高压电源芯片
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高压AC-DC 开关电源转换芯片XD308H 规格书ver1.1
1.2产品特性:
•18-600VDC 超宽输入电压,可适应12-380VAC超宽电压输入;•典型待机功耗小于40mW;
•输出电压最大24V,可设定3.3V,5V,12V,24V等单一电压;•输出最大持续电流500mA (峰值800mA),无音频噪音、发热低;•全面的保护功能:✓过流保护(OCP)✓过流保护(OCP)✓过温保护(OTP)✓过压保护(OVP)•SOP8贴片封装;
1.3典型应用(非隔离):
•替代低效率的阻容降压供电电路(如低压电器,智能电表,自动化仪表电源等);•小家电电源
•智能家居(零火电子开关,插座,排插等等)•工业控制电源•无刷直流电机电源•LED驱动电源
•
其他非隔离辅助电源
1.4输入电压/输出电流表(典型值):
序号输入电压范围(DC 单位:V)
输出电压(DC 单位:V)
持续工作输出电流(Max 单位:mA)
短时间可承受峰值电流
(单位:mA)
118-600 3.3500800218-600 5.0500800345-600125008004
45-600
24
500
800
【摘要】XD308H 是一款18-600V 超宽范围输入的高压降型转换器电源芯片,可适应12-380VAC 超宽电压输入(外部加整流滤波),输出持续电流高达500mA(最大800mA),无音频噪音、发热低,内部集成全面完善的保护功能(短路保护,过载保护,输出过压保护、输出欠压保护,过热保护等)。
该电源芯片以较低的BOM 成本(外围元件数目极少)方便的实现宽电压高压降压小功率电源解决方案,广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等领域。
1.5封装参考:
1.6引脚功能:
编号名称描述备注1VCC/BP所有控制电路的电源。
外部旁路电容连接点
2GND/S芯片参考地。
内部功率MOSFET的源极。
3FB反馈输入
4CS电流检测
5,6,7,8DRAIN内部功率MOSFET的漏极
1.7功能框图:
1.8典型应用电路
1)典型应用电路之一(输出电压<12Vdc):
2)典型应用电路之二(输出电压>=12Vdc):
1.9绝对最大额定值(备注1):
1.10推荐的工作条件(备注2):
参数数值单位工作环境温度-40to85°C
1.11电气特性:
除非特别注明,环境温度T
=+25℃。
A
符号参数测试条件最小典型最大单位1.11.1供电部分(VDD管脚)
V DD_ON VDD开启电压7.5V
V DD_OFF VDD欠压保护电压7.0V
V DD_Reg1VDD调制电压FB悬空11.81212.2V I VDD_st VDD启动电流无开关工100300uA I VDD_Op VDD工作电流800uA I VDD_Q VDD静态电流200uA
85% n电源效率Vin=300VDCV
out=12
Iout=500mA
V DD_OVP VDD过压保护阈值28V V DD_Clamp VDD钳位电压IVdd=10mA30V 1.11.2反馈部分(FB管脚)
V FB_REF内部差分放大器输入端基准 1.97 2.0 2.03V V FB_OVP输出过压保护(OVP)检测阈值 2.4V V FB_OLP输出过载保护(OLP)检测阈值 1.87V T D_OLP过载保护延迟时间50ms 1.11.3电流检测输入部分(CS管脚)
V IPK峰值电流阈值0.550.60.65V V AOCP异常过流保护检测阈值0.9V 1.11.4过热保护
T SD过热保护阈值(备注3)150°C 1.11.5功率MOSFET部分(Drain管脚)
V BR功率MOSFET击穿电压650V R dson静态导通阻抗5ohm
备注1:超过这些额定值可能损坏器件,超出列表中”极限参数”可能会对器件造成永久性损坏。
备注2:不担保器件在工作条件以外的操作,在超出以上参数的条件下,无法保障芯片的正常运行。
备注3:参数取决于实际设计,在批量生产时进行功能性测试。
1.12参考应用电路
1)参考应用电路之一(输出电压<12Vdc)
2)参考应用电路之二(输出电压>=12Vdc)
输出电压计算:输出电压OUT=FB*(1+R1/R2)-D1(VF值)
注1:FB=2V
注2:D1与D2要求恢复时间<=35nS,并建议选择品质有保证的品牌元件。
注3:R4假负载取值,小于10V应用取10mA左右,12V及以上应用取3-5mA.
1.13封装信息
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