模拟电路复习初稿

第一、二章：绪论与运算放大器

一、要求

1、了解信号的描述及分类方法；掌握放大电路的模型和放大电路的主要性能指标

2、掌握利用“虚短”和“虚断”的概念，分析计算由反相比例、同相比例、加、减、积分、微分等电路组成的各种运算电路

二、基本概念：

1、由线性电抗原件所引起幅度失真和相位失真总称为 失真，又称为 失真；在放大电路中，我们将由其非线性特性所引起的失真，称作为 失真。

2、根据实际应用所需要的输入信号和输出信号之间的关系，放大电路可分为四种类型：分别为 ， ， 和 。用输入电阻、输出电阻和 或

等基本原件，可建立四种放大电路的电路模型，并可以进行相互转换。

3、衡量放大电路的主要性能指标有： ， ， 以及 ，

等，它是我们设计放大电路的依据。

4、理想运算放大器其理想的参数为： ， ， 。

5、运算放大器有 个工作区域，在 范围是很窄。

6、当使运算放大器稳定工作在线性放大区，均需引入深度负反馈，由运放引入负反馈而得到的 和

两个重要概念，是分析由运放组成的各种线性应用电路的利器。

三、典型习题

1、输入输出电阻的实验测量与计算：课本习题1.5.2,1.5.3

2、已知图示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k大于零。试分别求解各电路的运算关系。

3、右图示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求负载电阻中的电流。

4、为了使下图电路实现除法运算，

（1）标出集成运放的同相输入端和反相输入端；

（2）求出uO和uI1、uI2的运算关系式。

课本习题2.3.1；2.3.2；2.3.5；2.4.1；2.4.2；2.4.3；2.4.4；2.4.5；2.4.6；2.4.7

第三、四章：二极管、三极管及电路

一、要求：

1、了解半导体材料的基本结构及PN结的形成；掌握 PN 结的单向导电工作原理；掌握二极管（包括稳压管）的V-I特性及其基本应用；

2、了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数；了解静态工作点与非线性失真的关系；熟练掌握放大电路静态工作点的设置和估算，以及用小信号模型分析法求解放大电路的动态指标；掌握BJT放大电路三种组态的结构及性能的特点；掌握放大电路的频率响应的基本概念；了解各元件参数对放大电路的频率响应性能的影响。

二、基本概念：

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与

有很大关系。

2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层的变化 。当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层的变化 。

3、空穴型半导体又称为 型半导体，它由本征半导体掺入 价元素形成。其多数载流子是 ，少数载流子是 。

4、PN结中的电容效应是势垒电容和扩散电容在高频时的综合反映。势垒电容主要存在于PN结加 时所呈现的电容效应；扩散电容是PN结加 时所呈现的电容效应。

5、当二极管两端加正向电压时，它的动态电阻随正向电流的增加而 。

6、半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。带电粒子有 ，载流子 。

7、采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。

8、二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。二极管的主要特性 。

9、杂质半导体有 型和 型两种；双极型三极管的结构有 型和

型两种；场效应管根据导电沟道的不同有 型和 型两种。

1、双极型三极管从结构上可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。

2、双极型三极管输出特性曲线可以分为三个区域，分别为 ， ， 。

3、双极型三极管有三个区域，在放大区时，偏置为 和 ；饱和区时，偏置为 和 ；截止区时，偏置为 和 。

4、双极型三极管，在工艺上要求发射区掺杂浓度 ，基区掺杂浓度 ，并且要求制作得很 ，集电区掺杂浓度 。

5、温度升高时，晶体管的电流放大系数β ，反向饱和电流ICBO ，发射结正向电压VBE ；共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，输出特性曲线之间的间隔将 。

6、当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的 倍，或者是下降了 dB，此时与中频时相比，输出电压的附加相移约为 。

7、在三极管多级放大电路中，11020321uuuAAA、、，总的电压增益 = ；Au1是 放大器；Au2是 放大器；Au3是 放大器。

8、、在三种组态基本放大电路中， 组态同时有电压和电流放大作用。 组态对信号索取的电流小，带负载能力强。

9、三极管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V，则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极，晶体管为__型三极管。

10、复合管的构成原则 ：复合后的三极管性质参数：β、rbe计算。

11、在本征半导体中掺入 价元素形成的p型半导体 ,掺入 价元素形成的是N型半导体；PN结加正向电压时，空间电荷区将变 。

12、为使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度 ，基区宽度 ，集电结面积比发射结面积 。

三、典型习题

1、认识各种二极管电路符号。试判断图中二极管是导通还是截止，为什么？课本习题3.4.5；3.4.6

2、（二极管）根据题意画出输出波形。课本习题3.4.7；3.4.9

3、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。

4、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

5、稳压管的工作原理。三极管工作状态判断：课本习题4.2.3

6、判断电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。课本习题4.2.2

7、分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。课本习题4.2.1。

8、放大电路的频率响应。课本习题4.7.1；4.7.2.

9、已知放大电路的幅频波特图，则该电路的耦合方式？由几级放大电路组成？中频放大倍数和上限频率为多少？1MHZ时附加相移为多少？

10、三极管放大电路的相关分析，计算。

(1)、画交、直流通路，微变等效电路（课本习题图题4.3.8，）

(2)、计算静态工作点、Av、Avs、ri、ro

(3)、多级放大电路的参数计算

课本习题4.3.5；4.3.9；4.4.3；4.4.4；4.5.2；4.5.3；4.5.4；4.6.1；4.6.2

12、各种基本放大电路的参数比较，Av、ri、ro等。

1M 10M 100M

第五章、第六章

一、要求

1、了解MOS场效应管的工作原理、及主要参数；掌握用小信号模型分析法分析MOSFET放大电路的动态指标；了解双极型三极管（BJT）和场效应管两种放大电路各自的特点。

2、了解各种电流源的工作原理、特点和主要用途；掌握差模信号、共模信号、差模电压增益、共模电压增益和共模抑制比等基本概念；了解差分放大电路的工作原理和特点；掌握差分放大电路的静态和动态指标的计算；了解集成运算放大器的基本组成和主要参数；了解失调电压和失调电流对实际运放的影响及零漂的消除方法。

二、基本概念

1、场效应管属于 控制型器件，而双极型三极管则是 控制型器件。

2、场效应管的类型、符号、输出特性曲线、转移特性曲线，会分辨。场效应管的输出特性曲线与转移特性曲线、转换。课本习题5.1.1；5.3.5；

3、场效应管的三个工作区域分别为： ， ， 。

4、场效应管的三种工作状态的工作条件（以一种为例：如可变电阻区的条件、可变电阻受什么控制；）。

5、静态时，可变电阻区与饱和区Id的电流关系表达式，会分辨。场效应管工作状态分析判断。课本例题5.2.1；5.2.2；5.3.1

6、场效应管的共源、共漏组态电路，会画电路交、直流通路、微变等效电路，电路静态、动态分析。课本习题5.2.3；5.2.4；5.2.5；5.2.9；5.3.7；5.3.8

7、各种FET的特性及使用注意事项。

1、为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路应采用 耦合方式；为了实现阻抗变换，放大电路应采用 耦合方式。

2、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ，而前级的输出电

阻可视为后级的 。

3、直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是 。

4、差分放大电路有 种输入——输出连接方式，其差模电压增益与 方式无关，与 方式有关。

5、双端输出的理想差分放大电路，其共模输出等于 ，共模抑制比等于 。

6、单端输出的理想差分放大电路，输入信号的极性与同侧三极管集电极信号的极性 ；与另一侧三极管集电极信号的极性 。

7、已知某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=100，共模抑制比KCMR=60dB，则其共模信号放大倍数Avc= 。

8、电流源电路是构成运放的基本单元电路，其特点是直流电阻小，而交流电阻很大。电流源电路既可以为电路提供偏置电流，又可以作为放大器的有源负载使用。