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隆基n型硅片参数
【原创实用版】
目录
1.隆基股份概述
2.隆基股份在硅片制造方面的优势
3.隆基股份的 n 型硅片参数
4.隆基股份的 n 型硅片在市场上的竞争力
5.结论
正文
隆基股份是一家中国的光伏企业，成立于 2001 年，总部位于西安。
该公司是全球最大的太阳能电池和光伏组件制造商之一，其产品广泛应用于光伏发电领域。
隆基股份在硅片制造方面拥有强大的优势。
该公司拥有先进的生产设备和完整的产业链，能够从硅材料、硅片、电池、组件等多个环节进行研发和生产。
近年来，隆基股份在硅片制造方面持续加大投入，以提高产能和产品质量。
隆基股份的 n 型硅片参数如下：
- 硅片类型：n 型硅片
- 硅片厚度：180μm
- 硅片尺寸：156.75mm x 156.75mm
- 电阻率：≤100Ω·cm
- 晶体硅含量：≥99.999%
- 表面粗糙度：≤5nm
- 翘曲度：≤50μm
这些参数表明，隆基股份的 n 型硅片具有较高的质量水平，能够满足市场需求。
隆基股份的 n 型硅片在市场上的竞争力较强。
随着光伏行业的发展，对硅片的需求不断增加。
隆基股份的 n 型硅片在质量和价格方面具有一定的优势，能够吸引更多的客户。
此外，隆基股份与多家国际知名企业建立了合作关系，为其产品打开了更广阔的市场。
总之，隆基股份是一家在硅片制造方面具有优势的企业，其 n 型硅片在质量和价格方面具有竞争力。
偏光片规格书范文一、产品简介1.1产品名称：偏光片1.2产品型号：PNP-0011.3产品分类：光学器件1.4产品材质：光学玻璃1.5 产品外形尺寸：10mm×10mm×2mm1.6产品重量：1克二、产品特性2.1偏振特性2.1.1偏振类型：偏振方向为45度2.1.2透过率：大于90%2.1.3 透过偏振波长范围：400nm-700nm2.2光学性能2.2.1 光学阻挡带宽：小于4nm2.2.2折射率：1.522.2.3 相对 l/4 相位差波长范围：400nm-700nm2.3环境适应性2.3.1工作温度范围：-20℃至+70℃2.3.2工作湿度范围：0%至95%三、技术参数3.1透过率测试条件3.1.1 测试光源：550nm波长的LED光源3.1.2测试环境：室温、相对湿度50%3.1.3 测试距离：10mm3.2折射率测试条件3.2.1测试仪器：折射计3.2.2 测试波长范围：400nm-700nm3.2.3 测试距离：10mm3.3相对l/4相位差测试条件3.3.1测试仪器：相位差计3.3.2 测试波长范围：400nm-700nm3.3.3 测试距离：10mm四、包装与贮存4.1包装方式：每片偏光片使用独立包装，内含防潮材料，以避免湿气侵入。
4.2包装材料：塑料袋+纸盒4.3贮存条件：存放于通风、干燥、无酸、无碱的环境中，避免受潮。
4.4贮存周期：产品符合质保期一年。
在上述条件下，可以长期保存。
五、安全与警示5.1本产品为脆性品，请勿重压、碰撞、摔落。
5.2请勿在高温、潮湿环境下操作和贮存。
5.3请勿直接用湿布擦拭，可用气泡纸轻拂。
5.4本产品为光学玻璃制品，使用时请避免污染、刮擦等。
六、使用范围本产品适用于光学设备、光学仪器、科研实验等领域，提供可靠的偏振功能，用于光学测量、成像等应用。
七、售后服务7.1产品质保期：一年7.2产品质保范围：正常使用中由于制造缺陷引起的产品故障7.3质保服务：提供免费维修或更换服务7.4质保流程：客户提供产品相关信息和故障描述，经确认后进行维修或更换。
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度（T） 200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
Chapter 1.6I - Substrate SpecificationsPolished Single-Crystal Silicon, Prime Wafers(all numbers nominal)Wafer Specification TableAvailable silicon wafers at NanoLab stockroom are listed in table2, below.Note: NanoLab offers wafers with one major flat (SEMI standard) due to the fact that the majority of our automated equipment are set up to accept wafers with single flat, only (no minor flat).This includes: AMAT Centura, STS, and lam etchers, as well as ASML, GCAWS2 and GCAWS6 steppers in the lab.SEMI standard major flat size is defined as:For 4- inch wafers flat length (mm) = 37.5 (+2.5)For 6-inch wafers flat length (mm) = 57.5 (+2.5)II - Processing Notes1. Class Wafers –A large variety of glasses are available with different metal-oxide contents. Please referto chapter 1.15 MOD 31 for more detail. NanoLab stocks borofloat and fused silica (known as quartz) wafers. You can obtain other type of glass wafers from vendors. Please keep in mind your wafers will need to have single flat (SEMI standard specification) much like regular silicon substrates (above table), if you are going to use them on any of the automated tools in the lab. Wafer flatness may be an issue, if lithography steps are to be done on ASML stepper. This tool requires less than 70 um height variation across a 6-inch wafer, otherwise wafer handling will be a problem on this particular tool. For moreinformation about glass wafer processing follow our chapter 1.15 link at:/labmanual/chap1/1.15processmods.pdf2. Scribing wafers- Members often need to diamond scribe their wafers for identification. Do NOT scribewafers on their back, if you are going to send them through any of the etchers with electrostatic chucks, as well the ASML stepper. The wafer handler on ASML300 stepper cannot handle wafers with deep scratch marks on their back. Best practice is to lightly scribe the top near the flat on your wafers.III - Sorting Unlabeled Silicon WafersThe quality, resistivity type, bulk resistivity, and crystal orientation of unidentified Si wafers can be determined if the wafers are new (unused). The following is a description of the procedures to follow for identifying "unknown" wafers.1. Bright Light Inspection(1) Inspect all wafers under the bright light in V1 (VLSI area).(2) Discard any badly scratched or very hazy wafers.2. Determining Resistivity TypeUse MILLER DESIGN FPP-5000 (4ptprb) to measure resistivity type.(1) Place the wafer, unpolished (dull) side up, over the probe opening.(2) Depress the button (don't touch the wafer with fingers, tweezers, or vacuum wand while testing).(3) N or P for dopant type will be displayed.Consult the manual for VECCO FPP 4-POINT chapter 8.1 for more detailed instruction3. Measuring Bulk ResistivityUse MILLER DESIGN FPP-5000: Please see the instruction posted in Chapter 8.1 and the SLICE option of the tool with proper wafer thickness to be entered under the PRGM mod. Consult the manual for VECCO FPP 4-POINT chapter 8.1 for more detailed instructionDetermine Crystal OrientationUsing a diamond scribe and tweezers, cleave one wafer from each box. This is a destructive method.(1) With a diamond scribe, make a small nick in the wafer at the major flat.(2) Apply pressure to the nicked area with tweezers in order to cleave the wafer.(3) Make another nick in the cleaved piece and repeat step 2.(4) If the cleaved pieces form rectangles (cleave at 90 deg. angles), then the crystal orientation of the Siis <100>. If the cleaved pieces form triangles (cleave diagonally), then the crystal orientation of the Si is <111>.(5) Alternately, flat and secondary flat orientation may be compared to orientation conventions shown inthe Semiconductor Technology Handbook.IV - P-Type 4-inch Wafer Roughness DataThese are AFM images of P-type 4" prime wafers (below). These wafers are very smooth with the RMS roughness of around 2-4 angstroms. For each sample there are two 5 x 5 micron images, one entitled roughness analysis and the other entitled flatten.The samples were cut from 4" p-type prime wafers, and diced by disco saw utilizing a 2-micron sacrificial photoresist layer. After the dicing, samples were washed in acetone, IPA and DI water, then atomic forced microscope (AFM) was used to measure the roughness.V –Trace Elements in 4”and 6” Prime and Test WafersWRS Materials, our supplier of 4” and 6” wafers provided an analy sis of trace elements in their wafers.Application Note:Metals TestingWRS Materials follows SEMI Spec guidelines in all three of our facilities for surface metals testing.Below are the SEMI Spec requirements for surface metals according to SEMI M1 SPECIFICATIONS FOR POLISHED MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS.SEMI Spec RequirementsTable 1: Suggested Polished Wafer Surface Metal Contamination Limits Appropriate to Circuits and Devices with a Minimum Linewidth in the Range of 0.8 – 1.2 µmDue to high measurement variability, data are recorded for process capability and not for individual shipment quality reports.Technique & MethodologyWRS Materials tests these SEMI Spec guidelines by outsourcing wafers to ChemTrace, where the wafers undergo Vapor Phase Decomposition (VPD) inductively coupled plasma – mass spectrometry (ICP-MS).Silicon wafers are placed in a pre-cleaned high purity chamber saturated with Hydrofluoric Acid (HF) vapor. The native or thermal oxide on the silicon wafer is dissolved in the presence of the HF vapor. Metal impurities incorporated into the oxide layer are released and dissolved in the acid during the scanning process.A drop of an ultrapure acid etchant is added to the surface and the analysis area is scanned in a reproducible manner. The scanning solution is then collected for ICP-MS analysis.Table 3: Typical Elements and Detection Limit for Surface Metals Analysis using VPD-ICPMS Method.CapabilitiesCurrently the WRS San Jose, CA facility sends wafers out for trace metal analysis once a week and guarantee a metals spec of <5E10 atoms/cm2 for all metals listed in table 3.。
二极管级3寸单晶片技术参数二极管级4寸单晶片技术参数1. 外形尺寸1.1 硅片直径 :76.2 土 0.4mm1.2 弯曲度: ≤0.035mm1.3 总厚度变化:≤0.03 mm1.4 垂直度：片内矩形对角线相等，公差土0.5mm2. 技术参数2.1 导电参数 :N 型2.2 电阻率 :5-6OΩ .cm或按客户要求加工2.3 少子寿命 : ≥100 μ s2.4 氧含量: <1.0 ×1018atoms/cm32.5 碳含量: <5.0 × 1016atoms/cm32.6 晶向 : 〈111〉± 1.502.7 位错密度: ≤3000个 /cm32.8 厚度:280-305μm 1. 外形尺寸1.1 硅片直径: 100±0.5mm1.2 总厚度变化(TTV): 0.005μm1.3 弯曲度: ≤0.030mm2.技术参数2.1 电阻率: 5-60Ω.cm或按客户要求加工2.2 导电类型: N型2.3 少子寿命: ≥100μs2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3 2.5 碳含量: <5×1016atoms/ cm3 2.6 晶向: (111)±1.5°太阳能电池用6寸单晶片技术参数太阳能电池用8寸单晶片技术参数1. 外形尺寸1. 1 硅片直径: 150±0.4mm1. 2 硅片宽度: 125±0.4mm1. 3 硅片厚度: 200/190±20μm1. 4 总厚度变化(TTV): 0.03mm1. 5 垂直度: 片内矩形对角线相等,公差±0.5mm1. 6 弯曲度: ≤0.035mm2. 技术参数2.1 电阻率: 0.5-3Ω.cm2.2 导电类型: P型2.3 少子寿命: ≥10μs2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm32.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm32.6 晶向: (100)±2.0°2.7 位错密度:≤ 1×103个/cm3 1. 外形尺寸1. 1 硅片直径: 195/200/205±2.0 mm1. 2 硅片宽度: 156±0.4mm1. 3 硅片厚度: 200/190±10μm 1. 4 总厚度变化(TTV): ≤40μm 1. 5 垂直度: 90°±3°1. 6 弯曲度: ≤0.035mm2. 技术参数2.1 电阻率: 0.5-3/3-6Ω.cm 2.2 导电类型: P型2.3 少子寿命: ≥10μs2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3 2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3 2.6 晶向: (100)±2°2.7 位错密度: ≤1×103个/cm3125 多晶硅片导电类型P尺寸125X125mm±0.5mm150X150mm±0.5mm156X156mm±0.5mm210X210mm±0.5mm电阻 0.5-3.0Ω.cm少子寿命≥2μs氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3厚度200μm±20、220μm±20、240μm±20TTV ≤30μm弯曲度≤30μm锯痕≤10μm156 多晶硅片导电类型P尺寸125X125mm±0.5mm150X150mm±0.5mm156X156mm±0.5mm210X210mm±0.5mm电阻 0.5-3.0Ω.cm少子寿命≥2μs氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3厚度200μm±20、220μm±20、240μm±20TTV ≤30μm弯曲度≤30μm锯痕≤10μm125 单晶硅片少子寿命≥10μs弯曲度≤35μm电阻 1.0-3.0Ω.cm，3.0-6.0Ω.cm氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3尺寸125X125mm±0.5mm156X156mm±0.5mm厚度170μm、200μm、220μm、240μm（±20）TTV ≤20μm垂直度变化90°±0.2°晶向<100>156 单晶硅片少子寿命≥10μs弯曲度≤35μm电阻 1.0-3.0Ω.cm，3.0-6.0Ω.cm氧含量≤1.0×1018 /cm3碳含量≤5.0×1016/cm3尺寸125X125mm±0.5mm156X156mm±0.5mm厚度170μm、200μm、220μm、240μm（±20）TTV ≤20μm垂直度变化90°±0.2°晶向<100>。
目录太阳能级单晶硅片的规格要求 (2)太阳能级多晶硅片的规格要求 (2)太阳能级硅棒的规格要求 (3)太阳能级多晶硅料规格要求 (4)头尾料、锅底料、边角料技术要求 (5)太阳电池用晶体硅棒、片技术条件 (6)切片 (11)标志、包装、运输、贮存 (12)专业术语中英文对照（全文翻译） (12)太阳能级单晶硅片的规格要求太阳能级多晶硅片的规格要求太阳能级硅棒的规格要求太阳能级多晶硅料规格要求A、太阳能级多晶硅料规格要求技术要求：1．总体要求：硅含量≥99.9999%2．含硼量：〈0.20ppba:3．含磷量：〈0.90ppba4．含碳量：〈1.00ppba5．金属含量：〈10.00ppba6．金属表面含量：〈30.00ppba7．尺寸大小要求：25mm---250mm8．多晶种类：P型9．电阻率：〉0.50ohmcmB.破碎半导体级硅片技术要求：1.半导体级碎硅片；2.片子形状为圆弧形碎片；3.硅片厚度≥400um;4.型号为P型；5.电阻率：〉0.50ohmcmC.小多晶硅技术要求1.型号为N型，电阻率大于50ohmcm，碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于5*1017/cm3;2.块状为4mm;3.不能有氧化夹层和不熔物，最好为免洗料;D．直拉多晶硅技术要求：1.磷检为N型，电阻率大于100ohmcm，硼检为P型，电阻率大于1000ohmcm，少数载流子寿命大于100us，碳含量小于5*1016/cm3，氧含量小于5*1017/cm3;2.块状大于30mm;3.不能有氧化夹层或不熔物，最好为免洗料；E．区熔头尾料技术要求1.N型，电阻率0.5-50ohmcm，少数载流子寿命大于100us;2.块状大于30mm;3.区熔头尾料不能有气泡，不能有与线圈接触所造成的沾污，更不能有区熔过程的流硅或不熔物；4.最好为免洗料。
F．直拉头尾料（IC料），最好为免洗料1.N型，电阻率大于10ohmcm;2.P型，电阻率大于0.5ohmcm;3.块状大于30mm，片厚大于0.5mm;4.直拉头尾料不能有气泡，更不能有不熔物。
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
单晶硅片的技术标准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26 半导体材料晶向测试方法F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mn处4点和中心点）；位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125’ 1251 （mm）125’ 125 H （mm）156’ 156（mm。
5技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200士20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um,测试点为边缘6mn处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%相邻C段的垂直度：90°士；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型:硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mmf羊片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°;位错密度w 3000pcs/cm2;氧碳含量：氧含量w 20ppma碳含量w。
