2_集成电路发展史

集成电路发展史集成电路对一般人来说也许会有陌生感,但其实我们和它打交道的机会很多;计算机、电视机、手机、网站、取款机等等,数不胜数;除此之外在航空航天、星际飞行、医疗卫生、交通运输、武器装备等许多领域,几乎都离不开集成电路的应用,当今世界,说它无孔不入并不过分;在当今这信息化的社会中,集成电路已成为各行各业实现信息化、智能化的基础;无论是在军事还是民用上,它已起着不可替代的作用;1 集成电路概述所谓集成电路IC,就是在一块极小的硅单晶片上,利用半导体工艺制作上许多晶体二极管、三极管及电阻、电容等元件,并连接成完成特定电子技术功能的电子电路;从外观上看,它已成为一个不可分割的完整器件,集成电路在体积、重量、耗电、寿命、可靠性及电性能方面远远优于晶体管元件组成的电路,目前为止已广泛应用于电子设备、仪器仪表及电视机、录像机等电子设备中;12 集成电路发展及其影响集成电路的发展集成电路的发展经历了一个漫长的过程,以下以时间顺序,简述一下它的发展过程;1906年,第一个电子管诞生；1912年前后,电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展；1918年前后,逐步发现了半导体材料；1920年,发现半导体材料所具有的光敏特性；1932年前后,运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象；1956年,硅台面晶体管问世；1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功；1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平面工艺制造成第一块公认的大规模集成电路;2 1988年：16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路阶段的更高阶段;1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用μｍ工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹;2009年：intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发;集成电路制作工艺的日益成熟和各集成电路厂商的不断竞争,使集成电路发挥了它更大的功能,更好的服务于社会;由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：3电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路2.1.1集成电路的前奏——电子管、晶体管电子管,是一种在气密性封闭容器中产生电流传导,利用电场对真空中的电子流的作用以获得信号放大或振荡的电子器件;由于电子管体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点,很快就不适合发展的需求,被淘汰的命运就没躲过;4晶体管,是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能;晶体管很快就成为计算机“理想的神经细胞”,从而得到广泛的使用;虽然晶体管的功能比电子管大了很多,但由于电子信息技术的发展,晶体管也越来越不适合科技的发展,随之出现的就是能力更强的集成电路了;5图1老式电子管 6 图2 晶体管72.1.2集成电路的诞生几根零乱的电线将五个电子元件连接在一起,就形成了历史上第一个集成电路;虽然它看起来并不美观,但事实证明,其工作效能要比使用离散的部件要高得多;历史上第一个集成电路出自杰克-基尔比之手;当时,晶体管的发明弥补了电子管的不足,但工程师们很快又遇到了新的麻烦;为了制作和使用电子电路,工程师不得不亲自手工组装和连接各种分立元件,如晶体管、二极管、电容器等;其实,在20世纪50年代,许多工程师都想到了这种集成电路的概念;美国仙童公司联合创始人罗伯特-诺伊斯就是其中之一;在基尔比研制出第一块可使用的集成电路后,诺伊斯提出了一种“半导体设备与铅结构”模型;1960年,仙童公司制造出第一块可以实际使用的单片集成电路;诺伊斯的方案最终成为集成电路大规模生产中的实用技术;基尔比和诺伊斯都被授予“美国国家科学奖章”;他们被公认为集成电路共同发明者;8图3第一个集成电路9以后,随着集成电路芯片封装技术的应用,解决了集成电路免受外力或环境因素导致的破坏的问题;集成电路芯片封装是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他重要要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺;这样按电子设备整机要求机型连接和装配,实现电子的、物理的功能,使之转变为适用于整机或系统的形式,就大大加速了集成电路工艺的发展;10随着电子技术的继续发展,超大规模集成电路应运而生;1967年出现了大规模集成电路,集成度迅速提高；1977年超大规模集成电路面世,一个硅晶片中已经可以集成15万个以上的晶体管；1988年,16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路VLSI阶段；1997年,300MHz奔腾Ⅱ问世,采用μｍ工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹,至此,超大规模集成电路的发展又到了一个新的高度;2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发;集成电路的集成度从小规模到大规模、再到超大规模的迅速发展,关键就在于集成电路的布图设计水平的迅速提高,集成电路的布图设计由此而日益复杂而精密;这些技术的发展,使得集成电路的发展进入了一个新的发展的里程碑;相信随着科技的发展,集成电路还会有更高的发展;11中国的集成电路产业起步于20世纪60年代中期,1976年,中国科学院计算机研究所研制成功1000万次大型电子计算机所使用的电路为中国科学院109厂研制的ECL型电路；1986年,电子部提出“七五”期间,我国集成电路技术“531”发展战略,即推进5微米技术,开发3微米技术,进行1微米技术科技攻关；1995年,电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向,以CAD为突破口,产学研用相结合以我为主,开展国际合作,强化投资；在2003年,中国半导体占世界半导体销售额的9%,电子市场达到860亿美元,中国成为世界第二大半导体市场,中国中高技术产品的需求将成为国民经济新的增长动力;到现在已经初具规模,形成了产品设计、芯片制造、电路封装共同发展的态势;我们相信,随着我国经济的发展和对集成电路的重视程度的提高,我国集成电路事业也会有更大的发展12集成电路发展对世界经济的影响在上个世纪八十年代初期,消费类电子产品立体声收音机、彩色电视机和盒式录相机是半导体需求的主要推动力;从八十年代末开始,个人计算机成为半导体需求强大的推动力;至今,PC仍然推动着半导体产品的需求;从九十年代至今,通信与计算机一起占领了世界半导体需求的2／3;其中,通信的增长最快;信息技术正在改变我们的生活,影响着我们的工作;信息技术在提高企业竞争力的同时,已成为世界经济增长的新动力;2004年,亚太地区已成为世界最大的半导体市场,其主要的推动力是中国国内需求的增长和中国作为世界生产基地所带来的快速增长;电子终端产品的生产将不断从日本和亚洲其他地区转移到中国;133 集成电路分类按功能分按其功能不同可分为模拟集成电路和数字集成电路两大类;前者用来产生、放大和处理各种模拟电信号；后者则用来产生、放大和处理各种数字电信号;所谓模拟信号,是指幅度随时间连续变化的信号;例如,人对着话筒讲话,话筒输出的音频电信号就是模拟信号,收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号,也是模拟信号;所谓数字信号,是指在时间上和幅度上离散取值的信号,例如,电报电码信号,按一下电键,产生一个电信号,而产生的电信号是不连续的;这种不连续的电信号,一般叫做电脉冲或脉冲信号,计算机中运行的信号是脉冲信号,但这些脉冲信号均代表着确切的数字,因而又叫做数字信号;在电子技术中,通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号,统称为数字信号;目前,在家电维修中或一般性电子制作中,所遇到的主要是模拟信号；那么,接触最多的将是模拟集成电路;图4模拟电路 14 图5数字电路15按制作工艺分集成电路按其制作工艺不同,可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类;半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件并具有某种电路功能的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以“膜”的形式制作电阻、电容等无源器件;无源元件的数值范围可以作得很宽,精度可以作得很高;但目前的技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件,因而使膜集成电路的应用范围受到很大的限制;在实际应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这便是混合集成电路;根据膜的厚薄不同,膜集成电路又分为厚膜集成电路膜厚为1μm～10μm和薄膜集成电路膜厚为1μm以下两种;在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路;图6膜集成电路 16 图7半导体集成电路17按高低分按集成度高低不同,可分为小规模、中规模、大规模及超大规模集成电路四类;对模拟集成电路,由于工艺要求较高、电路又较复杂,所以一般认为集成50个以下元器件为小规模集成电路,集成50－100个元器件为中规模集成电路,集成100个以上的元器件为大规模集成电路；对数字集成电路,一般认为集成1～10等效门／片或10～100个元件／片为小规模集成电路,集成10～100个等效门／片或100～1000元件／片为中规模集成电路,集成100～10,000个等效门／片或1000～100,000个元件／片为大规模集成电路,集成10,000以上个等效门／片或100,000以上个元件／片为超大规模集成电路;按导电类型分按导电类型不同,分为双极型集成电路和单极型集成电路两类;前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,绝大多数模拟集成电路以及数字集成电路中的TTL、ECL、HTL、LSTTL、STTL型属于这一类;后者工作速度低,但输人阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成,其主要产品为MOS型集成电路;MOS电路又分为NMOS、PMOS、CMOS型;图8双极型集成电路 18 图9单极型集成电路194 集成电路应用领域在计算机的应用随着集成了上千甚至上万个电子元件的大规模集成电路和超大规模集成电路的出现,电子计算机发展进入了第四代;第四代计算机的基本元件是大规模集成电路,甚至超大规模集成电路,集成度很高的半导体存储器替代了磁芯存储器,运算速度可达每秒几百万次,甚至上亿次基本运算;20计算机主要部分几乎都和集成电路有关,CPU、显卡、主板、内存、声卡、网卡、光驱等等,无不与集成电路有关;并且专家通过最新技术把越来越多的元件集成到一块集成电路板上,并使计算机拥有了更多功能,在此基础上产生许多新型计算机,如掌上电脑、指纹识别电脑、声控计算机等等;随着高新技术的发展必将会有越来越多的高新计算机出现在我们面前;图10指纹识别鼠标21图11声控计算机22在通信上的应用集成电路在通信中应用广泛,诸如通信卫星,手机,雷达等,我国自主研发的“北斗”导航系统就是其中典型一例;“北斗”导航系统是我国具有自主知识产权的卫星定位系统,与美国G P S、俄罗斯格罗纳斯、欧盟伽利略系统并称为全球4 大卫星导航系统;它的研究成功,打破了卫星定位导航应用市场由国外GPS 垄断的局面;前不久,我国已成功发射了第二代北斗导航试验卫星,未来将形成由５颗静止轨道卫星和30 颗非静止轨道卫星组成的网络,我国自主卫星定位导航正在由试验向应用快速发展;将替代“北斗”导航系统内国外芯片的“领航一号”,还可广泛应用于海陆空交通运输、有线和无线通信、地质勘探、资源调查、森林防火、医疗急救、海上搜救、精密测量、目标监控等领域;近年来,随着高新技术的迅猛发展,雷达技术有了较大的发展空间,雷达与反雷达的相对平衡状态不断被打破;有源相控阵是近年来正在迅速发展的雷达新技术,它将成为提高雷达在恶劣电磁环境下对付快速、机动及隐身目标的一项关键技术;有源相控阵雷达是集现代相控阵理论、超大规模集成电路、高速计算机、先进固态器件及光电子技术为一体的高新技术产物;23相比之下毫米波雷达具有导引精度高、抗干扰能力强、多普勒分辨率高、等离子体穿透能力强等特点；因此其广泛的用于末制导、引信、工业、医疗等方面;无论是军用还是民用,都对毫米波雷达技术有广泛的需求,远程毫米波雷达在发展航天事业上有广泛的应用前景,是解决对远距离、多批、高速飞行的空间目标的精细观测和精确制导的关键手段;可以预料各种战术、战略应用的毫米波雷达将逐渐增多;24图12有源相控阵雷达 25图13毫米波雷达26在医学上的应用随着社会的发展和科学技术的不断进步,人们对医疗健康、生活质量、疾病护理等方面提出了越来越高的要求;同时,依托于高新领域电子技术的各种治疗和监护手段越来越先进,也使得医疗产品突破了以往观念的约束和限制,在信息化、微型化、实用化等方面得到了长足发展;诸多专家从医疗健康领域的需求分析入手,从集成电路技术的角度对医疗健康领域的应用的关键技术现状和前景做了大致的分析探讨;27随着集成电路越来越多的渗入现代医学,现代医学有了长足进步;在医学管理方面IC卡医疗仪器管理系统就是典型代表;IC卡医疗仪器管理系统集I C 卡、监控、计算机网络管理于一体,凭卡检查,电子自动计时计次,可实现充值、打印,报表功能;系统性能稳定,运行可靠；控制医疗外部关键部位,不与医疗仪器内部线路连接,不影响医疗仪器性能, 不产生任何干扰；管理机与智能床有机结合,分析计次；影像系统自动识别,有效解决病人复查问题；轻松实现网络化管理,可随时查阅档案记录,统计任意时间内的就医人数;图14医疗仪器收费管理系统28在健康应用方面,临时心脏起搏器作为治疗各种病因导致的一过性缓慢型心律失常及植入永久心脏起搏器前的过渡性治疗,已广泛应用于临床工作,技术成熟;在非心脏的外科手术患者中合并有心动过缓及传导阻滞者,在围手术期可因为麻醉、药物及手术的影响,加重心动过缓及传导阻滞,增加了手术风险,限制了外科手术的开展,而植入临时心脏起搏器可有效解决上述问题,增加此类患者围手术期的安全性;29图15心脏起搏器30磁振造影仪是一种新型医疗设备,对于治疗许多疾病有它独特的功效;磁振造影仪MRI是利用磁振造影的原理,将人体置于强大均匀的静磁场中,透过特定的无线电波脉冲来改变区域磁场,藉此激发人体组织内的氢原子核产生共振现象,而发生磁矩变化讯号;因为身体中有不同的组织及成份,性质也各异,所以会产生大小不同的讯号,再经由计算机运算及变换为影像,将人体的剖面组织构造及病灶呈现为各种切面的断层影像;身体几乎任何部位皆可执行MRI检查,影像非常清晰与细腻,尤其是对软组织的显影,不是任何其它医学影像系统所能比拟的;目前常用的MRI影像乃是依据各组织内核磁共振讯号所建立的,氢是人体组织中最多的成份,因此MRI影像可诊断各种疾病,包括脑部癌病、水肿、血梗,神经的脱鞘与脂肪不正常分布,铁成份的沉积性疾病、出血,以及心肌不正常收缩等;MRI的优点除了不须要侵入人体,即可得人体各种结构组织之任意截面剖面图,且可获取其它众多的物理参数信息,MRI检查在国内外十几年来至今尚未发现对人体有任何副作用;31图16磁振造影仪 32在生活中的应用提到集成电路我们就不得不提到我们的日常生活,在我们生活中与集成电路有关的产品随处可见;手机、电视、数码相机、摄像机等都与我们的生活关系越来越近;随着技术的进步和社会的发展,手机以其独特的传播功能,日益成为人们获取信息、学习知识、交流思想的重要工具,成为文化传播的重要平台;目前,我国已有手机用户5亿多,形成以手机为载体的网站、报纸、出版物等新的文化;手机功能和手机款式也在不断更新,以适应现代人们生活的要求;各种各样的手机接连问世,从小灵通到具有摄像功能的高新手机,手机行业正在以惊人冲击人们的思维和眼界;图17全球首款剃须刀手机33图18光感变色手机 34 图19自动充电手机 35在科学技术与信息同步变革的社会发展过程中,电视传播对整个社会的支配影响作用十分明显;由于电视是一种变化多端的实践、技巧和技术,于是家庭本身也变成了一种家庭技术的复杂网络;正如电通过电视、电脑、电信技术与外部重新建立新的联系一样,电视重组了家庭的时间、空间、家庭闲暇和家庭角色;正因此,电视传播逐步地融入了大众生活,使人们生活方式和价值观均发生了深刻的变化;伴随着现代社会节奏的加快,外界娱乐费用的增涨,电视传播的普及,已经为人们呆在家中提供了充足的理由和条件,足不出户却可以感受社会交谈带来的人际交际感觉;此外,电视传播对于农村家庭的经济发展、社会的信息流通和大众家庭的教育都有很大的作用,电视传播也影响了家庭的装修风格与布局,由于电视装置在家庭中占据空间的原因,出现了电视装修墙以求美观;5 集成电路未来发展趋势及新技术集成电路发展趋势随着集成方法学和微细加工技术的持续成熟和不断发展,以及集成技术应用领域的不断扩大,集成电路的发展趋势将呈现小型化、系统化和关联性的态势;36135.1.1 器件特征尺寸不断缩小自1965年以来, 集成电路持续地按摩尔定律增长, 即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍;每2～3年制造技术更新一代, 这是基于栅长不断缩小的结果, 器件栅长的缩小又基本上依照等比例缩小的原则, 同时促进了其它工艺参数的提高;预计在未来的10～15年, 摩尔定律仍将是集成电路发展所遵循的一条定律, 按此规律,CMOS器件从亚半微米进入纳米时代, 即器件的栅长小于100 nm转到小于50 nm的时间将在2010年前后;5.1.2 系统集成芯片SoC随着集成电路技术的持续发展, 不同类型的集成电路相互镶嵌, 已形成了各种嵌入式系统Embedded System 和片上系统System on Chip即oC 技术;也就是说, 在实现从集成电路IC到系统集成IS 的过渡中, 可以将一个电子子系统或整个电子系统集成在一个芯片上, 从而完成信息的加工与处理功能;SoC作为系统级集成电路, 它可在单一芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和I/O等功能, 它将数字电路、存储器、MPU、MCU、DSP等集成在一块芯片上, 从而实现一个完整的系统功能;SoC的制造主要涉及深亚微米技术、特殊电路的工艺兼容技术、设计方法的研究、嵌入式IP核设计技术、测试策略和可测性技术以及软硬件协同设计技术和安全保密技术;SoC以IP复用为基础, 把已有优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中, 从而实现集成电路设计能力的第4次飞跃, 并必将导致又一次以系统芯片为特色的信息产业革命;5.1.3 学科结合将带动关联发展微细加工技术的不断成熟和应用领域的不断扩大, 必将带动一系列交叉学科及其有关技术的发展, 例如微电子机械系统、微光电系统、DNA芯片、二元光学、化学分析芯片以及作为电子科学和生物科学结合的产物———生物芯片的研究开发等, 它们都将取得明显进展;5.1.4未来应用应用是集成电路产业链中不可或缺的重要环节,是集成电路最终进入消费者手中的必经之途;除众所周知的计算机、通信、网络、消费类产品的应用外,集成电路正在不断开拓新的应用领域;诸如微机电系统,微光机电系统、生物芯片如DNA芯片、超导等,这些创新的应用领域正在形成新的产业增长点;集成电路发展新技术按目前情况预测, 15年后, 半导体上一个实体的栅长将只有9 nm, 这就需要更微细且精确的技术突破, 这首先会集中在生产材料的物理性质以及工艺设计等能力上;而能否顺利突破这些障碍, 晶圆制造工艺能否达到更进一步的微细化与精细化则是其关键, 同时也对半导体工艺技术与后续的研发方向有着深远的影响;概括起来, 其关键技术如下：5.2.1无焊内建层BumplessBuild-UpLayer,BBLIL技术该技术能使CPIJ内集成的晶体管数量达到10亿个,并且在高达20GHz的主频下运行,从而使CPU达到每秒1亿次的运算速度;此外,BBUL封装技术还能在同一封装中支持多个处理器,因此服务器的处理器可以在一个封装中有2个内核,从而比独立封装的双处理器获得更高的运算速度;此外,BBUL封装技术还能降低CPIJ的电源消耗,进而可减少高频产生的热量;5.2.2微组装技术是在高密度多层互连基板上,采用微焊接和封装工艺组装各种微型化片式元器件和半导体集成电路芯片,形成高密度、高速度、高可靠的三维立体机构的高级微电子组件的技术,其代表产品为多芯片组件MCM;5.2.3 纳米级光刻及微细加工技术器件特征尺寸的缩小, 取决于曝光技术的进步;在μm阶段, 曝光技术还是一个问题,预计再有1～2年左右的时间就可获得突破;至于在65 nm以下, 是采用Extra UV还是采用电子束的步进光刻机, 目前还在研究之中;5.2.4 铜互连技术铜互连技术已在μm和μm技术代中使用, 但是, 在μm以后, 铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性问题还有待研究和开发;5.2.5 高密度集成电路封装的工业化技术主要包括系统集成封装技术、50 μm以下超薄背面减薄技术、圆片级封装技术、无铅化产品技术等;5.2.6 应变硅材料制造技术参考文献1 王竞.集成电路的发展趋势及面临的问题.科技资讯. 2009年。

集成电路发展历史和未来趋势集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是一种在单个芯片上集成了多个电子元件（例如晶体管、电阻、电容等）的电路。

集成电路的发展历史可以追溯到20世纪50年代末至60年代初，随着技术的进步和需求的增长，集成电路在电子领域中得到了广泛应用。

本文将介绍集成电路发展的历史，并展望未来的趋势。

集成电路的发展历史：1. 创世纪（1958-1962）：美国史景迁（Jack Kilby）和法国的尤·赖希特（Jean Hoerni）几乎同时独立发明了集成电路。

他们分别在半导体材料上制备出来离散元件，并将它们集成到单个芯片上。

这一时期的集成电路规模较小，仅有几个晶体管和少量的电子元件。

2. 第一代（1962-1969）：美国的弗吉尼亚公司（Fairchild）和德国的西门子公司率先推出了第一代集成电路，包括了数百个晶体管和其他元件。

这使得集成电路在通信、航空航天和计算机领域得到了广泛应用。

3. 第二代（1970-1979）：集成电路的规模和性能进一步提高，由数千个晶体管和其他元件组成。

大型集成电路纳入了多个功能模块，使电子设备更加紧凑和高效。

4. 第三代（1980-1989）：CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）技术的引入，使得集成电路在功耗和成本上有了显著改善。

CMOS技术还带来了更高的集成度和更快的开关速度，使集成电路能够应用于更广泛的领域。

5. 第四代（1990-1999）：集成电路的规模进一步增加，上千万个晶体管集成在一个芯片上。

这一时期也见证了数字信号处理器（DSP）、可编程逻辑器件（PLD）和ASIC等特定用途集成电路的快速发展。

6. 第五代（2000至今）：随着纳米技术的推进，集成电路规模进一步增加。

先进的制造工艺使得晶体管的结构更小，电路速度更快，功耗更低。

同时，集成电路的应用领域也更加多样化，包括通信、计算机、医疗、汽车等。

中国集成电路行业的发展历史
中国集成电路行业的发展历史可以追溯到上世纪60年代。

当时，中国面临着严重的技术落后和装备不足的问题，为了满足国家对高科技产品的需求，中国政府开始着手制定相关政策和计划，引导国内企业发展集成电路产业。

在接下来的几十年里，中国集成电路行业经历了三个发展阶段。

第一个阶段是从1965年到1978年，以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产品，初步建立了集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件。

第二个阶段是从1978年到1990年，主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化问题。

第三个阶段是从1990年到2000年，以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。

进入21世纪以来，中国集成电路行业持续发展。

中国政府相继出台了一系列政策措施，鼓励集成电路行业的发展。

例如，国家集成电路产业发展基金成立，旨在支持集成电路企业的发展和创新。

此外，随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，中国集成电路行业在封装测试、芯片设计、材料和设备制造等方面也取
得了长足进步。

总的来说，中国集成电路行业经历了从无到有、从小到大、从弱到强的历程。

虽然与国际先进水平还有一定差距，但随着技术的不断进步和政策的持续支持，中国集成电路行业将继续发展壮大。

集成电路的发展历史
自上世纪40年代初至今，集成电路（Integrated Circuit，简称IC）经历了长足的发展。

本文将回顾集成电路的发展历程。

早期发展
20世纪40年代末期，由于二战后科技的迅速发展，人们开始
追求更小、更高效的电子元件。

1958年，Jack Kilby和Robert Noyce分别在独立的研究中发明了集成电路，为集成电路的发展奠
定了基础。

第一代集成电路
在第一代集成电路中，仅包含几个晶体管和少量的电子元件，
性能较低。

然而，第一代集成电路的问世为后续的发展奠定了基础。

第二代集成电路
第二代集成电路的问世代表了集成度的显著提高。

制造工艺的改进使得更多的电子元件可以被集成到单个芯片上，性能提高。

第三代集成电路
随着科技的不断进步，第三代集成电路的问世实现了更加复杂的功能和更高的可靠性。

此时，集成电路已经广泛应用于计算机、通信和消费电子等领域。

当今发展
目前，集成电路仍在不断发展。

随着尺寸的不断缩小和性能的不断提高，集成电路的应用范围更加广泛。

例如，物联网、人工智能和自动驾驶等领域的发展，都离不开集成电路的支持。

结论
集成电路的发展历程充满了创新和技术突破，从早期的简单芯片到如今的高级集成电路，它不仅改变了我们的生活方式，也推动
了科技的进步。

相信在未来，集成电路仍将继续发展，为我们带来更多的惊喜与便利。

集成电路发展历史
集成电路是指将众多微小的电子元器件集成在同一个晶片上的电路，它是电子技术发展的重要里程碑之一。

以下是集成电路发展的几个阶段：1.1958年，第一块集成电路芯片由美国德州仪器公司发明。

这一阶段的芯片主要采用第一代技术，也称为“小规模集成电路”，通常集成10-20个晶体管。

2.1961年，集成度进一步提高，第二代集成电路出现，一般包含几百个晶体管。

3.1964年，第三代集成电路出现，集成度达到了几千个晶体管。

美国英特尔公司生产的4004微处理器就是这一时期的代表。

4.1971年，第四代集成电路出现，集成度已经上升到了数万个甚至几十万个晶体管。

这一阶段采用的工艺是互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺，极大地提高了集成电路的可靠性和稳定性。

5.1980年代以后，出现了大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）等技术，集成度更高，数量更多，体积更小，功耗更低，性能更强。

今天，集成电路的应用已经渗透到了各个领域，如计算机、手机、通讯、医疗、汽车等等，推动了人类社会信息化的进程，并成为现代科技发展的重要支撑。

中国集成电路发展史
中国集成电路的发展始于1960年代，当时中国开始研制和生产使用空洞反射器对象的积木电路，以达到模拟电路效果。

1971年，中国研制完成了首款准模拟集成电路，它是一款可以识别“二进制”规则的集成电路，该电路被命名为“晶元结”，它的工作原理是利用空洞反射器和多晶体管来实现的。

1982年，中国成功研制出完全模拟集成电路，叫作“宏晶元结”。

与晶元结相比，宏晶元结更为先进，可以实现高精度、高稳定性的模拟效果。

在中国发射的首颗人造地球卫星“大象1号”中，使用了由中国自行研发的“宏晶元结”集成电路。

1989年，中国研制出微处理机可编程集成电路，该电路可以实现对模拟电路、数字电路以及标准的微处理机指令的灵活组合，使得设计师可以更为灵活地实现自己的目标。

自上世纪末以来，我国集成电路的研发技术已经不断地发展，通用型微处理机、ARM、微控制器等现代仿真型集成电路已经投入应用，推动了中国集成电路制造及应用的发展。

集成电路发展史香港浸会大学物理系谢国伟博士早期发展早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。

他们最初的研究对象是一些在加热后电阻值会增加的元素和化合物。

这些物质有一共同点，当它们被光线照射时，会容许电流单向通过，我们可藉此控制电流的方向，称为光电导效应。

在无线电接收器中，负责侦测讯息的整流器，就是一种半导体电子仪器的例子。

德国的Ferdinand Braun利用了半导体方铅矿，一种硫化铅化合物的整流特性，创制世上第一台整流侦测器，后世俗称为猫胡子的侦测器。

基于半导体的整流特性，我们能在整流侦测器内的金属接触面和半导体间建立起一电势差，令电子在某一方向流动时为“顺流而下”，反之则“逆流而上”。

至此，半导体电子仪器起始面世。

(晶体管)到了1874年，电报机、电话和无线电相继发明，使电力在日常生活中所扮演的角色，不再单单是能源的一种，而是开始步入了信息传播的领域，成为传播讯息的一种媒介。

而电报机、电话以及无线电等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。

(整流器)(电容)在二十世纪的前半段，电子业的发展一直受到真空管技术的掣肘。

真空管顾名思义是抽走了空气的玻璃管，内有阴、阳两极，电子会由阴极流向阳极。

为了增加电子的流动，我们将阴极管加热至高温（摄氏数百度计），令电子在阴极受热“跳”出。

再加上另外一枝电势比阴极还要略低的电极──控制栅极。

我们能借着调整其电势来控制电子流动，以达到控制电流的目标。

真空管本身有很多缺点：脆、易碎、体积庞大、不可靠、耗电量大、效率低以及运作时释出大量热能。

这些问题，直到1947年贝尔实验室发明了晶体管后才得到解决。

晶体管就像固态的真空管，电子由阴极流向阳极（在晶体管中称为电子泉和汲极），电子的流动则由一类似真空管中控制栅极的闸门控制。

与真空管相比，晶体管体积细小、可靠、耐用、耗电量少而且效率高。

晶体管的出现，令工程师能设计出更多更复杂的电路，这些电路包括了成千上万件不同的组件：晶体管、二极管、整流器和电容。

集成电路的历史和发展过程集成电路是现代电子技术的重要组成部分，它的发展经历了数十年的历史。

本文将从历史和发展两个方面来介绍集成电路的演进过程。

一、历史集成电路的概念最早可以追溯到20世纪50年代。

当时，电子器件的尺寸越来越小，工艺技术的发展也为此提供了契机。

1958年，美国的杰克·基尔比提出了集成电路的概念，并成功制造出了第一块集成电路芯片。

这标志着集成电路的诞生，为电子技术的发展带来了革命性的变化。

二、发展过程1. 第一代集成电路（1959-1964年）第一代集成电路采用的是离散元件的集成方式，将多个晶体管等元件封装在同一块半导体材料上。

这种集成方式实现了电子元件的微型化和集成化，但由于工艺限制，集成度不高，功耗较大。

2. 第二代集成电路（1965-1971年）第二代集成电路采用的是小规模集成电路（SSI），集成度相较于第一代有了明显提高。

SSI集成电路的特点是将几十个晶体管集成在同一块芯片上，并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加紧凑，性能也有所提升。

3. 第三代集成电路（1972-1978年）第三代集成电路采用的是中规模集成电路（MSI），集成度进一步提高。

MSI集成电路将几百个晶体管集成在同一块芯片上，并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加精细化，功耗也有所降低。

4. 第四代集成电路（1979-1984年）第四代集成电路采用的是大规模集成电路（LSI），集成度达到了千级。

LSI集成电路将几千个晶体管集成在同一块芯片上，并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加复杂化，功能也有了大幅提升。

5. 第五代集成电路（1985年至今）第五代集成电路采用的是超大规模集成电路（VLSI），集成度进一步提高。

VLSI集成电路将数十万甚至数百万个晶体管集成在同一块芯片上，并通过金属导线连接。

这种集成方式使得电路更加高度集成化，功耗和体积也得到了进一步优化。

三、未来发展趋势随着科技的不断进步，集成电路的发展也在不断演进。