1.6 场效应管

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半导体的导电特性

半导体
本征半导体杂质半导体
P型半导体(空穴型） N型半导体（电子型）
常用半导体材料硅和锗的原子结构
价电子：最外层的电子受原子核的束缚最小，最为活跃，故称之为价电子。最外层有几个价电子就叫几价元素，半导体材料硅和锗都是四价元素。
Si+14 2 8 4
Ge+32 2 8 18 4
2. 半导体的内部结构及导电方式：
一是势垒电容CB 二是扩散电容CD
(1) 势垒电容CB
势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。
图 01.09 势垒电容示意图
(2) 扩散电容CD
扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度。
vi
RL vo
vo
t
例3：设二极管的导通电压忽略，已知
vi=10sinwt(V)，E=5V，画vo的波形。
vi 10v
5v
R
t
D
vo
vi
E
vo
5v
t
例4：电路如下图，已知v=10sin(t)(V)，
E=5V，试画出vo的波形
vi
解：
t
vD
t
例5：VA=3V, VB=0V，求VF (二极管的导通电压忽略)
根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示
V
I IS (e VT 1)
式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。

部分场效应管型号用途参数

部分场效应管型号用途参数型号材料管脚用途参数3DJ6 NJ 低频放大20V0.35MA0.1W2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118)2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.92SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.22SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.22SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.82SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.0652SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.652SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.252SK1119 NMOS GDS 电源开关1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US50 2SK1379 NMOS GDS 激励,开关60V50A150W78/640nS0.0172SK1387 NMOS GDS 激励,开关60V35A40W66/500nS0.0352SK1388 NMOS GDS 激励,开关30V35A60W125/480nS0.0222SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.42SK1459 NMOS GDS 高速开关900V2.5A30W40/160nS6.02SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.52SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.22SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励,开关500V18A150W120/210nS0.362SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.82SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.072SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.482SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS52SK2082 NMOS GDS 开关UPS用900V9A150W 85/210nS1.402SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.82SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.12SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055 BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6H120N60 N MOS GDS 开关600V120AIRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5 IRF840 NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/33nS0.85 IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3 IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3IRF9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3 IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP350 NMOS GDS 功放开关400V16A180W77/71nS0.3 IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 IRFP9140 PMOS GDS 功放开关100V19A150W100/70nS0.2IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60A NMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50 NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60A NMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60A NMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10 NMOS GDS 功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP40N06 NMOS GDS 功放开关(双)60V40A150W/70nS0.3MTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04RFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.023SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125WSSP7N80 NMOS GDS 高速电源开关800V7A75WSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nSGT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W IMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻) SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400WTN2460L35N120 1200V35A250WEXB841 IGBT驱动。

系列场效应管型号技术参数

60V10A50W45/65NS0.15
2SK447
NMOS
SDG
高速低噪开关
250V15A150W0.24可驱电机
2SK511
NMOS
SDG
高速功放开关
250V0.3A8W5.0
2SK534
NMOS
GDS
高速开关
800V5A100W4.0
2SK539
NMOS
GDS
开关
900V5A150W2.5
2SK560
BS170
NMOS
60V0.3A0.63W12/12nS5.0
BUZ11A
NMOS
GDS
开关
50V25A75W60/110nS0.055
BUZ20
NMOS
GDS
功放开关
100V12A75W75/80nS
IRF130(铁)
NMOS
GD S
功放开关
100V14A79W75/45nS0.16
IRF230(铁)
NMOS
GDS
投影机用
500V10A85W60/40nS0.6
2SK1195
NMOS
GDS
电梯用
230V1.5A10W37/100nS
2SK1198
NMOS
GDS
高速开关
700V2A35W20/80nS3.2
2SK1217
NMOS
GDS
电源开关
90V8A100W280/460nS2.0
2SK1221
NMOS
GDS
电源开关
250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247
NMOS
GDS
电源开关
500V5A30W50/90nS1.4

场效应管参数

1W(TO-92)
TO-92
MJE13003/KSE13003/
TO-12 20WTO-126
量
3DD13003/CS13003/
__
HM13003 NPN 400V 600V 9V 0.5A 3A
)
6
产 JCS13003/SIF13003/JD
TO-22
13003
0
40W(TO-22
0)
4A
HM13005 NPN 400V 700V 9V
O8810
21mΩ 21mΩ
SOT2 量 3-6 产
TSSO 量
AO8205/CEM8205/ APM8205 /AP8205/AO8205 AO8205A/CEM8205
道
HM4606
N+P 沟 30V/- 20V/
道
1.4V 30V -20V
HM50N03K N 沟道 30V 20V 1.6V
N 沟道 20V 12V 0.7V 3A
9A
RDS(o
n)
封装
(Max)
状直接替代型号
态
Si2301/AP2301/SI23
SOT2 量 05/XP152A/
65mΩ 3
产 IRLML6401/IRML6
402/AO3423
Si2301/AP2301/SI23
SOT2 量 05/XP152A
74mΩ 3
极
型号
性
Ve Ic Vceo Vces
Ib
Icp
Ibp
Pc
bo
__
1W
HM13001 NPN 400V 600V 9V 0.5A 1A
状封装态

场效应管参数大全

1412k 代 3332K,7111K,1672K,7051K,5452K,4652K,5462K,8111K 。8112KS2 ,1012K ,4041K 代。 W53 , A6 ,V006 5402K W001 A5 V009 TEF-N 7351KS2 V006 A9 :7051K
W05,A01, Ω5.0,V054 :1011K W06,A53, Ω220.0,V03 :8831K W04,A01, Ω58.0,V005 :6233K W53,A6, Ω1.1,V006 :1412K W05,A9, Ω2.1,V006 :5462K 恒永情真解理诚真心真知未的限无间空度百全大数参管应效场
N A01 V008 61MK01SF N W04 A01 006 21MK01SF V02��SGV�MHO571.0�SDR�A11��V55�数参�管场道沟 P 是 4209UFRI 道沟 P A11 V55 贴�4209RF 插直�道沟�A21�V06 60P71UQF 插直(152-OT W05 A4.9 V001 01P21UQF N W69 A5。4 V009 09N6FAQF N W011 A3。11 V005 05N61FAQF N W311 A7。6 V008 08N01FAQF 8�管 SOM 道沟 N 双。用板压高 5499SDF 应效场道沟 P W5。2 A3。5 V03 5349SDF 封 252-OT 道沟 N A07 A66 V03 0766DDF ,SOM 片贴小道沟 N W35 V06 A21 5503DF W3 A41 V03 W1187F OI21-54SC N W051 A57 V06 L0607PEC )大(片贴 W05 A04 V03 LA307BEC N W001 A8.3 V008 A08ZUB W57 A32 V05 01ZUB )缀后意注(N W1 A3.0 V052 A452NSB N 置内,片贴脚 8,MG1154PA 同 1154PA A7。4 V06�1 各道沟 N、P 含内 706P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 506P0A A5.7 V03,1 各道沟 N,P 含内 006P0A 贴管 SOM 板压高 N,A21,V06 444D0A 贴管 SOM 板压高 N,A72/83V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N�A72/83�V06 244D0A 贴管 SOM 板压高 N,A01,V03 024D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴管 SOM 板压高 P A81/62 V06 904D0A 贴管 SOM 板压高 P�A81�V03 804D0A 贴管 SOM 板压高 P�A81�V03 504D0A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 00640A 贴脚 8,道沟 P 单 W1.3 A51 V03 32440A 片贴脚 8 道沟 N A11 V03 22440A 片贴脚 8 道沟 N A5.11 V03 81440A 脚 8�道沟 N 单 MW3,A5.8,V03 41440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A51 V03 31440A 脚 8,应效场道沟 P W3 A8 V03 11440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A81 V03 01440A 脚 8,应效场道沟 P A51 V03 90440A 片贴脚 8,道沟 N 单 A21 V03 80440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 片贴脚 8,道沟 P 单 W3 A21 V03 70440A 贴脚 8,道沟 N 单,A5.11,V03 60440A 片贴脚 8 道沟 P 单 W3 A6 V03 50440A 片贴脚 8 道沟 N 单 A5.8 V03 40440A 片贴脚 8 道沟 P 单 A1.6 V03 30440A 一各管 SOM 道沟 N�道沟 P 含内 SC2054FA

常用场效应管及晶体管参数表

设计、制作常用二极管资料大全29RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97DO-201AD 30RM4Z-RM4C3A 200-1000V 0.97DO-201ADI F V RRM V F Trr A V V μs 11F1-1F71A 50-1000V 1.30.15-0.5R-12FR10-FR601A-6A 50-1000V 1.30.15-0.531N4933-1N49371A 50-600V 1.20.2DO-4141N4942-1N49481A 200-1000V 1.30.15-0.5DO-415BA157-BA1591A 400-1000V 1.30.15-0.25DO-416MR850-MR8583A 100-800V 1.30.2DO-201AD 7EU1-EU20.25A-1A100-1000V1.30.4DO-41820DF1-20DF102A 100-1000V 1.30.2DO-15930DF1-30DF103A 100-1000V 1.30.2DO-201AD10RU1-RU40.25A-3A 100-1000V 1.30.411ERA22-02～100.5A 200-1000V 1.30.4R-112ERA18-02～100.8A200-1000V1.30.4R-113ERB43-02～100.5A 200-1000V 1.30.4DO-4114ERB44-02～101A 200-1000V 1.30.4DO-1515ERC18-02～10 1.2A 200-1000V 1.30.4DO-1516ERD28-02～10 1.5A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 17ERD29-02～10 2.5A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 18ERD32-02～103A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 19ERD09-13～153A1300-1500V1.50.6R-51SK1-02～30 1.5A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-152SK2-02～301A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-413SK3-02～302A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-154SK4-02～300.5A 300-3000V 1.3-40.5-1DO-4152CG04-2CG300.2A 300-3000V 1.3-40.5-1DO-4112CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32DO-4122CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.32DO-4132CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.36DO-4142CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.30.8DO-1552CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 11DO-1562CN6D-2CN6M1A200-1000V1.36DO-41（1）快恢复塑封整流二极管（2）SK、2CG系列快恢复整流二极管（3）快恢复塑封阻尼二极管2.快恢复塑封整流二极管序号型号外形72CN12D-2CN12M3A200-1000V 1.31DO-201AD8RH1Z-RH1C0.6A200-1000V 1.34DO-41 9TVR4J-TVR4N 1.2A600-1000V 1.220DO-151ERA34-100.1A1000V30.15R-12ERA32-02～101A200-1000V 1.30.1DO-413ERB32-02～101.2A200-1000V 1.30.1DO-154ERC30-02～101.5A200-1000V 1.30.1DO-155ERC32-02～103A200-1000V 1.30.1DO-201AD6EG01E-EG01C0.5A200-1000V20.1DO-41 7EG1E-EG1C1A200-1000V 1.80.1DO-41 8RG10Z-RG10C 1.2A200-1000V20.1DO-15 9RG2Z-RG2C 1.5A200-1000V 1.80.1DO-15 10RG4Z-RG4C3A200-1000V20.1D0-201ADI F V RRM V F TrrA V V ns1SF10-SF501-5A50-1000V0.95-1.7352SF80-SF1608-16A50-600V0.95-1.435TO-220 3EGP10-EGP501-5A50-200V 1.1354ERC38～04-ERC38～101A400-1000V 1.750DO-415RL2-RL2C2A400-1000V 1.750DO-15 6RL3-RL3C3A400-1000V 1.750DO-201AD71H1-1H81A50-1000V 1.1-1.750-75R-18HER10-HER601-6A50-1000V 1.1-1.750-759HER80-HER1608-6A50-1000V 1.1-1.750-75TO-22010UF10-UF601-6A50-1000V 1.1-1.750-7511EL1Z-EL1 1.5A200-350V 1.350DO-151MUR120-MUR11201A200-1200V0.95-1.535-50DO-412MUR420-MUR41204A200-1200V0.95-1.635-75DO-201AD3MUR820-MUR81208A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC4MUR1020-MUR1012010A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC5MUR1520-MUR1512015A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC6MUR2020-MUR2012020A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AB7MUR3020-MUR3012030A200-1200V 1.3-2.135-75TO-247AD（2）MUR超快恢复整流二极管4.超快恢复塑封二极管序号型号外形（1）超快恢复塑封二极管3.超高频塑封二极管8MUR6020-MUR6012060A200-1200V 1.3-2.135-75TO-247AD1RHRP820-RHRP81208A200-1200V 2.1-3.235-70TO-220AC2RHRP1520-RHRP1512015A200-1200V 2.1-3.240-75TO-220AC3RHRP3020-RHRP3012030A200-1200V 2.1-3.245-75TO-220AC4RHRG3020-RHRG3012030A200-1200V 2.1-3.245-75TO-247AC5RHRG5020-RHRG5012050A200-1200V 2.1-3.250-100TO-247AC6RHRG6020-RHRG6012060A200-1200V 2.1-3.245-75TO-247AD1BYW29-100～2008A100-200V 1.125TO-220AC2BYV29-300～5009A300-500V 1.2560TO-220AC3BYQ28-100～20010A100-200V 1.120TO-220AB4BYT28-300～50010A300-500V 1.460TO-220AB5BYV79-100～20014A100-200V 1.330TO-220AC6BYT79-300～50014A300-500V 1.460TO-220AC7BYV32-100～20020A100-200V 1.125TO-220AB8BYV34-300～50020A300-500V 1.160TO-220AB9BYV42-100～20030A100-200V 1.128TO-220AB10BYV44-300～50030A300-500V 1.2560TO-220ABI F V RRM V FA V V11N5817-1N58191A20-40V0.45-0.6DO-4121N5820-1N58223A20-40V0.45-0.6DO-201AD3SRT12-SRT1001A20-100V0.55-0.85R-14SR10-SR501-5A20-100V0.55-0.855SB120-SB1B01A20-100V0.55-0.85DO-41 6SB220-SB2B02A20-100V0.55-0.85DO-15 7SB320-SB3B03A20-100V0.55-0.85DO-201AD 8SB520-SB5B05A20-100V0.55-0.85D0-201AD9ERA81-002～0091A20-90V0.55-0.9DO-4110ERB81-002～0092A20-90V0.55-0.9DO-15（1）肖特基塑封整流二极管（3）RHRP、RHRG超快恢复二极管（4）BYV29～79、BYT28～79超快恢复二极管5.肖特基整流二极管序号型号外形11ERC81-002～0093A20-90V0.55-0.9DO201AD12EK03-EK091A20-90V0.55-0.81DO-41 13EK13-EK19 1.5A20-90V0.55-0.81DO-15 14EK33-EK392A20-90V0.55-0.81DO-15 15EK43-EK493A20-90V0.55-0.81DO-201AD1MBR1020-MBR106010A20-60V0.57-0.8TO-220AC2MBR1620-MBR166016A20-60V0.57-0.8TO-220AC3MBR2020CT-2060CT20A20-60V0.57-0.8TO-220AB4MBR2520CT-2560CT25A20-60V0.57-0.8TO-220AB5MBR3020PT-3060PT30A20-60V0.57-0.8TO-247AD6MBR4020PT-4060PT40A20-60V0.57-0.8TO-247AD7MBR6020PT-6060PT60A20-60V0.57-0.8TO-247AD8PBYR735-7457A20-45V0.56-0.66TO-220AC9PBYR1020-106010A20-60V0.56-0.77TO-220AC10PBYR1635-166016A20-60V0.56-0.77TO-220AC11PBYR2020CT-2045CT20A20-45V0.56-0.65TO-220AB12PBYR3035PT-3060PT30A20-60V0.56-0.77TO-247ADI F V RRM V F TrrA V V ns1BYV26A-BYV26E1A200-1000V 1.50.03DO-204AP2BYV12-BYV16 1.5A100-1000V 1.50.3DO-204AP3BYV96A-BYV96E1.5A100-1000V 1.50.3DO-204AP4BYV27-50～2002A50-200V 1.10.025DO-204AP5BYV28-50～2003.5A50-200V 1.10.03G36BYT52A-BYT52M1A50-1000V 1.30.2DO-204AP7BYT54A-BYT54M1.25A50-1000V 1.50.1DO-204AP8BYT53A-BYT53M1.5A50-1000V 1.10.05DO-204AP9BYT56A-BYT56M3A200-1000V 1.40.1G310BYM26A-BYM26M2.3A200-1000V 1.50.03G3（1）BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管（2）MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号外形11BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.10.15G312BYW32-BYW382A 200-1000V 1.10.2DO-204AP 13BYW52-BYW562A 200-1000V 1.14DO-204AP 14BYW72-BYW763A 200-600V 1.10.2G315BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.50.2G316BY2283A 1500V 1.520G317GP10-GP301-3A 50-1000V 1.118RGP01-10～RGP01-200.1A 1000-2000V 20.2-0.5DO-4119RGP05-10～RGP05-200.5A 1000-2000V 20.2-0.5DO-4120RGP10-RGP601-6A50-2000V1.30.15-0.51PD0112-PD01600.1A 1200-6000V 1.2-5DO-412PD0312-PD03600.3A 1200-6000V 1.2-5DO-153PD0512-PD05600.5A 1200-6000V 1.2-5DO-154PD112-PD1301A 1200-3000V 1.2-4DO-155PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4DO-156PD212-PD2202A 1200-2000V 1.2-2.5DO-201AD 7PD312-PD3203A 1200-2000V 1.2-2.5DO-201AD 8PD612-PD6206A1200-2000V1.2-2.5R-69TR0112-TR01600.1A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-4110TR0312-TR03600.3A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-1511TR0512-TR05600.5A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-1512TR112-TR1301A 1200-3000V 1.5-60.5-0.8DO-1513TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-60.5-0.8DO-1514TR212-TR2202A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.8DO-201AD 15TR312-TR3203A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.7DO-201AD 16TR612-TR6206A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.8R-617PR01-PR10.1-1A 1200-3000V 1.5-40.1-0.5DO-1518RC20.3A 2000V 30.5DO-4119RU4D-RP3F1.5A-2A 1300-1500V1.50.3DO-201ADP ZM V Z W V 1稳BZX550.5W 2.4V-47V 21N5985B～1N6031B0.5W2.4V-200V8.稳压二极管序号名称型号（2）GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管7.PD、TR、PR系列高压塑封二极管3压1N4728～1N47641W 3.3V-100V 41N5911B～1N5956B 1.5W 2.7V-200V 5二2CW37-2.4～360.5W 2.4V-36V 62CW51-2CW680.25W 3V-28.5V 7极2CW101-2CW1211W 3V-37.5V 82DW50-2DW641W 41V-190V 9管2DW80-2DW1903W 41V-190V 102DW110-2DW15110W 4.3V-470V 112DW170-2DW20250W 4.3V-200V 温度补偿稳压二极管I C V RM Trr mA V ns 11N4148150100V 4DO-3521N4149-1N415415035-100V 2月4日DO-3531N4446-1N445415040-100V 1月4日DO-3541N91475100V 4DO-355BAV17-BAV2125025-250V 50DO-356BAW75-BAW7630035-75V 4DO-3572CK70-2CK7910-28020-60V 3月10日DO-3582CK80-2CK8510-30020-60V 5月10日DO-3591S1553-1S155510070-35V 3DO-35101S2471-1S2473130-11090-40V3DO-350.2W5.8V-6.6V9.高速开关二极管序号型号外形122DW230-2DW236。

常用场效应管及晶体管参数66681

常用场效应管及晶体管参数66681场效应管（Field-Effect Transistor，FET）和晶体管（Transistor）是现代电子学中最常用的两种电子元件。

它们广泛应用于电子设备中的放大、开关和数码电子电路等方面。

本文将对常用的场效应管和晶体管参数进行介绍。

1.场效应管的参数1.1耐压（VDSS）:表示场效应管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。

1.2额定电流（ID）:表示场效应管的最大额定电流，单位为安培（A）。

1.3 漏极-源极导通电阻（RDS(on)）: 表示在漏极-源极之间，当场效应管处于导通状态时的阻值，单位为欧姆（Ω）。

1.4 阈值电压（VGS(th)）: 表示在栅极和源极之间，场效应管刚开始导通时所需的栅极-源极电压，单位为伏特（V）。

1.5 输入电容（Ciss）: 表示场效应管的输入电容，单位为法拉（F）。

1.6 输出电容（Coss）: 表示场效应管的输出电容，单位为法拉（F）。

1.7 开关时间（ton、toff）: 表示场效应管从导通到截止以及从截止到导通的时间，单位为纳秒（ns）。

2.晶体管的参数2.1最大耐压（VCEO）:表示晶体管的最大耐受电压，单位为伏特（V）。

2.2最大额定电流（IC）:表示晶体管的最大额定电流，单位为安培（A）。

2.3 饱和压降（VCE(sat)）: 表示晶体管在饱和区时，集电极和发射极之间的电压降，单位为伏特（V）。

2.4 开路电流放大倍数（hfe）: 表示晶体管的直流电流放大倍数。

2.5 输入电阻（hie）: 表示晶体管的输入电阻，单位为欧姆（Ω）。

2.6 输出电阻（hoe）: 表示晶体管的输出电阻，单位为欧姆（Ω）。

2.7 动态电阻（rce、Rce）: 表示晶体管在放大区时，集电极和发射极间的动态电阻，单位为欧姆（Ω）。

3.总结场效应管和晶体管是现代电子设备中非常重要的元件，具有各自独特的特性和参数。

在实际应用中，我们需要根据具体情况选择适合的场效应管或晶体管，并合理使用其参数进行设计和调整。

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数3DJ 6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB高频低噪放大2SK192 NJ DSG2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关850V3A100W4.5 可驱电机可驱电机900V5A150W2.5 开关电源2SK794 NMOS GDS2SK817 NMOS GDS 电源开关60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动800V7A125W 145/250nS2.2 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动900V8A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动60V15A25W80/300nS0.065 2SK1101 NMOS GDS 功放开关450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关600V6A45W65/105nSD1.25 1000V4A100W3.8开关电源2SK1119 NMOS GDS2SK1120 NMOS GDS 电源开关1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关30V35A60W125/480nS0.0222SK1419 NMOS GDS 高速开关60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关450V5A30W45/175nS1.4900V2.5A30W40/160nS6.0高速开关2SK1459 NMOS GDS2SK1460 NMOS GDS 高速开关900V3.5A40W50/265nS3.62SK1463 NMOS GDS 高速开关900V4.5A60W50/265nS3.62SK1482 NMOS GDS 开关功放低噪30V1.5A0.75W65/660nS4.5 2SK1507 NMOS GDS 高速开关600V9A50W110/240nS1.02SK1535 NMOS GDS 通用900V3A30W45/110nS5.02SK1537 NMOS GDS 通用900V5A100W65/145nS3.02SK1540 NMOS GDS 变频开关功放450V7A60W70/135nS0.82SK1544 NMOS GDS 变频开关功放500V25A200W240/590S0.2 2SK1547 NMOS GDS 开关800V4A40W95/170nS4.52SK1567 NMOS GDS 电源开关500V7A35W70/135nS0.92SK1611 NMOS GDS 电源开关800V3A50W40/135nS4.02SK1681 NMOS GDS 电源开关500V30A300W180/320nS0.352SK1745 NMOS GDS 激励, 开关500V18A150W120/210nS0.36 2SK1794 NMOS GDS 电源激励开关900V6A100W50/105nS2.8 2SK1796 NMOS GDS 功放开关900V10A150W90/230nS1.22SK1850 NMOS GDS 开关电机驱动60V10A1.8W110/360nS0.07 2SK1916 NMOS GDS 开关电源用450V18A80W170/33nS0.452SK1937 NMOS GDS 开关UPS用500V15A125W100/230nS0.482SK1985 NMOS GDS 开关UPS用900V5A50W35/105nS2.82SK2039 NMOS GDS 电源开关900V5A150W 70/210nS2.52SK2040 NMOS GDS 电源开关600V2A20W 11/45nS5900V9A150W 85/210nS1.40用UPS开关2SK2082 NMOS GDS2SK2101 NMOS GDS 电源开关800V6A50W 50/130nS2.12SK2141 NMOS GDS 传动驱动600V6A35W 30/880nS1.12SK2147 NMOS GDS 开关UPS用900V6A80W 145/250nS2.8 2SK2161 NMOS SDG 高速开关200V9A25W 27/255nS0.452SK2189 NMOS GDS 高速开关500V10A70W 70/400nS1.02SK2485 NMOS GDS 监视器用电源900V6A100W 30/85 nS 2.80 2SK2487 NMOS GDS 监视器用电源900V8A140W 50/153nS1.1 2SK2611 NMOS GDS 监视器用电源900V9A150W2SK2645 NMOS GDS 监视器用电源500V15A125W2SK4847 NMOS GDS 电源开关100V36125W0.083SK103 NMOS gGDS 高频放大15V0.02A0.2W900MHz3SK122 NMOS gGDS 高频放大20V7-25mA0.2W200MHz1.2dB BS170 NMOS 60V0.3A0.63W12/12nS5.0BUZ11A NMOS GDS 开关50V25A75W60/110nS0.055BUZ20 NMOS GDS 功放开关100V12A75W75/80nSFS3KM NMOS GDS 高速开关500V3A30W23/60nS4.4FS5KM NMOS GDS 高速开关900V3A53W50/190nS4.FS7KM NMOS GDS 高速开关900V5A50W35/105nS2.8FS10KM NMOS GDS 高速开关FS12KM NMOS GDS 高速开关250V12A35W53/120nS0.40 FS7SM-16 NMOS GDS 高速开关800V7A150W1.6600V120A开关H120N60 NMOS GDSIRF130(铁)NMOS GDS 功放开关100V14A79W75/45nS0.16 IRF230(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF250(铁)NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4 IRF440(铁)NMOS GDS 功放开关500V8A125W35/30nS0.85 IRF450(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF460(铁)NMOS GDS 功放开关500V13A125W66/60nS0.4 IRF530 NMOS GDS 功放开关100V14A79W51/36nS0.18 IRF540 NMOS GDS 功放开关100V28A150W110/75nS0.077 IRF541 NMOS GDS 功放开关80V28A150W110/75nS0.077 IRF610 NMOS GDS 功放开关200V3.3A43W26/13nS1.5 IRF630 NMOS GDS 功放开关200V9A75W50/40nS0.4IRF640 NMOS GDS 功放开关200V18A125W77/54nS0.18 IRF720 NMOS GDS 功放开关400V3.3A50W21/20nS1.8 IRF730 NMOS GDS 功放开关400V5.5A75W29/24nS1.0 IRF740 NMOS GDS 功放开关400V10A125W41/36nS0.55 IRF830 NMOS GDS 功放开关500V4.5A75W23/23nS1.5IRF9530 PMOS GDS 功放开关100V12A75W140/140nS0.4 IRF9531 PMOS GDS 功放开关60V12A75W140/140S0.3IRF9541 PMOS GDS 功放开关60V19A125W140/141nS0.2 IRF9610 PMOS GDS 功放开关200V1A20W25/15nS2.3200V6.5A75W100/80nS0.8开关功放IRF9630 PMOS GDSIRFS9630 PMOS GDS 功放开关200V6.5A75W100/80nS0.8 IRFBC20 NMOS GDS 功放开关600V2.2A50W15/30nS4.4 IRFBC30 NMOS GDS 功放开关600V3.6A74W20/21nS2.2 IRFBC40 NMOS GDS 功放开关600V6.2A125W27/30nS1.2 IRFBE30 NMOS GDS 功放开关800V2.8A75W15/30nS3.5 IRFD120 NMOS 功放开关100V1.3A1W70/70nS0.3IRFD123 NMOS 功放开关80V1.1A1W70/70nS0.3IRFI730 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFI744 NMOS GDS 功放开关400V4A32W1.0IRFP054 NMOS GDS 功放开关60V65A180W0.022IRFP140 NMOS GDS 功放开关100V29150W0.85IRFP150 NMOS GDS 功放开关100V40A180W210/140nS0.55 IRFP240 NMOS GDS 功放开关200V19A150W0.18IRFP250 NMOS GDS 功放开关200V33A180W180/120nS0.08 IRFP340 NMOS GDS 功放开关400V10A150W0.55IRFP353 NMOS GDS 功放开关350V14A180W77/71XnS0.4 IRFP360 NMOS GDS 功放开关400V23A250W140/99nS0.2 IRFP440 NMOS GDS 功放开关500V8.1A150W0.85IRFP450 NMOS GDS 功放开关500V14A180W66/60nS0.4 IRFP460 NMOS GDS 功放开关500V20A250W120/98nS0.27 100V19A150W100/70nS0.2开关功放IRFP9140 PMOS GDSIRFP9150 PMOS GDS 功放开关100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 功放开关200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 功放开关900V4.7A150W2.5IRFPG42 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2IRFPZ44 NMOS GDS 功放开关1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 功放开关50V15A42W83/39nS0.1IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150WIXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200WIXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250WIXTP2P50 PMOS GDS 功放开关500V2A75W5.5 代J117J177 PMOS SDG 开关30V1.5mA0.35WM75N06 NMOS GDS 音频功放开关60V75A120WMTH8N100 NMOS GDS 功放开关1000V8A180W175/180nS1.8MTH10N80 NMOS GDS 功放开关800V10A150WMTM30N50 NMOS 功放开关(铁)500V30A250WMTM55N10NMOSGDS功放开关(铁)100V55A250W350/400nS0.04MTP27N10 NMOS GDS 功放开关100V27A125W0.05MTP2955 PMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3MTP3055 NMOS GDS 功放开关60V12A75W75/50nS0.3)60V40A150W/70nS0.3双( 开关功放MTP40N06 NMOS GDSMTW20N50 NMOS GDS 功放开关500V20A250W0.27RFP40N10 NMOS GDS 功放开关100V40A160W30/20nS0.04 RFP50N02 NMOS GDS 功放开关50V20ARFP50N05 NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 RFP50N06 NMOS GDS 功放开关60V50A145W55/15nS0.022 RFP6N60 NMOS GDS 功放开关600V6A75W80/100nS1.50RFP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A120W50/15nS0.03 RFP70N06 NMOS GDS 功放开关60V70A150WSMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026SMP60N06NMOSG功放开关60V60A125W50nS0.023RFP50N05NMOS GDS 功放开关50V50A132W55/15nS0.022 SMP50N06 NMOS GDS 功放开关50V60A125W50nS0.026 SMP60N06 NMOS GDS 功放开关60V60A125W50nS0.02 SMW11N20 NMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW11P20 PMOS GDS 功放开关200V11A150WSMW20N10 NMOS GDS 功放开关100V20A150WSMW20N10 PMOS GDS 功放开关100V20A150WSSH7N90 NMOS GDS 高速电源开关900V7A150WSSP6N60 NMOS GDS 高速电源开关600V6A150WSSP5N90 NMOS GDS 高速电源开关900V5A125W800V7A75W开关电源高速SSP7N80 NMOS GDSSUP75N06 NMOS GDS 功放开关60V75A125W0.05W12NA50W NMOS GDS 功放开关50V12A150W300/600nS GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150WGT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150WGT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180WGT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300WGT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300WGT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300WIMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300WIMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W(带阻)SDT3055 NMOS GDSTSD45N50V NMOS 场效应模块500V45A400W TN2460L35N120 1200V35A250W驱动EXB841 IGBT．。

场效应管参数集锦

高速开关
450V5A30W45/175nS1.4
高速开关
900V2.5A30W40/160nS6.0
高速开关
900V3.5A40W50/265nS3.6
高速开关
900V4.5A60W50/265nS3.6
开关功放低噪 30V1.5A0.75W65/660nS4.5
高速开关
600V9A50W110/240nS1.0
监视器用电源 900V8A140W 50/153nS1.1
监视器用电源 900V9A150W
监视器用电源 500V15A125W
2SK4847 NMOS GDS 电源开关
3SK103 NMOS gGDS 高频放大
3SK122 NMOS gGDS 高频放大
BS170 NMOS
BUZ11A NMOS GDS 开关
电源开关
500V20A120W147/290nS0.27
投影机用
500V10A85W60/40nS0.6
电梯用
230V1.5A10W37/100nS
高速开关
700V2A35W20/80nS3.2
电源开关
90V8A100W280/460nS2.0
电源开关
250V10A80W60/150nS0.4
2SK1247 2SK1250 2SK1254 2SK1271 2SK1272 2SK1329 2SK1358 2SK1374 2SK1379 2SK1387 2SK1388 2SK1419 2SK1445 2SK1459 2SK1460 2SK1463 2SK1482 2SK1507 2SK1535 2SK1537 2SK1540 2SK1544 2SK1547 2SK1567 2SK1611 2SK1681 2SK1745 2SK1794 2SK1796 2SK1850 2SK1916 2SK1937 2SK1985 2SK2039 2SK2040 2SK2082 2SK2101 2SK2141 2SK2147 2SK2161 2SK2189 2SK2485 2SK2487 2SK2611 2SK2645

常用场效应管参数大全(1)

型号材料管脚用途参数3DJ6NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W4405/R95242E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.362SJ117 PMOS GDS 音频功放开关 400V2A40W2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.52SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.152SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.32SJ143 PMOS GDS 功放开关 60V16A35W90/180nS0.0352SJ172 PMOS GDS 激励 60V10A40W73/275nS0.182SJ175 PMOS GDS 激励 60V10A25W73/275nS0.182SJ177 PMOS GDS 激励 60V20A35W140/580nS0.0852SJ201 PMOS n2SJ306 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.122SJ312 PMOS GDS 激励 60V14A40W30/120nS0.122SK30 NJ SDG 低放音频 50V0.5mA0.1W0.5dB2SK30A NJ SDG 低放低噪音频 50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB2SK108 NJ SGD 音频激励开关 50V1-12mA0.3W70 1DB2SK118 NJ SGD 音频话筒放大 50V0.01A0.1W0.5dB2SK168 NJ GSD 高频放大 30V0.01A0.2W100MHz1.7dB2SK192 NJ DSG 高频低噪放大 18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大 20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB2SK214 NMOS GSD 高频高速开关 160V0.5A30W2SK241 NMOS DSG 高频放大 20V0.03A0.2W100MHz1.7dB2SK304 NJ GSD 音频功放 30V0.6-12mA0.15W2SK385 NMOS GDS 高速开关 400V10A120W100/140nS0.62SK386 NMOS GDS 高速开关 450V10A120W100/140nS0.72SK413 NMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关 100V0.5A0.9W4.52SK428 NMOS GDS 高速开关 60V10A50W45/65NS0.152SK447 NMOS SDG 高速低噪开关 250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关 250V0.3A8W5.02SK534 NMOS GDS 高速开关 800V5A100W4.02SK539 NMOS GDS 开关 900V5A150W2.52SK560 NMOS GDS 高速开关 500V15A100W0.42SK623 NMOS GDS 高速开关 250V20A120W0.152SK727 NMOS GDS 电源开关 900V5A125W110/420nS2.52SK734 NMOS GDS 电源开关 450V15A150W160/250nS0.522SK785 NMOS GDS 电源开关 500V20A150W105/240nS0.42SK787 NMOS GDS 高速开关 900V8A150W95/240nS1.62SK790 NMOS GDS 高速功放开关 500V15A150W0.4 可驱电机2SK791 NMOS GDS 电源功放开关 850V3A100W4.5 可驱电机2SK794 NMOS GDS 电源开关 900V5A150W2.5 可驱电机2SK817 NMOS GDS 电源开关 60V26A35W40/230nS0.0552SK832 NMOS GDS 高速开关 900V4A85W55/100nS4.02SK899 NMOS GDS 功放开关 500V18A125W130/440nS0.33 2SK962 NMOS GDS 电源开关 900V8A150W280/460nS2.02SK940 NMOS SDG 激励.驱动 60V0.8A0.9W0.55螺线管驱动2SK1007 NMOS GDS 功放开关 450V5A60W60/130nS1.62SK1010 NMOS GDS 高速开关 500V6A80W70/130nS1.62SK1011 NMOS GDS 高速开关 450V10A100W110/240nS0.65 2SK1012 NMOS GDS 高速开关 500V10A100W110/240nS0.9 2SK1015 NMOS GDS 功放开关 450V18A125W170/230nS0.45 2SK1016 NMOS GDS 电源开关 500V15A125W170/230nS0.55 2SK1017 NMOS GDS 电源开关 500V20A150W250/490nS0.35 2SK1019 NMOS GDS 电源开关 450V35A300W360/900nS0.2 2SK1020 NMOS GDS 电源开关 500V30A300W360/900nS0.25 2SK1060 NMOS GDS 功放开关 100V5A20W50/140nS0.272SK1081 NMOS GDS 激励,驱动 800V7A125W 145/250nS2.2 2SK1082 NMOS GDS 激励,驱动 900V8A125W 145/250nS2.8 2SK1094 NMOS GDS 激励,驱动 60V15A25W80/300nS0.065 2SK1101 NMOS GDS 功放开关 450V10A50W165/360nS0.65 2SK1117 NMOS GDS 电源开关 600V6A100W1.252SK1118 NMOS GDS 电源开关 600V6A45W65/105nSD1.25 2SK1119 NMOS GDS 电源开关 1000V4A100W3.82SK1120 NMOS GDS 电源开关 1000V8A150W1.82SK1161 NMOS GDS 电源开关 450V10A100W75/135nS0.82SK1170 NMOS GDS 电源开关 500V20A120W147/290nS0.27 2SK1180 NMOS GDS 投影机用 500V10A85W60/40nS0.62SK1195 NMOS GDS 电梯用 230V1.5A10W37/100nS2SK1198 NMOS GDS 高速开关 700V2A35W20/80nS3.22SK1217 NMOS GDS 电源开关 90V8A100W280/460nS2.02SK1221 NMOS GDS 电源开关 250V10A80W60/150nS0.42SK1247 NMOS GDS 电源开关 500V5A30W50/90nS1.42SK1250 NMOS GDS 开关-感性 500V20A150W130/260nS0.35 2SK1254 NMOS GDS 低噪放大 120V3A20W25/195nS0.42SK1271 NMOS GDS 功放开关 1400V5A240W55/260nS4.02SK1272 NMOS GDS 高速开关 60V1A0.75W50/500nS0.652SK1329 NMOS GDS 电源开关 500V12A60W90/180nS0.62SK1358 NMOS GDS 电源开关 900V9A150W65/120nS1.42SK1374 NMOS 贴片 50V50mA0.15W0.2US/0.2US502SK1379 NMOS GDS 激励, 开关 60V50A150W78/640nS0.017 2SK1387 NMOS GDS 激励, 开关 60V35A40W66/500nS0.035 2SK1388 NMOS GDS 激励, 开关 30V35A60W125/480nS0.022 2SK1419 NMOS GDS 高速开关 60V15A25W55/150nS0.082SK1445 NMOS GDS 高速开关 450V5A30W45/175nS1.4。

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将此式就VGS 改写则得下式公式三
公式二
公式一
若说公式二是作为JFET的解析结果推导出来的，不如说与实际的JFET的特性或者与公式一很一致的，作为实验公式来考虑好些。图3.1.3表示式一、式二及实际的JFET的正规化传输特性，即以ID /IDSS为纵坐标，VGS /VGS (off) 为横坐标的传输特性。n沟道的JFET在VGS < 0的范围使用时，因VGS(off) < 0，VGS /VGS(off) >0，但在图3.1.3上考虑与实际的传输特性比较方便起见，将原点向左方向作为正方向。但在设计半导体电路时，需要使用方便且尽可能简单的近似式或实验式。
预夹断
+
3.1.3 主要参数
①IDSS——饱和漏极电流
②UP ——夹断电压
③UT ——开启电压
④gM ——低频跨导
⑤BUDS——漏源击穿电压
⑥PDSM——最大耗散功率
⑦IDSM——最大漏源电流
(3) 安全参数 ① UBRXX——反向击穿电压 XX：GS、DS
② PDM——最大漏极功耗
由PDM= VDS ID决定做开关管使用时目前用Ron ID2 评估
2、输出特性曲线 ID=f(VDS)VGS=const 三区：
可变电阻区（饱和区）
恒流区（放大区）夹断区（截止区）
工作原理 1、开启沟道（当VDS=0) VGS控制沟道宽窄
0V
窄 VGS=VT （开启电压) 反型层
增强型MOS管
+
宽
当VGS＝ Constant VDS的控制作用
0
电位梯度楔形沟道
2.1. 分类、命名、标识、结构 2.1.1按结构分，有两类 1. 结型JFET (Junction type Field Effect Transistor) 利用半导体内的电场效应进行工作，也称为体内场效应器件。
A:JFET概念图
B:JFET符号
门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道 JFET，外向为p沟道JFET。
伏安特性曲线比较表
图示为各类场效应三极管的特性曲线 N 沟道绝增缘强型
栅场效应管
P 沟道增强型
绝缘栅场效应管
N 沟道耗尽型 P 沟道耗尽型
结型场效应管
N 沟道耗尽型
P 沟道耗尽型
3.2 双极型和场效应型三极管的比较
2. 绝缘栅型IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transistor) 也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）根据Vgs＝0V时是否有导电沟道MOS管又分为： N沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道增强型 P沟道耗尽型如图增强型MOS管（N型及P型导电通道）
常用电子元器件简介
1.6 场效应管（MOSFET）
金属-氧化物-半导体场效应管
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor

1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.基本特性 4. 应用 5.制程及工艺
1.1 MOSFET的基本知识 1.1.1概述
实际的传输特性包括JFET本身的结构参数，例如沟道部分的杂质浓度和载体移动性，以致形状、尺寸等，作为很麻烦的解析结果可导出如下公式（公式的推导略去）
公式一
作为放大器的通常用法是VGS 、VGS (off) < 0（n沟道），VGS 、VGS (off) >0（p沟道）。公式一用起来比较困难，多用近似的公式表示如下公式二
双极型三极管
结构 NPN型
场效应管(单极型三极管)
结型耗尽型 N沟道 P沟道绝缘栅增强型 N沟道 P沟道道绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 D与S有的型号可倒置使用多子漂移电压输入电压控制电流源VCCS(gm)
PNP型
C与E一般不可倒置使用载流子多子扩散少子漂移输入量控制电流输入电流控制电流源CCCS(β)
3.1.2 MOSFET工作原理与特性曲线
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称场电压）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
特性曲线转移特性曲线
ID=f(VGS)VDS=const
然而由于场效应管输入阻抗很高，栅极的感应电荷不易泻放，且二氧化硅绝缘层很薄，栅极与衬底间的等效电容很小感应产生的少量电荷即可形成很高的电压，容易击穿二氧化硅绝缘层而损坏管子。存放管子时应将栅极和源极短接在一起，避免栅极悬空。进行焊接时烙铁外壳应接地良好，防止因烙铁漏电而将管子击穿。
本文从场效应管的结构、特性出发，阐述其工作原理、应用。
双极型三极管
噪声较大
温度特性受温度影响较大输入电阻几十到几千欧姆静电影响不受静电影响
场效应三极管
较小
较小，可有零温度系数点几兆欧姆以上易受静电影响适宜大规模和超大规模集成
集成工艺不易大规模集成
各种结构的FET均有门极、源极、漏极3个端子，将这些与双极性晶体管的各端子对应如下表所示。根据JFET、MOSFET的通道部分的半导体是p型或是n型分别有p沟道元件，n沟道元件两种类型
FET 漏极栅极源极
双极性晶体管集电极基极发射极
n沟道型JFET与MOSFET结构图比较
3.1.基本特性 3.1.1 JFET的基本特性首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区（可变电阻区）。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。此区域称为饱和导通区（恒流区）。当VDS过大则进入击穿区。其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)或Vp表示。n沟道JFET 的情况，则VGS (off) 值为负,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难。因此实际应用中将达到ID =0.1～10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。关于JFET为什么表示这样的特性，用图3.1.2作以下简单的说明。
场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。这种器件不仅兼有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单, 存在零温度系数工作点等优点，因而大大地扩展了它的应用范围，特别是在大规模和超大规模集成电路由于面积仅为双极型三极管的5％，因此得到了广泛的应用。
JFET的工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压Vgs控制ID "。更正确地说， ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn 结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS =0的非饱和区域，图3.1.2(a)表示的耗尽层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加 VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID 流动。达到饱和区域后，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着耗尽层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。在耗尽层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个耗尽层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过耗尽层。如图3.1.2(b)所示的那样，即便再增加VDS ，因漂移电场的强度几乎不变产生ID 的饱和现象。其次，如图3.1.2(c)所示，VGS 向负的方向变化，让VGS =VGS (off) ，此时耗尽层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS 的电场大部分加到耗尽层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通