ACF选型规范
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LCM各材料條件表H/S 一般(OLB BONDING)(黑鉛M ,信越KN TYPE)WINTEK 信越(LA TYPE)WINTEK10實出力單位(kgf)FPC 2.5L±10﹪(OLB BONDING)(2004/06/11制定)ACF (OLB BONDING)ACF (ILB BONDING)LCDPCB實溫時間(SEC)實出力實溫時間(SEC)PITCH<0.5mm4.5Mpa*刀頭寬度*熱壓紙長度實出力(±5℃)(N±5%)(±5℃)(N±5%)165124Mpa*刀頭寬度*熱壓紙長度16074Mpa*刀頭寬度*熱壓紙長度1607PITCH≧0.5mm5.5Mpa*刀頭寬度*熱壓紙長度16512同上15010同上1.刀頭選擇方式為LCD interface(可壓著區)-1mm 後無條件捨去取至小數點後第一位;EX LCD interface 為2.5(2.5-1=1.5),選1.5mm 刀頭,LCD interface 為2.9(2.5-1=1.9),往下 取最接近之刀頭 → 選1.5mm刀頭。
2.熱壓紙長度一律以外形長度為計算值。
3.通用熱壓刀頭有1.0mm、1.5mm、2.0mm。
4.特殊熱壓刀頭有1.3mm、3.0mm。
4.5Mpa*刀頭寬度*熱壓紙長度150FOR COG實溫時間(SEC)實出力實溫時間(SEC)(±10℃)單位(N)鍍Au200122Mpa*W(刀頭寬)*LFOR TAB,組立200±10℃12鍍Sn-Pb170±5℃18170±5℃18L=為FPC MARK 到 MARK 距離(mm)uv能量(mj/c㎡)溫度樂泰LP-175450±30MAX 60℃1000±100MAX 60℃EU-552站別實溫時間(SEC)實出力適用ACF種類60±10N ALL ACF(TAB)單位(N)ACF貼付50±20℃1150±20N 121.25Mpa*L(TCP之mark長)mm*1.25mm(刀頭寬)本壓3.5Mpa*L(TCP之mark長)mm*1.25mm(刀頭寬)ALL ACF(TAB)單位(N)假壓50±20℃1CP-9231S 單位(N)CP-9920IS AC-7106U COF/單位(N)CP-9731S9TCP/200±10℃CP-8830IH (COG自動機)單位(Mpa)CP-8830IH4ACF貼付120±20℃10.1-0.3 Mpa製表:黃舜瑜 2004/06/05核準擬案。
1 目的
规范研发开案阶段ACF选型,与IC&FPC搭配最优化,减少制程bonding不良及后期失效不良;
对ACF厚度/宽度、金球密度、金球大小、粒子捕捉率、可靠性等执行标准及要求。
2 范围
适用于研发中心新开案项目ACF选型,COG/FOG/TP-FOG等制程。
3 定义
ACF:异方性导电膜
4 职责
项目研发:本文件由研发项目部参考选型,并通知工艺技术人员参与评审;
工艺技术:选型要求、ACF型号更新导入,由工艺技术部负责,并参与项目评审过程。
5 运作程序(COG绑定ACF)
5.1 COG ACF宽度/长度:
5.1.1通过对IC规格尺寸确认及宽度测量,根据IC宽度进行匹配ACF宽度,同时ACF预贴精度考虑在内,
理论ACF宽度≥ IC宽度 + 2×偏位精度,同时要避免ACF过宽造成的ACF之间有重叠现象;我司ACF 预贴精度±0.1mm)具体选型匹配规范如下:
5.1.1 IC宽度+ACF预贴精度≤1.0mm,ACF选型宽度1.2mm
5.1.2 1.0mm<IC宽度+ACF预贴精度≤1.3mm,ACF选型宽度1.5mm
5.1.3 1.3mm<IC宽度+ACF预贴精度≤1.8mm,ACF选型宽度2.0mm
5.1.4 1.8mm<IC宽度+ACF预贴精度≤2.3mm,ACF选型宽度2.5mm
5.1.2长度:ACF的邦定长度应根据邦定IC尺寸长度决定,通常ACF两端余量控制在0.5~1.0mm之间
如下图,可减少ACF两端ACF与玻璃发生剥离的风险;
生效日期: 文件名称
ACF 选型规范
发放序号:
5.2 COG 绑定ACF 厚度:
根据IC 不同的结构设计(bump 高度、bump 间隙、bump 面积、bump 高度一致性),
选择合理的ACF ,应满足以下要求:
➢ 无ACF 厚度填充不足造成的ACF 气泡、分层等不良; ➢ 无ACF 过厚引起的ACF 溢胶,外侧bump 金球粒子浅;
➢ 无导电粒子直径小引起的ACF 接触不良、粒子浅和内应力过大的问题(Gap 过大);
厚度选型参考表格1;计算方式如下:
ACF 厚度选择>h1+h2+ITO 电极高度(通常会忽略此项);选择比较接近厚度的ACF 。
5.3 ACF 的流动性:
NCF 层为流动性大,主要是起到填充gap 的作用,ACF 流动性小,避免粒子流失; NCF 层厚度>ACF 层厚度,差值愈大愈好;参考表格1;
5.4 ACF 的粒子直径:
应根据IC bump 宽度、粒子密度、综合评估粒子直径,理论上粒子越大越好,参考表格1;
IC
ACF
glass
ACF 宽度:≥IC 宽度﹢2×0.1mm ACF 两端余量:0.5-1.0mm 之间
h1 IC bump 高度h2 粒子压着后的高度
同时粒子大小需与最小间隙一起评估,避免粒子大、间隙小而导致短路发生;
无偏位时,bump space≥4倍导电粒子直径;偏位时bump space≥2倍导电粒子直径
5.5 ACF的密度+最小接触面积:
粒子密度取决于单颗bump最小接触面积,单颗bump上粒子应满足≥5颗;
最小接触面积,取决于IC bump和玻璃pad的设计尺寸,同时还考虑bonding偏移(<30%),综合起来应满足-3Sigma≥5颗;参考表格1;
5.5.1 当线路和IC设计最小接触面积无法满足以上条件时,可选择阵列式和超分散ACF降低可靠
性分析。
5.6 ACF本压温度:
5.6.1 对于较薄基体(IC & Glass厚度≤0.2mm)、细间距设计(Min. Area≤500um2),为减少温度
产生的warpage效应(影响COG Mura的严重程度),建议选用低温型ACF(130℃~160℃);
5.6.2 当邦定基体较厚(IC & Glass厚度≥0.3mm)、Regular 或Rough Pitch(Min. Area≥1000um2)
时,建议选用高温ACF(160℃~220℃),根据产品的应用,注意考虑可靠性的选择。
5.7 可靠性特性选择:
5.7.1 Tg温度:Tg越高时,COG邦定粘接强度越强,耐湿气侵入能力越强,其邦定可靠性越好
选择Tg≥150℃。
有Hast要求时,优先选择Tg≥180℃;
5.7.2 如FOG选择高温(本压温度>175℃)ACF时,那么COG需选择Tg温度高于FOG本压温度的
ACF来搭配;避免出现COG ACF二次热反应造成软化,而出现粘接强度降低;
5.7.3 热膨胀系数:ACF的热膨胀系数越大时,在温度应力作用下,尺寸变化越剧烈,与IC、glass
的匹配性越差,可靠性就越差;CTE越小,则在温度应力下尺寸越稳定,可靠性越高。
建议ACF选型时,选择:α1≤75 ppm/℃,α2≤245 ppm/℃。
5.7.4 当ACF的弹性模型较大,且在高温环境应力下越稳定(变化率越小)时,则ACF的弹性变
形量越小,尺寸变化微弱,可靠性越高。
1)弹性模量≥2.7Gpa@30℃;
2)固化后ACF的软化温度(弹性模量急剧变化时)>110℃;
5.7.5 吸水性:ACF吸水率越小,耐湿气能力越强,可靠性相对越高。
建议ACF选型时:
固化后ACF吸水系数<1%。
表格1
表格1
5.8存储条件:参考<<ACF使用规范>>
6 运作程序(FOG绑定ACF)
6.1 FOG绑定ACF厚度:
根据FPC不同的结构设计(leader高度、leader间隙、leader面积、leader厚度一致性),选择合理的ACF,应满足以下要求:
➢无ACF厚度填充不足造成的ACF气泡、分层等缺陷;
➢无ACF过厚引起的ACF溢胶;
➢无导电粒子直径小引起的ACF接触不良、粒子浅和内应力过大的问题(Gap过大);
6.2 FOG ACF的密度+最小接触面积:
粒子密度取决于单根leader最小接触面积,单根leader上粒子应满足≥10颗;
最小接触面积,取决于单根leader和玻璃pad的设计尺寸,同时还考虑bonding偏移(<
30%),综合起来应满足-3Sigma≥10;参考表格2
表格2
6.3 FOG ACF的粒子直径:
应根据单根leader宽度、粒子密度、综合评估粒子直径,理论上粒子越大越好,参考表格2;
同时粒子大小需与最小间隙一起评估,避免粒子大、间隙小而导致短路发生;
无偏位时,bump space≥4倍导电粒子直径;偏位时bump space≥2倍导电粒子直径。
6.4 存储条件:参考<<ACF使用规范>>。