西电电院模电大复习重点

半导体集成电路
1．考试的总体要求
以CMOS集成电路为主线，重点考察CMOS集成电路的基本制造工艺、集成电路中MOS晶体管及其寄生效应、CMOS集成电路中的无源元件、MOS 反相器、MOS基本逻辑单元、存储器、模拟集成电路中的基本单元电路、集成电路设计方法等内容，各部分内容分值分布较均匀。

2．考试的形式与试卷结构
试卷分值：100分；
考试时间：120分钟；
答题方式：闭卷。

题型结构以及其它要求：题型包括名词解释、简答和计算题，可携带计算器。

3．参考书目
《半导体集成电路》朱正涌清华大学2000。

期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。

2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。

3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。

2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。

2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。

3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。

2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。

（大题出题点）。

第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。

5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。

（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。

2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。

第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。

注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。

3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。

（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。

6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。

模电考前知识点总结模拟电子技术主要研究内容包括模拟电路的设计和分析、模拟信号的处理和传输、模拟电子系统的设计和调试等。

在模拟电子技术中，最基本的理论是基于几种基本电路元件，如二极管、三极管等，建立各种电路方程模型，进而解决各种电子电路问题。

在学习模拟电子技术的过程中，有一些知识点是必须要掌握的。

以下是一些常见的模拟电子技术知识点总结：一、基本电路分析方法1. 谈论母线电力超过220伏特进行电压升降的原理和方法。

2. 需要了解R-L，R-C 串并联电路的等效变换原理及实际应用。

3. 掌握电容电压跟踪积分电路和非积分电路的基本工作原理和参数设计方法。

4. 对于理想电感，理解它在激励下的等效原理。

5. 了解关于画感性理想电感变压器、绕组波音特性原理。

以上是一些基本电路分析方法的知识点总结。

在模拟电子技术中，学生需要通过理论学习和实践操作，熟练掌握这些方法，才能更好地理解和应用模拟电子技术。

二、线性集成电路线性集成电路是模拟电子技术中非常重要的一部分，主要包括放大器、滤波器、示波器、振荡器、计算和计算机等。

掌握了线性集成电路基本的分析与设计方法，可以更好地应用模拟电子技术。

1. 熟悉主要的线性集成电路，了解其特性和使用方法。

2. 了解基于 MOS 器件的模拟 IC 结构、工作原理和指标。

会设计基于 MOS 器件的模拟集成电路电路图。

以上是一些线性集成电路方面的知识点总结。

掌握了这些知识之后，可以更好地理解和应用模拟电子技术，从而更好地解决实际电路问题。

三、信号处理技术在模拟电子技术中，信号处理技术也是一个重要的方面。

掌握了信号处理技术相关知识后，能更好地理解和应用模拟电子技术。

1. 掌握基本信号的表示方法, 变换，系统特性的描述（零-极点，频域与时域的转换）2. 会进行系统励波，知道辨别各种非线性工作特性3. 了解控制工程与信号处理之间的联系和区别4. 实现对系统行为与性能的评估、设计，调节；5. 了解基于 DSP 的数字控制技术，了解模拟电子技术的近期发展，结合数字技术提出新的功能要求。

模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。

半导体中的载流子有自由电子和空穴两种。

在纯净的半导体中掺入微量的杂质元素，可以显著改变其导电性能。

根据掺入杂质的不同，可分为 N 型半导体和 P 型半导体。

N 型半导体中多子为自由电子，少子为空穴；P 型半导体中多子为空穴，少子为自由电子。

PN 结是半导体器件的核心结构，它是通过将 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起形成的。

PN 结具有单向导电性，当外加正向电压时，PN 结导通；当外加反向电压时，PN 结截止。

二、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极引线和管壳构成的。

二极管的主要特性就是单向导电性。

二极管的伏安特性曲线是非线性的，分为正向特性和反向特性。

正向特性中，存在一个开启电压（硅管约 05V，锗管约 01V），当正向电压超过开启电压后，电流随电压迅速增大。

反向特性中，当反向电压不超过一定值时，反向电流很小；当反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大。

二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压和反向电流等。

在实际应用中，二极管可用于整流、限幅、钳位等电路。

三、三极管三极管是一种具有电流放大作用的半导体器件，分为 NPN 型和PNP 型。

三极管有三个电极，分别是基极（b）、集电极（c）和发射极（e）。

三极管的工作状态有放大、饱和和截止三种。

在放大状态下，基极电流控制集电极电流，满足电流放大关系；在饱和状态下，集电极和发射极之间近似短路；在截止状态下，集电极和发射极之间近似开路。

三极管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线。

输出特性曲线分为三个区域，分别对应三极管的三种工作状态。

三极管的主要参数有电流放大系数、集电极最大允许电流、集电极发射极反向击穿电压等。

四、基本放大电路基本放大电路的主要作用是将微弱的电信号放大。

常见的基本放大电路有共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。