《电子技术》练习题一、填空题1、不论是N型半导体还是P型半导体都是电中性，对外不显电性。
2、根据PN结的组合方式，可形成PNP型和 NPN型三极管。
3、二极管的两端加正向电压时，有一段“死区压降”，锗管约为 0.1V ，硅管约为 0.5V 。
4、二极管的主要特性是单向导电性，PN结正向偏置时处于导通状态。
5、通常把晶体管的输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区、饱和区。
6、一个PN结可以构成一个二极管、稳压二极管工作在特性曲线的反向击穿区域。
7、集成运算放大器一般由输入级、中间级、输出级、偏置电路四部分组成。
8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点，即虚短和虚断。
9、数字逻辑电路可分为组合逻辑电路和时序逻辑电路两大类。
10、数字电路中，基本的逻辑关系有与、或和非三种。
11、与门的逻辑功能是有0出0, 全1出1；与非门的逻辑功能是。
在数字电路中常用数字 1 、 0 表示电平高低。
12、按晶体管的导通时间的不同，可将功率放大电路分成甲类、乙类、甲乙类。
其中效率最高的是乙类。
乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫交越失真。
13、直流稳压电源主要由电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。
14、时序逻辑电路是由具有记忆功能的触发器组成，其输出状态除与当时的输入16、二极管的两个管脚的名称是阳极和阴极。
17、.集成三端稳压器CW7915的输出电压为-15 V，CW7805输出电压为 5 V。
18、在整流与负载之间接入滤波电路。
若接电容滤波电路，要将滤波电容与负载并联，若接电感滤波电路，要将滤波电感与负载串联。
19、理想集成运放的特点是：输入电阻无穷大，电压放大倍数无穷大，共模抑制比无穷大，输出电阻 020、(30)10 = ( 11110 )2、（101111）2=( 2F )16。
二、选择题1、在单相半波整流电路中，如果变压器二次绕组电压为40V，则输出电压U0为（ C ）。
A．10V B．15V C．18V D．20V2、PNP型晶体管处于放大状态时，各极正确的电位关系是（C ）A．VC > VE > VB B．VC > VB >VE C．VC < VB < VE D．VC < VE < VB3、在放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点Q设置太高将产生（ B ）失真A．截止 B．饱和 C．频率 D．无法确定4、硅管正偏导通时，其管压降约为（ D ）A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V5、稳压二极管是一种特殊的二极管，稳压时工作在（ C ）状态。
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
