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CSC2313F数据手册

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0.555
第 10 页 共 10 页
2
直流步距
VDC
邻近增益级
G=18.75~静音
4
20 mV
4
mV
输入阻抗
Riv
20
33 50
KΩ
控制范围
Crange
70
75 80
dB
最小衰减
Avmin
-1
0
1
dB
最大衰减
Avmax
70
75 80
dB
衰减步距 音量控制
Astep EA
AV=0 ~ -20
0.5 1.25 1.75 dB
-1.25 0
MSB
LSB
00
B2 B1 B0
A2 A1 A0
00
0
00
1
01
0
01
1
10
0
10
1
11
0
11
1
00
B2 B1 B0
00
0
00
1
01
0
01
1
10
0
10
1
11
0
11
1
A2 A1 A0
例如：-45dB 的音量为： 0 0 1 0 0 1 0 0 扬声器衰减量
MSB
10
0
B1 B0
10
1
B1 B0
11
0
B1 B0
（开始和停止）
第 5 页 共 10 页
数据格式
SDA 总线上传输的每个字节必须包括 8 比特，并且每个字节后面要跟随一个确认信号。字节首先 从高位（MSB）开始传输。
确认信号
如下图所示，控制器在确认信号脉冲期间给 SDA 总线发送持续的高电平，音频处理器必须返回确 认信号把 SDA 总线上的电平下拉到低电平，以便在确认码脉冲期间 SDA 总线保持在低电平。
EA
80
100
dB
Amute
0
3
mV
VDC
邻近衰减步距从 0 到静音步
1
10 mV
Gb
±12 ±14 ±16 dB
Bstep
1
2
3
dB
Rb
34
44 58
KΩ
高 音 控 制 控制范围
（1）
衰减步距
Gt Tstep
±13 ±14 ±15 dB
1
2
3
dB
音频 输出
最佳电平
Vocl
输出负载电阻
Rl
d=0.3%
数据字节
MSB
LSB
0 0 B2
B1
B0
A2
A1
A0
110
B1
B0
A2
A1
A0
111
B1
B0
A2
A1
A0
100
B1
B0
A2
A1
A0
101
B1
B0
A2
A1
A0
010
G1
G0
S2
S1
S0
011
0
C3
C2
C1
C0
011
1
C3
C2
C1
C0
AX=1.25dB steps ，BX=1dB steps ，CX=2dB steps ，GX=3.75dB steps 音量
e3
F
I
L
Mm TYP. 0.63 0.45
1.27
2.54 33.02
4.445 3.3
MAX
0.31 37.34 16.68
14.1
MIN 0.009 0.598
inch TYP 0.025 0.018
0.050
0.100 1.300
0.175 0.130
MAX
0.012 1.470 0.657
1.25 dB
衰减误差
AV= -20~ -60
-3
2
dB
跟踪误差
ET
2
dB
直流步距
VDC
邻近增益级从 0 dB 到 AV 最
大值
0
3
mV
0.5 7.5 mV
扬 声 器 衰 控制范围
Crange
35
37.5 40
dB
减器
衰减步距
Astep
0.5 1.25 1.75 dB
扬声器衰 减器
低音控制 （1）
衰减误差 输出静音衰减 直流步距 控制范围 衰减步距 内部反馈电阻
软件说明
接口协议
A.接口协议组成 ① 开始的条件（S） ② 芯片地址字节，包括 CSC2313F 的地址（字节的第 8 个比特必须为 0），并且 CSC2313F 在每个 被传输的字节最后必须被确认。 ③ 数据序列（N-Byte+ Acknowledge） ④ 停止的条件（P）
B.芯片地址
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80
103
0
0
3 -5
最 大 单位 4.8 V
15
dB
0.1 %
0.3 %
%
dB
1
dB
2
dB
1
V
V
+5
IO=1.6mA
0.4 V
主要功能概述
1. I2C 总线接口
数据通过两根 I2C 总线接口从微处理器传输到 CSC2313F。这两根由 SDA 和 SCL 组成，而且上 拉电阻必须与正电源电压相连接。
Is
8
11
单位 V
mA
输入电阻
Ri
1.2.3 输入
35
50 70
KΩ
最佳电平
Vcl
2
2.5
输入分离度（2） SIN
80
100
输出负载电阻
Rl
引脚 7，17
2
KΩ
输入选择
最小输入增益 最大输入增益
GINMIN GINMAX
-1
0
1
dB
11.25
dB
衰减步距
Gstep
3.75
dB
输入噪声
Ein
G=11.25 dB
外部应用电路
第 1 页 共 10 页
热量数据
参数说明 阻抗散热
符号 Rth j-pins
最大额定值
参数说明 最大工作电压源电压 工作温度 存储温度
参考特性数据
参数说明 电源电压 最大输入信号处理 总谐波失真度 V=1rms f=1KHZ 信噪比 通道分离度 f=1KHZ 音量控制 （1.25 dB/级） 低音和高音控制（2 dB/级） 前后和平衡控制（1.25dB/级） 输入增益 静音衰减
音频开关
MSB
0
1
0
G1 G0 S2
0 1
LSB
S1
S0
0
0
0
1
1
0
1
1
0 -10 -20 -30 静音
功能 音频开关 立体声 1 立体声 2 立体声 3 立体声 4（*） 响度开 响度关
0
0
+11.25 dB
0
1
+7.5 dB
1
0
+3.75 dB
1
1
0 dB
例如：选择立体声 2 输入一个增益为+7.5 dB 的响度开的 8 比特串为：0 1 0 0 1 0 0 1 （*）2313 无立体声 4 输入端，只有 2314 有立体声 4 输入端。 高音和低音高音和低音
功能 左前扬声器 右前扬声器 左后扬声器 右后扬声器
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MSB
LSB
00
0
00
1
01
0
01
1
10
0
10
1
11
0
11
1
功能 0
-1.25 -2.5 -3.75 -5 -6.25 -7.5 -8.75
0
0
0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
例如：左前扬声器衰减 25dB 为：1 0 1 1 0 1 0 0
2
2.5
dB
2
KΩ
输出负载电容
Cl
10
输出电阻
Rout
30
75 120 Ω
第 4 页 共 10 页
参数说明
直流电压电平
符号 Vout
输出噪声
eNO
信噪比
S/N
概要
失真度
d
左右通道分离度 Sc
总跟踪误差
输入低电平电压 VL
输入高电平电压 VH
总 线 输 输入电流 入
VIN
SDA 总线输出确
认码电平
VO
SOP28 封装数据
低音 高音
0 2 4 6 8 10 12 14
mm
Inch
DIM
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.65
0.104
a1
0.1
0.3
0.004
0.012
b
0.35
0.49
0.014
0.019
B1
0.23
0.32
0.009
0.013
C
0.5
0.020
c1
45°(TYP.)
单位 V Vrms % dB dB dB dB dB dB dB
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内部框图

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Omega CSC32K Benchtop Controller产品说明书

Omega CSC32K Benchtop Controller产品说明书


P
CSC32K Benchtop Controller shown with LHM Series Heating Mantle, $139, (Flask not included), and KMTXL-125G-12 Thermocouple Probe, $27.95. See page A-45.
0.5 (0.9) 0.25 (4.5)
0 to 50 mV (1 Ω shunt resistor
Copper-Constantan
-200 to -250°C/-273 to 482°F
0.25 (4.5)
supplied for mA inputs) Calibration Accuracy: ±0.25% of Full Scale ±1.5°C (±2.7°F)
• In addition, up to 12 controllers can be displayed on a single chart, or individual charts can be set up for each instrument.
• A virtual full color chart recorder can log process variables such as: °C, °F, Bar, PSI, pH, rH, or user defined engineering units
RTD, Process Voltage or Current Input
ߜ Two 5 Amp 120 Vac SSR Outputs Standard
ߜ Second Output May be Used for Control or One of Five Types of Alarms
IM3319 3320 三相互感式电能质量检测仪 产品手册说明书

IM3319 3320 三相互感式电能质量检测仪 产品手册说明书

IM3319/3320 三相互感式电能质量检测仪 产品手册 V1.1IM3319/3320 三相互感式电能质量检测仪产品介绍 一、1.1 简介 1.2 功能特点 1.3 技术参数 二、 应用2.1 外形及安装 2.2 端子定义 2.3 典型接线 2.4 应用说明 三、 Modbus 寄存器 四、 MODBUS 通讯规约 五、 注意事项一、产品介绍1.1、 简介IM3319/3320三相互感式电能质量检测仪系我公司采用微电子技术与专用大规模集成电路，应用数字采样处理技术及SMT 工艺等先进技术研制开发的拥有完全自主知识产权的三相电能质量检测仪。

该检测仪技术性能完全符合IEC 62053-21国标标准中0.5S 级三相有功电能表的相关技术要求，能直接精确地测量额定频率为50HZ 或60HZ 三相交流电网中的电压、电流、功率、功率因数、电量及总量等电参数。

该检测仪内置2路RS485通讯接口、1路开关量输出（可选）、1路点阵液晶显示输出口、MODBUS-RTU 通讯协议方便与各种AMR 系统联接，具有可靠性好、体积小、重量轻、外形美观、安装方便等特点。

IM3319/3320三相互感式电能质量检测仪可广泛应用于节能改造、电力、通信、铁路、交通、环保、石化、钢铁等行业中，用于监测交流设备的电流和电量消耗情况。

1.2、 功能特点1.2.1. 采集三相交流电参数，包括电压、电流、功率、电能等多个电参量，信息全 1.2.2. 采用专用测量芯片，有效值测量方式，测量精度高 1.2.3. 带2路RS-485通讯接口1.2.4. 通信规约采用标准Modbus-RTU ，兼容性好，方便编程1.2.5. 带ESD 保护电路的RS-485通信接口 1.2.6. 多种供电方式可选1.2.7. 宽工作电压AC80～240V 或DC5V ，并具防接反保护功能，接反电源不会损坏模块1.2.8. 采用工业级芯片，内置看门狗，并具有完善的防雷抗干扰措施，保证可靠性1.2.9. 高隔离电压，耐压达AC:2000V 1.2.10. 可选配1路开关量输出1.2.11. 带外接LCD 显示通讯接口、可实时查看测量数据参数 1.2.12. 可选配不同规格单匝穿心互感器或开合式互感器，方便易用(注：开合式电流互感器主要应用于工业中城网、电力传输系统、农村项目改造，具有 安装方便，无需拆卸一次母线，亦可带电操作，并且不影响客户正常用电，为用户改造 项目节省大量的人力、物力、财力，提高改造效率。

TSM2313中文资料

TSM2313中文资料

TSM231320V P-Channel MOSFETSOT-23Features● Advance Trench Process Technology● High Density Cell Design for Ultra Low On-resistanceApplication● Load Switch ● PA SwitchOrdering InformationPart No.PackagePackingTSM2313CX RFSOT-233Kpcs / 7” ReelAbsolute Maximum Rating (Ta = 25o C unless otherwise noted)ParameterSymbolLimitUnitDrain-Source Voltage V DS -20 V Gate-Source VoltageV GS ±12 V Continuous Drain Current, V GS @4.5V. I D -3.3 A Pulsed Drain Current, V GS @4.5VI DM -20 A Continuous Source Current (Diode Conduction)a,bI S -1.7 A Ta = 25oC 2 Maximum Power Dissipation Ta = 70o CP D 1.3 WOperating Junction TemperatureT J +150 o C Operating Junction and Storage Temperature RangeT J , T STG- 55 to +150oCThermal PerformanceParameterSymbolLimitUnitJunction to Case Thermal ResistanceR ӨJC 75 o C/W Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) R ӨJA120oC/WNotes:a. Pulse width limited by the Maximum junction temperatureb. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 5 sec.PRODUCT SUMMARY V DS (V) R DS(on)(m Ω)I D (A)70 @ V GS = -4.5V-3.3 90 @ V GS = -2.5V -2.0 -20130 @ V GS = -1.8V-1.0Block DiagramP-Channel MOSFETPin Definition: 1. Gate 2. Source 3. DrainTSM231320V P-Channel MOSFETElectrical Specifications (Ta = 25o C unless otherwise noted)ParameterConditionsSymbolMinTypMaxUnitStaticDrain-Source Breakdown Voltage V GS = 0V, I D = -250uA BV DSS -20 -- -- V Gate Threshold Voltage V DS = V GS , I D = -250µA V GS(TH) -0.6 -- -1.4 V Gate Body LeakageV GS = ±12V, V DS = 0V I GSS -- -- ±100 nA Zero Gate Voltage Drain Current V DS = -20V, V GS = 0V I DSS -- -- -1.0 µA On-State Drain Current aV DS =-5V, V GS = -4.5V I D(ON) -15 -- -- A V GS = -4.5V, I D = -3.3A -- 55 70 V GS = -2.5V, I D = -2.0A -- 70 90 Drain-Source On-State Resistance aV GS = -1.8V, I D = -1.0A R DS(ON) -- 120 130 m Ω Forward Transconductance aV DS = -10V, I D = -4.7A g fs -- 11 -- S Diode Forward Voltage I S = -1.7A, V GS = 0VV SD -- -0.8 -1.2 V Dynamic bTotal Gate Charge Q g -- 6 9 Gate-Source Charge Q gs -- 1.4 -- Gate-Drain Charge V DS = -10V, I D = -4.7A, V GS = -4.5VQ gd -- 1.9 -- nC Input Capacitance C iss -- 640 -- Output CapacitanceC oss -- 180 -- Reverse Transfer Capacitance V DS = -10V, V GS = 0V, f = 1.0MHzC rss--90-- pFSwitching cTurn-On Delay Time t d(on) -- 22 35 Turn-On Rise Time t r -- 35 55 Turn-Off Delay Timet d(off)-- 45 70 Turn-Off Fall Time V DD = -10V, R L = 10Ω, I D = -1A, V GEN = -4.5V, R G = 6Ωt f --2550nSa. pulse test: PW ≤300µS, duty cycle ≤2%b. For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing.b. Switching time is essentially independent of operating temperature.TSM231320V P-Channel MOSFETElectrical Characteristics Curve (Ta = 25o C, unless otherwise noted)Output CharacteristicsTransfer CharacteristicsOn-Resistance vs. Drain CurrentGate ChargeOn-Resistance vs. Junction TemperatureSource-Drain Diode Forward VoltageTSM231320V P-Channel MOSFETElectrical Characteristics Curve (Ta = 25 o C, unless otherwise noted)On-Resistance vs. Gate-Source VoltageThreshold VoltageSingle Pulse PowerNormalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-AmbientTSM231320V P-Channel MOSFETSOT-23 Mechanical DrawingMarking Diagram13 = Device Code Y = Year Code M = Month Code(A =Jan, B =Feb, C =Mar, D =Apl, E =May, F =Jun, G =Jul, H =Aug, I =Sep, J =Oct, K =Nov, L =Dec) L = Lot CodeSOT-23 DIMENSION MILLIMETERS INCHES DIM MIN MAX MIN MAX. A 0.95 BSC 0.037 BSC A1 1.9 BSC 0.074 BSC B 2.60 3.00 0.102 0.118 C 1.40 1.70 0.055 0.067 D 2.80 3.10 0.110 0.122 E 1.00 1.30 0.039 0.051 F 0.00 0.10 0.000 0.004 G 0.35 0.50 0.014 0.020 H 0.10 0.20 0.004 0.008 I 0.30 0.60 0.012 0.024 J5º 10º 5º 10ºTSM231320V P-Channel MOSFETNoticeSpecifications of the products displayed herein are subject to change without notice. TSC or anyone on its behalf, assumes no responsibility or liability for any errors or inaccuracies.Information contained herein is intended to provide a product description only. No license, express or implied, to any intellectual property rights is granted by this document. Except as provided in TSC’s terms and conditions of sale for such products, TSC assumes no liability whatsoever, and disclaims any express or implied warranty, relating to sale and/or use of TSC products including liability or warranties relating to fitness for a particular purpose, merchantability, or infringement of any patent, copyright, or other intellectual property right.The products shown herein are not designed for use in medical, life-saving, or life-sustaining applications. Customers using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and agree to fully indemnify TSC for any damages resulting from such improper use or sale.。

CSC211系列说明书1

CSC211系列说明书1

CSC 211 数字式线路保护测控装置1 装置简介CSC 211为适用于66kV及以下电压等级的中性点非直接接地系统的线路保护及测控装置，可在开关柜就地安装。

2 主要功能及技术参数2.1 保护功能⏹三段式可经低电压闭锁的定时限过流保护（可经方向闭锁），其中Ⅲ段可整定为反时限段⏹三段定时限零序过流保护（可经方向闭锁），其中Ⅲ段可整定为反时限段⏹小电流接地选线⏹过负荷保护（跳闸或告警信号可选）⏹合闸加速保护（前加速、后加速和手合后加速）⏹低周减载保护⏹低压解列功能⏹三相重合闸(检同期、检无压或非同期)⏹32组定值区⏹故障录波2.2 测控功能⏹9路开入遥信采集、装置遥信变位、事故遥信⏹正常断路器遥控分合、小电流接地探测遥控分合⏹U a、U b、U c、I a、I c、P、Q、COSф、F等模拟量的遥测⏹正向/反向有功电度，正向/反向无功电度⏹各种事件SOE等⏹2路脉冲P、Q输入2.3 技术参数3 保护元件3.1 过电流元件本装置设三段定时限过流保护，各段电流及时间定值可独立整定。

为了躲开线路避雷器的放电时间，I段可以整定适当延时时间。

方向元件及低电压元件由控制字选择投退。

注：Idzn为n段电流定值，IΦ为相电流, Tn 为n段延时定值3.2 低电压元件低电压元件在三个线电压中的任意一个低于低电压定值时动作，开放经低电压闭锁的过流元件。

利用此元件，可以保证装置在电机反充电等非故障情况下不出现误动作。

低电压元件用控制字投退。

3.3 零序过流元件在经小电阻接地系统中，接地零序电流相对较大，一般采用零序过流直接跳闸方法。

零序过流元件的实现方式基本与过流元件相似，各段电流及时间定值可独立整定。

注：I0dn为接地n段定值，T0n为接地n段延时定值3.4 方向元件相间方向元件采用90︒接线方式，按相起动，各相电流元件仅受下表中所示相应方向元件的控制。

为消除死区，方向元件带有记忆功能。

本装置Arg(U/I)= -30︒～90︒，边缘模糊角度误差<±5︒。