光感式传感器原理及其应用

  • 格式:doc
  • 大小:132.50 KB
  • 文档页数:10

下载文档原格式

  / 10
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

机电工程系

传感器与检测技术学习报告

专业班级:生产过程自动化14-2

姓名:张鹏宇

学号:2014060319

项目名称:光感式传感器的应用与发展指导教师:刘辉

评定成绩:

2015年12月15日

摘要:光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测光量变化或直接引起光量变化的非电量,也可用于检测能转换成光量变化的其他非电量。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电式传感器具有响应快、精度高、能实现非接触测量等优点,而且可测参数多,传感器的结构简单,形式灵活多样,因此,光电式传感器在检测和控制领域应用非常广泛。

关键词:光电式传感器;检测光量变化;电信号;检测与控制。

1 前言

传感器是将感受的物理量、化学量等信息,按一定规律转换成便于测量和传输的信号的装置。电信号易于传输和处理,所以大多数的传感器是将物理量等信息转换成电信号输出的。例如传声器就是一种传感器,它感受声音的强弱,并转换成相应的电信号。又如电感式位移传感器能感受位移量的变化,并把它转换成相应的电信号。

光电测量时不与被测对象直接接触,光束的质量又近似为零,在测量中不存在摩擦和对被测对象几乎不施加压力。因此在许多应用场合,光电式传感器比其他传感器有明显的优越性。

2 光电式传感器工作原理

2.1 光电效应

光电效应是光照射到某些物质上,使该物质的导电特性发生变化的一种物理

现象,可分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应(光生伏特效应包含于内光电效应,在此为特意列出)三类。

外光电效应是指在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象。光子是以量子化“粒子”的形式对可见光波段内电磁波的描述。光子具有能量hν,h为普朗克常数,ν为光频。光子通量则相应于光强。外光电效应由爱因斯坦光电效应方程描述:

EK=hν-W

当光子能量等于或大于逸出功时才能产生外光电效应。因此每一种物体都有一个对应于光电效应的光频阈值,称为红限频率。对于红限频率以上的入射光,外生光电流与光强成正比。

内光电效应是指在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应,分为光电导效应和光生伏特效应两类。光电导效应是指,半导体材料在光照下禁带中的电子受到能量不低于禁带宽度的光子的激发而跃迁到导带,从而增加电导率的现象。能量对应于禁带宽度的光子的波长称光电导效应的临界波长。光生伏特效应指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。

光生伏特效应首先是由光子转化为电子、光能量转化为电能量的过程;其次,是形成电压过程。可分为势垒效应(结光电效应)和侧向光电效应。势垒效应的机理是在金属和半导体的接触区(或在PN结)中,电子受光子的激发脱离势垒(或禁带)的束缚而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下电子移向N区外侧,空穴移向P区外侧,形成光生电动势。侧向光电效应是当光电器件敏感面受光照不均匀时,受光激发而产生的电子空穴对的浓度也不均匀,电子向未被照射部

分扩散,引起光照部分带正电、未被光照部分带负电的一种现象。

2.2 光电器件

基于光电效应原理工作的光电转换元件称为光电器件或光敏元件。光电效应分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应,相对应的光电器件也有光电发射型、光导型和光伏型三种。

光电发射型光电器件有光电管和光电倍增管;光导型光电器件有光敏电阻、光敏二极管和光敏三极管;光伏型光电器件有光电池。

光电器件的基本特性有光电特性和光照特性、光谱特性、伏安特性、频率特性以及温度特性。

光电式传感器是以光为媒介、以光电效应为基础的传感器,主要由光源、光学通路、光电器件及测量电路等组成。

光电式传感器的基本类型有透射式、反射式、辐射式、遮挡式和开关式。

2.3.1 外光电效应器件工作原理

光电管是利用外光电效应制成的光电元件,其外形和结构如图1所示,半圆筒形金属片制成的阴极K 和位于阴极轴心的金属丝制成的阳极A 封装在抽成真空的玻壳内,当入射光照射在阴极上时,单个光子就把它的全部能量传递给阴极材料中的一个自由电子,从而使自由电子的能量增加h 。当电子获得的能量大于阴极材料的逸出功A 时,它就可以克服金属表面束缚而逸出,形成电子发射,这种电子称为光电子。

根据能量守恒定律有

A -h m 2

12νν= 式中,m 为电子质量;v 为电子逸出的初速度。由上式可知,要使光电子逸

出阴极表面的必要条件是h>A 。由于不同材料具有不同的逸出功,因此对每一种阴极材料,入射光都有一个确定的频率限,当入射光的频率低于此频率限时,不论光强多大,都不会产生光电子发射,此频率限称为“红限”。相应的波长λK 为 A hc K =λ 式中,c 为光速;A 为逸出功。光电管正常工作时,阳极电位高于阴极,如图2所示。在入射光频率大于“红限”的前提下,从阴极表面逸出的光电子被具有正电位的阳极所吸引,在光电管内形成空间电子流,称为光电流。此时若光强增大,轰击阴极的光子数增多,单位时间内发射的光电子数也就增多,光电流变大。在图2所示的电路中,电流I Ф和电阻只RL 上的电压降U0就和光强成函数关系,从而实现光电转换。

图1 光电管结构示意图

图2 光电管测量电路图

由于真空光电管的灵敏度低,因此人们研制了具有放大光电流能力的光电倍增管。图3是光电倍增管结构示意图。

图3 光电倍增管结构示意图

光阴极的量子效率是一个重要的参数。波长为λ的光辐射入射到光阴极时,一个入射光子产生的光电子数,定义为光阴极的量子效率。光阴极有很多种,常用的有双碱,S11及S20三种。光阴极通常由脱出功较小的锑铯或钠钾锑铯的薄膜组成,光阴极接负高压,各倍增极的加速电压由直流高压电源经分压电阻分压供给,灵敏检流计或负载电阻接在阳极A处,当有光子入射到光阴极K上,只要光子的能量大于光阴极材料的脱出功,就会有电子从阴极的表面逸出而成为光电子。在K和D1之间的电场作用下,光电子被加速后轰击第一倍增极D1,从而使D1产生二次电子发射.每一个电子的轰击约可产生3~5个二次电子,这样就实现了电子数目的放大。D1产生的二次电子被D2和D1之间的电场加速后轰击D2,……。这样的过程一直持续到最后一级倍增极Dn,每经过一级倍增极,电子数目便被放大一次,倍增极的数目有8~13个,最后一级倍增极Dn发射的二次电子被阳极A收集。若倍增电极有n级,各级的倍增率为б,则光电倍增管的倍增率可以认为是бn,因此,光电倍增管有极高的灵敏度。在输出电流小于1mA的情况下,它的光电特性在很宽的范围内具有良好的线性关系。光电倍增管的这个特点,使它多用于微光测量。若将灵敏检流计串接在阳极回路中,则可