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FZ400R65KF1中文资料

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1
FZ 400 R65 KF1 (final 1).xls
元器件交易网
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 400 R 65 KF1
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
0,008
max.
0,017 0,032 K/W K/W K/W
Tvj, max
-
-
150
°C
Tvj,op
-40
-
125
°C
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight Schraube /screw M6 M AlN
min.
3,0
typ.
3,8 3,9
max.
4,6 4,7 V V
-
540 660
-
A A
-
360 700
-
µC µC
-
4 400 R65 KF1 (final 1).xls
元器件交易网
Technische Information / Technical Information
min.
6,4
typ.
4,3 5,3 7,0
max.
4,9 5,9 8,1 V V V
VGE = -15V ... +15V
QG
-
5,6
-
µC
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V VCE = 6300V, VGE = 0V, Tvj = 25°C VCE = 6500V, VGE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
元器件交易网
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 400 R 65 KF1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 400 R 65 KF1
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur Sperrschicht junction operation temperature Lagertemperatur storage temperature Schaltvorgänge IGBT(RBSOA);Diode(SOA) switching operation IGBT(RBSOA);Diode(SOA) Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per Module λPaste ≤ 1 W/m*K / λgrease ≤ 1 W/m*K RthCK RthJC -
VISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 70mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) VCE sat
Cies
-
56 0,4 40 -
-
nF mA mA nA
ICES
-
-
IGES
-
400
prepared by: Dr. Oliver Schilling approved by: Dr. Schütze 2002-07-05
date of publication: 2002-07-05 revision/Status: Series 1
TC=25°C, Transistor
Ptot
7,4
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
400
A
IFRM
800
A
VR = 0V, tp = 10ms, T vj = 125°C
I2t
87
k A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
10,2
kV
RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage tP = 1 ms Tvj=125°C Tvj=25°C Tvj=-40°C TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, T C = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 6500 6300 5800 400 800 800 V A A A
min.
typ.
max.
RCC´+EE´
-
0,18
-
mΩ
Diode / Diode
Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 400A, - diF/dt = 1400A/µs VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 400A, - diF/dt = 1400A/µs VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 400A, - diF/dt = 1400A/µs VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 3600V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Erec Qr IRM VF
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 400A, VCE = 3600V VGE = ±15V, RGon = 6,2Ω, CGE=44nF, Tvj = 25°C, VGE = ±15V, RGon = 6,2Ω, CGE=44nF, Tvj = 125°C, Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 400A, VCE = 3600V VGE = ±15V, RGon = 6,2Ω, CGE=44nF, Tvj = 25°C, VGE = ±15V, RGon = 6,2Ω, CGE=44nF, Tvj = 125°C, Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 400A, VCE = 3600V VGE = ±15V, RGoff = 36Ω, CGE=44nF, Tvj = 25°C, VGE = ±15V, RGoff = 36Ω, CGE=44F, Tvj = 125°C, Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 400A, VCE = 3600V VGE = ±15V, RGoff = 36Ω, CGE=44nF, Tvj = 25°C, VGE = ±15V, RGoff = 36Ω, CGE=44F, Tvj = 125°C, Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip IC = 400A, VCE = 3600V, VGE = ±15V RGon = 6,2Ω, CGE=44nF, Tvj = 125°C , Lσ = 280nH IC = 400A, VCE = 3600V, VGE = ±15V RGoff = 36Ω, CGE=44nF, Tvj = 125°C , Lσ = 280nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, acc to appl.note 2002/05 TVj≤125°C, VCC=4400V, VCEmax=VCES -LσCE ·di/dt ISC LsCE 2000 20 A nH Eoff 2300 mJ Eon 4000 mJ tf 0,40 0,50 µs µs td,off 5,50 6,00 µs µs tr 0,37 0,40 µs µs td,on 0,75 0,72 µs µs

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igbt功耗计算

igbt功耗计算

1IGBT 的驱动特性及功率计算陈暹辉深圳裕能达电气有限公司摘要：根据目前市场的使用情况，介绍IGBT 的驱动特性及不同功率计算。

关键词：开通损耗 关断损耗 栅极电阻 导通压降 短路时间1 IGBT 的驱动特性1.1 驱动特性的主要影响因素IGBT 的驱动条件与IGBT 的特性密切相关。

设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和d v /d t 引起的误触发等问题。

栅极电压 U ge 增加（应注意U ge 过高而损坏IGBT ），则通态电压下降（Eon 也下降），如图1所示(此处以200 A IGBT 为例)。

由图1中可看出，若U ge 固定不变时，导通电压将随集电极电流增大而增高，如图1 a ，电流容量将随结温升高而减少（NPT 工艺正温度特性的体现）如图1b 所示。

（a ）Uge 与Uce 和Ic 的关系 （b ）Uge 与Ic 和Tvj 的关系图1 栅极电压U ge 与U ce 和T vj 的关系栅极电压 U ge 直接影响 IGBT 的可靠运行，栅极电压增高时有利于减小IGBT 的开通损耗和导通损耗，但同时将使IGBT 能承受的短路时间变短（10 μs 以下），使续流二极管反向恢复过电压增大，所以务必控制好栅极电压的变化范围，一般V ge 可选择在-10～+15 V 之间，关断电压-10 V ,开通电压+15 V 。

开关时U ge 与I g 的关系曲线见图2 a 和图2 b 所示。

栅极电阻R g 增加，将使IGBT 的开通与关断时间增加，使开通与关断能耗均增加,但同时，可以使续流二极管的反恢复过电压减小，同时减少EMI 的影响。

而门极电阻减少，则又使d i /d t 增大，可能引发IGBT 误导通，但是，当R g 减少时，可(a)开通时 (b)关断时 图2 开关时U ge 与 I g 的关系曲线以使得IGBT 关断时由d u /d t 所带来误触发的可能性减小，同时也可以提高IGBT 承受短路能量的能力,所以R g 大小各有好坏，客户可根据自己设计特点选择。

注意选用英飞凌IGBT条件

注意选用英飞凌IGBT条件

选用英飞凌IGBT时，经常看到有不同的几个系列KE3，KT3，KT4，KS4。

不太清楚他们的应用场合，看PDF文档也没有直观的了解。

下面给大家分了几大类给大家介绍下，希望能帮到大家！英飞凌IGBT模块技术选型资料英飞凌(Infineon)，优派克(eupec)-600V系列IGBT模块1200V系列IGBT模块1600V系列IGBT模块1700V系列IGBT模块3300V系列IGBT模块6500V系列IGBT模块DN2系列：频率范围10KHZ-20KHZ，饱和压降：2.5V-3.1VDN2系列：频率范围4KHZ-8KHZ，饱和压降：2.1V-2.4VKS4系列：频率范围15KHZ-30KHZ，饱和压降：3.2V-3.85VKE3系列：频率范围4KHZ-10KHZ，饱和压降：1.7V-2.0VKT3系列：频率范围8KHZ-15KHZ，饱和压降：1.7V-1.9V600V系列IGBT模块两单元 BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM200GB60DLCBSM300GB60DLCFF-KE3 (IGBT3): FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3四单元 F4-KL4 (Low Loss / IGBT2): F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4六单元 FS-L4 (Low Loss / IGBT2): FS10R06XL4 FS15R06XL4 FS20R06XL4 FS30R06XL4 FS50R06YL4 FS75R06KL4FS100R06KL4 FS150R06KL4 FS200R06KL4BSM-DLC (Low Loss / IGBT2): BSM30GD60DLC BSM50GD60DLC BSM75GD60DLC BSM100GD60DLC BSM150GD60DLCBSM200GD60DLCFS-VE3 (IGBT3): FS10R06VE3 FS15R06VE3 FS20R06VE3_B2 FS30R06VE3FS-KE3 (IGBT3): FS50R06KE3 FS75R06KE3 FS100R06KE3 FS150R06KE3 FS200R06KE3功率集成模块PIM FP-KL4: FP10R06KL4 FP15R06KL4 FP20R06KL4BSM-GP: BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM50GP60 BSM50GP60G BSM75GP60 BSM100GP60FP-YE3: FP10R06YE3 FP20R06YE3 FP30R06YE3EUPEC 1200V IGBT模块有五种类型供用户选择(按开关频率，从后缀区分)类型 DN2系列 DLC系列 KS4系列 KE3系列 KT3系列最佳开关频率范围fs 10KHZ-20KHZ 4KHZ-8KHZ 15KHZ-30KHZ 4KHZ-10KHZ 8KHZ-15KHZ饱和压降Vce(sat) Tc=25℃ 2.5V 2.1V 3.2V 1.7V 1.7VTc=125℃ 3.1V 2.4V 3.85V 2.0V 1.9V1200V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2FZ -KF4 (Standard): FZ800R12KF4 FZ1200R12KF4 FZ1600R12KF4 FZ1800R12KF4 FZ2400R12KF4GA -DLC (Low Loss): BSM200GA120DLCS BSM300GA120DLC BSM400GA120DLC BSM600GA120DLCFZ -KL4C (Low Loss): FZ800R12KL4C FZ1200R12KL4C FZ1600R12KL4C FZ1800R12KL4C FZ2400R12KL4CFZ -KS4 (Fast): FZ400R12KS4 FZ600R12KS4 FZ800R12KS4_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ300R12KE3G FZ400R12KE3 FZ600R12KE3 FZ800R12KE3 FZ1200R12KE3 FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3 FZ3600R12KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB120DN2 BSM75GB120DN2 BSM100GB120DN2K BSM100GB120DN2 BSM150GB120DN2 BSM200GB120DN2FF -KF4 (Standard): FF400R12KF4 FF600R12KF4 FF800R12KF4GB –DLC (Low Loss): BSM50GB120DLC BSM75GB120DLC BSM100GB120DLCK BSM100GB120DLC BSM150GB120DLCBSM200GB120DLC BSM300GB120DLCFF -KL4C (Low Loss): FF400R12KL4C FF600R12KL4C FF800R12KL4CFF -KE3 (IGBT3): FF150R12KE3G FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF600R12KE3 FF800R12KE3FF1200R12KE3FF -KT3 (Fast IGBT3): FF150R12KT3G FF200R12KT3 FF300R12KT3 FF400R12KT3四单元 F4 -KS4 (Fast): F4-50R12KS4 F4-75R12KS4 F4-100R12KS4 F4-150R12KS4 F4-400R12KS4_B2六单元 GD -DN2(Standard): BSM15GD120DN2 BSM25GD120DN2 BSM35GD120DN2 BSM50GD120DN2 BSM75GD120DN2 BSM100GD120DN2 BSM25GD120DN2E3224 BSM35GD120DN2E3224 BSM50GD120DN2E3226FS -KF4(Standard): FS300R12KF4 FS400R12KF4GD -DLC(Low Loss): BSM15GD120DLCE3224 BSM25GD120DLCE3224 BSM35GD120DLCE3224 BSM50GD120DLCBSM75GD120DLC BSM100GD120DLCFS -KS4(Fast): FS75R12KS4 FS100R12KS4FS -KE3(IGBT3): FS25R12KE3G FS35R12KE3G FS50R12KE3 FS75R12KE3 FS100R12KE3 FS150R12KE3 FS225R12KE3 FS300R12KE3 FS450R12KE3FS -KT3(Fast IGBT3): FS10R12YT3 FS15R12YT3 FS25R12KT3 FS35R12KT3 FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS75R12KT3G FS100R12KT3 FS150R12KT3功率集成模块PIM BSM -GP(Low Loss): BSM10GP120 BSM15GP120 BSM25GP120 BSM35GP120 BSM35GP120G BSM50GP120FP –KS(Fast): FP15R12KS4C FP25R12KS4C FP35R12KS4CG FP50R12KS4CFP –KE3(IGBT3): FP10R12KE3 FP15R12KE3 FP25R12KE3 FP40R12KE3 FP40R12KE3G FP50R12KE3 FP75R12KE3FP –YT3(Fast IGBT3): FP10R12YT3 FP15R12YT3 FP15R12KT3 FP25R12KT3 FP40R12KT3 FP50R12KT3 FP75R12KT3 斩波模块choppermodules GAR: BSM75GAR120DN2 BSM300GAR120DLCGAL: BSM75GAL120DN2 BSM100GAL120DN2 BSM300GAL120DLCFD: FD200R12KE3 FD300R12KE31600V、1700V系列IGBT模块一单元 GA -DN2 (Standard): BSM200GA170DN2 BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2SFZ -KF4 (Standard): FZ800R16KF4 FZ1200R16KF4 FZ1800R16KF4GA –DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM200GA170DLC BSM300GA170DLC BSM400GA170DLCFZ -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode):FZ800R17KF6C_B2 FZ1200R17KF6C_B2 FZ1600R17KF6C_B2FZ1800R17KF6C_B2 FZ2400R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FZ400R17KE3 FZ600R17KE3 FZ1200R17KE3 FZ1600R17KE3 FZ2400R17KE3 FZ3600R17KE3二单元 GB -DN2 (Standard): BSM50GB170DN2 BSM75GB170DN2 BSM100GB170DN2 C# BSM150GB170DN2FF -KF4 (Standard): FF400R16KF4 FF600R16KF4GB -DLC (Low Loss with Emcon Diode): BSM100GB170DLC BSM150GB170DLC BSM200GB170DLCFF -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FF400R17KF6C_B2 FF600R17KF6C_B2 FF800R17KF6C_B2FZ -KE3 (IGBT3): FF200R17KE3 FF300R17KE3 FF600R17KE3 FF800R17KE3 FF1200R17KE3六单元 FS -KF4 (Standard): FS300R16KF4GD -DL (Low Loss): BSM50GD170DL BSM75GD170DLFS -KE3 (IGBT3): FS75R17KE3 FS100R17KE3 FS150R17KE3 FS225R17KE3 FS300R17KE3 FS450R17KE3斩波模块 FD -KF4 (Standard): FD400R16KF4 FD600R16KF4FD -KF6C_B2 (Low Loss with Emcon Diode): FD401R17KF6C_B2 FD600R17KF6C_B2 FD800R17KF6C_B23300V系列IGBT模块一单元 FZ - KF2C (Standard): FZ800R33KF2C FZ1200R33KF2CFZ - KL2C (Low Loss): FZ800R33KL2C FZ1200R33KL2C二单元 FF - KF2C (Standard): FF200R33KF2C FF400R33KF2C斩波模块 FD - KF2C (Standard): FD400R33KF2C FD400R33KF2C-K FD800R33KF2C FD800R33KF2C-K FD - KL2C-K_B5 (Low Loss with 10.2 kV Insulation Voltage): FD800R33KL2C-K_B56500V系列IGBT模块一单元 FZ - KF1 (Standard): FZ200R65KF1 FZ400R65KF1 FZ600R65KF1斩波模块 FD - KF1-K (Standard): FD200R65KF1-K FD400R65KF1-K。

KBZ400说明书

KBZ400说明书

馈电开关内部装有的综合保护器采用双 CPU 结构，高精度的数据处理及先进的保护算法，保护精度高， 反应速度快。具有过压、欠压、短路、过载、分开关的选择性漏电保护及漏电闭锁、总开关的漏电保护和 漏电闭锁等功能。采用直观液晶汉字显示器、提供友好的人机操作界面，单屏实时显示三相电流、电网电
-１-
KBZ-400、500、630/1140(660)系列矿用隔爆型真空馈电开关说明书
及系统电压等。通过按钮操作，可查询发生过的故障信息。
馈电开关显示包括 4 个发光二极管（分别指示电源、合闸、分闸、故障）和液晶显示屏。在
正常工作时显示屏将实时显示三相工作电流值及系统的电压值，整定时则显示各级菜单、各
种整定参数值以及故障参数值等。
馈电开关随时可对漏电和过流功能进行试验。
本馈电开关可实现风电延时闭锁或瓦斯断电闭锁，延时时间 0-99min 可调。
X3
SA1 01 FU1 02
T1 03 1140V
3
03' 660V
2
0V
1
4 05 FU2 07 A
10V
5
04
B
6 09 FU3 11
C
50V
7
06 D
8 13 FU4 15
E
220V
9 08
F
QF
KA
KA
17
17'
H 19
KZB 21
BH
BH
SB2
QL C D
10
C1 +
QF
SB1
23 27 QF 29
35
32
低压馈电开关综合保护装置 (+36V)7
51
+36V
IGBT各种驱动、保护

IGBT各种驱动、保护


Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
(2－ 15）
式中Imos——流过MOSFET的电流。
由于N+区存在电导调制效应，所以IGBT的通态压降小，耐压1000V的IGBT通态压
降为2～3V。
IGBT处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
2．动态特性IGBT在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET来运行的，只是在漏
当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一 层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT在高电压 时，也具有低的通态电 压。 IGBT的工作特性包括静态和动态两类： 1．静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的 关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控 制，Ugs越高 Id 越大。它与 GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态 下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无 N+缓冲区，则正 反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只 能达到几 十伏水平，因此限制了IGB的某些应用范围。
IGBT的简介
IGBT的基本结构
绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多
了一个P型层。根据国际电工委员会 IEC／TC（CO）1339文件建议，其各部分名
称基本沿用场效应晶体管的相应命名。
图2－53所示为一个N沟道增强型
绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，
附于其上的电极称为源极。N+区称为漏