《半导体器件物理》复习题2012
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1 2012.12
V
( 1 ) p-n 结势垒区中存在有空间电荷和强的电场。 (V)
( 2 )单边突变的 p+ -n 结的势垒区主要是在掺杂浓度较高的 p+型一边。(× )
( 3 )热平衡、非简并 p-n 结(同质结)的势垒高度可以超过半导体的禁带宽度。 ( ×)
(4)突变 p-n 结因为是由均匀掺杂的 n 型半导体和 p 型半导体构成的，所以势垒区
中的电场分布也是均匀的。 (×)
( 5 )因为在反向电压下 p-n 结势垒区中存在有较强的电场，所以通过 p-n 结的反向
电流主要是多数载流子的漂移电流。 ( × )
( 6 ) p-n 结所包含的主要区域是势垒区及其两边的少数载流子扩散区。 (V)
( 7 ) p-n 结两边准费米能级之差就等于 p-n 结上所加电压的大小。 ( V ) 1
( 8 ) 金属与半导体接触一般都形成具有整流特性的 Schottky 势垒，但如果金属与较
高掺杂的半导体接触却可以实现欧姆接触。 (V)
(9)BJT 的共基极直流电流增益α0，是除去集电极反向饱和电流之外的集电极电流与
发射极电流之比。 ( V ) 2 ( 10 ) BJT 的特征频率 fT 决定于发射结的充电时间、载流子渡越中性基区的时间、集
电结的充电时间和载流子渡越集电结势垒区的时间。 (V)
( 11 )集电极最大允许工作电流 ICM 是对应于晶体管的最高结温时的集电极电流。 (×)
( 12 )使 BJT 由截止状态转换为临界饱和状态，是由于驱动电流 IBS =I CS/β≈VCC/βRL
的作用；而进一步要进入过驱动饱和状态，则还需要人为地在集电极上加正向电压。 ( ×)
( 13 )在过驱动饱和状态下工作的 BJT ，除了需要考虑基区中的少数载流子存储效应
以外，还需要考虑集电区中的少数载流子存储效应。 (V)
( 14 ) 异质结双极型晶体管 (HBT)，由于采用了宽禁带的发射区，使得注射效率与发
射结两边的掺杂浓度关系不大，所以即使基区掺杂浓度较高，也可以获得很高的放大系数
和很高的特征频率。 ( V )
( 15 )对于耗尽型的长沟道场效应晶体管， 在栅极电压一定时，提高源-漏电压总可以
使沟道夹断。 ( V )
( 16 )当耗尽型场效应晶体管的沟道被夹断以后，沟道就不能够再通过电流了，漏极
电流将变为 0。 ( × )
2 ( 17 )对于场效应晶体管，缓变沟道近似就是把栅极电压产生的电场的作用和源 -漏电
压产生的电场的作用分开来考虑，这种近似只适用于长沟道晶体管，对短沟道晶体管并不
适用。 (V)
( 18 )场效应晶体管沟道区域的掺杂浓度越大，器件的阈值电压就越高。 ( V ) 3 ( 19 )对于 MOSFET ，当出现沟道以后，栅极电压再增高，半导体表面以内的耗尽层
的厚度就不再增大了。 ( V )
( 20 )增强型 MOSFET 是在不加栅极电压时存在有沟道、能够导电的一种场效应晶
体管；耗尽型 MOSFET 是在不加栅极电压时无沟道、不导电的一种场效应晶体管。 ( × )
( 21 )MOSFET 的亚阈值斜率(摆幅)S 值的大小反映了 MOSFET 在亚阈区的开关性能，
要求越小越好。 ( V )
( 22 ) 短沟道 MOSFET 的阈值电压，由于电荷 共“享”的缘故，将有所降低。 ( V )
( 23 )窄沟道 MOSFET 的阈值电压将有所升高，原因是栅极的“边缘场”、或者实
际上是场区表面掺杂所造成的。 ( V )
( 24 ) MOSFET 沟道中的热电子主要是出现在漏极一端，它对于小尺寸 MOSFET 以
及 MOS-VLSI 的性能退化或者失效的影响不大。 ( × )
( 25 ) MOSFET 的击穿机理有漏结雪崩击穿、 S-D 穿通和沟道雪崩击穿三种；而短沟
道 MOSFET 的击穿主要是沟道雪崩击穿和 S-D 穿通。 ( V )
3 ( 26 ) MOS- 数字 VLSI 中器件的小型化要求， 实际上就是要减小源和漏的结深、 减薄
栅氧化层厚度以及降低电源电压或提高衬底的掺杂浓度。 (V)
( 27 ) CMOS 具有输出电压摆幅大(无阈值损失)、噪声容限大、静态功耗低等优点，
很适宜于大规模集成。 ( V ) 4 ( 28 )对于 SOI 衬底的 MOS-VLSI ，一般是采用薄半导体膜的耗尽型 MOSFET，因
为它具有优异的短沟特性和近似理想的亚阈斜率等优点。 (V)
( 1 ) 提高半导体的掺杂浓度， p-n 结的势垒高度将会_增大 __， p-n 结的势垒厚度
将会___；如果重掺杂，使半导体达到高度简并时， p-n 结的势垒高度将会_减小__
_。 (增大；减小；不变)
( 2 ) 当环境温度升高时， p-n 结的势垒高度将会_减小___， p-n 结的势垒厚度将
会_减小__， p-n 结的正向压降将会__减小___。 (增大；减小；不变)
( 3 )半导体耗尽层就是其中不存在有_任何载流子____的区域。
(任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电荷)
(4)线性缓变 p-n 结的雪崩击穿电压要_高于__突变 p-n 结的击穿电压。
(高于；低于；等于)
4 ( 5 ) 同时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量是_ 扩散长度_ _
_。 (迁移率；扩散系数；扩散长度)
( 6)决定通过 p-n 结电流大小的主要因素是_少数载流子扩散的浓度梯度 _。
(少数载流子扩散的浓度梯度；多数载流子的浓度；载流子的漂移速度；势垒区中的 5 电场)；限制 p-n 结电流大小的主要区域是_势垒区两边的中性扩散区 _。 (存在有电场
的势垒区；势垒区两边的中性扩散区；势垒区和扩散区以外的中性区)
( 7)通过 p+-n 结的电子电流__小于___空穴电流。 (大于；小于；等于)
( 8 )对于 Si 的 p-n 结，其反向电流主要是_势垒区中复合中心的产生电流 _。
(在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合中心的产生电流；势垒区中的漂移
电流) 温度升高时， Si p-n 结的反向电流将_指数增加 _。 (线性增加；指数增加；快
速下降；不变)
( 9 ) p-n 结在正向电压下呈现出的电容，有__势垒电容和扩散电容 ____。
(势垒电容；扩散电容；势垒电容和扩散电容)
( 10)由金属 -半导体接触构成的 Schottky 二极管，是_多数载流子器件___。
(少数载流子器件；多数载流子器件) 与 p-n 结二极管相比， Schottky 二极管具有
____较低__的正向电压。 (较高；较低；相等)
( 11 )对于放大状态的 n+ -p-n 晶体管，通过基极的电流分量包括有_在基区复合的 5 电子电流，在发射区注入空穴的扩散电流，在基区抽取的电子的扩散电流，发射结势垒区
中复合中心的电流 _。
( 12 ) BJT 的 ICEO 要比 ICBO 约大___β 0 _ _ _ _倍。 (α0 ；β 0 ) 6 ( 13 ) BJT 的发射极电流集边效应是由于_基区扩展电阻__而产生的。
(发射极串联电阻；基区扩展电阻；基区展宽效应；基区电导调制效应)
( 14 ) Early 效应是由集电结电压变化__所引起的，其基本涵义是_______
___； Kirk效应是由_大的发射极电流_所引起的，其基本的涵义是 。(发
射结电压变化；集电结电压变化；高的集电结电压；大的发射极电流；大的基极电流)
( 15 ) BJT 的集电结与单独的 p-n 结相比(在可类比的情况下) ，它通过的电流要_
大_，其击穿电压要_低__。 (大；小；高；低)
( 16 ) 影响双极型晶体管耗散功率的主要因素是_ _ _ _ 热阻_ _ _ 。 (基极电阻；
击穿电压；集电极最大允许工作电流；热阻)
( 17 ) BJT 的开关时间一般主要决定于_基区和集电区中过量存储电荷消失的时间_
_。
(发射结的充放电时间；基区和集电区中过量存储电荷消失的时间；集电结的充放电
时间)
( 18 )与双极型晶体管不同，场效应晶体管是_电压控制__器件(电压控制；电流
6 控制) ，是__多数__载流子器件(多数；少数) 。
( 19 )MOSFET 的阈值电压基本上包含有_栅氧化层上的电压， 使半导体表面产生强
反型层所需要的电压，平带电压[包含金属-半导体的功函数差和 SiO2/Si 系统内部和界面的
电荷]___________几个部分的电压。
