全桥式逆变电源主电路设计

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现代焊接 Modern Welding
全桥式逆变电源主电路设计
Design of main circuit of full-bridge inverter power source
上海高企电器有限公司 钱金川 浙江泰华电器有限公司 朱守敏
[摘要] 本文对逆变电源常见拓扑电路进行了系统介绍,针对拓扑常用典型结构图,对其各自应用场合和优缺点 进行了对比分析,并对目前使用最为频繁的全桥式变换电路,从主电路所需各器件参数以器件的耐压是输 入电压的2倍,工作是随着开关管的开 通和关断、变压器原边绕组交替工作, 与半桥和全桥变换电路相比,变压器 利用率低,而且输出电压随输入电压 和负载变化而变化。因此在输入电压 高时,一般不宜采用这种变化电路。 与单端变换电路相比较,推挽电路的 优点是输出功率大,输出滤波电感可 减小,两组开关驱动脉冲Vg1、Vg2不需 隔离,控制简单。

NR
N2 N1
VD2 C
U0


VT
Vg E
图1 单端正激变换电路
2.1 单端正激变换电路(见图1) 在单端正激变换电路中,当功率
开关器件VT导通时,则通过变压器Tr向 负载传递能量。变换电路主要由开关 管VT、变压器Tr输出整流二极管VD1、 续流二极管VD2以及输出滤波电感L和 电容C组成。变压器Tr原边绕组中分去 磁绕组NR与原边绕组N1(通常NR≤N1), NR与VD0组成磁通复位电路。当开关管
2.3 半桥式变换电路(见图3) 在半桥式变换电路输入端串接电
容C1、C2且C1=C2以便当两个开关器件 VT1、VT2均截止时,VC1=VC2=1/2E, VA=1/2E,VB=1/2E,VAB=0,保证开关 器件均为截止时所受耐压相同和均衡 (输入电压一半)。VD1、 VD2起到反 馈和续流作用,变压器副边电路由VD3 和VD4构成全波输出整流,L、C3构成 输出滤波电路。
通常共模电感在制作时应注意以
下几个方面: a)绕制在磁芯上的线圈导线应
有较高的相互绝缘性,以保证在瞬时 过电压下线圈匝间不发生击穿短路;
b)线圈流过瞬间大电流时,磁 芯不能出现饱和;
c)线圈中的磁芯应与线圈绝缘, 以防止在瞬时过电压作用下两者之间 发生击穿;
d)各线圈尽可能绕制单层,这 样做可以减小线圈的寄生电容,增强 线圈对过电压的承受能力;
IC
P0(相同IC时)输出功率
P0
Tr主变压器原边电压

2E


IC
2 IC
IC
P0
P0/2
P0

E/2

输出电压U0
EK·D
2KE·D
EK·D
EK·D
功率开关器件中数量




适于获得输出容量 其他
小、中



E—加入电路直流电压;D—功率开关器件导通占空比;K—主变
压器Tr变比
VD 0
Tr
VD1
V0=1.35Vi 其中 Vi-输入线电压有效值;V0-输出
电压平均值。
如输入线电压Vi=380V,则V0=1.35 ×380=513V。
在选择三相整流桥参数应考虑其
模块额定电流,以及最大允许反向耐
压值。
额定反向耐压的确定:
首先应考虑电源输入功率,并考
虑电网电压波动(±10%波动)则整
流滤波最低电压为:
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三相全波整流输出的直流脉动频
率300Hz,为了供给逆变平滑的直流电
压,必须在输入整流电路和逆变器之
间加入滤波电容,以减小整流输出后
直流电的交流成分。滤波电容一般采
用电解电容器,因其滤波电解电容器
自身串联等效电阻(ESR)和串联等
效电感(ESL)的存在直接影响滤波
配在共模电感后端的电容选用高 频特性好的陶瓷或聚酯电容,其容量 值为100pF/630V(参考值)。 3.1.3 三相整流桥选择
在三相全波不可控整流电路中, 通常用三相桥堆(或分离整流二极管 来完成)。它是由三相半波共阴极组 和共阳极组串联而成,不用零线。该 电路输出电压高、输入谐波小、电网 平衡能力强,输出纹波小,适用于大 功率场合。其相应参数值确定如下:
效果,所以在电解电容C4(由两个电
容串联而成)两端并联高频无极性电
容C5,使高频交流分量从C中5 通过(去 高频干扰电容C5其电容量较难确定,
因高频干扰包括电网的干扰,也包括
电源的干扰,通常可选取C5=2.5±5%μF 或该数量级其他电容,只要电容C2的
耐压峰值满足即可,耐压峰值电压Up
=600V)。
[关键词] 逆变电源;拓扑电路;对比说明;全桥变换;电路设计;器件确定
前言
逆变电源因体积小、重量轻、节 材、节能、转换效果高等特点,现已 得到了广泛应用。目前逆变电路的拓 扑结构主要有单端正激式、单端反激 式、推挽式、半桥式、全桥式等多种 类型。根据需求可采用不同拓扑形式 的逆变电路满足其需求。以上拓扑结 构又有其各自特点,在逆变电源主电 路设计中应充分考虑电路自身结构特 点和使用场所,只有根据上述情况, 才能更好地选择相应的逆变电路来满 足使用要求。随着功率器件的不断发 展,目前IGBT(绝缘栅双极型晶体管) 是逆变电源中常用的功率器件,已逐 步取代原晶闸管、晶体管、场效应管 (MOSFET)。由于桥式逆变电源在选 择功率开关器件耐压要求可以稍低, 并有较高的功率输出,现通常采用全 桥式逆变电路来实现较大功率输出。
现代焊接 2010年第9期 总第93期 J- 15
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确定允许电流值I>IN且选用小型断 路器DZ47-63时选择D型(电动机控制 型)以保证断路器接通瞬间抗过载能 力。 3.1.2 共模电感
在电磁兼容EMC中,电源滤波是 一种抑制传导干扰的方法。它不仅可 以抑制来自电网的噪声对电源本身的 侵害,也可以抑制由开关电源产生并 向电网反馈的干扰。而通常面临主要 解决的问题是共模干扰,因此电源滤 波器中共模电感就是解决共模干扰常 用器件。共模电感(亦称共模扼流圈 或换相电抗器),可起到对电网污染 减少,提高功率因数,连接至电网进 线中,用以限制变换器开关功率器件 在高频工作时,控制电流上升率di/dt和 电压上升率du/dt,使其不产生跃变。以 减少电流冲击和保障设备的安全使用。
该电路特点:变压器Tr有变换电 参数和隔离作用,因变压器磁芯在单 象限内工作,所以体积较大,适用于
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小功率电源中使用。 2.2 推挽式变换电路(见图2)
推挽式变换电路其实由两个相位 相反的正激变换电路叠加而成,相当 于两个正激电路交替工作,且两个开 关管交替导通和截止,并在各自导通 的半个周期内把能量分别通过变压器 Tr传递给负载。该变换电路主要由VT1、 VT2以及并联至开关管的二极管VD1和 VD2 组成输入端,经变压器Tr,在输 出端由整流二极管VD3、VD与4 输出滤 波电感和电容组成。
(Pin=25kVA时)。
三相整流后的纹波频率为300Hz,
电容要维持电压的时间只需半个周期,
即t=1.67ms(
T 2

1 300×2
=1.67ms)。
VT在关断期间,绕组N1的储能转移至 NR中,并通过VD0反馈到输入端电源 E中。因在单端变压器原边线圈流过 的是脉动激磁电流,如果在每个脉动 工作磁通周期不采取去磁措施,则磁 芯剩磁通的累加会迅速使变压器出现 饱和。如果没有去磁绕组NR,变压器 二次绕组因VD1反偏截止,原边绕组中 储能无处释放,将会引起很高的反电 压与输入电压E迭加至VT上。此时开 关管VT在导通时流过的大电流,关断 时承受高电压,导致VT损坏。
(通常则选择考虑1200V电压为其耐压
值)。
额定电流的确定:
根据电源输入功率要求来确定三
相整流桥中二极管的平均通态电流。
电源输入功率Pin(以电源输入功率
23.5kVA为例),则二极管的平均通态
电流为1/3I总(1/3是应三相整流电路中,
每组二极管通过电流的总电流的1/3),
则:
ID=
Pin Uin(min)·3
全桥式变换电路是目前逆变电路 中使用最为常见的一种,该变换电路 共有4个桥臂,可以看成2个半桥电路 组合而成。2对桥臂交替导通,输出电 压和电流波形与半桥电路形状相同, 其幅值高出半桥变换电路1倍。改变直 流电压E就可改变输出交流有效值, 输出功率大。
由于变压器Tr磁芯工作在磁滞回 路两侧,在开关器件饱和压降和开关 时间不相同,将会造成变压器中正负 半周期磁通的不对称,从而引起偏磁 现象,最常见及通用办法是在变压器 Tr原边回路中串接一个隔直电容Cr, 以此来抑制变压器原边非纯交流电压 中直流分量。由于变压器原边绕组电 阻小,在多个循环之后,即可造成磁 饱和。
483V{〈380-38〉2 = 2·342} 则U反= 2· 3 Uin(min)=2.45×483=
1183.35V(两个二极管串联所承受的
耐压值)。
在整流桥模块中,二极管所承受
的耐压值为U反/2=1183.35/2=591V,再 将安全裕量(系数)考虑(通常安全
裕量选择2倍)则耐压值应大于1182V
共模电感是一个以铁氧体为磁芯 的共模干扰抑制器件,它由3个线径相 同、匝数相同的导线对称绕制在同一 个铁氧体环形磁芯上,形成一个6端器 件(输入输出各3端)。当导线中流过 共模电流时,磁环中磁通相互叠加, 从而具有相当大的电感量,使线圈表 现为高阻抗产生较强的阻尼效果,以 此衰减共模电流达到滤波目的,因而 对共模电流起到抑制作用;当导线中 流过差模电流时,磁环中磁通相互抵 消,几乎没有电感量,此时差模电流 可以无衰减地通过。因此共模电感在 线路中能有效地抑制共模干扰信号, 而对线路正常传输的差模信号无影响, 从而有效解决电网中的共模干扰窜入 电源输入端,减小了共模干扰对电源 的干扰。