LTC1412资料

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瞬变电磁探测发射机的设计

摘 要：介绍了基于瞬变电磁法原理的发射机，为了快速获取早期的瞬变信号，采用高速开关电路，可以满足us级关断时间的要求；在满足足够发射功率情况下，为保证系统的可靠性和安全性， 在设计中加入了过冲吸收电路和过流保护电路，并设计了高速采集模块，对发射电流和关断时间进行记录和实时显示。整个电路采用Phlips公司的单片机P89C58X2进行控制。

关键词：瞬变电磁；发射机；关断电流

为了实时检测，系统中加入了电流传感器模块，通过高速模数转换芯片采集和检测发射电流和关断时间，并对关断沿进行记录，以便后期对一次场进行数据处理。

图1 IRF3205桥路

2 驱动及保护单元设计

2.1 驱动电路设计

国际上，各个MOSFET生产厂家或公司，在推出其MOSFET的同时，都会推出与之配套的栅极驱动电路,使得驱动电路与MOSFET得到最优搭配。IR2110S也是美国国际整流器公司的产品，其利用独有的高压集成电路及无闩锁 CMOS 技术，大大简化了

MOSFET驱动电路，同时能实现对 MOSFET 最优驱动。如图2所示为采用IR2110S的驱动电路。

图2 采用IR2110S的驱动电路

2.2 过流保护单元设计

在大功率系统中，为保证系统工作的稳定性和可靠性，驱动和保护电路成为系统的关键部分之一，不论是采用晶闸管、BJT、IGBT还是MOSFET，其驱动电路对系统来说具有举足轻重的地位，在本设计中桥路开关元件采用美国国际整流器公司IR(International

Rectifier）推出的IRF3205型HEXFET Power MOSFET，结合实际的电路参数和指标，采用了该公司的IR2110S作为驱动芯片,驱动保护单元如图3所示。

为防止系统在工作过程中出现过流现象，从而造成系统的严重损坏，因此对于像电磁发射系统这样的大功率型系统来说，进行过流保护是必不可少的。过流保护电路的设计方法很多，因过流检测方式的不同而不同，为简化过流保护电路同时保证保护电路的稳定性和可靠性，结合IR2110S设计如图4所示的过流保护电路，该电路采用电流传感器检测发射回线负载中的电流，当电流超过设定电流时，由比较器U1 输出高电平，使得 IR2110S保护信号输入端置高，其输入信号全部封锁，对应驱动输出端恒为低电平，实现对 IRF3205 的保护。过流信息同时通过光耦通知主控单元并上传给上位机。当电路小于设定电流时，保护封锁解除。其中Csd是主控单元的启动发射控制信号，与过流保护信号共同对IR2110S的SD引脚的控制。R20将电流传感器感应的电流信号转变为电压信号， 检测电路中并联C20、C21以防止误保护，对尖峰过冲进行滤波处理。

LTC3878

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3878f TYPICAL APPLICATION FEATURES

APPLICATIONS DESCRIPTIONFast, Wide Operating

Range No RSENSETM

Step-Down Controller

n Distributed Power Systems

n Embedded Computing

n Communications Infrastructure

L, LT, LTC and LTM are registered trademarks of Linear Technology Corporation. No RSENSE is a trademark of Linear Technology Corporation. All other trademarks are the property of their respective owners. Protected by U.S. Patents, including 5481178, 6100678, 6580258, 5847554, 6304066.n Wide VIN Range: 4V to 38V

n ±1% 0.8V Voltage Reference

n Extremely Fast Transient Response

n tON(MIN): 43ns

n Valley Current Mode Control

n Stable for Low ESR Ceramic COUTn No Sense Resistor Required

n Optimized for High Step-Down Ratios

n Pin Compatible with the LTC1778 (No EXTVCC Pin)

n Power Good Output Voltage Monitor

n Dual N-Channel MOSFET Synchronous Drive

LTC4555

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4555fb TYPICAL APPLICATION DESCRIPTIONSIM Power Supply

and Level Translator

The LTC®4555 provides power conversion and signal level shifting needed for low voltage 2.5G and 3G cellular telephones to interface with 1.8V or 3V subscriber identity modules (SIMs). The part meets all type approval require-ments for 1.8V and 3V SIMs and smart cards. The part contains an LDO linear regulator to supply SIM power at either 1.8V or 3V from a 3V to 6V input. The output volt-age is selected with a single pin and up to 50mA of load current can be supplied.

Internal level translators allow controllers operating with supplies as low as 1.2V to interface with 1.8V or 3V smart cards. Battery life is maximized by 20μA operating current and <1μA shutdown current. Board area is minimized by the 3mm × 3mm leadless QFN package.