和显影三个主要步骤，通过这些步骤的精确控制，可以制作出高精度的芯片电路。

蚀刻是蚀刻曝光显影工艺的第一步，它的主要作用是将某些区域暴露在酸性溶液中，使其被腐蚀掉，从而形成所需的图案。

在蚀刻之前，需要经过一系列准备工作。

首先，要对基片进行清洁处理，去除表面的杂质，以便与光刻胶更好地附着。

然后，将光刻胶涂布在基片上，并经过烘烤使其形成均匀的薄膜。

接下来，使用光刻机器对光刻胶进行曝光，使得光刻胶在特定区域变得易溶于显影溶液，为后续的蚀刻做好准备。

曝光是蚀刻曝光显影工艺的第二步，它的主要作用是通过光的照射，将图案的信息转移到光刻胶上。

在曝光之前，需要通过掩膜制作将光投射到特定位置上。

掩膜是一种光学透明材料，上面有图案的精细图形。

光刻机器会将光照射到掩膜上，然后通过透射，将图案的信息转移到光刻胶上。

曝光的时间和强度要经过精确控制，以保证图案的准确性与一致性。

显影是蚀刻曝光显影工艺的第三步，它的主要作用是将光刻胶中被曝光过的区域溶解掉，暴露出基片表面。

显影过程使用显影剂，其能够溶解光刻胶中的显影剂易溶区域，从而暴露出基片表面。

显影剂的选择要根据光刻胶的特性来确定，确保显影效果的良好和图案的清晰度。

显影时间也需要精确控制，以避免对光刻胶未曝光区域的影响。

在蚀刻曝光显影工艺中，各个步骤的精确控制对芯片电路的质量和性能至关重要。

蚀刻的时间和浓度要根据需要蚀刻的材料和蚀刻深度来确定。

曝光的时间和强度要根据光刻胶的特性和图案的要求来确定。

显影的时间和显影剂的浓度要根据光刻胶的特性和显影效果要求来确定。

只有通过对这些参数的准确控制，才能制作出质量和性能优良的芯片电路。

总之，蚀刻曝光显影工艺是半导体制造过程中不可或缺的一环。

通过对蚀刻、曝光和显影这三个主要步骤的精确控制，可以制作出高精度的芯片电路。

蚀刻曝光显影工艺的准确性和稳定性对芯片电路的质量和性能至关重要，因此在制造过程中需要严格控制每个步骤的参数，以达到最佳的制程效果。

光刻工艺参数一、光刻工艺参数概述光刻工艺是半导体制造中的核心环节，其参数的选择直接影响到最终的制程质量和产品性能。

这些参数共同决定了光刻的分辨率、对比度和曝光剂量等关键因素，从而在微观层面上塑造了集成电路的几何形状和结构。

在光刻工艺中，参数主要包括光源波长、曝光剂量、焦距、数值孔径等。

它们相互关联，共同决定了光刻的质量和效果。

二、光刻工艺参数详解1.光源波长：光源波长是光刻工艺中的关键参数，它决定了光的分辨率。

短波长的光源具有较高的分辨率，但同时也需要相应的设备和材料来支持。

目前，深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光源是主流的选择。

2.曝光剂量：曝光剂量决定了曝光过程中光能量的多少，它影响着曝光时间和光强。

曝光剂量要适量，太少会导致曝光不足，太多则可能导致过度曝光。

3.焦距：焦距是指光束通过镜头时，主平面与镜头光轴之间的距离。

在光刻工艺中，焦距的准确性对成像质量有着至关重要的影响。

4.数值孔径：数值孔径（NA）描述了镜头聚光的性能，是镜头与光刻胶之间的透镜效应的量度。

数值孔径越大，光线的汇聚能力越强，成像质量越好。

三、光刻工艺参数优化随着半导体技术的不断发展，对光刻工艺的要求也越来越高。

为了提高制程质量和产品性能，必须对光刻工艺参数进行优化。

优化过程需要综合考虑多个因素，如设备条件、材料特性、环境因素等。

此外，为了实现更精细的制程和更高的产能，科研人员还在不断探索新的光源技术、镜头技术和光刻胶技术等。

四、未来展望随着科技的不断发展，未来的光刻工艺将面临更多的挑战和机遇。

一方面，随着摩尔定律的延续，集成电路的制程将会越来越小，对光刻工艺的要求也会越来越高。

另一方面，随着新材料的出现和应用，光刻工艺也将面临新的变革和突破。

例如，极紫外光刻技术（EUV）被认为是下一代光刻技术的重要方向之一，它具有更高的分辨率和更低的制造成本等优势。

此外，随着人工智能和大数据等技术的应用，光刻工艺的数据分析和智能化管理也将成为未来的重要研究方向。

玻璃曝光显影工艺流程说明下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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光刻机曝光参数对曝光剂耗尽深度的影响研究引言：在半导体制造中，光刻技术是一项非常重要的工艺。

光刻机作为光刻技术的核心设备，负责将图形投射到光刻胶上。

而曝光参数则是控制光刻机的核心指标之一，它包括了曝光时间、能量密度等。

本文旨在研究光刻机曝光参数对曝光剂耗尽深度的影响，并探讨在实际生产中的应用。

光刻机曝光参数概述：光刻机曝光参数是指在光刻过程中，控制光刻机输出光线强度和时间的设定值。

它直接影响到曝光剂的耗尽深度，进而影响到光刻胶的质量和成品的精度。

常见的曝光参数包括以下几个方面：1. 曝光时间：曝光时间是指光刻机照射掩膜的时间长短。

过长或过短的曝光时间都会导致曝光剂耗尽深度不合适，进而影响到芯片的制作质量。

2. 电流/能量密度：电流/能量密度是指在曝光过程中单位面积上光线的强度。

它与曝光剂的敏感性直接相关。

适当调整电流/能量密度可以改变曝光剂耗尽深度。

3. 掩模与样品之间的距离：曝光过程中，掩模离样品的距离也会对曝光剂耗尽深度产生影响。

过大或过小的距离都会导致曝光剂耗尽深度不均匀。

实验方法与结果分析：为了研究光刻机曝光参数对曝光剂耗尽深度的影响，我们进行了一系列的实验。

以一种特定的曝光剂为研究对象，使用不同的曝光参数进行光刻，并测量曝光剂耗尽深度。

实验结果显示，曝光时间的增加会导致曝光剂耗尽深度的增加。

然而，当曝光时间超过一定范围时，曝光剂的耗尽深度就不再随着曝光时间的增加而继续增加。

电流/能量密度对曝光剂耗尽深度的影响也非常明显。

当电流/能量密度过高时，曝光剂的耗尽深度会增加；当电流/能量密度过低时，曝光剂耗尽深度会减小。

因此，在实际生产中，我们需要根据具体需要来选择合适的电流/能量密度。

掩模与样品之间的距离也会对曝光剂耗尽深度产生影响。

当距离过大时，光线会扩散，导致曝光剂的耗尽深度不均匀。

而距离过小则会引起掩膜与样品的接触问题。

因此，快速、准确、稳定地调整掩模与样品之间的距离非常重要。

实际生产中的应用：在实际生产中，我们需要根据具体产品和工艺要求来选择合适的光刻机曝光参数。

光刻机的曝光参数对光刻胶曝光的影响在微电子制造过程中，光刻技术被广泛应用于芯片的制作过程中。

光刻机是一种关键设备，它通过使用特定的曝光参数将芯片的图案投射到光刻胶上，从而实现精准的图案转移。

光刻胶的曝光过程是整个光刻技术的核心，其曝光参数的设置对于芯片的质量和性能具有重要影响。

本文将分析光刻机的曝光参数对光刻胶曝光的影响，并探讨如何优化这些参数以提高曝光效果。

1. 曝光时间曝光时间是指光刻机在进行曝光时所需的时间长度。

曝光时间的长短直接影响到光刻胶的曝光深度和曝光强度。

过长的曝光时间可能导致曝光胶层的显影不彻底，造成图案的模糊或过曝；而过短的曝光时间则会导致图案分辨率降低，无法满足微细工艺要求。

因此，在确定曝光时间时需要根据特定的工艺要求和光刻胶的特性进行调整。

2. 曝光能量曝光能量是指光刻机在曝光过程中所施加的能量大小。

曝光能量直接决定了光刻胶的曝光强度，对于芯片制作的精密度和细节的还原有着重要影响。

过高的曝光能量会导致光刻胶的过度曝光，使得图案失真或者产生不必要的光刻胶残留；而过低的曝光能量则可能导致曝光胶层的不同程度的紫外线吸收，造成图案分辨率下降。

因此，在设置曝光能量时需要根据具体的工艺要求进行调整，以达到最佳曝光效果。

3. 掩膜光密度掩膜光密度是指在曝光过程中所采用的掩膜的透光性。

掩膜光密度的大小直接影响到曝光胶层所受到的光强度。

当掩膜光密度较低时，曝光胶层所接收到的光强度较高，反之亦然。

因此，正确选择合适的掩膜光密度对于实现良好的曝光效果至关重要。

4. 光源能量均匀性光刻机的光源能量均匀性是指在曝光过程中所使用的光源的能量分布是否均匀。

光源能量均匀性对于光刻胶的曝光效果有着直接的影响。

如果光源能量分布不均匀，曝光胶层的光强度将出现差异，从而导致芯片制作的不一致和误差。

因此，在光刻机的操作中需要定期检查和校准光源，以确保光源能量的均匀性。

5. 曝光胶的感光特性曝光胶的感光特性是指曝光胶对于特定波长光线的吸收能力。