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深亚微米电路NMOS器件HCI退化建模与仿真

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将 亚 阚 区、 性 区 和饱 和 区的 漏 电 流退 化 行 为统 一 到 一个连 续表 达 式 中， 免 了分 别描 述 时 由于 模 型 不连 线 避 续 而导 致 的仿 真不 收 敛 问题 ． 并且 在 模 型 中对 亚 阚 区 的栅 偏依 赖 化 提 的准 确 度． 基 于 ０ ２ ｍ工 艺 的 ＮＭ（Ｓ 件 对模 型进 行 了验 证 ， 试 数据 与 仿 真结 果 吻 合得 很 好 ． 用 ．５ ｋ器 测
当 ＭＯ Ｓ器件 尺寸进 入 到深亚 微 米后 ， 载 流子 注入 （ Ｉ 引起 的 ＭＯＳ Ｅ 热 ＨＣ ） Ｆ Ｔ退化 成 为 一个 关键 问题． 漏 电流 减小 、 信号性 能 退化 以及 阈值 电压 漂移 是 ＭｏＳ Ｅ 小 Ｆ Ｔ退化 的典 型形 式 ． 在半 导 体 工业 中 ， 泛 利用 广
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深 亚 微 米 电路 ＮＭＯ Ｓ器 件 ＨＣ 退化 建模 与 仿 真 Ｉ
李 康 ， 马 晓 华 ， 郝 跃 ， 陈 海 峰 ， 王 俊 平
（ 西安 电 子科 技 大 学 宽 禁 带 半 导体 材 料 与 器件 教 育 部 重 点 实验 室 ， 西 西安 ７０ ７ ） 陕 １ ０ １ 摘 要 ：提 出一 种 深 亚 微 米 ＮＭ（ Ｆ Ｔ 的热 载 流 子 注入 下漏 电流 退 化模 型 及 其 电路 退化 仿 真 方 法． 模 型 ） Ｅ Ｓ 该
ＬＩ ｎ Ｋａ ｇ，ＭＡ Ｘｉｏｈ ａ，ＨＡＯ ｕ ，Ｃ ａ —ｕ Ｙ ｅ ＨＥＮ ｉｌｎ Ｈａ— ｅ ｇ，ＷＡＮＧ Ｊ ｎｐ ｎ ｕ — ｉｇ
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关 键 词 ：深 亚 微 米 Ｎ ）Ｆ ＴＩ 载 流 子 注 入 退 化 ； Ｉ 型 Ｉ Ｍ（Ｓ Ｅ 热 Ａ ｄ模 电路 可 靠 性 中图 分 类 号 ： Ｎ３ ６ ６ Ｔ ８ ． 文献标识码 ： Ａ 文 章 编 号 ：０ 卜２ ０ （０ ６ ０ —７ 卜Ｏ １０ ４ ０ ２０ ）５０ ２ ４
ａ ｄ ｓ ｔ ｒ ｔ ｎ ｒ ｇ ｏ ｓｉ ｔ ｏ ｔｎ ｏ ｓｅ ｕ ｔ ｎ・ｗｈ ｃ ｏｄ ｈ ｉ ｌｔ ｎ ｃ ｎ ｅ ｇ ｎ ｅ ｐ ｏ ｌ ｍ ｕ ｎ ａ ｕ ａ ｉ ｅ ｉ ｎ ｎ ｏ ａ ｃ ｎ ｉ ｕ ｕ ｑ ａ ｉ ｏ ｏ ｉｈ ａｖ ｉ ｓ ｔ ｅ ｓｍｕ ａ ｉ ｏ ｖ ｒ ｅ ｃ ｒ ｂ ｅ ｄ ｅ ｏ
维普资讯
２０ ０ ６年 ｌ Ｏ月 第３ ３卷 第 ５期
西 安 电子 科技 大学 学 报 （ 自然 科学 版 ）
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Ｖｏ ＿ ３ Ｎｏ ５ Ｉ３ ．
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CMOS反相器的电路仿真及其工艺模拟和版图设计

CMOS反相器的电路仿真及其工艺模拟和版图设计

CMOS反相器的电路仿真及其工艺模拟和版图设计摘要：CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。

集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段，CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。

本文主要通过简单的介绍基于Cadence的CMOS反相器的电路仿真和版图设计及基于SILV ACO的CMOS反相器的工艺仿真，体现了集成电路CAD 的一种基本方法和操作过程。

关键词：CMOS反相器、Cadence、SILV ACO、仿真、工艺、版图0引言：电子技术的发展使计算机辅助设计（CAD）技术成为电路设计不可或缺的有力工具。

国内外电子线路CAD软件的相继推出与版本更新，是CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域，如电路图和版图的绘制、模拟电路仿真、工艺模拟与仿真、逻辑电路分析、优化设计、印刷电路板的布线等。

CAD 技术的发展使得电子线路设计的速度、质量、精确度得以保证。

顺应集成电路发展的要求，集成电路CAD，确切地说是整个电子设计自动化必须要有更大的发展。

随着集成电路与计算机的迅速发展，以CAD为基础的EDA技术一渗透到电子系统和专用集成电路设计的各个环节。

一个能完成比较复杂的VLSI设计的EDA系统一般包括10~20个CAD工具，涉及从高层次数字电路的自动综合、数字系统仿真、模拟电路仿真到各种不同层次的版图设计和校验工具，完成自顶向下的VLSI设计的各个环节和全部过程。

为满足日益增大的信息处理能力的需求，主要从实现图形最小尺寸的工艺精度和提高单位面积晶体管数目的集成度两个方面来努力，还要综合考虑满足电路功能以及工作频率和功耗的性能指标。

CMOS技术自身的巨大发展潜力是IC高速持续发展的基础。

集成电路制造水平发展到深亚微米工艺阶段，CMOS的低功耗、高速度和高集成度得到了充分的体现。

1基于Cadence的CMOS反相器的设计：1.1 Cadence简介：Cadence是一个大型的EDA软件，它几乎可以完成电子设计的方方面面，包括ASIC设计、FPGA设计和PCB板设计。

2012硕 基于PSP模型的40nmMOS器件HCI可靠性模型研究 张孟迪

2012硕 基于PSP模型的40nmMOS器件HCI可靠性模型研究 张孟迪


）2.不保密，适用上述授权。
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* “涉密” 学位论文应是已经华东师范大学学位评定委员会办公室或保密委员 会审定过的学位论文（需附获批的《华东师范大学研究生申请学位论文“涉密”审 批表》方为有效） ，未经上述部门审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不 填写的，默认为公开学位论文，均适用上述授权） 。
Department： Major: Specialty: Graduate:
Dept. of Electronic Engineering Microelectronics & Solid State Electronics Semiconductor Material & Device Professor Shi Yanling Zhang Mengdi
华东师范大学硕士研究生学位论文
2012 届研究生硕士学位论文
学校代码：10269 学 号：51091202025
基于 PSP 模型的 40nm MOS 器件 HCI 可靠性模型研究
院 专 系：信息科学技术学院电子工程系 业： 微电子学与固体电子学 半导体材料与器件 石艳玲教授 张孟迪
研究方向： 指导教师： 论文作者：
II
华东师范大学硕士研究生学位论文
目录
摘要 .................................................................................................................................................................. I ABSTRACT ..............................
一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型廖怀林;张兴;黄如;王阳元
【期刊名称】《半导体学报：英文版》
【年(卷),期】2001(22)3
【摘要】从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET 模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续。

【总页数】6页(P329-334)
【关键词】深亚微米器件;模拟电路;SOI;MOSFET;模型
【作者】廖怀林;张兴;黄如;王阳元
【作者单位】北京大学微电子所
【正文语种】中文
【中图分类】TN386.1
【相关文献】
1.基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究 [J],
2.基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究 [J], 吴晓鹏;杨银堂;高海霞;董刚;柴常春
3.适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型 [J], 朱志炜;郝跃;张金凤;方建平;刘红侠
4.深亚微米FD-SOI器件亚阈模型 [J], 程彬杰;邵志标;唐天同;沈文正;赵文魁
5.适合ULSI的深亚微米SOIMOSFET研究 [J], 颜志英;黄敞
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深亚微米CMOS模拟集成电路设计

深亚微米CMOS模拟集成电路设计

≯ ｖ 《 ∞ ＿ Ｊ 『 Ｊ 需 求 曲线 如下 图７
中 国科技 售息 ２ ０ １ ４ 年凳 ０ ６ 期 ・ Ｃ ＨＩ Ｎ Ａ Ｓ Ｃ Ｉ Ｅ Ｎ Ｃ Ｅ ＡＮＤ Ｔ Ｅ Ｃ Ｈ Ｎ ＯＬ Ｏ Ｇ Ｙ Ｉ Ｎ Ｆ Ｏ Ｒ ＭＡ Ｔ Ｉ ＯＮ Ｍａ ｒ ． ２ ０ １ ４
深亚微米Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 模拟集成 电路设计
运 行频率 （ ｋ ｝ ｛ ｚ ） 作 者：［ 美］ Ｂ ａ ｎ ｇ － Ｓ ｕ ｐ Ｓ ｏ ｎ ｇ著 刘力源 译
图８原边 电源Ｖ Ａ 值需求曲线 理论上说 ，系统原边的 电源供给ＶＡ 值和传输给负载 的功率一致 。图８ 是负载２ ０ ｋ ＶＡ 时候随着频率的变化对原
年 任厄 巴纳伊利诺伊大学电子和计 算机工程系 以及协同科 学 实验室 （ Ｃ ｏ ｏ ｒ ｄ ｉ ｎ ａ ｔ ｅ ｄ Ｓ ｃ ｉ ｎｃ ｅ ｅ Ｌ ａ ｂ ｏ ｒ ａ ｔ ｏ ｒ ｙ ）教授。１ ９ ９ ９ 年 ，进入加 州大学圣地亚哥分校 电子和计算机 工程 系 ，被授予无线通信领 域Ｃ ｈ ａ ｒ ｌ ｅ ｓ Ｌ ｅ ｅ Ｐ ｏ ｗｅ ｌ ｌ 讲席教授职位。
Ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ａ ｃ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ｏ ｎ Ｉ ｎ ｄ ｕ ｓ ｔ ｒ ｙ Ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｓ ，２ ０ ０ ０ ，３ ６ （ ２ ） ：４ ４ ４ － ４ ５ １ ．
［ ３ ］ Ｊ ． Ｍ ．Ｂ ａ ｒ ｎ ａ ｒ ｄ ，Ｊ ． Ａ ．ｇ ｅ ｒ ｒ ｅ ｉ ｒ ａ ， Ｊ ．Ｄ ． Ｖ ａ ｎ Ｗ ｙ ｋ ．Ｓ ｌ ｉ ｄ ｉ ｎ ｇ ｔ ｒ ａ ｎ ｓ ｆ ｏ ｒ ｍ ｅ ｒ ｓ
国防科学研究所 （ Ａ ｇ ｅ ｎ ｃ ｙ ｆ ｏ ｒ Ｄ ｅ ｆ ｅ ｎ ｓ ｅ Ｄ ｅ ｖ ｅ ｌ ｏ ｐ ｍ ｅ ｎ ｔ ，Ｋ ｏ ｒ ｅ ａ ）。 １ ９ ８ ３ 年至１ ９ ８ ６ 年 供职于新泽西州默里 山ＡＴ ａ Ｔ 贝尔实验室 ，同 时任新泽西州罗格斯大学 电子工程系访问学者 。１ ９ ８ ６ 年至１ ９ ９ ９