石墨烯常用制备方法
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石墨烯常用制备方法
一、石墨烯常用制备方法
1、气相沉积(CVD)
气相沉积(CVD)属于一种分子气相化学反应,它是在高温(一般情况下在550-950℃)和高压(一般在100-1000pa)的条件下,将原料通过催化剂转变为石墨烯电催化膜的制备方法。
优点:有温控,可以控制膜的厚度和结构。
缺点:需要高温和高压的条件,可能导致电催化膜品质不好。
2、硅基模板制备法
硅基模板制备法是通过化学气相沉积(CVD)在硅基模板上形成石墨烯的制备方法。此方法在多晶硅基模板上形成石墨烯膜,经过后续处理去除模板,形成石墨烯膜。
优点:此方法可以在室温条件下进行,操作简便;可以得到高质量的石墨烯膜。
缺点:膜的厚度受模板的厚度影响较大;制备过程比较复杂。
3、电沉积制备法
电沉积制备法是在电极上通过催化剂和原料的反应,利用催化反应产生的电子电子反馈参与沉积物质,从而制备石墨烯的方法。
优点:操作简便,制备过程较快;不受模板的厚度影响,可以控制膜的厚度;可以得到高质量的石墨烯膜。
缺点:需要精确的控制电极,否则可能影响膜的品质。
4、氢化焙烧法 氢化焙烧法主要是将不饱和的物质(如碳氢物质或酰酸物质等)在高温下进行氢化反应,从而形成石墨烯的方法。
优点:制备过程比较简单,不需要高温和高压的条件;可以得到结构良好的石墨烯膜。
缺点:制备过程的温控不够精确,可能影响石墨烯膜的品质。