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PECVD工艺原理及操作

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PECVD工艺原理及操作

目录一．基本原理二．工艺流程 三．设备结构四．基本操作五．异常处理工艺部报告人:2基本原理?PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition 等离子 增强 化学 气相 沉积?等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部 分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物 组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态。

工艺部报告人:3---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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基本原理电阻加热真空 蒸发感应加热电子束加热 激光加热 直流溅射? 物理气相沉积 （PVD）溅射 沉积射频溅射 磁控溅射 离子束溅射 直流二极型离子镀离子镀射频放电离子镀 等离子体离子镀报告人:工艺部基本原理?工作原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑利用低温等离子体作能量源，利用一定方式使硅片升温到 预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反 应和等离子体反应，在硅片表面形成固态薄膜。

PECVD方法 区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的 电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。

电子与 气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离 过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜

沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程 得以在低温下实现。

工艺部报告人:5---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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基本原理?其它方法的沉积温度： APCVD —常压CVD，700-1000℃

LPCVD —低压CVD， 750℃，0.1mbar PECVD — 300-450 ℃，0.1mbar ?PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化

（<450℃）。

因此带来的好处： ?节省能源，降低成本 ?提高产能 ?减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 ? 其他优点： ?沉积速率快 ?成膜质量好 ? 缺点： ?设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高 ?镀膜过程中产生的剧烈噪音、辐射、粉尘等对人体有害 报告人: 工艺部6基本原理?PECVD种类:间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子）工艺部报告人:7---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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基本原理?PECVD种类:直接式—基片位于电极上，直接接触等离子体（低频放电10500kHz或高频13.56MHz）工艺部报告人:8基本原理管式PECVD系统直接法 板式PECVD系统PECVDCentrotherm 、 四 十 八 所、七星华创 日本岛津微波法Roth&Rau间接法直流法OTB工艺部报告人:---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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基本原理? PECVD 的作用 ? 在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射。

氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

工艺部报告人:10基本原理? 工作原理__板P SiNA 系统采用的是一种间接微波等离子体增强化学气 相沉积的方法沉积硅太阳能电池的氮化硅（SiN）减反射膜。

它具有非常好的薄膜均匀性，而且具有大规模生产的能力。

在PECVD工序中，等离子体中的H（氢）对硅表面的钝化和 在烧结工序中SiN中的氢原子向硅内扩散，使H（氢）钝化了 硅表面和体内的晶界，悬挂键等缺陷，使它们不再起复合中 心的作用，减少了少数载流子的复合，提高了少数载流子的寿命，从而改善了硅片质量，提高了太阳能电池的效率。

工艺部报告人:王松11---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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基本原理?工作原理__管P Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和低频等离子激发器的系列发生器。

在低压和升温的情况下，等离子发生器直接在装在镀膜板中间的介质中间发生反应。

所用的活 性气体为硅烷SiH4和氨气NH3。

可以改变硅烷对氨的比率，来 得到不同的折射率。

在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离 子的产生，使得硅片的氢钝化性十分良好。

工艺部报告人:12镀膜工艺流程1. processing started 工艺开始 2. fill tube with

N2 充氮 3. loading boat (paddle in upper position)进舟（桨在高位）4. paddle moves downwards 桨降至低位 5. move out (paddle

in lower position ) 桨在低位移出管外工艺部报告人:13---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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镀膜工艺流程6. evacuate tube and pressure test 管内抽真空并作压力测试 7. plasma preclean and check with NH3 通过高频电源用氨气预清理和检查8. purge cycle 1清洗管路1 9. leak test

测漏 10. wait until all zones are on min temperature恒温 工艺部报告人:14镀膜工艺流程11. ammonia plasma preclean 通过高频电源用氨气清理 12. deposition镀膜13. end of deposition 结束镀膜 14.

evacuate tube and pressure test 抽真空及测试压力15. purge

cycle 1清洗管路1 工艺部报告人:15---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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镀膜工艺流程16. fill tube with N2 充氮 17. move in paddle –

lower position桨在低位进入管内18. SLS moving to upper

position SLS移到高位 19. unloading boat 退舟20. end of

process结束工艺 工艺部报告人:16设备结构管式PECVD系统板式PECVD系统工艺部报告人:---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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设备结构?设备结构__板P工艺部报告人:王松18设备结构?设备结构__板P工艺部报告人:王松19---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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设备结构?设备结构__板P工艺部报告人:王松20设备结构?设备结构__板P压力压力压力传送带1传送带速度上载预热反应冷却报告人:下载工艺部---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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设备结构?设备结构__板P冷却水账号 温度 工艺名称 运行状态 时间 日期压力工艺部报告人:22设备结构?设备结构__管P工艺部报告人:23---------------------------------------------------------------最新资料推荐------------------------------------------------------

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设备结构设备结构?装载区 ?炉体?特气柜?真空系统?控制系统工艺部报告人:24设备结构? ? 设备结构： 装载区： 桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。

桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防 变形等性能。

作用是将石墨舟放入或 取出石英管。

LIFT： 机械臂系统，使舟在机械臂作用下在 小车、桨、储存区之间互相移动。

抽风系统 : 位于晶片装载区上方，初步的冷却石 墨舟和一定程度的过滤残余气体 ? SLS系统： 软着陆系统，控制桨的上下，移动范 围在2—3厘米工艺部报告人:25

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PECVD操作规程

PECVD操作规程

锦州华昌光伏科技有限公司

PECVD操作规程

1 目 的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。

2 适用范围：PECVD淀积车间。

3 职 责：

3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。

3.2 熟练掌握每道操作步骤。

4 定 义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。

5 运行程序：

5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。

5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（2020C）应同时满足。

5.1.2 气：N2(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同时满足。

5.2 打开电源的主开关，开启机器。

5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。

5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。

5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔锦州华昌光伏科技有限公司

后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。

6 附 件：

6.1 插片及取片

6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。

6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。

技术部第一版

2008.7.11

染织行业丝光工艺操作流程及原理

染织行业丝光工艺操作流程及原理

染织行业丝光工艺操作流程及原理

从棉针织物丝光原理和丝光工艺流程入手，着重探讨了棉针织物丝光过程中碱液浓度、温度、加工时间、施加张力、输液率和水洗去碱等因素对工艺的影响，并提出合理的工艺建议。

棉针织物丝光是指各类棉针织物在机械的张力下，用高浓度NaOH溶液进行处理。经丝光处理后的棉针织物会产生象丝绸一样耐久性好的光泽，并提高了织物对染料的吸附能力和吸湿性，成品的尺寸稳定性也有很大的提高。

1 棉针织物丝光原理

棉纤维经浓烧碱溶液处理后，纤维即发生膨化，其直径增大而长度缩短，纤维从原来扁平状变成平滑柱形，同时棉纤维所特有的胞腔及天然捻度也消失，处理时若及时加以张力，纤维表面小皱纹消失，则纤维就显现出似丝一样的光泽。

棉纤维和浓烧碱溶液作用后，纤维发生膨化，生成一种新的化合物，称碱纤维素。关于碱纤维的组成有以下两种可能：一种认为碱与纤维素作用后生成分子化合物，另一种认为碱与纤维素作用后生成醇金属化合物。以上两类化合物都是不稳定的，清水洗去碱后发生水解，经水解后的碱纤维素，称为水化纤维素或丝光纤维素。丝光纤维素与未丝光纤维素化学组成相同，结晶结构不同，称结构变体。纤维素结构变体后，性能上有以下变化：

a）棉纤维经丝光后，结晶区减少，无定形区增加，改善了吸附能力，吸湿性、上染力提高。 b）棉纤维膨化后，形态改变，由原来腰圆形变为圆形，对光的反射效果增加，使织物产生柔和的光泽。

c）氢键的破坏与重组，能改善织物尺寸稳定性。

2 棉针织物丝光工艺

按加工工艺流程不同可分为干丝光和湿丝光﹔按丝光对象不同可分为纱线丝光、织物丝光及双丝光。

2.1 干丝光

干丝光又称干热丝光，就是用针织毛坯布直接进行丝光处理。由于毛坯布未经精练处理，织物吸湿性较差，所以丝光液中必须加入高效渗透剂。棉针织物干丝光工艺有以下特点：a）丝光处理后织物不需煮练，工艺路线缩短，坯布可保持较大的抗拉强度和较小的变形。b）由于未进行煮练，丝光过程中会有大量杂质混入碱液中，既可造成织物丝光不均匀，也会对丝光工艺和碱液循环系统产生干扰。

变截面高桥墩模板制作与安装工艺原理及操作要点

变截面高桥墩模板制作与安装工艺原理及操作要点

浅谈变截面高桥墩模板制作与安装工艺原理及操作要点

摘要：变截面高桥墩是山区高速公路和一般公路中最常见的下部结构形式，本文对其工艺原理与操作中应注意的要点进行分析和阐述。

关键词：原理；模板；操作要点

中图分类号： tu755.2 文献标识码： a 文章编号：

一、变截面高桥墩模板制作与安装工艺原理

（一）设计原理

变截面高桥墩施工中有两个常见问题：

第一、截面变型使钢模板不能通用，一般桥墩截面的一边按高度以1：80或1：100等较小比例收坡，其坡比率很小使得截面实际延米的变化数值小，实际施工中较难精确控制，细微的偏差就会带来误差的累计（墩柱高达40m～90 m），影响墩柱的外形美观。

第二、如果塔吊不能进场，则只能采用组合钢模，但组合模板自身整体刚度较差。通常为保证模板系统的整体刚度，需要较强的加固处理，而且组合钢模面积小，接缝多，外观不美观。

部分工程中为解决以上问题，把模板设计为标准的平行四边形的大钢模以适应坡度的变化和大面积的需要，同时制作部分梯形和三角形的钢模来补足两个四边形中间的部分，但此方案存在三个问题：首先，中间的梯形和三角形模板制作量大，利用率低，需要从桥墩的墩底制作到墩顶，高达60m～90 m，以适合全桥墩柱的使用，但在每根桥墩施工中只利用一次，再次，由于梯形和三角形模板的利用率低，施工完成的桥墩外观颜色往往不一致，后期处理难度大，还有此类模板大小相差不大且外形相像，容易混淆，管理难度大，有些小的部分丢失后将影响整个桥墩的施工。

实际工程中，桥墩一般采用一方收坡，而一方固定，以重庆云阳至万州高速公路d合同段下枝子湾2号大桥为例：大桥跨 “v”型沟谷，下部构造为双柱式桥墩，墩身为矩形变截面空心薄壁结构，桥墩最高61米，桩基深27米，墩顶截面为纵向1.6m，横向1.8m，最高墩墩底截面为纵向3.15m，横向1.8m，桥墩截面的纵向尺寸按高度以1：80比例收坡，壁厚40cm，空心节段每隔6.3m设一道横隔梁，横隔梁高0.3m，空心段为6m。

PECVD工艺原理及操作

PECVD工艺原理及操作

PECVD工艺原理及操作

PECVD（Plasma enhanced chemical vapor deposition）是一种常用的化学气相沉积（CVD）技术。其原理是在气相条件下，将所需的材料沉积到基板上，通过离子处理气体形成低能量等离子体，从而促进材料的沉积。

1.气体混合：将沉积材料的前体气体和携带离子的气体混合在一起。前体气体会分解形成可沉积材料，携带离子的气体则会通过离子助推器产生等离子体。

2.等离子体生成：混合气体进入到反应室，通过加热和放电等方法，激发气体产生等离子体。等离子体可以通过碰撞和电场加速等作用，激活、分解和重新组合气体分子，形成可沉积的材料。

3.材料沉积：等离子体中的活性物种与基板表面发生反应，沉积成薄膜。反应过程通常涉及的反应类型有：氧化、硝化、碳化、氮化以及聚合等反应。

4.控制沉积速率：PECVD工艺中可以通过控制沉积材料的浓度、气体流量、反应温度和反应时间等参数，来调节薄膜的厚度和生长速率。

1.准备基板：选择适当材料制备基板，并进行必要的清洗和表面处理，以提供更好的薄膜附着性能。

2.载入基板：将基板放置在PECVD反应室中，并确保其与反应室壁保持一定的距离，以避免基板受到过多的电子轰击或损坏。 3.气体进料：根据所需的薄膜材料，选择合适的前体气体，并将其与携带离子的气体混合。通过控制进气流量和组分比例，使气体在反应室中均匀混合。

4.产生等离子体：通过加热、放电或高频电源等方式激发混合气体产生等离子体。通过调节参数，如加热功率、电压、频率等来控制等离子体的大小和活性。

5.材料沉积：等离子体中的活性物种与基板表面反应，形成薄膜。通过调节反应参数的时间，控制沉积速率和薄膜厚度。

6.完成沉积：反应时间到达后，停止进料，并将反应室中的气体排出。等离子体消失后，取出沉积好的基板。

1.温度低：PECVD工艺可以在相对较低的温度下进行，避免了对基板的热应力和退火效应。