集成霍尔传感器的特性测量与应用
- 格式:docx
- 大小:380.71 KB
- 文档页数:7
霍尔传感器的应用以及原理1. 引言霍尔传感器是一种常见的传感器,广泛应用于电子设备和工业控制领域。
它通过测量磁场变化来检测物体的位置、速度和方向等信息。
本文将介绍霍尔传感器的原理以及它在不同领域的应用。
2. 霍尔传感器原理霍尔传感器的工作原理基于霍尔效应,即当电流通过晶体管和金属片时,会形成一个垂直于电流和磁场方向的电压差。
这个电压差叫做霍尔电压,它与外界磁场的强度和方向成正比。
通过测量霍尔电压的变化,可以得到与磁场相关的信息。
霍尔传感器通常由霍尔元件、增益放大器和输出电路组成。
霍尔元件是一个具有霍尔电压特性的磁敏器件,一般采用半导体材料制造。
增益放大器用于放大霍尔电压的信号,使其可以被检测和处理。
输出电路根据需求将电信号转换成数字信号或模拟信号输出。
3. 霍尔传感器的应用3.1 位置检测霍尔传感器可以通过测量磁场的变化来检测物体的位置。
在自动门控制系统中,可以使用霍尔传感器来检测人员的位置,实现自动开关门。
在机械制造中,霍尔传感器可以被用来监测机械臂的位置,控制其准确移动。
3.2 速度检测通过测量磁场变化的频率,霍尔传感器可以检测物体的速度。
在汽车中,霍尔传感器常被用来测量车轮的转速,用于ABS(防抱死制动系统)和发动机管理系统等。
此外,在电动机控制领域,霍尔传感器也经常被应用于测量电动机的转速。
3.3 方向检测霍尔传感器通过测量磁场的方向,可以检测物体的方向。
在磁罗盘中,霍尔传感器用于检测地球的磁场方向,提供导航和定位功能。
在游戏手柄中,霍尔传感器可以检测游戏手柄的倾斜方向,实现精确的游戏控制。
3.4 磁场检测由于霍尔传感器对磁场的敏感性,它也可以用来检测磁场的强度和方向。
在磁共振成像仪中,霍尔传感器被用于检测强磁场的均匀性,确保图像质量。
在磁力计中,霍尔传感器可以测量磁场的强度,用于测量磁体的磁场强度。
4. 总结霍尔传感器是一种应用广泛的传感器,它通过测量磁场变化来获得与位置、速度和方向等相关的信息。
实验报告姓名:张伟楠班级: F 学号:实验成绩:同组姓名:马文琪实验日期:08.03.31 指导教师:批阅日期:集成霍尔传感器的特征测量与应用【实验目的】1.了解霍耳效应原理和集成霍耳传感器的工作原理。
2.通过测量螺线管励磁电流与集成霍耳传感器输出电压的关系,证明霍耳电势差与磁感应强度成正比。
3.用通电螺线管中心点处磁感应强度的理论计算值校准集成霍耳传感器的灵敏度。
4.测量螺线管内磁感应强度沿螺线管中轴线的分布,并与相应的理论曲线比较。
【实验原理】1、霍耳效应将一导电体(金属或半导体)薄片放在磁场中,并使薄片平面垂直于磁场方向。
当薄片纵向端面有电流I流过时,在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面a、b间就会产生一电势差,这种现象称为霍耳效应(Hall effect),所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压,用U H表示。
霍耳效应是由运动电荷(载流子)在磁场中受到洛伦兹力的作用引起的。
洛伦兹力使载流子发生偏转,在薄片横向端面上聚积电荷形成不断增大的横向电场(称为霍耳电场),从而使载流子又受到一个与洛伦兹力反向的电场力,直到两力相等,载流子不再发生偏转,在a、b间形成一个稳定的霍耳电场。
这时,两横向端面a、b间的霍耳电压就达到一个稳定值。
端面a、b间霍耳电压的符合与载流子电荷的正负有关。
因此,通过测量霍耳电压的正负,即可判断半导体材料的导电类型。
实验表明,在外磁场不太强时,霍耳电压与工作电流和磁感应强度成正比,与薄片厚度成反比,即( 1)式中比例系数和分别为霍耳系数和霍耳元件的灵敏度。
用霍耳效应测量磁场是在霍耳元件的灵敏度和工作电流已知的情况下,通过测量霍耳电压,再由公式(1)求出磁感应强度。
2、集成霍耳传感器SS495A型集成霍耳传感器(线性测量范围0-67mT,灵敏度31.25V/T)由霍耳元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成。
测量时输出信号大,不必考虑剩余电压的影响。
工作电压Vs=5V,在磁感应强度为零时,输出电压为。
霍尔传感器的原理与应用1. 霍尔传感器的原理霍尔传感器是一种基于霍尔效应原理工作的传感器,通过检测磁场的变化来实现信号输出。
霍尔效应是指当电流通过导体时,在垂直于电流方向上会形成一种电势差,这种电势差就是霍尔电势差,也称为霍尔效应。
霍尔传感器的主要原理如下:1.当电流通过霍尔元件时,垂直于电流方向的磁场会产生电势差。
2.电势差的大小与磁场的强度成正比,与电流的大小无关。
3.通过测量电势差的变化,可以得到磁场的强度信息。
2. 霍尔传感器的应用霍尔传感器由于其独特的原理和优良的性能,在各个领域都有广泛的应用。
以下列举了几个常见的应用领域:2.1 汽车行业•制动系统:霍尔传感器可以用来检测制动踏板的位置,实现制动灯的控制。
•转向系统:霍尔传感器可以用来检测方向盘的转动角度,实现转向信号的输出。
•电动机控制:霍尔传感器可以用来检测电动机的转速、转向等参数,实现精确的控制。
2.2 工业自动化•位置检测:霍尔传感器可以用来检测物体的位置,实现物体的定位和控制。
•流量测量:霍尔传感器可以用来测量流体的流量,实现精确的流量控制。
•速度检测:霍尔传感器可以用来检测物体的速度,实现物体的运动控制。
2.3 智能家居•门窗状态检测:霍尔传感器可以用来检测门窗的开关状态,实现安防监控和智能化控制。
•温度控制:霍尔传感器可以通过检测温度变化来实现温控系统的精确控制。
•环境监测:霍尔传感器可以用来检测环境的光照、湿度等信息,实现智能化的环境控制。
3. 霍尔传感器的优势与其他类型的传感器相比,霍尔传感器具有以下优势:•高可靠性:霍尔传感器不受环境干扰和电磁干扰,具有较高的稳定性和可靠性。
•高精度:霍尔传感器可以实现非接触式的测量,具有较高的精度和响应速度。
•小尺寸:霍尔传感器体积小,适合嵌入式应用和空间受限的场景。
•低功耗:霍尔传感器工作时只需要很小的电流,能有效降低功耗。
•长工作寿命:霍尔传感器没有机械部件,不易损坏,具有较长的工作寿命。
霍尔电流传感器的工作原理和测量方法及应用的详细
资料介绍
霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件,霍尔电流传感器包括开环式和闭环式两种,高精度的霍尔电流传感器大多属于闭环式,闭环式霍尔电流传感器基于磁平衡式霍尔原理,即闭环原理。
今天小编就来为大家介绍一下霍尔电流传感器工作原理、测量方法及应用。
霍尔电流传感器工作原理
1、直放式(开环)电流传感器(CS系列)
图1.开环霍尔电流传感器原理
当原边电流IP流过一根长导线时,在导线周围将产生一磁场,这一磁场的大小与流过导线的电流成正比,产生的磁场聚集在磁环内,通过磁环气隙中霍尔元件进行测量并放大输出,其输出电压VS精确的反映原边电流IP。
一般的额定输出标定为4V。
2、磁平衡式(闭环)电流传感器(CSM系列)。
霍尔传感器原理及应用
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的传感器,用于测量和检测磁场的存在和强度。
其原理是基于霍尔效应,即当电流通过导体时,会在垂直于电流方向的平面内产生电压差。
这个垂直平面上的电压差与磁场的强度和方向成正比。
霍尔传感器广泛应用于各种领域,包括自动化控制、汽车工业和消费电子等。
它可以用来测量电流、检测磁场、控制电机和实现非接触式开关等功能。
在自动化控制方面,霍尔传感器可用于测量和监控电流的存在和大小。
它们通常被用于电动机控制系统中,以检测电动机的转速和位置,并控制其运行。
在汽车工业中,霍尔传感器广泛用于测量和检测转速和位置。
例如,它们可以用于发动机控制系统中,以确定发动机的转速和位置,并相应地调整燃料喷射和点火时机。
在消费电子方面,霍尔传感器可用于实现非接触式开关。
例如,在智能手机中,霍尔传感器可以用来检测手机盖的打开和关闭,并据此控制屏幕的开关。
总之,霍尔传感器是一种常见且多功能的传感器,可应用于各种领域,用于测量和检测磁场的存在和强度,以及实现其他相关功能。
集成霍尔传感器特性测量与应用实验的改进王瑗;潘葳【摘要】对大学物理实验中集成霍尔传感器特性测量与应用实验的进行了改进.提出了用专门的螺线管测量灵敏度,使用2片正交放置的霍尔片测量待测通电螺线管中磁场磁感应强度,并给出了具体的测量步骤和电路设计以及测量结果.【期刊名称】《物理实验》【年(卷),期】2018(038)011【总页数】3页(P28-30)【关键词】霍尔传感器;灵敏度;磁感应强度【作者】王瑗;潘葳【作者单位】上海交通大学物理与天文学院物理国家级实验教学示范中心 ,上海200240;上海交通大学物理与天文学院物理国家级实验教学示范中心 ,上海200240【正文语种】中文【中图分类】O441.3近年来,基于霍尔效应的集成霍尔传感器在各领域应用极其广泛,发展非常迅速[1-2],为了紧跟时代发展的步伐,许多高校在大学物理实验中开设了“集成霍尔传感器特性测量与应用实验”,主要测量、研究霍尔传感器的灵敏度及使用霍尔传感器测量通电螺线管内的磁场[3]. 对磁场进行准确测量,理论上要求霍尔片的平面与磁场垂直,但实际测量中霍尔片并不一定能保证与磁场垂直,由此产生测量值偏差;另外在测量待测通电螺线管磁场之前应该用专门的螺线管对霍尔片的灵敏度先行测量、标定. 为此对传统实验方法进行了改进,并采用1对位置关系呈正交的霍尔片对磁场同时进行测量,实际测量结果理想.1 实验方法与电路原理简介1.1 实验原理如图1所示,垂直于磁感应强度B放置的通有电流强度为I的导体(金属或半导体),在它与B和I垂直的横向端面a和b间会产生电势差UH,这种现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压, 在外磁场不太强的情况下,有[4-5]UH=KHIB,(1)其中KH为霍尔元件的灵敏度.实验使用霍尼韦尔公司SS495型集成霍尔传感器[6],它由霍尔单元、恒流源、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成,体积小、功耗低,在-40~+150 ℃的工作温度范围内具有增强的温度稳定性和灵敏度,在工作电压US=5 V,B= 0 T时,U0=2.5 V,其输出电压U与输入的工作电源电压US成正比变化关系,并与磁场磁感应强度B成正比,如图2所示,该关系为B=(U-U0)/K,(2)其中K为该霍尔传感器的灵敏度,利用(2)式可以计算出磁场的磁感应强度[3].图1 霍尔效应原理示意图图2 SS495输出电压与磁感应强度的关系图测量选用的螺线管的长度为L,远远大于管的直径D,绕线均匀整齐,通电后螺线管内将形成平行于螺线管中轴线的匀强磁场[7-8],单层N匝绕线通电螺线管内磁感应强度沿螺线管中轴线分布的理论计算[9]为(3)式中,IM为励磁电流,μ0为真空磁导率,x为以螺线管中心为坐标原点时的位置. 实验采用10层绕线.1.2 传统的实验方法及存在的问题传统的实验方法是将霍尔片焊接到能自由插入到螺线管内的探头上,芯片平面与螺线管的中轴线方向垂直,然后测量以下内容[3]:a.螺线管的中心点处霍尔传感器灵敏度K随工作电压US的变化关系.b.作出螺线管的中心点处霍尔传感器输出电压U0与磁感应强度B的关系图,用直线拟合功能求出灵敏度K值.c.利用求出的灵敏度K值,测量励磁电流IM=250 mA时螺线管内中轴线上磁场分布.该实验在测量中存在如下问题:1)对K值的测量和计算中使用的磁感应强度B的取值是由式(3)计算所得的通电螺线管磁感应强度B的理论值,而c.中内容是利用a.~b.中测出的K值再次测同一通电螺线管内的B的实际值,这样在以上3项实验内容中使用的都是同一螺线管,不太合适.2)焊接在探测杆前端的霍尔片已尽量与探测杆中轴线保持垂直,但当探测杆在螺线管中前后长距离移动时并不一定确保霍尔片与螺线管中轴线还是垂直的,即不保证霍尔片与磁场始终垂直,这会使测量数据产生偏差.1.3 实验方法及电路的改进针对以上问题,对传统实验方法及所用的实验电路进行了重新设计和改进.1)将a.和b.的内容使用同一螺线管进行研究、测量,而c.的内容对待测通电螺线管磁场进行测量.2)对c.的内容采用1对位置关系呈正交的霍尔片(片1和片2)对磁场同时测量,所使用的是同批次并经过实验室测定筛选出的K值非常接近的1对芯片构成,安装时保证两芯片的平面法矢量与螺线管内磁感应强度B在同一平面内,校准两芯的片平面保证相互垂直,它们在螺线管内放置情况如图3所示,电路连接如图4所示.图3 两正交芯片在螺线管内放置示意图图4 两正交芯片测量磁场的电路连接从图3可以看出,在两相互垂直的霍尔片中产生霍尔效应的磁感应强度分量分别应该是B1⊥和B2⊥,它们与B的关系为B1⊥=Bcos θ ,(4)B2⊥=Bsin θ,(5)(6)B与θ角无关,这就使安装好的霍尔片在螺线管中沿中轴线长距离移动时不会对B 的测量产生影响.如图4所示,测量螺线管内同一位置的磁感应强度B时,给两霍尔片所加的工作电压US完全相同,然后由开关K控制切换采集片1和采集片2的输出电压U01和U02, 将其代入(2)式中计算出的该点的磁感应强度分别是B1⊥和B2⊥,再将B1⊥和B2⊥代入(6)式中即可计算出该点的磁感应强度B.2 实验数据及结果分析测量通电螺线管磁感应强度B的前提是已测量计算出了2片正交霍尔片的灵敏度K1和K2,在工作电压US=5 V,IM=250 mA, x=0 cm (螺线管中心为坐标原点)时分别是K1=30.906 V/T,K2=30.894 V/T. 对待测通电螺线管的磁感应强度B进行测量,测量结果如图5所示,其中曲线1和2分别是B1⊥和B2⊥2个分量在螺线管内不同位置的变化关系曲线,曲线3是由(6)式计算出的螺线管内不同位置的B的变化曲线,曲线4是由(3)式计算出的通电螺线管内B值变化的理论值曲线,由图5可知,曲线3和4吻合得很好.图5 B1⊥,B2⊥,B和B(理论)在螺线管内的分布曲线3 结束语改进的实验使学生们明白了2个问题:其一,使用集成霍尔传感器对磁场进行测量时,不能直接照搬芯片说明书中提供的灵敏度K,要先用很标准的、能形成匀强磁场的螺线管对灵敏度K进行重新测量标定,测量出它在该环境中的实际值. 其二,保证测量磁场的霍尔片与螺线管中轴线垂直是减小测量中系统误差的重要环节,应该加以重视.【相关文献】[1] 徐晓创,陆申龙. 发展中的集成霍尔传感器及在高科技领域中的应用[J]. 大学物理实验,2001,14(2):1-4.[2] 陆申龙,焦丽凤. 用集成霍尔传感器研究霍尔效应及测量螺线管磁场分布[J]. 实验技术与管理, 2000,17(2):27-30,32.[3] 上海交大物理实验中心. 大学物理实验( 第一册)[M]. 上海:上海交通大学出版社,2009:54-64.[4] 孙传友,孙晓斌. 感测技术基础[M]. 北京:电子工业出版社,2001:58-89.[5] 宋文绪,杨帆.传感器与检测技术[M].北京:高等教育出版社,2004.[6] Honeywell公司,Milixis公司. 集成霍尔传感器产品说明书[Z]. 2000.[7] 赵春旺,王克勋,刘前. 有限长螺线管磁场的数值计算与分析[J]. 工科物理,1997(4):14-17.[8] 惠小强,陈文学.有限长通电螺线管空间的磁场分布[J].物理与工程,2004,14(2):22-25.[9] 王坤泉,王伟.通电直螺线管中匀强磁场的确定[J]. 武警工程学院学报,2001,17(2):20-21.。
霍尔传感器的工作原理及应用领域
霍尔传感器利用霍尔效应来检测和测量磁场。
霍尔效应是指当通过导电材料的电流在垂直于材料表面的方向上受到外加磁场作用时,会在材料中产生一种电场,该电场与材料表面的电流方向呈垂直关系。
霍尔传感器通过测量这种电场的变化来间接测量磁场的强度。
具体而言,霍尔传感器通常由霍尔元件、电源和输出端组成。
霍尔元件是一个薄片状的材料,通常由半导体材料制成。
当磁场施加在霍尔元件上时,霍尔元件中的电荷被偏转,产生一个电位差。
这个电位差可以被测量和放大,然后通过输出端输出。
霍尔传感器的应用领域非常广泛。
以下是一些常见的应用领域:
1. 速度和位置测量:霍尔传感器可以用于测量旋转或线性位置,并且可以检测物体的运动速度。
2. 磁场测量:霍尔传感器可以测量磁场的强度和方向。
3. 电流测量:霍尔传感器可以测量通过导线的电流,通常用于电动车辆和电子设备中。
4. 接近开关:霍尔传感器可以用作接近开关,当检测到目标物体靠近时,会产生一个信号。
5. 汽车应用:霍尔传感器可以用于测量车速、转速和刹车踏板位置。
总之,霍尔传感器是一种非接触式测量磁场的设备,具有广泛的应用领域,包括速度和位置测量、磁场测量、电流测量、接近开关和汽车应用等。
霍尔传感器实验报告霍尔传感器实验报告引言:霍尔传感器是一种广泛应用于工业控制、汽车电子、医疗设备等领域的传感器。
它利用霍尔效应来测量磁场的强度和方向,具有高精度、高灵敏度和无接触的特点。
本实验旨在通过实际操作和数据分析,深入了解霍尔传感器的原理和应用。
实验目的:1. 理解霍尔效应的基本原理;2. 掌握霍尔传感器的使用方法;3. 分析霍尔传感器在不同应用场景下的特点和优势。
实验器材和方法:1. 实验器材:- 霍尔传感器模块- 磁铁- 电源- 示波器- 电阻箱- 连接线等2. 实验方法:- 将霍尔传感器模块连接至电源和示波器,并调整合适的工作电压;- 在不同距离和角度下,用磁铁靠近霍尔传感器,记录示波器上的输出信号;- 调节电阻箱的阻值,观察霍尔传感器输出信号的变化;- 分析实验数据,总结霍尔传感器的特性和应用。
实验结果与讨论:1. 霍尔效应的观察:在实验中,我们发现当磁铁靠近霍尔传感器时,示波器上的输出信号会有明显的变化。
这是因为霍尔传感器感受到磁场的作用,产生霍尔电压,从而改变输出信号。
通过改变磁铁的距离和角度,我们可以观察到输出信号的不同变化趋势,验证了霍尔效应的存在。
2. 霍尔传感器的特性:- 灵敏度高:霍尔传感器对磁场的变化非常敏感,能够精确测量磁场的强度和方向;- 无接触式:与传统的接触式传感器相比,霍尔传感器无需物理接触被测物体,避免了磨损和干扰;- 快速响应:霍尔传感器的输出信号响应速度快,适用于需要实时监测和控制的场景;- 可靠性高:由于无机械部件,霍尔传感器具有较长的使用寿命和较高的可靠性。
3. 霍尔传感器的应用:- 工业控制:霍尔传感器可用于测量电机的转速和位置,实现精确的运动控制; - 汽车电子:霍尔传感器可用于测量车速、转向角度等,实现车辆的智能化和安全性控制;- 医疗设备:霍尔传感器可用于测量人体生理参数,如心率、血压等,辅助医疗诊断和监测。
结论:本实验通过对霍尔传感器的实际操作和数据分析,深入了解了霍尔传感器的原理和应用。
霍尔效应的原理霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。
后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。
霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
流体中的霍尔效应是研究“磁流体发电”的理论基础。
由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件,Vh将完全取决于被测的磁场强度B。
一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。
如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。
一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。
为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的坡莫合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。
近年来,由于半导体技术的飞速发展,出现了各种类型的新型集成霍尔元件。
这类元件可以分为两大类,一类是线性元件,另一类是开关类元件。
线性霍尔元件的原理UGN350lT是一种目前较常用的三端型线性霍尔元件。
它由稳压器、霍尔发生器和放大器组成。
用UGN350lT可以十分方便地组成一台高斯计。
其使用十分简单,先使B=0,记下表的示值VOH,再将探头端面贴在被测对象上,记下新的示值VOH1。
ΔVOH=VOH1-VOH,如果ΔVOH>0,说明探头端面测得的是N极;反之为S极。
UGN3501T的灵敏度为7V/T,由此即可测出相应的被测磁感应强度B。
如果采用数字电压表(DVM),可得图1所示的线性高斯计。
集成霍尔传感器的特性测量与应用
【实验目的】
1.了解霍耳效应原理和集成霍耳传感器的工作原理。
2.通过测量螺线管励磁电流与集成霍耳传感器输出电压的关系,证明霍耳电势差与磁感应强度成正比。
3.用通电螺线管中心点处磁感应强度的理论计算值校准集成霍耳传感器的灵敏度。
4.测量螺线管内磁感应强度沿螺线管中轴线的分布,并与相应的理论曲线比较。
【实验原理】
1、霍耳效应
将一导电体(金属或半导体)薄片放在磁场中,并使薄片平面垂直于磁场方向。
当薄片纵向端面有电流I流过时,在与电流I和磁场B垂直的薄片横向端面a、b间就会产生一电势差,这种现象称为霍耳效应(Hall effect),所产生的电势差叫做霍耳电势差或霍耳电压,用U H表示。
霍耳效应是由运动电荷(载流子)在磁场中受到洛伦兹力的作用引起的。
洛伦兹力使载流子发生偏转,在薄片横向端面上聚积电荷形成不断增大的横向电场(称为霍耳电场),从而使载流子又受到一个与洛伦兹力反向的电场力,直到两力相等,载流子不再发生偏转,在a、b间形成一个稳定的霍耳电场。
这时,两横向端面a、b间的霍耳电压就达到一个稳定值。
端面a、b间霍耳电压的符合与载流子电荷的正负有关。
因此,通过测量霍耳电压的正负,即可判断半导体材料的导电类型。
实验表明,在外磁场不太强时,霍耳电压与工作电流和磁感应强度成正比,与薄片厚度成反比,即
( 1)
式中比例系数和分别为霍耳系数和霍耳元件的灵敏度。
用霍耳效应测量磁场是在霍耳元件的灵敏度和工作电流已知的情况下,通过测量霍耳电压,再由公式(1)求出磁感应强度。
2、集成霍耳传感器
SS495A型集成霍耳传感器(线性测量范围0-67mT,灵敏度31.25V/T)由霍耳元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成。
测量时输出信号大,不必考虑剩余电压的影响。
工作电压Vs=5V,在磁感应强度为零时,输出电压为。
它的输出电压U与磁感应强度B成线性关系。
该关系可用下式表示
(2)
式中U为集成霍耳传感器输出电压,K为该传感器的灵敏度。
3、螺线管内磁场分布
单层螺线管内磁感应强度沿螺线管中轴线的分布可由下式计算
(3)
式中N为线圈匝数,L为螺线管长度,Im为励磁电流,D为线圈直径,x为以螺线管中心
作为坐标原点时的位置,亨/米为真空磁导率。
实验中所用的螺线管是由10层绕线组成。
根据每层绕线的实际位置,用公式(3)可以计算每层绕线的B (x)值,将10层绕线的B(x)值求和,即可得到螺线管内的磁场分布。
书中表1给出了励磁电流
(100mA)时螺线管内磁感应强度的理论计算值。
由它可以容易得到不通励磁电流时螺线管内磁感应强度的理论计算值。
(对于同一点x来说,C(x)是相同的,也就是说, 即B和成正比关系,即螺线管内任意一固定点的磁场的理论计算值和励磁电流成正比关系)。
表1 . 励磁电流I M =0.1A时螺线管内磁感应强度的理论计算值
【实验数据记录、实验结果计算】
1.集成霍尔传感器灵敏度K随工作电压U s变化的测量;
以U s=5V U0=2.508V U=2.617V 为标准值
理论得到的B=1.4366×2.5 mT = 3.5915 mT
所以K=30.35 V T−1
其中K=U−U0
B
|×100%
∆K=|K−K
标准
作出图像:。