PECVD简介
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保密
概述
利用太阳能电池发电是解决能源问题和环境问 题的重要途径之一。目前,80%以上的太阳能电池 是由晶体硅材料制备而成的,制备高效率、低成 本的晶体硅太阳能电池对于大规模利用太阳能发 电有着十分重要的意义。镀膜(PECVD)是制备高效 晶体硅太阳能电池的重要步骤之一.
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保密
PECVD 简介
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二、有减反射膜时
如果在硅表面制备一层透明的介质膜,由于介 质膜的两个界面上的反射光互相干涉,可以在很 宽波长范围内降低反射率。此时反射率由下式给 出:
R r1 r 2 2 r1 r 2 cos
2 2
1 r1 r 2 2 r1 r 2 cos
2 2
式中,r1、r2分别是外界介质-膜和膜-硅界面 上的菲涅尔反射系数;△为膜层厚度引起的相 位 角。
二氧化钛 ( n = 2. 4)更接近太阳电池所需的最佳折射率 1.96 ,是所有
已应用的介质膜中最符合太阳电池减反射层要求的 5.PECVD法制备的 SixNy薄膜同时为太阳电池提供较为理想的表面和体钝化 .
二氧化硅只有表面钝化作用 ,二氧化钛没有钝化作用
6.能有效地提高电池效率 ,对多晶硅电池等低效率电池作用尤其明显
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PECVD的减反射作用
一、无减反射膜时 右图为光在硅片上 的反射、折射和透 射.各字母表示的意思 如图所示;反射率用R 表示,透射率用T表 示.
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忽略光吸收,光垂直入射时
硅片表面的反射率:R 源自 n si n 0 n si n 0 )
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式中,n0为外界介质的折射率,在真空或大气中 等于1,若表面有硅橡胶则取1.4;nsi为硅的折射率, 硅的折射率对于不通波长的光数值是不同的,一般取 600nm波长时的折射率3.9进行计算. 如果硅表面没有减反射膜,在真空或大气中有约 三分之一的光被反射,即使硅片表面已进行结构化 处理,由于入射光在金字塔绒面产生多次反射而增 加了吸收,也有约11%的反射损失。