肖特基二极管简介
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肖特基二极管又称肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),是一种特殊的二极管,其结构和特性与普通的二极管有所不同。
它利用了肖特基效应(Schottky effect)的原理,具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点,因此在各种电子电路中得到广泛应用。
一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成,其结构如下:1. 金属-半导体接触面:用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面,形成势垒;2. P型半导体材料:通常采用P型硅(p-Si)材料制成。
二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点:1. 低漏电流:由于金属-半导体接触面的势垒形成,使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多;2. 快速开关速度:肖特基二极管的导通和截止速度较快,因此在高频电路中得到广泛应用;3. 低压降:肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小,对电路的功耗影响较小。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用,主要体现在以下几个方面:1. 短波无线电接收机:肖特基二极管可以作为高频检波二极管,实现无线电信号的检波和解调;2. 低功耗电路:由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性,适合用于设计低功耗的电路;3. 微波频率倍频器:肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能,常被用作频率倍增器;4. 太阳能电池:肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分,可以将光能转化为电能。
四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是两种不同类型的半导体器件,它们在结构和特性上有所不同。
1. 结构:肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成,而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。
2. 功能:肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中,而MOS管主要用于放大和开关电路中。
3. 特性:肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度,但其直流特性和温度特性较差;MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度,但功耗较大。
功放用肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管,它在功放电路中发挥着重要的作用。
本文将从肖特基二极管的原理、特点以及在功放中的应用等方面进行介绍。
一、肖特基二极管的原理肖特基二极管是利用肖特基结的特殊性质而制成的二极管。
肖特基结是由金属与半导体之间的接触形成的,其结构与正常的PN结有所不同。
与PN结相比,肖特基结具有更低的正向电压降、更快的开关速度和更小的开关噪声等优点。
二、肖特基二极管的特点1. 低正向电压降:肖特基二极管的正向电压降很低,一般在0.2-0.5V之间。
这意味着在功放电路中,肖特基二极管可以有效地减小功耗,提高整体效率。
2. 快速开关速度:肖特基二极管的开关速度比普通二极管快得多。
这是由于肖特基结的结电容较小,能够更快地响应电路的变化。
3. 低开关噪声:由于肖特基二极管的结电容小,开关过程中产生的噪声也相对较小。
这对于要求低噪声的功放电路来说非常重要。
4. 高温稳定性:肖特基二极管具有较好的高温稳定性,能够在高温环境下正常工作。
这使得肖特基二极管在一些高温要求较高的场合得到广泛应用。
三、肖特基二极管在功放中的应用肖特基二极管在功放电路中有多种应用,下面将分别介绍几种常见的应用方式。
1. 整流电路:肖特基二极管由于其低正向电压降和快速开关速度的特点,非常适合用于功放电路中的整流电路。
它能够更有效地将交流信号转换为直流信号,提高功放电路的效率。
2. 电源保护:在功放电路中,肖特基二极管可以用于电源保护。
当输入电源出现反向电压或过电压时,肖特基二极管能够迅速切断电路,保护功放电路和其他元件的安全。
3. 稳压电路:由于肖特基二极管的稳定性好,可以用于功放电路中的稳压电路。
它能够稳定输出电压,保证功放电路的正常工作。
四、肖特基二极管的发展趋势随着科技的不断进步,肖特基二极管的性能不断提升。
目前,一些新型肖特基二极管已经实现了更低的正向电压降、更高的开关速度和更好的温度稳定性。
这使得肖特基二极管在功放电路中的应用更加广泛。
肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管,又称为肖特基势垒二极管,是一种金属与半导体接触的整流器件。
它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。
肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。
二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面:1.最大重复峰值反向电压(VRRM):表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压(VDC):表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。
例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流(I(AV)):表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。
4.最大瞬时正向电压(VF):表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。
例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流(IR):表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA(TA25)和 20.0mA(TA125)。
6.工作温度和存储温度范围(TJ,TSTG):表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。
例如,MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景:1.整流电路:将交流电转换为直流电,例如在电源电路中。
2.限幅电路:限制信号波形的幅值,例如在音频处理电路中。
3.开关电路:实现开关控制功能,例如在场效应管开关电路中。
4.稳压电路:稳定输出电压,例如在稳压电源电路中。
肖特基二极管
肖特基二极管,又称“发明者”,是由20世纪50年代英国物理学家和发明家艾伦海斯特(Alan Heyast)发明的。
肖特基二极管是一种半导体器件,其特点是由于它的低噪音和低成本,几乎可以实现任何类型的放大或开关,使得它在电子学和电路设计中占据着重要的地位。
肖特基二极管是基于可控硅器件的基本构成,以硅作为介质,以极性为基础,由P型和N型半导体构成。
当作为小信号时,电子从P型半导体迁移到N型半导体;而P型半导体可以从N型半导体迁移,当过量电子存在时,它们会正好反向流动,形成一个封闭的路径,使电流流向设备的出口。
这种反向流动的结果可以用来放大小信号,同时保持信号的完整性。
肖特基二极管普遍应用于电子元件、光学器件、显示器件、电路以及其他许多电子产品。
它们用于生产多种放大电路,电力电路,混音设备,数字电路,滤波器,逻辑门,音频放大器,延迟线,晶振,电流检测,温度控制,检测活动和发电机等。
肖特基二极管不仅可以用作放大器,还可以用作反馈电路的一部分,以控制电路的电压或电流。
此外,肖特基二极管在汽车电子系统中也有广泛应用。
它们被用作汽车引擎火花塞,点火系统,燃油电子喷射,发动机管理系统,汽车安全系统,进气系统,发动机控制系统,空调控制系统等。
它们的应用可以使汽车发动机运行良好,保持燃油经济,降低
汽车污染,并有助于性能和安全的提升。
肖特基二极管在电子设备和汽车电子系统中发挥着重要作用,从而给我们日常生活带来了诸多方便。
这是海斯特先生发明肖特基二极管的革命性成果,也是20世纪50年代科技突破的象征。
肖特基(Schottky)二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。
在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。
1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。
3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
你需要知道的肖特基二极管那些事
肖特基二极管,也被称为热载流子二极管,是一种具有低正向压降和非常快速的开关动作的半导体二极管。
当电流流过肖特基二极管时,肖特基二级管端子上有一个小的电压降。
普通二极管的电压压降在0.6V-1.7V之间,而肖特基二极管的电压降通常在0.15V-0.45V之间。
优点1:低正向导通压降
肖特基二极管的导通电压在硅二极管的0.2V-0.3V之间,而而标准硅二极管的导通电压在0.6 到0.7 伏之间。
这使得它具有与锗二极管非常相同的开启电压。
优点2:快速恢复时间
由于存储电荷量少,恢复时间快,这意味着它可以用于高速开关应用。
优点3:低结电容
鉴于非常小的有源区域,通常由于在硅上使用线点接触,电容水平非常小。
优点4:高电流密度
肖特基二极管的耗尽区可以忽略不计。
所以施加很小的电压就足以产生大电流。
优点5:噪音更小
与典型的PN结二极管相比,肖特基二极管产生的不需要的噪声更少。
优点6:性能更好
肖特基二极管将消耗更少的功率,可以轻松满足低压应用的要求。
缺点1:较高反向电流
由于肖特基二极管是金属半导体结构,反接电压时更容易漏电流。
缺点2:较低最大反向电压
反向电压是当电压反向连接(从阴极到阳极)时二极管将击穿并开始传导大量电流的电压。
这意味着肖特基二极管在不击穿和传导大量电流的情况下无法承受很大的反向电压。
甚至在达到这个最大反向值之前,它仍然会泄漏少量电流。
500a 肖特基二极管500A肖特基二极管是一种常用的功率二极管,它具有低反向恢复时间、低反向漏电流和高正向导通电流等优点。
在电子设备和电源中,它被广泛应用于开关电源、电机驱动器和逆变器等场合。
下面将对500A肖特基二极管进行详细介绍。
一、500A肖特基二极管的结构500A肖特基二极管由P型半导体和N型半导体组成。
P区称为阳极区,N区称为阴极区。
阳极区与阴极区之间的结为肖特基结。
肖特基结的形成是通过在N型半导体上扩散氮或其他杂质形成的。
二、500A肖特基二极管的工作原理500A肖特基二极管正向偏置时,阳极区P型半导体与阴极区N型半导体形成P-N结。
由于P区具有较高的杂质浓度,电子与空穴复合速度较快,因此肖特基二极管具有较高的正向导通电流和较低的正向压降。
此时,肖特基二极管处于导通状态。
而当肖特基二极管反向偏置时,主要是肖特基结区域的效应起作用。
由于N型半导体具有较低的杂质浓度,因此反向击穿电压较高,从而限制了反向漏电流。
同时,由于扩散效应的存在,反向恢复时间也较短。
三、500A肖特基二极管的特点1.低反向恢复时间:肖特基二极管的反向恢复时间较短,可用于高频应用。
反向恢复时间短可以减小反向漏电流,从而提高二极管的效率。
2.低反向漏电流:肖特基二极管的反向漏电流很小,这是由于肖特基结区域的形成以及杂质浓度的控制。
较低的反向漏电流减小了功耗,并且可以提高开关电源的效率。
3.高正向导通电流:肖特基二极管具有较高的正向导通电流。
这是因为肖特基结的形成使得在正向工作区域电子与空穴复合速度加快,从而增大了电流。
4.低正向压降:肖特基二极管的正向压降很低,这是由于肖特基结的形成和材料的优化控制。
较低的正向压降可以减小功耗,并提高设备的效率。
四、500A肖特基二极管的应用领域500A肖特基二极管广泛应用于电源和开关电路中。
例如,它可以用于交流调直流电源以及开关电源等应用。
此外,肖特基二极管还常用于电动机驱动器、逆变器和UPS等场合,以提高设备的效率和可靠性。
肖特基二极管的应用引言肖特基二极管(Schottky Diode)是一种通过金属与半导体接触形成的二极管。
由于与常规PN结二极管相比,肖特基二极管具有更低的电压降、更高的开关速度和更小的反向恢复时间,因此在许多电子设备中得到了广泛应用。
这篇文章将详细描述肖特基二极管的应用场景、应用过程和应用效果。
应用背景随着电子设备的发展,人们对于电子器件的性能和效率要求越来越高。
而肖特基二极管正是满足这些需求的一种理想选择。
相比于传统的PN结二极管,肖特基二极管具有以下优势:1.低电压降:肖特基二极管的正向电压降非常低,通常在0.2V以下。
这意味着在电子设备中使用肖特基二极管可以降低能耗,提高效率。
2.快速开关速度:肖特基二极管具有快速的开关速度,反应时间只有纳秒级别。
这使得肖特基二极管非常适用于高频应用领域,如射频通信、雷达系统等。
3.低反向恢复时间:肖特基二极管的反向恢复时间相比PN结二极管要小得多。
这意味着在开关过程中,肖特基二极管可以迅速恢复到正常工作状态,减少了电磁干扰和损耗。
基于以上特点,肖特基二极管被广泛应用于各种电子设备和系统中。
应用过程1. 整流电路肖特基二极管的最基本应用就是作为整流器使用,将交流电转换成直流电。
在交流电源输入后,通过肖特基二极管的正向导电特性,将负半周的电流截断,只保留正半周的电流通过。
整流电路通常应用于电源适配器、电子变压器和直流电动机等领域。
肖特基二极管的低电压降使得整流过程中的能耗更低,整体效率更高。
2. 高速开关肖特基二极管在高频开关电路中应用广泛。
例如,肖特基二极管可以作为电平移动、开关电路的保护二极管,用于快速放电和充电过程。
将肖特基二极管应用于高速开关电路,可以显著降低开关时间,提高电路的响应速度。
这在通信系统、雷达系统和光纤传输中具有重要意义。
3. 混频器混频器是一种用于频率合成和调制的电路元件。
肖特基二极管的高速开关特性使其非常适合作为混频器的整流元件。
肖特基二极管整流一、什么是肖特基二极管肖特基二极管(Schottky diode)是一种特殊的二极管,由石墨和金属接触而成。
它具有非常低的回复时间、低电压损耗以及高工作频率的特性,常被用于高速开关、功率整流、电压转换等领域。
二、肖特基二极管的原理肖特基二极管的原理是基于肖特基效应。
当金属与半导体接触时,由于金属与半导体之间的势垒形成,电子会从金属转移到半导体中。
由于金属的电子云密度远高于半导体,电子从金属转移到半导体时不会留下空穴,因此没有复合电流。
这使得肖特基二极管的正向压降(正向偏置时的电压降)相对较低,导通电阻小,自带电压小于标准PN结二极管。
三、肖特基二极管的特点肖特基二极管具有以下特点:1.低电压损耗:由于肖特基二极管没有耗散在扩散区的电流,因此在正向导通时具有较低的电压降,使得能量损耗减少。
2.快速开关速度:由于肖特基二极管的结容量小,载流子注入和抽取速度快,具有较快的开关速度。
3.高工作频率:由于其快速开关速度,肖特基二极管适用于高频率应用,能够满足高速交换要求。
4.低反向漏电流:由于肖特基二极管没有扩散区,只有冲击离子化的反向电流,因此反向漏电流小。
5.温度特性好:肖特基二极管的反向特性稳定,温度变化对其性能影响较小。
四、肖特基二极管的应用1.功率整流器:由于肖特基二极管的低电压损耗和快速开关速度,可以用于功率整流电路,提高整流效率和功率因数。
2.电压倍增器:肖特基二极管可以用于电压倍增电路,实现输入电压的倍增。
3.开关电源:肖特基二极管的快速开关特性和高工作频率使其成为开关电源中的重要元件。
4.频率多重器:由于肖特基二极管的高工作频率,可以用于频率多重器,将输入信号的频率倍增。
5.调制解调器:肖特基二极管可以用于调制解调器中的整流和检波。
6.高频放大器:由于肖特基二极管的低噪声和高频特性,适用于高频放大器。
五、肖特基二极管的选型和应用注意事项选用肖特基二极管时,需要考虑以下因素:1.导通电压降:根据具体应用需求选择合适的导通电压降,以确保电路正常工作。
肖特基二极管的介绍一、肖特基二极管是啥呢?肖特基二极管呀,就像是电子世界里的一个小机灵鬼。
它在电路里可有着很独特的作用哦。
你看啊,它跟其他二极管比起来,就有自己的小个性。
它的结构就很有趣,有着金属 - 半导体的接触,这就使得它有一些特别的性能。
它最大的特点之一就是正向压降低。
这就好比是在一条路上,它的阻力比较小,电流通过的时候就比较顺畅,不需要消耗太多的能量就能让电流顺利通过。
这在很多对功耗要求比较严格的电路里,那可是相当重要的。
比如说在一些便携式的电子设备里,像手机呀、平板电脑之类的,每一点能量都很宝贵,肖特基二极管就能在这时候大显身手啦。
而且哦,它的开关速度还特别快。
就像是一个反应超级敏捷的小卫士,能快速地在导通和截止状态之间切换。
这在一些高频电路里就特别有用啦。
想象一下,在一个超级忙碌的电子高速公路上,需要快速地控制电流的通断,肖特基二极管就能轻松搞定。
二、肖特基二极管的应用场景在电源电路里,肖特基二极管可是常客呢。
因为它正向压降低的特性,在整流电路里可以提高电源的转换效率。
比如说在电脑的电源适配器里,它能让电能转换得更高效,这样电脑就能更好地工作,也不会因为电源转换效率低而产生过多的热量。
在射频电路里,它也有自己的一片天地。
由于它开关速度快,在处理高频信号的时候就不会拖后腿。
像在一些无线通信设备里,它能确保信号的准确传输,不会让信号失真或者延迟。
还有在保护电路里,它也能起到很重要的作用。
当电路中出现异常的电压或者电流的时候,肖特基二极管可以像一个勇敢的守护者一样,防止其他元件受到损害。
三、肖特基二极管的分类肖特基二极管也有不同的种类呢。
按照封装形式分,有贴片式的和插件式的。
贴片式的肖特基二极管就比较小巧,适合在那些空间比较紧凑的电路板上使用,就像是住在小公寓里的小电器,虽然地方小,但是功能一点也不少。
插件式的呢,相对来说体积会大一点,不过它在一些对功率要求比较高的电路里可能会更适用,就像是一个力气大的大块头,能承担更重的任务。
肖特基二极管求助编辑百科名片肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
目录简介原理优点结构封装特点应用作用检测性能比较检测方法其它高压SBDSiC高压SBD展开编辑本段简介肖特基二极管是以其发明人华特‧肖特基博士(Walter Hermann Schottky,1886年7月23日—1976年3月4日)命名的,SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
编辑本段原理肖特基二极管肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。
肖特基二极管的原理和封装介绍一、肖特基二极管原理肖特基二极管是由德国物理学家沃尔特·肖特基发明的一种二极管。
与普通二极管不同的是,肖特基二极管的结电容很小,开关速度很快,具有低电压降和较高的阻值等优点。
肖特基二极管的原理是在p型半导体与金属之间形成Schottky势垒,使得电流从p型半导体流向金属时,需要克服这个势垒,同时由于金属具有一定的能带结构,肖特基二极管还可以将电流从金属转移到p型半导体。
因此,肖特基二极管具有更低的前向压降和开关速度快的特点。
二、肖特基二极管封装介绍肖特基二极管的封装形式有多种,常见的有TO-220、SOT-23、SMB等形式。
下面分别进行介绍:1. TO-220封装:TO-220是肖特基二极管常用的封装形式,由于其结构紧凑、安装简便等优点,应用范围广。
TO-220封装的肖特基二极管可以承受一定的电流和功率,但由于体积较大,适用于一些对封装体积要求不高的应用场景。
2. SOT-23封装:SOT-23封装是一种非常小巧的封装形式,体积仅为TO-220的1/10左右,非常适合于轻量化、小型化的应用场景。
由于体积较小,其承受的电流和功率较低,但在电子设备中的应用非常广泛。
3. SMB封装:SMB封装是一个面积较小的封装形式,适合于高密度集成的应用场景。
由于体积小,电容值和电阻值相对较小,通常用于高频电路或路由器等设备中。
总之,肖特基二极管的封装形式多种多样,我们需要根据应用需求选择合适的封装形式。
结语:肖特基二极管的应用范围非常广泛,包括电源管理、变换器、放大器、模拟信号处理等领域。
掌握其原理和封装形式,能够在使用过程中更加准确地选择和应用。
肖特基二极管肖特基二极管是一种特殊的二极管。
与普通的硅二极管相比,肖特基二极管采用了金属与半导体的接触,来替代传统的PN 结。
这种接触方式使得肖特基二极管具有了很多独特的性质和应用。
肖特基二极管的工作原理基于肖特基效应,也就是金属与半导体之间的Schottky接触形成的电势垒。
当金属与半导体之间存在一定的电势差时,电子会从半导体向金属方向流动,形成一个肖特基势垒。
这种势垒比PN结的势垒要低很多,因此肖特基二极管的导通压降较低,开关速度较快。
第一次发现肖特基效应的是德国物理学家沃尔夫冈·肖特基(Wolfgang Schottky)于1938年。
他发现当金属与半导体相接触时,存在一个很薄的正电荷区域,被称为肖特基势垒。
这个势垒的高度与金属与半导体的工函数有关,通常在0.2V至0.4V之间。
由于肖特基二极管的肖特基势垒较低,因此具有以下几个特点:1. 低导通压降:由于肖特基二极管的肖特基势垒较低,导致其导通电压较低,通常在0.15V至0.45V之间。
而普通的硅二极管的导通电压通常为0.6V至0.7V。
因此,肖特基二极管在低压下可以实现更低的功耗,并且减少了对电源的要求。
2. 较快的开关速度:由于肖特基二极管的肖特基势垒较低,电子在电势垒上更容易穿隧,因此它的开关速度更快。
这使得肖特基二极管广泛应用于高频电路、快速开关和功率控制电路等领域。
3. 较低的反向漏电流:由于肖特基二极管的肖特基势垒较低,反向漏电流也比较小。
这使得肖特基二极管在一些对反向漏电流有严格要求的电路中更为适用。
4. 低噪声:由于肖特基二极管的电压噪声较低,因此在一些对噪声要求较高的应用中,如低噪声放大器、射频接收器等,肖特基二极管可以作为关键元器件。
肖特基二极管的应用非常广泛。
由于其低导通压降和快速开关速度,肖特基二极管被广泛应用于电源和放大器电路中,以减少功耗和提高效率。
此外,由于其低反向漏电流和低噪声,肖特基二极管也广泛应用于射频电路和通信系统中。
肖特基二极管参数
肖特基二极管是一种特殊的二极管,由德国科学家沃爾夫冈·肖特基
在20世纪20年代开发出来。
它与普通PN结二极管相比具有更高的速度
和更低的反向漏电流。
肖特基二极管的参数包括导通压降、正向电阻、反
向漏电流、速度、能耗和可靠性等。
首先,肖特基二极管的导通压降通常比普通PN结二极管低。
这意味
着在正向偏置时,肖特基二极管可以更快速地导通,从而减小开关时间和
功耗。
其次,肖特基二极管的正向电阻相对较小。
这意味着在正向偏置时,
肖特基二极管可以更快速地通过电流,从而减小电压损失和功耗。
同时,肖特基二极管的反向漏电流相对较低。
这意味着在反向偏置时,肖特基二极管的漏电流很小,可以减小功耗和热损耗。
另外,肖特基二极管还具有较高的速度。
这是由于它的PN结处没有
扩散区域,从而减小了载流子的传输时间,提高了开关速度。
此外,肖特基二极管的能耗相对较低。
这是由于它的导通压降和正向
电阻较小,从而减小了功耗和热损耗。
最后,肖特基二极管在高温环境下也有很好的可靠性。
这是由于其结
构和材料的特性使得它具有较好的热稳定性和长寿命。
总之,肖特基二极管的参数使得它在许多领域中得到了广泛应用,例
如高速开关电路、功率电子、时钟和数字电路等。
它的高速度、低能耗、
低反向漏电流以及较高的可靠性都使得它成为了现代电子器件中重要的组
成部分之一。
肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用,是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面,通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是74LS,74ALS,74AS 等典型数字IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。
在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。
1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如 1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
肖特基二极管参数肖特基二极管(parameter of Schottky diode)肖特基二极管是一种快速开关和整流器件,具有高速响应和低电压损耗的特点。
它是由石墨、金属等组成的亚稳态材料构成的,可以在高频运输中更好地工作。
肖特基二极管具有以下参数:1)峰值重复电压(PRV):这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
PRV决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
在肖特基二极管的情况下,PRV比普通二极管要低一些,因为它是由金属构成,难以承受高电压。
2)正向电流(IF):这是设备在正向导通模式下能够承受的最大电流。
在肖特基二极管的情况下,IF可以达到数百安培,使其成为快速开关电路的理想选择。
3)反向电流(IR):这是设备在反向偏置模式下经受的最大电流。
在肖特基二极管中,IR通常小于或等于1微安,这是因为它不是典型PN结二极管中产生少数载流子扫描的结果,而是因为它本身的物理属性发生变化。
4)正向电压降(VF):这是二极管在正向导通模式下,产生的电压降。
肖特基二极管的VF很低,通常在0.3V 以下,这是由于其特殊的材料组成和界面结构确定的特性。
5)反向恢复时间(TRR):这是二极管在正向导通后,快速回到截止状态所需的时间。
在肖特基二极管的情况下,TRR非常短,通常在ns级别,使之成为高速开关电路的理想选择。
6)热稳定性:这是指在不同工作温度下,设备性能的改变程度。
对于肖特基二极管,热稳定性很好,这是由于其结构和材质具有高温稳定性。
肖特基二极管的优点:1)速度快:由于它的结构和物理属性,肖特基二极管的响应速度非常快,具有精确的开关行为。
2)电压降低:由于其低VF,肖特基二极管消耗的能量非常低。
这可以节省能源,降低系统成本。
3)高温稳定性:肖特基二极管在高温下的性能稳定,可以在一些极端条件下运作。
肖特基二极管的缺点:1)不适合高电压应用:由于其材质较脆,肖特基二极管不能承受较高的电压。
2)有限的PRV:虽然这是一个非常快速的开关装置,但其峰值重复电压相对较低,不适合在高电压电路中使用。
肖特基稳压二极管
肖特基稳压二极管是一种特殊的二极管,其工作原理与普通二极管有所不同。
肖特基二极管使用金属-半导体接触势垒代替了普通二极管的PN结,因此具有更低的导通电压降和更高的工作频率。
同时,肖特基二极管具有更强的正向导通能力和反向耐压能力,因此被广泛应用于各种电子电路中,如开关电源、整流器、电压调节器等。
肖特基稳压二极管在电路中通常起到稳压的作用,其工作原理主要是利用了其反向击穿特性。
当肖特基二极管的反向电压达到一定程度时,会发生反向击穿,导致电流迅速增加,而电压基本保持不变。
利用这一特性,可以将肖特基二极管作为稳压器使用,以保持输出电压的稳定。
肖特基稳压二极管的选择和使用需要考虑到其额定电流、额定电压、正向压降、反向击穿电压等参数,以及散热和安装方式等因素。
在选择和使用时,需要遵循相关电气规范和安全要求,以确保电路的安全和稳定。
总之,肖特基稳压二极管是一种特殊的电子元件,其工作原理和特性使其在各种电子电路中得到广泛应用。
了解其工作原理、特性和使用方法,对于正确使用肖特基稳压二极管并发挥其最佳性能具有重要意义。
BTA54C BTA54S
DO41
SCHOTTKY:取第一个字母“S”,SMD:Surface Mounted Devices的缩写,意为:表面贴装器件,取第一个字母“S”,上面两个词组各取第一个字母、即为SS,同普通硅二极管一样,肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
不同的是,普通二极管的工作是利用半导体PN结的单向导电特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用,它在开关没有时存储电荷和移动效应。
所以,肖特基二极管的开关速度非常快,反向恢复时间t rr很短(小于几十ns);同时,其正向压降V F较小,尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路,具有较高的整流效率和可靠性。
这是肖特基二极管的两大优点,但肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压V R较低,二是反向漏电流I R较大。
肖特基的最高电压是200V,也就是说,肖特基的极限电压是200V。
超过200V电压的也必定是模块。
电流越大,电压越低。
与可控硅元件不一样。
电流与电压成反比(模块除外)。
10A、20A、30A规格的有做到200V电压。
电流最小的肖特基是BAT42(0.2A);BAT54、BAT54A、BAT54C(0.3A);电流最大的肖特基是440A,如:440CMQ030、444CNQ045;超过440A的必定是模块。
关于肖特基MBR系列
为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名?
因为最早是摩托罗拉产品型号
M:是以最早MOTOROLA的命名,取M
B:Bridge 桥;Barrier:势垒
R:Rectifier,整流器
“MBR”意为整流器件
例如:MBR10200CT
M:MOTOROLA 缩写M
B:Barrier缩写B
R:Rectifier 缩写R
10:电流10A
200:电压200V
C:表示TO-220AB封装,常指半塑封。
T:表示管装
MBR1045CT,其中的“C”:表示TO-220封装;
MBR6045PT,其中的“P”:表示TO-3P封装
元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现,
例如:
MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装,即TO-252
MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装,即TO-263
MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220F全塑封
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
各厂家命名有不同。
如:SS12、SS14、SS16、SS18....
常用的参数
(1) V F正向压降Forward Voltage Drop
(2) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage
(3) I R反向电流Reverse Current
(4) I F(AV)正向电流Forward Current
(5) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop
(6) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage
(7) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage
(8) V DC最大直流截止电压Maximum DC Blocking Voltage
(9) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time
(10) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent
(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature
(12) T J工作结温Operating Junction Temperature
(13) T STG储存温度Storage T emperature Range
(16) T C管子壳温Case Temperature。