pecvd的工艺流程

锦州华昌光伏科技有限公司

PECVD操作规程

1 目 的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。

2 适用范围：PECVD淀积车间。

3 职 责：

3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。

3.2 熟练掌握每道操作步骤。

4 定 义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。

5 运行程序：

5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。

5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（2020C）应同时满足。

5.1.2 气：N2(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同时满足。

5.2 打开电源的主开关，开启机器。

5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。

5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。

5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔锦州华昌光伏科技有限公司

后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。

6 附 件：

6.1 插片及取片

6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。

6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。

技术部第一版

2008.7.11

pecvd的工艺流程

《PECVD工艺流程》

PECVD即等离子化学气相沉积，是一种常用于制备薄膜的技术，主要应用于半导体制造和光电子器件制造等领域。下面将介绍PECVD的工艺流程。

1. 基片清洗：首先，需要对基片进行清洗，以去除基片表面的杂质和污染物，保证薄膜的质量。通常使用溶剂清洗、超声波清洗和化学清洗等方法。

2. 负极板安装：在PECVD系统中，基片被放置在一个负极板上。这个负极板会通过射频电源产生高频辉光放电，使得气体分子等离子化。

3. 清洁气体引入：清洁的气体（通常是氢气或氮气）被引入到等离子体中，用于稀释和控制反应物质的浓度。

4. 反应气体引入：需要使用PECVD生长的薄膜材料的反应气体也被引入到等离子体中，如硅源气体（硅醚、二甲基硅烷等）和氧源气体（二氧化硅源气体等）。

5. 沉积薄膜：当反应气体在等离子体中被激活后，会发生化学反应并沉积在基片表面，形成所需的薄膜。

6. 控制参数：在整个PECVD工艺过程中，需要对气体流量、射频功率、温度和压力等参数进行严密控制，以确保薄膜的均匀性和质量。

7. 化学后处理：在沉积完成后，通常需要对薄膜进行后续的化学处理，如退火、氧化和腐蚀等，以满足特定的应用需求。

通过以上工艺流程，PECVD能够制备出高质量、均匀性好的薄膜，广泛应用于电子器件、太阳能电池、光学涂层等领域。

PECVD工序段学习汇报

目录

1. PECVD设备概况

2. 工作流程介绍

3. 工艺步骤介绍

4. 工艺配方的学习

5. 常见的异常及原因

1. CentrothermPECVD设备概况

Centrotherm设备的基本功能单元包括：硅片装载区域、热风排风柜、炉体、气体系统、真空系统；同时，在装载区域配备了垂直层流系统，用于净化空气，设备的简要示意图如下图所示：

俯视图

平视图

2.工作流程介绍 操作控制单元 硅片装载区

炉体 特气柜 热风排风柜

在CVD工艺中用一部推车来手动将工艺舟移入设备中进行加工，以及在加工结束后将工艺舟移除设备，推车锁定在设备中用作加工后冷却工艺舟的存放处。

（1）当一个工艺结束，那个炉管的软着陆系统（SiC桨）会进入石英管中，把装有镀过膜硅片的石墨舟取出；（2）提升系统会将石墨舟从SiC上取下，放入存储位置，进行冷却，同时滑轨会把一个新工艺舟用作来在热化学工艺过程中作为硅片的机械承载器，为石墨舟。 装满的石墨舟由硅片装载系统送入石墨舟装载位置；（3）提升系统会将新装满的石墨舟送到SiC桨上；（4）软着陆系统会把石墨舟送入石英管，然后桨退出，关闭炉门，工艺开始允许；（5）之后，提升系统把刚刚在存储位置冷却的石墨舟送到滑轨上，由滑轨送到外界的自动硅片装载系统中。

全自动硅片装载系统，通过石墨舟传输系统可以把石墨舟送到自动化系统中，包括以下组件：石墨舟提升、石墨舟存储、石墨舟传输系统。

3.工艺步骤介绍

1. 工艺开始（processing started ）

2. 充氮（fill tube with N2）

3. 桨在高位进舟loading boat (paddle in upper position)

4. 桨降至低位paddle moves downwards

5. 桨在低位移出管外move out (paddle in lower position )

1 PECVD

一：PECVD的应用：

PECVD主要用于进行电介质薄膜的沉积, 在芯片生产过程中,金属薄膜之间, 电容等作为导电薄膜之间的隔离作用.如下图, ILD; IMD以及PASSVATION层SiO2 以及SiN薄膜都是运用到了PECVD.

可以用到PECVD 制成的薄膜有如下：

SiH4+N2O

plasma

SiOx(Hy) + other volatiles (200~400C)

SiH4+N2+NH3 plasma SiNx(Hy) + other volatiles (400C)

SiH4+N2O+NH3+N2 plasma SiOxNy(Hz) + other volatiles (400C)

SiH4+N2O+He plasma SiOxNy(Hz) + other volatiles (400C)

二：PECVD的原理：

CVD： 化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程

2 A). 反应气体流经反应腔体，经过反应基片。

B). 反应气体扩散到反应基片的表面。

C). 反应气体物理吸附在基片的表面。

D). 反应气体在基片表面横向移动。

E). 反应气体发生化学反应。

F). 反应副产物一般为气体，从基片表面脱离。

G). 反应副产物扩散到气流中。

H). 反应副产物被真空泵抽走。

PECVD：就是在普通CVD的基础上加入交流电场，使反应气体离化，形成等离子体，即电浆。以增强CVD反应物的活性，提高反应强度，所以称为电浆增强型CVD.

例如：二氧化硅的淀积温度接近于660℃。这样的温度可能会导致合金铝与硅表面的相互连接。这是人们所不能接受的。解决该问题的方法之一就是采用增强的等离子体，增加淀积能量。增强的能量允许在最高450摄氏度的条件下，在铝层上进行淀积。物理上讲，增强的等离子系统类似于等离子体刻蚀。它们都 3 具有在低压下工作的平行板反应室，由射频引入的辉光放电，或其他等离子体源，用于在淀积气体内产生等离子体。低压与低温的结合提供了良好的薄膜均匀性和生产能力。PECVD反应室还具有在淀积前利用等离子体对晶圆进行刻蚀和清洗的功能。其反应腔体如下所示：