2.中国半导体硅(多晶、单晶)材料发展60年

中国半导体的发展历史中国半导体发展可以大致分成四个阶段：萌芽期（1956 - 1965），稳步发展期（1966 - 1978），缓滞-复苏期（1978 - 2000）以及大发展时期（2000 –至今）。

萌芽期阶段（1956 - 1965）：1956年中央提出了“向科学进军”的口号，周总理亲自制定了1956 –1967年这12年的科学技术发展远景规划，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。

在此背景下，中科院半导体于1957年11月成功拉制成第一根锗单晶，并与1958年成功研制第一只锗晶体管。

锗晶体管半导体晶体管的成功研制，促成了我国晶体管计算机和晶体管收音机的诞生，在国内产生了很大的影响，那时候的收音机被叫做半导体的原因就在这里。

1958年，中国第一个半导体器件生产厂诞生，代号“109”，它就是后来中科院微电子研究所的前身。

同样是1958年，天津109厂的科研人员借助研制锗单晶的经验，自行研制了硅单晶并进行了设备调试，经过反复试验，并在7月，成功拉制成我国第一根硅单晶，成为当时继美苏之后第三个拉制出单晶硅的国家。

在此基础上，研究人员提高材料质量和改进技术工艺，并于1959年实现了硅单晶的实用化。

单晶硅随着研究的深入，我国逐步在外延工艺，光刻技术等领域取得了进展，并于1963年制造出国产硅平面型晶体管。

这些技术的成功，打下了我国硅集成电路研究的基础。

稳步发展期（1966 - 1978）到了1966年，10年风波开始。

我国工农业发展陷入大规模停滞，但我国半导体工业建设并未停下脚步。

1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，形成当时中国集成电路产业中的南北两强格局。

1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，现中电24所），是中国唯一的模拟集成电路研究所。

同年，上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。

中国半导体的发展史可以大致划分为以下几个阶段：
20世纪50年代：中国开始自主培养半导体科技人才，创办了第一个五校联合半导体专业，并在1957年拉出了锗单晶，研制出锗晶体管。

20世纪60年代：中国研制出硅外延工艺、硅基晶体管和TTL电路产品，这标志着中国已经能够制作小规模集成电路。

20世纪70年代：中国开始建设集成电路工厂，并研制成功1000万次大型电子计算机。

20世纪80年代中期：中国制定了“531战略”，即“普及5微米技术，研发3微米技术，攻关1微米技术”，诞生了无锡华晶等半导体企业。

1990年9月：电子工业部决定启动“908工程”，目标是建成一条6英寸、0.8~1.2微米的芯片生产线。

但由于国外已沿着摩尔定律的路径实现了好几代的进步，所以华晶项目一投产即落后，产量也仅有800片，亏损相当严重。

1995年：提出以100亿元实施“909工程”，建设一条8英寸晶圆、0.5微米制程工艺的集成电路生产线，但面临国外的技术封锁。

1997年7月：华虹集团与NEC合资组建了上海华虹NEC电子有限公司，负责承担“909工程”的项目建设。

以上是中国半导体的发展史的一些重要事件和阶段。

总的来说，中国半导体产业经历了从自主培养科技人才、研制晶体管到建设集成电路工厂、启动芯片生产线等阶段，不断推动着中国半导体产业的发展。

中国半导体发展历史半导体是现代电子技术的基础，而中国的半导体产业也经历了一段波澜壮阔的发展历程。

从20世纪50年代开始，中国就开始了半导体的研究和生产，经过多年的努力，中国的半导体产业已经成为世界上最重要的产业之一。

早期的半导体研究和生产主要集中在中国的科研机构和国有企业中。

20世纪50年代，中国科学院物理研究所开始了半导体的研究工作，1956年，中国第一颗晶体管诞生。

此后，中国的半导体产业逐渐发展起来，1960年代初期，中国开始了半导体的批量生产，生产的产品主要是二极管和晶体管。

然而，由于历史原因和技术水平的限制，中国的半导体产业在20世纪70年代和80年代处于低谷期。

直到20世纪90年代初期，中国的半导体产业才开始逐渐复苏。

1991年，中国成立了第一家半导体企业——中芯国际，这标志着中国半导体产业进入了一个新的发展阶段。

在1990年代后期和21世纪初期，中国的半导体产业经历了快速发展的阶段。

中国政府出台了一系列扶持政策，吸引了大量的国内外投资。

同时，中国的半导体企业也开始了技术创新和自主研发，逐渐实现了从跟随者到领先者的转变。

2000年，中国的半导体产业产值达到了100亿美元，成为世界上第三大半导体生产国。

近年来，中国的半导体产业发展更加迅猛。

中国政府提出了“中国制造2025”和“半导体产业发展规划”，明确了发展半导体产业的战略目标和重点领域。

中国的半导体企业也在不断加强技术创新和自主研发，逐渐实现了从低端到高端的跨越。

2019年，中国的半导体产业产值已经达到了800亿美元，成为世界上最大的半导体市场之一。

总的来说，中国的半导体产业经历了一个从小到大、从弱到强的发展历程。

中国的半导体企业已经成为世界上最重要的企业之一，中国的半导体产业也已经成为世界上最重要的产业之一。

未来，中国的半导体产业将继续发展壮大，为中国的经济发展和科技进步做出更大的贡献。

全球晶硅光伏发展历史
全球晶硅光伏的发展历史可以追溯到1839年，当时法国科学家贝克雷尔发现了光生伏特效应，即光照能够使得半导体材料的不同部位之间产生电位差。

1954年，美国科学家恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳电池，标志着光伏发电技术的诞生。

在接下来的几十年中，晶硅光伏技术得到了广泛的研究和应用。

1968年至1969年底，中国半导体所承担了为“实践1号卫星”研制和生产硅太阳能电池板的任务，并成功完成了NP结硅太阳电池的研制和生产任务。

进入21世纪，随着国际光伏市场的爆发，晶硅光伏产业链得到了快速发展。

多晶硅产品作为光伏产业链内技术和资金壁垒最高的环节之一，其生产工艺技术在行业发轫早期被海外产业巨头封锁。

然而，随着中国硅材料产业的发展，中国成功拉制出硅单晶，并在2005年实现了全国多晶硅产量仅有60吨的突破。

为了扭转受制于人的局面，国内一些企业开始着手多晶硅核心工艺开发。

随着多晶硅产品的供需出现缺口，其价格大幅上涨，这促使更多企业加入到多晶硅的研发和生产中。

总之，晶硅光伏技术是全球能源领域的重要发展方向之一，其发展历程经历了多个阶段，并推动了全球能源结构的转变和升级。

单晶硅片发展史1. 起源和发展初期单晶硅片是指由纯硅材料制成的晶体片，具有高纯度、均匀性好和电学性能优越等特点，广泛应用于电子器件中。

其历史可以追溯到20世纪60年代初期。

当时，电子行业正迅速发展，对于新型材料及其制备方法的研究需求逐渐增加。

纯度较高的硅材料被发现在半导体领域有巨大潜力，因为硅具有较好的导电和绝缘特性。

为了实现可控的硅片制备，科研人员开始对硅材料进行纯化、晶体生长以及切割处理等工艺的研究。

2. Czochralski法20世纪60年代中叶，波兰科学家托德罗斯·科赫拉尔斯基（Jan Czochralski）发明了一种新的硅片制备方法，这就是著名的Czochralski法（CZ法）。

CZ法是通过将一根种子晶体浸入炉中的熔融硅中，然后慢慢上拉出来，使熔融硅凝固形成硅单晶。

这种方法有效解决了硅片制备过程中晶体纯化和生长问题，大大提高了硅片的制备效率和品质。

随着CZ法的出现，单晶硅片的生产量得以大幅度增加，使得半导体产业出现了快速发展的良好基础。

3. 其他发展尽管CZ法成为了主流的硅片制备方法，但随着电子行业的不断发展，人们对更高纯度和更完美晶体结构的单晶硅片需求日益增加，科研人员纷纷探索新的制备方法。

在20世纪80年代后期，由于化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）技术的突破，形成了向多晶硅制备方法迁移的新趋势。

CVD技术通过气相反应将硅腊沉积在制备衬底上，然后以适当的工艺条件在高温下熔化使其形成单晶结构。

此外，还有其他一些方法如分子束外延（Molecular Beam Epitaxy，MBE）等被应用于制备高质量的单晶硅片。

4. 现代应用和进展如今，单晶硅片已经成为电子行业和太阳能光伏领域中最重要的材料之一。

在电子行业中，单晶硅片广泛用于制造半导体器件，如晶体管、光电池、LED 等。

其高纯度和均匀性使得电子器件的性能得以有效提升。

而在太阳能光伏领域，单晶硅片通过切割成薄片并组合成太阳能电池板，能够将太阳能直接转化为电能。

半导体器件的发展历程及其展望摘要：1947年12月23日第一块晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。

在晶体管技术日新月异的60年里，有太多的技术发明与突破，也有太多为之作出重要贡献的人，更有半导体产业分分合合、聚聚散散的恩怨情仇，当然其中还记载了众多半导体公司的浮浮沉沉。

半导体器件发明之后，人类的历史正式进入了一个新的时代，也就是硅的时代。

硅所代表的正是半导体元件，包括记忆元件、微处理机、逻辑元件、光电元件与侦测器等等在内，举凡电视、电话、电脑、电冰箱、汽车，这些半导体元件无时无刻都在为我们服务。

纵观半导体器件的发展历程,半导体器件对人类社会发展所产生了深刻影响。

探讨了半导体器件所取得的最新研究成果以及它今天面临的挑战及未来发展趋势。

最后阐述了世界半导体产业重心的转移及其给中国半导体产业发展带来的机遇与挑战。

关键词：半导体晶体管微电子技术积体电路半导体产业一、半导体概述半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，例如：锗、硅、砷化镓等。

半导体材料具有三大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性。

具体解释如下：①掺杂性在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质，其导电能力将会成百万倍地增加，如半导体二极管、三极管等。

②热敏性在一些情况下温度变化20倍，电阻率变化可达百万倍以上。

利用这一特性可制成自动控制用的热敏元件，如热敏电阻等。

③光敏性在光的照射下，电路中产生电流或电流变化。

半导体光电效应分为两类，一种光照改变电阻值，称为内光电效应，一种光照下产生一定的电动势，称为阻挡层光电效应。

利用半导体材料的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，如光电池、光电管和光敏电阻等。

另外，半导体还具有负电阻率温度特性（半导体材料在受热后电阻率随温度升高而迅速减小，这与金属材料相反），压阻效应（半导体在受到压力后除发生相应的形变外，能带结构发生相应变化，从而电阻发生变化），磁敏感特性（半导体在磁场中会产生霍尔效应、磁阻效应等，热电效应(是指把热能转变为电能的过程，其中最重要的是温差电现象），导电特性（半导体的导电，同时具有两种载流子，即电子和空穴）等其他特性。

单晶硅片发展史摘要：I.引言- 介绍单晶硅片的背景和重要性II.单晶硅片的定义和特点- 解释单晶硅片的定义- 描述单晶硅片的特点III.单晶硅片的发展史- 介绍单晶硅片的发展史- 阐述单晶硅片在不同阶段的发展情况IV.单晶硅片在中国的应用和发展- 介绍单晶硅片在中国的应用情况- 分析中国单晶硅片行业的发展状况V.单晶硅片的发展趋势和挑战- 预测单晶硅片的发展趋势- 讨论单晶硅片面临的挑战和解决方案VI.结论- 总结单晶硅片的发展史和现状- 提出对未来单晶硅片发展的期望正文：单晶硅片发展史单晶硅片是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子和光伏等领域。

作为一种高纯度、高导电性、高平整度的材料，单晶硅片在现代科技和工业中扮演着举足轻重的角色。

本文将介绍单晶硅片的定义、特点，以及其发展史、在中国的应用和发展情况，并探讨单晶硅片的发展趋势和挑战。

单晶硅片是由单晶硅制成的，具有高纯度、高导电性、高平整度等特点。

它是一种重要的半导体材料，被广泛应用于电子、光电子和光伏等领域。

单晶硅片的发展历程可以追溯到20 世纪50 年代。

当时，由于半导体技术的快速发展，单晶硅片成为了研究和应用的热点。

随着技术的不断进步，单晶硅片在各个领域中的应用也日益广泛。

在中国，单晶硅片行业的发展始于20 世纪70 年代。

经过几十年的发展，中国单晶硅片行业已经取得了显著的成绩。

目前，中国已经成为全球最大的单晶硅片生产国和消费国。

在中国，单晶硅片被广泛应用于光伏、电子和光电子等领域。

随着中国政府对新能源产业的支持，单晶硅片在中国的应用和发展前景十分广阔。

然而，单晶硅片的发展也面临着一些挑战。

首先，单晶硅片的生产过程需要大量的能源和资源。

其次，随着市场需求的不断增长，单晶硅片的生产成本也在不断上升。

此外，单晶硅片行业也面临着技术研发和创新方面的挑战。

为了应对这些挑战，单晶硅片行业需要加大技术研发力度，提高生产效率，降低生产成本，并寻求新的应用领域。

半导体的发展历程
半导体的发展历程可以概括为以下几个阶段：
1. 1947年：第一个晶体管问世。

这是使用固态材料制造的第一种电子器件，并被认为是现代电子技术的里程碑之一。

2. 1950年代：半导体材料的研究和发展进入快速发展期。

砷化镓（GaAs）和硅（Si）成为主要的半导体材料，同时晶体管逐渐取代真空管成为主流电子器件。

3. 1960年代：单片集成电路的问世。

这种技术可以将成千上万的晶体管等元件集成到一块芯片上，大大提高了集成度，实现了电子器件的微型化。

4. 1970年代：大规模集成电路的问世。

这种技术可以将数十万甚至数百万的晶体管等元件集成到一块芯片上，进一步提高了集成度和性能，让电子器件的功能更加丰富。

5. 1980年代至今：半导体材料、制造工艺和设计技术不断进步，使集成电路的性能愈发出色。

同时，出现了很多新的应用领域，如数字化、通信、计算机、消费电子、医疗设备等，这些领域对集成电路的需求也不断增加。

中国半导体行业发展历程近年来，中国半导体行业取得了长足的发展，成为全球最具潜力和竞争力的行业之一。

本文将为您介绍中国半导体行业的发展历程。

第一阶段：起步期（1950年代-1970年代）中国半导体行业的起步可以追溯到上世纪50年代。

当时，中国面临着技术和经济的困境，需要发展自己的半导体产业来满足国内需求。

于是，中国政府成立了多家研究机构和实验室，开始进行半导体技术的研究和开发。

然而，在起步期，中国的半导体行业仍然面临着巨大的挑战。

由于技术水平和设备条件的限制，中国的半导体产品主要依赖进口。

尽管如此，这一时期为后来的发展奠定了基础，为中国半导体行业的蓬勃发展创造了条件。

第二阶段：培育期（1980年代-1990年代）改革开放以后，中国的半导体行业迎来了新的发展机遇。

政府开始大力支持半导体产业的发展，引进国外先进的技术和设备，并鼓励国内企业进行技术创新和自主研发。

同时，政府还出台了一系列的政策，为半导体企业提供贷款和税收优惠，吸引了大量的国内外资本投入。

在培育期，中国半导体行业取得了长足的进步。

中国的半导体企业开始生产一些基础的电子元件和芯片，并逐渐实现了产品的本土化。

同时，中国还积极培养半导体专业人才，建立了一批具有国际竞争力的研发团队。

第三阶段：崛起期（2000年代-2010年代）进入21世纪，中国半导体行业迎来了快速发展的机遇。

随着中国经济的快速增长和科技实力的提升，中国成为全球最大的半导体市场之一。

政府继续加大对半导体产业的支持力度，鼓励本土企业进行技术创新和自主研发。

在崛起期，中国半导体行业取得了令人瞩目的成就。

一批国内企业在存储器、集成电路和传感器等领域实现了技术突破和产品创新，有些企业甚至成为全球知名的半导体巨头。

同时，中国还积极引进外国企业和专业团队，加强国际合作和技术交流。

第四阶段：创新驱动期（2020年至今）当前，中国半导体行业正进入创新驱动的新阶段。

随着技术的不断进步和市场的不断扩大，中国的半导体企业面临着更大的机遇和挑战。