ZnO纳米线的水热法生长
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第36卷第3期 2007年6月 人 工 晶 体 学 报
JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS V01.36 N0.3 June.2O07
ZnO纳米线的水热法生长
赵文刚 ,马忠权 ,裴广庆 ,杨文继 ,徐 飞 ,王德明 ,赵占霞
(1.上海大学物理系,上海200444;2,中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800)
摘要:本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线。首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO 纳米颗粒的薄膜作为“种子”衬底。然后,利用水热法在“种子”衬底上生长了高度取向的ZnO纳米线。并对“种 子”衬底和随后生长的ZnO纳米线进行了x射线衍射(XRD)、扫描电子形貌图(SEM)和原子力显微镜(AFM)等分 析。结果表明“种子”衬底为大范围内纳米颗粒均匀一致的ZnO薄膜。通过水热法制备的ZnO纳米线的直径在 50—80nm。平均直径为60nm,长度大约为2 m。该ZnO纳米线除了具有很强的紫外发光(399nm)外,还在蓝光 (469nm)和绿光(569nm)波段有较弱的光致发光现象。 关键词:ZnO纳米线;Sol-gel;水热法;PL谱 中图分类号:0782 文献标识码:A 文章编号:1000-985X(2007)03-0634-04
Hydrothermal Growth of ZnO Nanowire
ZHAO Wen-gang ,MA Zhong—quan ,PEI Guang—qing ,YANG Wen-ji ,XU Fei ,WANG De—ming ,ZHAO Zhan—xia (1.Department of Physics,Shahghai University,Shanghai 200444,C}IirIa; 2.ShaJ1曲ai Institute of Optics and Fine Mechanics,Chinese Acadamy of Sciences,Shanghai 201800,China) (Received 30 November 2006;accepted 1 March 2007)
Abstract:In this paper,ZnO nanowires were synthesized on glasses with two steps of chemical method.
First,the seeded substrate of ZnO nano—particles was prepared on glass by Sol—ge1.Then high oriented
ZnO nanowires were grown on the substrate through hydrothermal method.The seeded substrate and the ZnO nanowires were characterized by X—ray difraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM),
and atomic force microscopy(AFM),respectively.The results indicated that the seeded substrate was the uniform ZnO thin film with nano—particles in a large—scale.The diameter and the length of the
nanowires were about 50~80nm and 2 m,respectively.A strong UV peak at 399nm,a weak blue band at 469nm and a weak green band at 569nm were observed in the ph0t0luminescence(PL)spectrum of
Zn0 nanowires.
Key words:ZnO nanowires;sol-gel;hydrothermal method;PL spectrum
引 言
ZnO是一种新型的直接宽禁带半导体材料,室温下的禁带宽度是3.30eV,激子束缚能大约是60meV,具
备发射蓝光和紫外光的优越条件,有望成为下一代的光电器件,广泛应用在光通信网络、光电显示、光电存 储、光电转化和光电探测等领域 ,近来深受人们的广泛关注。氧化锌还广泛应用在短波激光器、化学传感
收稿日期:2006.11-30;修订日期:2007-03-01 基金项骨:教育部高校博士点基金资助 作者简介:赵文刚(1980・),男,上海市人,在读硕士。E・mail:zwg@graduate.shu.edu.cn
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器和太阳能电池等方面。伴随着太阳能电池的开发和利用,以TiO 、ZnO为代表的第三代太阳能电池的开 发和利用得到了人们的广泛重视l4 J。制备一维结构的纳米氧化锌的方法主要有:采用气相.液相一固相
(VLS)机理的方法,气相沉积法 等。而这些方法都需要复杂的工艺,精密的设备和较高的温度。近年来也 有许多的学者在Zn(NO,) 和(CH ) N 的混合溶液中采用简单的湿化学的方法在衬底上生长出了高度取
向的ZnO薄膜 , ],研究表明衬底的质量,胶体的浓度,生长的温度以及生长的时间等对ZnO薄膜的形态有
直接的影响。大量的理论和实验结果表明,纳米ZnO薄膜的生长工艺还在不断的改进中。本文中介绍了一 种简单的水热的方法来生长低维结构的ZnO薄膜的方法。适合大面积的生长高质量的可用于制备太阳能
电池的纳米薄膜。
2 实 验
将二水合醋酸锌(zn(Ac) ・2H 0,分析纯)溶解于乙二醇甲醚(2一methoxyethano1),单乙醇胺
(monoethanolamine)作为稳定剂,其中zn 浓度是0.5M,胶体中的锌离子浓度和乙醇胺的摩尔比为1:1。
混合后的溶液在60。I=条件下搅拌2h,得到澄清透明的溶液,以之为镀膜用。载玻片经过丙酮.酒精.超净水在 超声波中反复的清洗,得到干净的玻璃衬底。将上述胶体滴3—5滴到玻璃衬底上,基本覆盖整个表面。然
后将玻璃片放在匀胶台上镀膜,转速为3000r/min,旋转时间为30s,上述过程反复三次。然后将玻璃片放人 烤胶机中,200oC加热2h,然后随炉冷却到室温得到理想的“种子”衬底。
配置一定zn 浓度(0.01M,0.03M,0.05M)的Zn(NO,)2・6H O去离子水溶液和等摩尔浓度的六次甲
基四胺(HTM)的去离子水溶液,作为两种备用液体,然后将上述两种溶液混合搅拌0.5h,得到实验用的水热 胶体溶液。将前面制备好的“种子”衬底面朝下完全浸人上述溶液当中,在95 ̄C下水热皿中反应2h,然后将
样品取出,用去离子水反复冲洗表面去掉多余的离子和胺盐,在空气中烘干以表征用。 采用日本理学的全自动x射线衍射(D/max-2500.XRD)仪对ZnO纳米线薄膜进行晶相结构分析,辐射
源为cu靶Ka线,管电压是40kV,管电流是300mA。样品的表面形貌采用了JSM-6700F场发射扫描电镜
(SEM)进行分析。Jasco FP-6500荧光光谱(Xe灯为光源,激发波长为350nm)对样品PL光学特性的分析。
3结果和讨论
3.1衬底分析 图1为“种子”衬底的AFM图。从图可以看到玻璃上的先趋“种子”衬底为大面积内均匀一致的纳米颗 粒,ZnO纳米颗粒尺寸大约是50nm。均匀一致“种子”衬底可以起到减小过多的水热法生长的ZnO纳米线和
玻璃衬底之间的晶格失配,有利于ZnO的定向生长。同时也可以使得生长的纳米线的直径分布更窄,更容 易得到形貌一致的纳米线。
图1“种子”衬底的AFM图 Fig.1 AFM image of seeded substrate 图2 0.03 M样品的ZnO纳米线薄膜的XRD衍射谱 Fig.2 XRD pattern ofZnO namowims(0.03 M so1.)
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3.2 XRD分析 图2是ZnO纳米线的XRD衍射谱。衍射图谱对应六角纤锌矿ZnO结构,未发现ZnO以外其它物相的
衍射峰。有明显的(OO2)衍射峰,还有微弱的(102)和(103)衍射峰。这一特点与过去的一些湿化学法制备 的ZnO微纳米棒阵列的XRD图不同 ],该湿化学的方法制备的样品的XRD图中,除了强度相对较高的
(OO2)面的衍射峰外,(100)、(101)、(102)和(110)等品面的衍射峰也有。这表明,在湿化学法制备的ZnO 微纳米棒阵列中,尽管微纳米棒沿(oo1)面择优生长并且总体上垂直于基底,但是微纳米棒取向的一致性较
差,即有相当数量的微纳米棒的取向偏离了基底的法线方向,导致其它晶面衍射峰的出现。用CVD等法制
备的ZnO纳米棒阵列则不同,它们的XRD图中只出现极强的(002)面衍射峰和很弱的(004)面的衍射峰, 表明ZnO纳米棒阵列沿(001)晶面择优生长,并且在大范围内绝大部分的ZnO纳米棒都垂直于基底。从图
2中仅出现(002)、(102)和(103)面衍射峰的事实可知,采用方便简单、条件容易达到的水热法制备出的
ZnO纳米线阵列膜与生长条件要求相对高的VLS和CVD法制备出的样品具有同样的高度取向性。预先镀 的ZnO薄膜作为“种子”衬底可能起到的作用:尽量避免过多的水热生长的ZnO纳米线薄膜和玻璃衬底之间 的晶格失配,有利于ZnO的定向生长。XRD图谱也可以证明这中水热生长纳米线的方法可以得到很好的垂 直于衬底方向生长的ZnO纳米线。
3.3 SEM分析 图3为镀有先驱ZnO薄膜的衬底上生长的ZnO纳米线的SEM图。从图3中可以看出纳米线大范围内
生长致密均匀。从图3也可以看到:正是因为有了预先镀的“种子”衬底的存在所以使的纳米线定向的生 长,是垂直于衬底的表面的生长的。纳米线开始以“种子”衬底作为晶核,然后沿c轴定向“外延”。同时由 于有分布均匀、大小一致“种子”衬底的存在,使得纳米线的直径分布更加趋向均匀。纳米线的顶端呈现六
方形,图3(b)单根纳米线的直径大约是在50~80nm之间,平均直径大约是60rim。这表明我们做的纳米线 的直径分布也很窄,纳米线的粗细还是比较均匀的,平均直径也比较小。ZnO纳米棒在大范围内具有高度的
图3 ZnO纳米线的SEM形貌图 Fig.3 SEM images of ZnO nanowires for so1.of0.01 M(a),0.03 M(b)and 0.05 M(c)
取向一致性,这与XRD的结果非常吻合。同时随着生长时间的增加纳米线的长度会有所增加。相同的“种
子”衬底,同样的水热生长条件,只有生长溶液的zn 的浓度不同,分别做了三类样品:0.01M、0.03M、0.
05M的zn“浓度的溶液。如上图3(a)、(b)和(c)分别是得到的ZnO纳米结构的sEM图。图3(a)可以看
到0.01M的样品的纳米线的平均直径大约是30nm;图3(b)得到纳米线的平均直径大约是6Ohm;图3(c)的 纳米棒的平均直径大约是250nm。这也就是说随着溶液浓度的增加生长的纳米线的直径会增加。由负离子 配位生长基元的理论模型 9 知道水热反应方程式为:
Zn +(OH)一一zn(OH):、}