一种基于系统级的SRAM电源评估方法
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专利名称:一种基于系统级封装的动态可重构智能微系统专利类型:发明专利
发明人:冯长磊,王炳雅,王蕊,祝长民,祝天瑞,秦贺,卢峰,李光北,阎渊海,陈路,郭权
申请号:CN202011405589.5
申请日:20201202
公开号:CN112506852A
公开日:
20210316
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种基于系统级封装的动态可重构智能微系统,包括:处理器单元、可编程单元、第一存储器和第二存储器;其中,所述处理器单元包括低速通信接口、高速通信接口、DDR接口、ROM接口、SRAM接口、通用IO模块和IO空间;所述可编程单元包括配置接口、可编程逻辑资源、高速收发接口、可编程IO接口和可选配置接口。
本发明满足了航天装备对电子系统小型化、低功耗、智能化的迫切需求。
申请人:北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
地址:100076 北京市丰台区东高地四营门北路2号
国籍:CN
代理机构:中国航天科技专利中心
代理人:高志瑞
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专利名称:一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法及系统专利类型:发明专利
发明人:刘毅,翁笑冬,范凌怡,杨银堂
申请号:CN201911283331.X
申请日:20191213
公开号:CN110991072A
公开日:
20200410
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明提供一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法及系统,能够支持SRAM混合仿真,将器件级的仿真信息加入电路级的仿真中,进行单粒子效应仿真分析。
该方法包括:分析SRAM单元器件结构模型加入单粒子效应物理模型,提取单粒子效应电流源脉冲;建立多LET单粒子效应脉冲电流源等效模型并生成SPICE可以使用的仿真模型;根据用户提供的SRAM电路网表文件提取SRAM中的所有敏感节点,生成SRAM敏感节点列表文件;依据前面生成的SPICE可用的多LET单粒子效应脉冲电流源等效模型,结合SRAM敏感电路节点列表文件,编写脚本随机选取SRAM节点和故障注入时间,生成故障注入文件;分别计算翻转阈值和翻转截面。
申请人:西安电子科技大学
地址:710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍:CN
代理机构:西安智邦专利商标代理有限公司
代理人:胡乐
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sram测试结构及其形成方法、测试电路及其测试方法SRAM(Static Random-Access Memory)是一种静态随机存取存储器,其内部的数据可以在不刷新条件下永久保持。
下面是SRAM的测试结构及其形成方法、测试电路及其测试方法的介绍:1. 测试结构及其形成方法:SRAM的测试结构主要包括测试存储器阵列、输入/输出电路和控制电路。
形成方法:- 测试存储器阵列:测试存储器阵列是SRAM中用于存储数据的部分,通常由一组存储单元(存储位)组成,可以通过各种方式排列连接,形成不同的存储容量和存储结构(如矩阵结构、环形结构等)。
- 输入/输出电路:输入/输出电路用于数据的输入和输出,通常包括输入缓冲器和输出缓冲器等。
- 控制电路:控制电路用于控制SRAM的读写操作,包括读/写控制、地址选择、使能信号等。
2. 测试电路及其测试方法:SRAM的测试电路主要用于对其存储单元进行读写操作和数据检测。
测试方法一般包括以下几个步骤:- 写入测试模式:将测试数据写入SRAM中,以验证存储单元的写入功能。
测试数据可以是预先定义好的特定模式,如全0、全1、交替位等。
- 读取测试模式:将测试模式从SRAM中读取出来,并与预期数据进行比较,以验证存储单元的读取功能。
比较通常使用比较器电路来实现,检测读取数据和预期数据之间的差异。
- 整体测试:对整个SRAM进行完整的功能测试,包括读写操作的正常工作、速度性能、功耗等。
可以使用测试模式和特定的测试工具(如逻辑分析仪、测试控制器等)来完成。
需要注意的是,SRAM的测试需要考虑到存储单元的容量、读写速度、功耗等方面的要求,以确保SRAM在实际应用中的正常工作和可靠性。
sram电变等级摘要:1.SRAM 的定义和作用2.SRAM 的电变等级分类3.不同等级SRAM 的特点4.SRAM 电变等级的选择正文:SRAM(Static Random Access Memory,静态随机存储器)是一种常见的存储器类型,它具有读写速度快、工作电压低、集成度高等优点,因此在计算机系统中被广泛应用。
SRAM 电变等级是指SRAM 在运行过程中,电源电压变化的等级。
根据电变等级的不同,SRAM 可以分为多个等级。
首先,我们来了解一下SRAM 的定义和作用。
SRAM 是一种静态存储器,它与动态存储器(DRAM)相对应。
SRAM 不需要刷新电路来保持存储的信息,因此读写速度较快。
它在计算机系统中主要用于存储操作系统、程序和数据等。
接下来,我们来看看SRAM 的电变等级分类。
根据电变等级的不同,SRAM 可以分为1.8V、1.5V、1.2V、1.0V 等几个等级。
其中,1.8V SRAM 是最早期的SRAM 产品,现在市面上已经很少见到;1.5V 和1.2V SRAM 是当前主流产品,广泛应用于各种电子设备中;1.0V SRAM 则是近年来随着工艺技术的进步而出现的低电压产品,具有更低的功耗和更高的集成度。
那么,不同等级SRAM 具有哪些特点呢?首先,不同电压等级的SRAM在性能上并没有太大差异,主要区别在于工作电压和功耗。
一般来说,电压越低,功耗越小,但成本也相对较高。
此外,低电压SRAM 在高温和低电压环境下的稳定性和可靠性也相对较差。
因此,在选择SRAM 电变等级时,需要根据实际应用场景和性能需求进行权衡。
最后,我们来讨论一下如何选择SRAM 电变等级。
在选择SRAM 时,首先要考虑的是应用场景和性能需求。
例如,对于对功耗要求较高的移动设备和数据中心等场景,可以选择低电压SRAM;而对于对性能和稳定性要求较高的高性能计算和嵌入式系统等场景,可以选择较高电压的SRAM。
此外,还需要考虑工艺技术、成本等因素。
一种SRAM内建自测电路的设计的开题报告标题:一种SRAM内建自测电路的设计摘要:本文提出了一种基于SRAM内建自测电路的设计,该设计可以实现SRAM的自动测试和故障检测,提高了SRAM的可靠性和稳定性。
在该设计中,自测电路集成在SRAM 中,通过对SRAM的读取和写入操作来对SRAM进行测试。
通过对测试结果的分析,可以确定SRAM中的故障位置,从而提高SRAM的测试效率和测试精度。
该设计可以广泛应用于各种需要提高存储器可靠性和稳定性的系统中。
介绍:SRAM是一种常见的存储器,被广泛应用于各种计算机系统中。
在现代电子系统中,SRAM的可靠性和稳定性越来越重要,因为SRAM的故障可能导致系统崩溃或数据损失。
因此,如何有效地测试和检测SRAM的故障是一个重要的问题。
为了解决这个问题,许多方法已经被提出。
一种流行的方法是通过外部测试仪器对SRAM进行测试。
然而,这种方法存在一些缺点,比如需要复杂的测试仪器和测试程序,对系统性能的影响和对系统成本的增加。
为了克服这些问题,一种SRAM内建自测电路的设计被提出,该设计可以实现SRAM的自动测试和故障检测,提高了SRAM的可靠性和稳定性。
方法:在该设计中,自测电路集成在SRAM中,通过对SRAM的读取和写入操作来对SRAM进行测试。
自测电路可以对SRAM进行逐字节测试,并将测试结果存储在SRAM中。
通过对测试结果的分析,可以确定SRAM中的故障位置。
在SRAM内建自测电路的设计中,自测电路采用了多种测试算法,以提高测试的有效性。
实验:基于FPGA平台,我们进行了一系列实验来验证SRAM内建自测电路的效果。
实验中,我们采用了多种SRAM测试算法,并将测试结果存储在SRAM中。
通过对测试结果的分析,我们可以确定SRAM中的故障位置,并且可以检测到各种故障类型,比如单点故障、多点故障和线故障等。
实验结果表明,SRAM内建自测电路的设计可以有效地测试和检测SRAM的故障,提高了SRAM的可靠性和稳定性。
单粒子仿真方法研究李若飞;胡长清【摘要】在宇航级器件的设计过程中,主要考虑单粒子效应和总剂量效应.随着工艺尺寸的不断缩小,总剂量效应变得越来越不明显,而单粒子效应变得越来越显著.对于CMOS电路,单粒子效应主要包括单粒子锁定和单粒子翻转,防止单粒子锁定的方法非常成熟,单粒子翻转效应的研究是现今抗辐照研究的主流.评估单粒子效应的方法主要是实验方式,实验评估单粒子效应虽然准确,但是机时少,费用高,实验周期长,给项目研制过程造成很大障碍,因此非常有必要开展单粒子仿真技术研究.提出一种以Hspice电路网表为基础的单粒子效应评估方法,此方法采用脉冲电流模拟单粒子产生的效果,通过此方法可以有效模拟单粒子现象,并找到电路的设计敏感点,有效指导设计.%In the design process of aerospace-grade devices, the main consideration is SEE and TID.As the process dimension is decreased continuously, total dose effect is getting more unobvious, but single event effect becomes more serious. For CMOS circuit, single event effect (SEE) includes Single Event Latchup(SEL) and Single Event Upset(SEU). The method of avoiding SEL is mature, so SEU is the key point in anti-radiation study. Now, the experiments are mainly used for SEU evaluation, which are accurate but have less machine time and more cost, so it is necessary to carry out single event effect simulation technology. The evaluation method for single event effect, based on Hspicenetlist, employing the effect generated by pulse current simulating SEE, is proposed in this paper, which is effective and can guide design.【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】2017(038)003【总页数】5页(P8-12)【关键词】抗辐照;单粒子翻转;单粒子闭锁;比较器;仿真;冲击能量;单粒子效应【作者】李若飞;胡长清【作者单位】中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳 110032;中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳 110032【正文语种】中文【中图分类】TN495运行在宇宙空间中的各类人造卫星、空间探测器等航天器的微电子器件都会受到来自空间的宇宙射线以及频谱范围较宽的电磁辐射影响,并产生不同程度的损伤。
第 39 卷第 1 期2024 年 2 月Vol.39 No.1Feb. 2024电力学报JOURNAL OF ELECTRIC POWER文章编号:1005-6548(2024)01-0021-08 中图分类号:TM712 文献标识码:A 学科分类号:47040DOI:10.13357/j.dlxb.2024.003开放科学(资源服务)标识码(OSID):基于MRMR-DRSN的电力系统暂态稳定评估龚铭扬1,程瑞寅1,杨楚原2,袁铭洋3,崔梓琪3,刘颂凯3,张磊3(1.国网湖北省电力有限公司襄阳供电公司,湖北襄阳 441000;2.国网湖北省电力有限公司宜昌供电公司,湖北宜昌 443000;3.三峡大学电气与新能源学院,湖北宜昌 443002)摘要:随着电力系统的广泛互联互通和相量测量单元(phasor measurement unit,PMU)的广泛应用,电力系统的安全运行面临着巨大挑战。
为实现对电力系统运行状态快速、准确、有效的评估,提出了一种基于最大相关-最小冗余(max-relevance and min-redundancy,MRMR)准则和深度残差收缩网络(deep residual shrinkage network,DRSN)的暂态稳定评估方法。
首先,利用MRMR准则进行特征选择,并将筛选后的关键特征和相应的类标签作为DRSN模型的输入和输出进行离线训练。
然后,制定模型更新机制以应对电力系统运行工况变化。
最后,基于PMU实时数据和训练好的DRSN,可立即提供暂态稳定评估结果。
在IEEE 10机39节点系统上进行测试,结果表明,所提方法相较于其他数据驱动方法的综合评估性能更优异,同时还具有较好的抗噪性能和鲁棒性。
关键词:电力系统;暂态稳定评估;相量测量单元;最大相关-最小冗余准则;深度残差收缩网络;模型更新Power System Transient Stability Assessment Method Based on MRMR-DRSNGONG Mingyang1,CHENG Ruiyin1,YANG Chuyuan2,YUAN Mingyang3,CUI Ziqi3,LIU Songkai3,ZHANG Lei3(1.Xiangyang Power Supply Company, State Grid Hubei Electric Power Co., Ltd., Xiangyang 441000, China;2.Yichang Power Supply Company, State Grid Hubei Electric Power Co., Ltd., Yichang 443000, China;3.College of Electrical Engineering and New Energy, China Three Gorges University, Yichang 443002, China)Abstract:With the wide interconnection of power system and the wide application of phasor measurement unit (PMU), the safe operation of power system faces great challenges. To assess the operation state of power sys⁃tem quickly,accurately and effectively,an assessment method for transient stability based on max-relevance and min-redundancy (MRMR) criteria and deep residual shrinkage network (DRSN) is put forward. Firstly,feature selection is carried out using MRMR criteria, and key features and corresponding class tags are selected as input and output of DRSN model for off-line training. Then, the model updating mechanism is developed to *收稿日期:2023-11-20基金项目:国家自然科学基金项目(52007103)。
sram阵列字线位线电容测试方法
Sram阵列字线、位线电容测试方法如下:
1. 首先,设置测试电压。
将测试电压应用到Sram阵列的字线或位线上。
通常,测试电压为阵列的工作电压的一半,用于验证电容的充电和放电性能。
2.测量充电时间。
通过对测试电压施加上升边沿来测量充电时间。
充电时间应该在一定范围内,以确保阵列中的电容能够及时充电。
3.测量放电时间。
通过对测试电压施加下降边沿来测量放电时间。
放电时间应该在一定范围内,以确保阵列中的电容能够及时放电。
4. 计算电容大小。
根据充电时间和放电时间的测量结果,可以计算出Sram阵列中的字线或位线电容大小。
电容大小反映了字线或位线的储电能力。
需要注意的是,以上方法仅适用于对Sram阵列字线或位线电容的初步测试。
为了更准确地评估电容性能,还可以使用更复杂的测试方法,如交流电压测试、频率相关测试等。
sram阵列字线、位线电容测试方法【实用版4篇】篇1 目录1.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的背景和重要性2.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的原理3.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的实施步骤4.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的优缺点5.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的未来发展篇1正文SRAM(静态随机存储器)是一种常见的存储器类型,广泛应用于计算机、手机等电子设备中。
在 SRAM 中,字线和位线电容的测试方法是保证存储器正常运行的关键环节。
本文将为您介绍 SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的背景、原理、实施步骤以及优缺点。
1.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的背景和重要性SRAM 存储单元由一个字线和一个位线组成。
字线用于存储数据,位线用于读取或写入数据。
在 SRAM 工作过程中,字线和位线之间的电容参数对存储器的性能有着重要影响。
因此,测试和优化字线、位线电容参数是保证 SRAM 性能的关键。
2.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的原理SRAM 阵列字线、位线电容测试方法基于电容耦合原理。
测试过程通常分为以下几个步骤:(1)对字线、位线施加一定电压;(2)通过测量电流,计算出电容值;(3)根据计算出的电容值,评估 SRAM 阵列的性能。
3.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的实施步骤SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的具体实施步骤如下:(1)连接测试设备:将测试设备连接到 SRAM 阵列的字线和位线上;(2)施加电压:对字线、位线施加一定电压,形成电容耦合;(3)测量电流:通过测试设备测量字线、位线上的电流;(4)计算电容值:根据测量到的电流,计算出字线、位线的电容值;(5)评估性能:根据计算出的电容值,评估 SRAM 阵列的性能。
4.SRAM 阵列字线、位线电容测试方法的优缺点SRAM 阵列字线、位线电容测试方法具有以下优缺点:优点:(1)测试精度高,可准确评估 SRAM 阵列的性能;(2)测试速度快,提高生产效率;(3)可靠性好,适用于批量生产测试。
SRAM故障模型的检测方法与应用
冯军宏;简维廷;刘云海
【期刊名称】《中国集成电路》
【年(卷),期】2008(17)11
【摘要】静态随机存储器(Static Random Acces S Memory,SRAM)的功能测试用来检测该集成电路(IC)是否有功能缺陷,而目前大部分测试程序都只是集中在如何提高IC测试覆盖度,却很少能够做到检测IC是否有缺陷的同时分析这些缺陷的物理失效机理.本文介绍了一种利用不同测试算法组合测试的方法,在检测IC是否有缺陷同时,还能进行失效故障模型的分析,进一步利用该故障模型可以推测出具体的物理失效机理.该方法能显著提高测试中电性失效分析(EFA)的能力,进而提高了物理失效分析和IC制程信息反馈的效率和能力.
【总页数】5页(P65-68,94)
【作者】冯军宏;简维廷;刘云海
【作者单位】中芯国际,品质与可靠性中心,上海,201203;中芯国际,品质与可靠性中心,上海,201203;中芯国际,品质与可靠性中心,上海,201203
【正文语种】中文
【中图分类】TN4
【相关文献】
1.SRAM断线软检测方法 [J], 丁杰
2.3D SRAM中的TSV开路故障模型研究 [J], 蒋剑锋;赵振宇;邓全;朱文峰;周康
3.数组越界的故障模型及其检测方法研究 [J], 叶焰锋;叶俊民;詹泽梅;雷志翔
4.星载计算机SRAM单粒子微闩锁检测方法 [J], 刘沛龙;常亮;陈宏宇;谭竹慧
5.脉冲激光诱发SRAM单粒子翻转的故障模型分析 [J], 李悦;朱翔;姜会龙;韩建伟因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。