下载文档原格式
第七章CVD工序7.1 CVD工序的目的7.2 CVD工艺的基本原理7.3 CVD的设备构成和主要性能指标7.4 CVD 工序的主要工艺参数和工艺质量评价7.5特种气体供应管理系统7.1 CVD工序的目的7.1.1 CVD目的在一定压强、温度条件下输入高频电压使气体源电离形成等离子体，在基板表面发生气相化学反应，生长出各种功能薄膜。
A(g) + B(g) energy C(s) + 副产物7.1.1.1 CVD film介绍Film Gas（GH&GL）SiH4+NH3+H2G-SiNXa-Si（AH&AL）SiH4+H2n＋a-Si（NP）SiH4+PH3+H2P-SiN（PV）SiH4+NH3+H2X7.1.1.2各层薄膜的功能1. G: Gate SiNx （绝缘层）作用：防止M1与I层导通2. a-Si （半导体）作用：导通层，电子在该层产生3. N: N+ a-Si （掺杂半导体）作用：降低界面电位差，降低I层与M2之间的电位差4. Passivation (保护层)作用：该层的作用是保护M2，防止其发生氧化，腐蚀7.1.1.3生成各层的化学反应原理（1）SiN X:HSiH4 + NH3 + N2 → SiN X: H （2）a-Si:HSiH4 + H2 → a-Si:H（3）n＋a-Si:HSiH4 + PH3 + H2 →n＋a-Si:H7.2 CVD工艺的基本原理通过前一章节的学习，我们应该对CVD的功能有了一定的了解，其实自从CVD镀膜技术被发现至今，已经得到了很大的发展，已经衍生出许多不同类型的CVD成膜方式。
按反应室内压力分：APCVD: Atmospheric pressure CVDSACVD: Sub Atmospheric pressure CVDLPCVD: Low Pressure CVDULPCVD: Ultra-low pressure CVDUHV_CVD: Ultra-high vacuum CVD按能量供给方式分：热活化式：Thermally-activated CVD等离子辅助式：Plasma Enhanced CVD (PE-CVD)射频方式：（Radio Frequency CVD RFCVD)微波方式：（Microwave CVD)电子回旋共振式：（Electron Cyclotron Resonance CVD)引控式（Remote PCVD)磁控式(Magnetic PCVD)光辅助式：Photo-assisted CVD雷射辅助式：Laser-induce CVD下面将就PECVD系统构造、原理及特征等内容进行详细的说明，其他种类的CVD镀膜方式本节不做赘述：PECVD技术是上世纪70年代初发展起来的新工艺，主要是为了适应现代半导体工业的发展，制取优质介质膜。
第七章化学气相沉积和介质薄膜（CVD）作业
1、化学气相淀积定义：
指使一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。
其英文原名为“Chemical Vapour Deposition”，简称为“CVD”。
2、低压CVD的气缺现象及预防措施
5、CVD反应中低压会带来什么好处？《半导体制造技术》p249
6、PSG、BPSG、FSG各是什么的缩写? 《半导体制造技术》p249－250
8、CVD过程中采用等离子体的优点有哪些？《半导体制造技术》p256～257
9、沉积多晶硅采用什么CVD工具？写出掺杂的Poly－Si做栅电极的六个原因。
沉积多晶硅采用LPCVD，即低压CVD工艺。
(1). 通过掺杂可得到特定的电阻
(2). 与SiO2有优良的界面特性
(3). 和后续高温工艺的兼容性
(4). 比金属电极（如Al）更高的可靠性
(5). 在陡峭的结构上沉积的均匀性
(6). 实现栅的自对准工艺
10、为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？高K值介质材料用在什么地方？低K值介质材料用在什么地方？
随着特征尺寸的缩小，栅氧化层越来越薄，栅极隧穿漏电流指数性增加，从而导致功耗增加。
高k介质材料用在替代栅氧化层，提高栅氧厚度，抑制栅极隧穿漏电流。
低k介质材料用于层间介质，因为低k介质减小电容，从而减小RC信号延迟，提高器件工作频率。
