模电复习提纲(参考)

期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。

2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。

3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。

2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。

2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。

3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。

2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。

（大题出题点）。

第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。

5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。

（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。

2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。

第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。

注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。

3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。

（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。

5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。

6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。

《模拟电子技术基础》复习提纲涵盖了九个核心章节。首章聚焦半导体二极管及其应用，涉及P型与N型半导的分析。第二章重点讨论晶体三极管及其基本放大电路，包括放大的条件、区域、通路、失真等，要求熟练掌握共发射极等放大电路的计算与分析。接下来，场效应管及其放大电路章节介绍了场效应管的工作原理及要求。第四章集成运算放大器是重点，涉及差分放大电路、共模抑制比等关键概念，以及典型电路的计算。第五章阐述负反馈放大电路的原理与影响。第六章讲述基于集成运放的信号运算与处理电路，如各种运算电路与电压比较器的识别与计算。第七章探讨信号产生与变换电路，特别是正弦波振荡的条件与识别。第八章功率放大电路则关注输出功率、转换效率等。最后，第九章直流稳压电源介绍了整流、滤波等基本概念与计算。整体而言，提纲全面梳理了模拟电子技术的基础知识点，为复习提供了明确的方向。

〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要第一章：常用半导体器件（1）熟悉下列定义、概念及原理：本征半导体、P型和N型半导体形成、自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管、发光/光电二极管的作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。

（2）掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。

掌握其应用电路。

（3）了解选用器件的原则。

了解集成电路制造工艺。

第二章：基本放大电路（1）掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通路与交流通路、直流负载线与交流负载线、h参数等效模型、放大倍数、输入电阻和输出电阻、最大不失真输出电压。

掌握静态工作点稳定的必要性及稳定方法。

（2）掌握组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点，理解派生电路的特点，能够根据具体要求选择电路的类型。

（3）掌握放大电路的分析方法，能够正确估算常用基本放大电路（共射、共集、共源为主）的静态工作点，掌握微变等效电路并据此估算动态参数Au、Ri、Ro，正确分析电路的输出波形和产生截止失真、饱和失真的原因及波形。

第三章：多级放大电路（1）掌握以下概念和定义：零点漂移与温度漂移，共模信号与共模放大倍数，差模信号与差模放大倍数，共模抑制比，互补电路。

（2）掌握各种耦合方式的优缺点，能够正确估算多级放大电路的Au、Ri、Ro。

（3）掌握差动放大器静态工作点和动态参数的计算方法，理解共模抑制比的意义及计算方法。

（4）掌握互补输出级（OCL电路）的正确接法和原理。

第四章：集成运算放大电路（1）熟悉集成运放的组成及各部分电路的特点和作用，正确理解其主要指标参数的物理意义、使用注意事项。

（2）理解电流源电路的工作原理和电流推导。

理解电流源电路在集成运放中的应用及作用。

（3）理解F007的电路原理，能分析运放电路。

第五章：放大电路的频率响应（1）掌握以下概念：上限频率，下限频率，通频带，波特图，增益带宽积，幅值裕度，相位裕度，相位补偿。

模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。

§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。