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模拟电子技术重点笔记在大学的学习生涯中，模拟电子技术这门课可真是让我又爱又恨。
它就像一个神秘的魔法世界，充满了各种奇妙的电路和元件，等待着我去探索和征服。
记得刚开始接触这门课的时候，看着那一本厚厚的教材，我心里直犯嘀咕：“这都是啥呀？怎么这么复杂！”但是，随着课程的推进，我逐渐被它的魅力所吸引。
先来说说二极管吧。
这小家伙看起来简单，可实际应用中却有不少讲究。
在一个实验课上，我们要搭建一个简单的整流电路，用到了二极管。
我小心翼翼地把二极管插在电路板上，心里默默祈祷：“可千万别出错啊！”结果，通电之后，啥反应都没有。
我当时就懵了，这是咋回事呢？经过一番仔细检查，才发现原来是我把二极管的极性接反了。
哎呀，真是个低级错误！不过通过这次，我可是把二极管的极性记得牢牢的，再也不会出错啦。
三极管也是个让人头疼的主儿。
它的工作原理那叫一个复杂，什么共射、共集、共基放大电路，听得我晕头转向。
为了搞清楚这些，我可是花了不少功夫。
有一次，我为了研究一个三极管放大电路的参数，在实验室里泡了整整一个下午。
我拿着万用表，不停地测量各个节点的电压和电流，一边记录数据，一边计算。
那认真劲儿，就像是在破解一个重大的科学谜题。
最后，当我算出的结果和理论值相差无几的时候，心里那个美呀，别提多有成就感了！说到集成运算放大器，这可是模拟电子技术中的大明星。
在做一个加法器实验的时候，我按照电路图连接好了所有的元件，满心期待着能得到正确的结果。
可是，现实却给了我一个大大的“惊喜”，输出的电压完全不对！我开始逐一检查线路，每一根导线、每一个焊点都不放过。
最后发现，原来是有一个电阻的阻值选错了。
换了正确的电阻之后，加法器终于正常工作了。
那一刻，我真的体会到了“细节决定成败”这句话的真谛。
还有反馈电路，这也是个难点。
为了搞清楚正反馈和负反馈的区别，我反复看书、做习题，还找老师和同学讨论。
有一次，我和几个同学为了一道关于反馈电路的题目争论得面红耳赤，谁也说服不了谁。
第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4 价共价键晶体构造的硅Si 和锗Ge。
❑导电力气介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯洁的、具有完整晶体构造的半导体。
在确定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发〔又称热激发〕，产生两种带电性质相反的载流子〔空穴和自由电子对〕，温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。
◆在确定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消逝的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2.杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
◆P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的3 价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
◆N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的5 价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度打算于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流〔与金属导电全都〕，还才能在因载流子浓度差而产生的集中电流。
3.P N 结❑在具有完整晶格的P 型和N 型半导体的物理界面四周，形成一个特别的薄层〔PN 结〕。
❑PN 结中存在由N 区指向P 区的内建电场，阻挡结外两区的多子的集中，有利于少子的漂移。
❑PN 结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结〔P+，N-〕：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结〔P-，N+〕：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
◆PN 结的伏安〔曲线〕方程：4.半导体二极管❑一般的二极管内芯片就是一个PN 结，P 区引出正电极，N 区引出负电极。
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），在现代电子技术中扮演着至关重要的角色。
它们的导电性能介于导体和绝缘体之间。
在纯净的半导体中，掺入微量的杂质可以显著改变其导电性能。
这就是所谓的掺杂。
N 型半导体中，多数载流子是电子；P 型半导体中，多数载流子是空穴。
PN 结是半导体器件的核心结构。
当 P 型半导体和 N 型半导体结合时，会形成一个空间电荷区，产生内建电场。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
二、二极管二极管是最简单的半导体器件之一。
其主要特性就是单向导电性。
常见的二极管有整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
整流二极管用于将交流电转换为直流电。
在选择整流二极管时，需要考虑最大整流电流和最高反向工作电压等参数。
稳压二极管则能在一定的电流范围内，保持其两端的电压稳定。
发光二极管能够将电能直接转化为光能，广泛应用于指示灯、显示屏等领域。
三、三极管三极管分为 NPN 型和 PNP 型。
它具有电流放大作用。
要使三极管处于放大状态，需要满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
三极管的三个电极电流存在着关系：IE ＝ IC ＋ IB 。
三极管的性能参数包括电流放大倍数、集电极最大允许电流、集电极发射极反向击穿电压等。
四、基本放大电路共射极放大电路是最常见的一种放大电路。
它能够将微弱的输入信号放大。
在分析放大电路时，通常采用直流通路和交流通路。
直流通路用于确定静态工作点，交流通路用于分析交流信号的放大情况。
静态工作点的设置对放大电路的性能有着重要影响。
如果静态工作点不合适，可能会导致失真。
放大电路的性能指标包括电压放大倍数、输入电阻和输出电阻等。
五、集成运算放大器集成运放具有高增益、高输入电阻和低输出电阻等特点。
理想运放工作在线性区时，存在“虚短”和“虚断”的概念。
运放可以构成比例运算电路、加法运算电路、减法运算电路等。
在实际应用中，需要考虑运放的电源、输入输出范围等因素。
模拟电子技术基础——电容篇（读书心得）一、电容的不同用途1. 应用于电源电路，实现旁路、去耦、滤波和储能的作用。
下面分类详述之：1）旁路：旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。
就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。
为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。
地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2）去耦：又称解耦。
从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。
将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。
旁路电容也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。
高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等；而去耦合电容一般较大，可能是10μF或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
这应该是他们的本质区别。
3）退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。
耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。
2. 退耦三个目的：1）将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过电源相互串扰的通路切断；2）大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；3）形成悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术重点笔记说到模拟电子技术，那可真是让我又爱又恨啊！回想起当初学习这门课的时候，真的是有一箩筐的事儿能跟大家唠唠。
记得刚开始接触模拟电子技术这门课，看着那一本本厚厚的教材，我心里直发怵。
特别是那些密密麻麻的电路图，各种晶体管、放大器、反馈电路啥的，简直就像一团乱麻，让我摸不着头脑。
但没办法，硬着头皮也得上啊！我清楚地记得有一次上课，老师在黑板上画了一个复杂的共射极放大电路。
那线条纵横交错，元件一个挨着一个，我眼睛都快看花了。
老师在讲台上讲得口沫横飞，我在下面听得云里雾里。
好不容易熬到下课，我赶紧抱着书去找老师请教。
老师倒是很耐心，拿着笔在我的书上又画又写，给我一点点解释。
可我当时那个脑子啊，就像被糨糊给糊住了，怎么都转不过弯来。
回到宿舍，我不甘心就这样被这个电路给打败，于是决定自己好好钻研一番。
我把台灯开到最亮，摊开书本，拿出纸笔，准备大干一场。
我先从最基本的元件开始，一点点分析它们的作用。
三极管，这个小小的东西，居然能有那么大的能耐，控制电流的放大和缩小，真是神奇。
我对照着书上的原理图，自己在纸上反复画了好几遍，试图理解每一个节点的电流和电压变化。
然后是偏置电路，为了让三极管能正常工作，这偏置电路可太重要了。
我一会儿算算电阻的值，一会儿又想想电容的作用，脑袋里就像有一群小蜜蜂在嗡嗡乱飞。
不知不觉，几个小时过去了，我面前的草稿纸已经堆了厚厚一沓，可我还是感觉没有完全搞明白。
这时候，宿舍的哥们儿回来了，看到我一脸苦大仇深的样子，就凑过来问我咋回事。
我把书往他面前一推，说：“这破电路，我弄了半天也没整明白。
”他看了看，笑着说：“别急别急，咱们一起研究研究。
”于是，我俩就开始了一场“电路攻坚战”。
我们从三极管的特性开始，一点点梳理，互相交流自己的理解。
有时候我觉得他说得不对，就争得面红耳赤；有时候他又被我的想法给逗乐了，说我钻了牛角尖。
就这样，在我俩的“争吵”和“合作”中，这个电路渐渐变得清晰起来。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术实训心得(5篇)模拟电路这门课程的学习已经走近尾声，回忆一学期以来所做的努力，从开头的满心奇怪，到后来的畏难心情，再到后来的不懈努力，感觉自己在模电这门课程的学习中收获很大。
还记得刚开学拿到这本厚厚的模电书开头，我心里就开头发悚，感觉这本书好像有着无法述说的重量。
大一的时候就教师学长们就和我们沟通过关于模电这门课的学习难度，而且他们几乎都认为模电的学习较有难度，所以刚开头时就没敢怠慢这门课程。
每次我总会满怀激情的在课外去复习和预习这门课的内容，但是好景不长，渐渐到后来，其它繁杂的事情越来越多，课程的学习难度也渐渐加大，所以有些章节学习起来感觉很吃力并且的确有好多问题放在那没有得到准时的解决，积存起来就比拟多了！虽然教师在课堂上讲的非常认真，但留意力稍不集中也很简单漏点重要的学问点。
再者由于课时的限制，教师讲课的速度也很快。
所以课后假如不花有效的`时间和手段进展稳固学习，是很难把握扎实的。
说说我对这本书的学习吧，在学习其次章运算放大器和第三章二极管及其根本电路时感觉还比拟简洁，也比拟好把握。
在第四章我们学习了三极管及其的放大电路的学问，刚学完这一章时我总不能正确的推断共极输入的类型，尽管看了许多例题，也没能总结出一个完全正确的方法。
再次课问教师时才想起教师总结过的一句话：“Ui连接一个电极，Uo引出一个电极，那么剩下的电极则为公共极，即为共某极电路”，这样一来，头脑中立即清楚了许多，信任许多同学也有与我一样的感受吧。
对此，我觉得主要还是要靠教师的帮忙，上课肯定要仔细听讲，仔细做笔记。
一方面听讲可以知道内容的重点，这样下课自己看书的时候就比拟有针对性，效率很高，学问点齐全，考试自然轻松；另一方面教师在课上会讲到课本上没有但又非常重要的学问和思路，而这些事自己看书根本不能得到的。
还有课外有效地预习与复习是必不行少的，它能很高效的帮忙我们理解和稳固学问点。
我认为模电是一门规律性极强的课程，而且有些电路图相当简单，离开教师的讲解，学习难度不言而喻。
模拟电子技术读书笔记【篇一：模拟电子技术(读书笔记)】关于模拟电子技术的读书报告——模拟电子技术的发展与应用专业班级姓名完成时间摘要模拟电子技术作为电气工程及自动化专业的专业主干课程之一，经历了长足的发展，目前已经被广泛应用在我们的生活当中。
它是一门研究对仿真信号进行处理的模拟电路的学科。
模拟电子技术以半导体二极管、半导体三极管和场效应管为关键电子器件，包括功率放大电路、运算放大电路、反馈放大电路、信号运算与处理电路、信号产生电路、电源稳压电路等研究方向，不断的改革创新，并应用到生产生活当中，极大的推动了科技的进步。
本次读书报告，从模拟电子技术的基础说起，概述了模拟电子技术的发展过程以及目前较为常用的一些模拟电子器件，包括二极管、三极管以及集成运算放大电路及其应用状况。
关键词：模拟电子技术，二极管，三极管，功率放大电路，运算放大电路。
模拟电子技术作为电气工程专业的主干课程之一，在电气工程领域有着举足轻重的地位，其也随着科技的进步在不断的发展，并且已经渗透到几乎所有的电气领域和人们的生活当中。
利用这个暑假，我认真的阅读学习了基本关于模拟电子技术方面的书籍。
这基本书较为详细的介绍了模拟电子技术的基础知识和发展现状及应用。
在读这几本书的时候与之前学过的模拟电路结合起来，使得我对模拟电子技术这门课程有了更深层次的认识。
模拟电子技术基础大概被分为以下几个部分介绍，分别为：常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的转换、功率放大电路、直流电源。
通过这几部分详细的讲述了模拟电子技术的基础知识，对于电气专业的其他以模拟电路为基础的课程的学习也有很大的帮助。
模拟的电子技术的发展可大概分三个阶段：从1900年到1947年是电子管时代，从1947年开始晶体管时代，从1960年开始进入集成电路时代。
在进入集成电路时代以来，模拟电子器件的基本单元就是半导体器件，其是构成半导体器件的基本元件，他们所用的材料是经过特殊加工且性能可控的半导体材料。
半导体材料又被分成本征半导体材料和杂质半导体材料。
本征半导体是人们最早发现的半导体材料，是指纯净的具有晶体结构的半导体；后来通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，即得到杂志半导体。
本征半导体的导电性能很差，且与环境和温度密切相关，这就造成半导体器件温度稳定性差的弊端。
为此，人们通过对半导体器件的导电原理进行深入的研究过后，通过在本征半导体材料中掺入杂质来改变半导体器件的导电特性，根据参入杂质的不同，可以形成n型半导体和p型半导体，控制掺入杂质元素的浓度，可以控制半导体的导电性能。
在纯净的硅晶体中掺入+5价元素（例如磷）使其取代晶体中硅原子的位子，就形成了n型半导体。
由于掺入了+5价元素，从而使得晶体中的自由电子的数量增加，自由电子就成为了n型半导体器件的主要载流子。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（例如硼）使之取代晶体中硅原子的位子，就形成了p型半导体。
由于掺入的是三价元素，从而使得晶体中空穴数量增加，空穴就成为了p型半导体的主要载流子。
两种半导体都是掺入的杂质的越多，导电能力越强。
由于掺入的杂质使多子的浓度大大增加，从而使子与少子复合的机会大大增多。
因此，对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子的浓度就越低可以认为多子的浓度等于所掺杂质原子的浓度，因而他受温度的影响很小。
而少子是本征激发形成的，所以尽管其浓度很低，却对温度非常敏感，这将影响半导体器件的性能。
随着研究的深入，人们发现，采用不同的参杂工艺，将p型半导体和n型半导体制作在同一块硅片上，在他们的交界面就形成了pn 结。
图 pn结pn结具有单向导电性。
当将p型和Ｎ型半导体制作在一起时，在他们的交界面，两种载流子的浓度诧异很大，因而Ｐ区的空穴就会向Ｎ区扩散；于此同时Ｎ区的自由电子也会向Ｐ区扩散，这样就会逐渐形成一个空间电荷区。
随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由Ｐ区指向Ｎ区，正好阻止扩散运动的进行。
ＰＮ结的伏安特性分为正向特性，电容效应分为势垒电容和扩散电容。
在pn结被发明之后，半导体二极管应运而生。
将pn结用外壳封装起来，然后再加上电极引线就形成了半导体二极管，简称二极管。
由p区引出的电极为阳极，由n区引出的电极为阴极。
二极管的结构主要分为：点接触型、面接触型、平面型。
为了描述二极管的性能，常引入一下几个参数：最大整流电流、最高反向整流电压、反向电流、最高工作频率。
由于制造工艺的限制，即使是同一型号的二极管的特性也会有较大的差距，所以使用手册上给出的数据往往是上限，下限的范围，因此在实际使用时应当根据使用的现实环境来进行选择。
下面介绍了一些主要的二极管：1.稳压二极管：一种硅材料做成的面接触型的二极管。
稳压管在反向击穿是，在一定的电流范围内（或者说在一定的功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而常被使用在稳压电源和限幅电路中。
2.发光二极管：可以发出可见光、不可见光、激光等的二极管。
发光二极管因其驱动电压低、功耗小、寿命长、可靠性高等有点广泛用于显示电路中。
3.光电二极管：是一种远红外接收管，是一种光能与电能转换的器件。
随着科技的进步，人们有发明了双极型晶体管（bjt），简称晶体管。
根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个pn结，就构成了晶体管。
三个pn结形成三个区，每个去由一根引线相连，分别为基极b、发射极e、和集电极c。
晶体管在工作时，由其输出特性曲线可看出其可工作在三个状态：截止区、放大区和饱和区。
在模拟电路中，绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大区。
将一定数量的二极管和晶体管通过一定电路集成起来就形成了集成运算放大电路，由于其最初多用于各种模拟信号的运算（如比例，求差，求和，微分，积分……）上，故称为集成运算放大电路，简称集成运放。
集成运放广泛用于模拟信号的处理和发生电路之中，因其高性能能、低价位，在大多数情况下，已经取代了分立元件放大电路。
集成运放的特点：【篇二：模拟电子技术学习笔记】本证半导体：纯净晶体结构的导体。
常用的有硅和锗。
在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴。
空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。
n型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，锑，砷）。
使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子，n型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。
电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。
所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。
少数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。
整个半导体内先电中性。
二极管的应用：限幅电路门电路三极管的结构及类型无论是pnp还是npn型的三极管，都包含三个区：发射区(c)、基区(b)和集电极区(e)。
三极管的接法：(a) 共基极(b) 共发射极(c) 共集电极1：发射结(c)重掺杂。
2：基区(e)很薄。
3：集电极面积大。
1：当uce不变时，输入回路中的电流ib与电压ube之间的关系曲线称为输入特性三极管的特性曲线： 2：当ib不变时，输出回路中的电流ic与电压uce之间的关系曲线称为输出特性电容开路(先画出直流通路电感短路信号源短路共设极的电路：1、输入电压与输出电压反相。
2、顶部失真，输入回路就出现开始失真。
（饱和） uce减小到极限 3、底部失真，输入端ib没失真，在输出出现失真。
（截止）uce增静态工作点不合适大到极限近似等于vcc不失真，整个周期，三极管处在放大区。
【篇三：模拟电路学习笔记】模电（放大、电源电路）学习operational amplifier-----运算放大器；simplified----简化的；common---对应共模信号（c）；difference---对应差模信号（d）； ttl-------三极管-三极管逻辑电路；mos-----金属-氧化物-半导体电路。
ttl电平：输出高电平2.4v,输出低电平0.4v。
在室温下，一般输出高电平是3.5v，输出低电平是0.2v。
最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0v，输入低电平=0.8v，噪声容限是0.4v。
cmos电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0v。
而且具有很宽的噪声容限。
emc（electro magnetic compatibility）电磁兼容性，包括emi(interference)和ems(susceptibility),也就是电磁干扰和电磁抗干扰。
主要学习内容：集成放大电路、差分放大电路、多级放大电路、功率放大电路。
----------总之就是多级的差分输入集成放大电路---多个集成运放组成的多级放大电路。
放大概念：放大倍数为“线与”----即线与逻辑，即两个输出端（包括两个以上）直接互连就可以实现“and”的逻辑功能。
在总线传输等实际应用中需要多个门的输出端并联连接使用，而一般ttl门输出端并不能直接并接使用，否则这些门的输出管之间由于低阻抗形成很大的短路电流（灌电流），而烧坏器件。
在硬件上，可用集电极开路门（oc门）或三态门（ts 门）来实现。
用oc门实现线与，应同时在输出端口应加一个上拉电阻。
电阻、电容测量方法：测电阻、电容最终都是转换成电压并通过ad测量并找出电阻、电容与电压的函数关系，从而根据测得的电压值来计算电阻值或电容值。
1 模拟电路类型：（整流、滤波、稳压）、微分和积分、选频、电压比较、振荡、反馈、放大电路。
（1）电源类：整流、滤波、稳压--由220v交流电得到稳压的直流电。
（2）微分和积分电路：积分电路把方波转换为三角波或斜波（锯齿波）；微分电路把方波转换成尖脉冲波（波形变换）还具有滤波、延时、定时等作用。
（3）选频电路：利用电路的谐振特性选取信号--类似滤波电路。
（4）电压比较电路：比较两个输入电压的大小关系--放大倍数无穷大的运放。
（5）振荡电路：包括rc、lc、石英晶体振荡（晶振）电路--为mcu提供时钟信号。
（6）反馈电路：包括正反馈和负反馈电路。
（7）信号运算与处理电路：包括比例运算、加减运算、微分积分运算、对数指数运算、模拟乘法器和滤波器电路。
（8）波形发生与信号转换：包括振荡电路、电压比较器、非正弦波发生电路和u-i转换、精密整流、u-f转换电路（压控振荡器）。
（9）放大电路：包括bjt放大、fet放大、运算放大（集成放大）、功率放大。
2 重点学习电路：各类放大电路及其相关电路（滤波、稳压、u-i转换等电路）。
学习方法：先打好基础、不急于求成;首先熟悉基本集成放大电路-----定性分析----定量计算（任何学习都是相通的、由浅入深、循序渐进、脚踏实地、功到自然成）。
