邮政编码：半导体基础知识（1••常用：硅Si ，锗Ge半导体基础知识（2）•杂质半导体•N型半导体多子：自由电子少子：空穴半导体基础知识（2）•杂质半导体•P型半导体多子：空穴少子：自由电子半导体基础知识（3）•PN结的形成•空间电荷区（耗尽层）•扩散和漂移半导体基础知识（4）•PN结的单向导电性•外加正向电压半导体基础知识（4）•PN结的单向导电性•外加反向电压半导体基础知识（5）反向截止区反向击穿区第三章3.1 概述•获得高、低电平的基本原理正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示03.2半导体二极管门电路半导体二极管的结构和外特性（Diode）•二极管的结构：PN结+ 引线二极管的开关等效电路：二极管的动态电流波形：3.2.2 二极管与门3.2.3 二极管或门111101110000Y B A 2.3V 以上为1以下为0二极管构成的门电路的缺点•电平有偏移,••只用于IC内部电路•(3.3 CMOS 门电路3.3.1 MOS一、MOSPN结（以N沟道增强型MOS管为例）以N沟道增强型为例：以N 沟道增强型为例：当加+V DS 时，V GS =0时，D-S加上+V GS ，且足够大至V （N 型层）二、输入特性和输出特性①对动态有影响。
②输出特性：i D= f (V DS)漏极特性曲线（分三个区域）①截止区②恒流区③可变电阻区漏极特性曲线（分三个区域）截止区：V<V GS(th)GS漏极特性曲线（分三个区域）恒流区： i D )(2)()1(D th GS GS th GS GS DS D i V V V V I i >>−=下，当漏极特性曲线（分三个区域）可变电阻区：当V DS 常数（电阻）≈D DS i V三、MOS 管的基本开关电路管所以当当只要因为GS IH I GS IL I OFF D ON ON OFF S D MOS th V V V th V V V R R R R R −⎯>=⎯<=<<<<Ω>109)()(,四、等效电路OFF五、MOS管的四种类型•增强型•耗尽型导电沟道CMOS门电路《数字电子技术基础》第五版3.3.2 CMOS 反相器的电路结构和工作原理一、电路结构二、电压、电流传输特性I DD I N TH GS OL O PTH GS DD I OH O NTH GS I V T T T T V V V V BC V V T T V V V CD V V V T T V V AB 21021211221=−<<∗==⇒−>∗==⇒<∗参数完全对称，若同时导通段：截止导通，段：截止导通，段：,,)()()(三、输入噪声容限在输出变化允许范围内基本不变；的一定范围内，和偏离在IL IH I V V V V•V DD来提高噪声容限3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性一、输入特性0≤v I≤V DD保护电路不起作用v I>V DD+0.7VD1导通<-0.7VvI vI<-0.7VD2导二、输出特性GS OL V I V 下，同样的低电平输出特性).1二、输出特性越少下，同样的高电平输出特性GS OH V I V .1结论:CMOS门的参数• 1.CMOS• 2.因为V DD的电压传输特性因• 3.V IH=V OH≈V DD耗……都不同。
