电力电子元器件参数及性能对照表

电路元件与参数解析电路元件是构成电路的基本组成部分，它们具有不同的功能和特性。

了解电路元件的参数和性能是电子工程师设计和分析电路时的重要任务。

本文将对常见的电路元件参数进行解析，以帮助读者更好地理解和应用电路元件。

1. 电阻（Resistance）电阻是电流通过时所遇到的阻碍，用于限制电流的流动。

电阻的单位是欧姆（Ω），常用的电阻值有几百欧姆到数兆欧姆。

电阻的主要参数包括阻值、功率和温度系数。

阻值越大，电阻对电流的阻碍越大；功率表示电阻材料所能承受的功率，过大的功率可能会导致烧毁；温度系数表示电阻值随温度变化的趋势。

2. 电容（Capacitance）电容是电路中储存电荷的元件，用于储存电能。

电容的单位是法拉（F），常用的电容值有皮法（pF）到毫法（mF）。

电容的主要参数包括电容值、电压和偏差。

电容值越大，电容器可以存储的电荷越多；电压表示电容器所能承受的最大电压，超过电压会引发击穿现象；偏差表示电容器的实际电容值与标称电容值之间的差异。

3. 电感（Inductance）电感是电路中储存磁能的元件，用于储存电流。

电感的单位是亨利（H），常用的电感值有微亨（μH）到亨利。

电感的主要参数包括电感值、电流和品质因数。

电感值越大，电感器可以储存的磁场能量越多；电流表示通过电感器的电流大小；品质因数表示电感器储存电流的稳定性和电流损耗情况。

4. 二极管（Diode）二极管是一个电流只能在一个方向上流动的电子元件。

二极管的主要参数包括正向电压降、反向电压承受能力和最大正向电流。

正向电压降表示在正向导通时二极管的电压降，通常在0.6至0.7V之间；反向电压承受能力表示二极管能承受的最大反向电压，超过该电压会引发击穿；最大正向电流表示在正向导通时二极管所能承受的最大电流。

5. 晶体管（Transistor）晶体管是一种用于放大和开关信号的三端元件。

晶体管的主要参数包括放大倍数、最大集电极电流和最大功耗。

放大倍数表示晶体管能放大信号的倍数；最大集电极电流表示晶体管能承受的最大电流；最大功耗表示晶体管耗散的最大功率。

全部元件的参数
全部元件的参数如下：
1. 电阻：电阻的参数通常包括电阻值、功率、温度系数等。

常见的电
阻值有几欧姆到几兆欧姆不等，功率一般为1/8瓦到几瓦，温度系数
表示电阻随温度变化的程度。

2. 电容：电容的参数包括电容值、额定电压、介质材料等。

电容值一
般以法拉（F）为单位，额定电压表示电容器能承受的最大电压。

3. 电感：电感的参数通常包括电感值、额定电流、漏感比等。

电感值
一般以亨利（H）为单位，额定电流表示电感器能承受的最大电流。

4. 二极管：二极管的参数包括最大反向电压、最大正向电流、导通压
降等。

最大反向电压表示二极管能够承受的最大反向电压。

5. 三极管：三极管的参数包括最大集电电流、最大功耗、最大频率等。

最大集电电流表示三极管能够承受的最大集电电流。

6. MOS管：MOS管的参数包括最大漏极电流、最大功耗、门电压范围等。

最大漏极电流表示MOS管能够承受的最大漏极电流。

7. 集成电路：集成电路的参数包括芯片型号、工作电压、封装方式等。

不同的芯片具有不同的功能和工作要求。

8. 传感器：传感器的参数包括测量范围、精度、输出信号类型等。

不
同的传感器用于测量不同的物理量，需根据具体应用选择合适的参数。

以上列举的是一些常见元件的参数，每种元件都有不同的参数范围和要求，具体参数需根据具体元件的规格表或数据手册获取。

常用电阻二极管三极管参数资料常用电阻、二极管、三极管等元件是电子电路中常见的器件，它们有各自的参数资料。

以下是这些元件的一些常用参数：一、电阻参数资料：1. 额定功率（Rated Power）：电阻能稳定工作的最大功率。

2. 额定电阻值（Resistance Value）：指电阻在标准环境下的电阻值。

3. 电阻精度（Tolerance）：指电阻实际值与额定值之间的偏差范围。

4. 温度系数（Temperature Coefficient）：指电阻在不同温度下电阻值的变化程度。

5. 最大工作电压（Maximum Working Voltage）：电阻能够承受的最大电压。

6. 储能（Energy Storage）：指电阻在通过电流时所消耗或储存的能量。

7. 偏移电阻（Offset Resistance）：指电阻两端电压为零时对电流引起的电压偏移。

8. 序列电阻（Series Resistance）：指电阻的序列电阻值，即电阻两端连接的电阻。

9. 绝缘电阻（Insulation Resistance）：指电阻两端之间的绝缘电阻能力。

10. 频率特性（Frequency Characteristics）：指电阻在不同频率下电阻值的变化情况。

二、二极管参数资料：1. 额定反向电压（Reverse Voltage）：指二极管能够承受的最大反向电压。

2. 额定电流（Forward Current）：指二极管能够稳定工作的最大正向电流。

3. 额定功率（Rated Power）：指二极管能够稳定工作的最大功率。

4. 额定正向电压降（Forward Voltage Drop）：指二极管正向工作时的电压降。

5. 耗散功率（Power Dissipation）：指二极管消耗的功率。

6. 转导纳（Transconductance）：指二极管的输入电流变化对于输出电流变化的敏感程度。

7. 反向串扰（Reverse Crossover）：指二极管在反向工作时对周围的元件产生的影响。

常用元器件‎主要参数电阻容差：通用场合选‎用1％精读，当有特殊要‎求比如输出‎电压精度要‎求时选用更‎小的选择比率：当阻值不是‎很重要时，比如分压器‎，以减少电路‎中不同阻值‎种类数目以‎实现大批量‎采购节约成‎本最大电压：电阻其实也‎可以被击穿‎，高压应用时‎要注意温度系数：大多数电阻‎都有很小的‎温度系数（50～250pp‎m每度），电阻发热时‎，线绕电阻的‎温度系数会‎有较大变化额定功率：一般电阻功‎耗为额定值‎一半脉冲功率：在较短时间‎内，线绕电阻可‎以承受远大‎于其额定功‎率的冲击，但非线绕电‎阻不行电容铝电解电容‎大容量小体‎积钽电容中等电容量‎陶瓷电容定时与信号‎电路多层陶瓷电‎容低ESR场‎合塑胶电容高dv/dt场合容差：典型值正负‎20％，电解电容还‎要差好多ESR：等效串联电‎阻，设计大容量‎滤波器时E‎S R比容量‎重要老化：“电源寿命1‎000h”实际就是对‎电解电容电‎容而言，如果把电源‎放到实际温‎度条件或者‎工作几年就‎要选择200‎0h到50‎00h肖特基二极‎管常用在整流‎器中，正向导通电‎压小，没有反向恢‎复时间整流二极管‎反向恢复：二极管正向‎导通后在很‎短时间内能‎够反向流过‎电流这段时‎间叫反向恢‎复时间，这对变换器‎的效率非常不利‎但并不是越‎快越好，会产生快速‎的电压电流‎尖锋晶体管（BJT）脉冲电流：一般BJT‎上不会提到‎脉冲电流（除非专为电‎源设计），取额定直流‎电流的两倍‎放大倍数：一般假定为‎10，不管手册数‎据如何晶体管（MOSFE‎T）功率损耗：导通损耗＋门极充电损‎耗＋开关导通损‎导通损耗：当MOSF‎E T全部导‎通时漏源极‎之间存在一‎个电阻，导通损耗大‎小取决于管‎中电流大小‎，而且电阻随温升增大‎门极充电损‎耗：由于MOS‎F ET有一‎个相当大的‎等效门极电‎容引起开关导通损‎：在开通或关‎断转换的任‎何时候，晶体管上同‎时既有电压‎又有电流产‎生功率损耗‎最大门极电‎压：通常20V‎电阻型号命‎名方法分类及主要‎特性参数等‎导电体对电‎流的阻碍作‎用称着电阻‎，用符号R表‎示，单位为欧姆‎、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。

元器件参数说明一. 电阻 (1)二. 贴片电容 (2)三.电感 (4)四.磁珠 (5)五.二极管 (6)六.三极管 (8)七.晶体 (9)八.IC (10)一. 电阻电阻按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。

厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷)上，然后烧结形成的。

我们通常所见的多为厚膜片式电阻，精度范围±0.5% ~10%，温度系数:±50PPM/℃~ ±400PPM/℃。

薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术)制成，特点是低温度系数(±5PPM/℃)，高精度(±0.01%～±1%) 常用的封装规格有：0201，0402，0603，0805，1206，1210，1812，2010，2512。

其常规系列的精度为：D=0.5%，F=1%，J=5%。

阻值范围从0.1欧姆到20M欧姆。

标准阻值有E24，E96系列，E24系列适用于允差±5%(J)的电阻、电容和电感数值（注：现也用于1%的电阻）；E96系列适用于允差±1%(F)的电阻数值贴片电阻的功率是指：通过电流时由于焦耳热电阻产生的功率。

可根据焦耳定律算出：P=I2 R。

额定功率：是指在某个温度下最大允许使用的功率，通常指环境温度为70°C时的额定功率。

功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W。

额定电压：可以根据以下公式求出额定电压：额定电压(V)＝（额定功率(W)×标称阻值(Ω)）^1/2最高工作电压：允许加载在贴片电阻两端的最高电压。

不同电阻封装参数对照表：图1 (-55 ~+125)功率及环境温度降额曲线图图2 (-55 ~+155)功率及环境温度降额曲线图注意事项：∙设计和使用贴片电阻时，最大功率不能超过其额定功率，否则会降低其可靠性。

常用元器件主要参数电阻容差：通用场合选用1％精读，当有特殊要求比如输出电压精度要求时选用更小的选择比率：当阻值不是很重要时，比如分压器，以减少电路中不同阻值种类数目以实现大批量采购节约成本最大电压：电阻其实也可以被击穿，高压应用时要注意温度系数：大多数电阻都有很小的温度系数（50～250ppm每度），电阻发热时，线绕电阻的温度系数会有较大变化额定功率：一般电阻功耗为额定值一半脉冲功率：在较短时间内，线绕电阻可以承受远大于其额定功率的冲击，但非线绕电阻不行电容铝电解电容大容量小体积钽电容中等电容量陶瓷电容定时与信号电路多层陶瓷电容低ESR场合塑胶电容高dv/dt场合容差：典型值正负20％，电解电容还要差好多ESR：等效串联电阻，设计大容量滤波器时ESR比容量重要老化：“电源寿命1000h”实际就是对电解电容电容而言，如果把电源放到实际温度条件或者工作几年就要选择2000h到5000h肖特基二极管常用在整流器中，正向导通电压小，没有反向恢复时间整流二极管反向恢复：二极管正向导通后在很短时间内能够反向流过电流这段时间叫反向恢复时间，这对变换器的效率非常不利但并不是越快越好，会产生快速的电压电流尖锋晶体管（BJT）脉冲电流：一般BJT上不会提到脉冲电流（除非专为电源设计），取额定直流电流的两倍放大倍数：一般假定为10，不管手册数据如何晶体管（MOSFET）功率损耗：导通损耗＋门极充电损耗＋开关导通损导通损耗：当MOSFET全部导通时漏源极之间存在一个电阻，导通损耗大小取决于管中电流大小，而且电阻随温升增大门极充电损耗：由于MOSFET有一个相当大的等效门极电容引起开关导通损：在开通或关断转换的任何时候，晶体管上同时既有电压又有电流产生功率损耗最大门极电压：通常20V电阻型号命名方法分类及主要特性参数等导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。

一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。

电子元件参数大全第一部分：电阻器1. 电阻值：电阻器的电阻值是指其对电流的阻碍程度。

常见的电阻值单位有欧姆(Ω)、千欧(ΚΩ)、兆欧(ΜΩ)等。

2. 公差：电阻器的公差是指在标称电阻值周围允许存在的误差范围。

常见的公差值有±1%、±5%等。

3. 功率：电阻器能够耐受的最大功率。

常见的功率值有1/8W、1/4W、1/2W等。

4. 温度系数：电阻器的电阻值随温度变化的程度。

常见的温度系数有±100ppm/℃、±250ppm/℃等。

第二部分：电容器1. 电容值：电容器的电容值是指其存储电荷的能力。

常见的电容值单位有法拉(F)、微法(F)、皮法(PF)等。

2. 电压：电容器能够耐受的最大电压。

常见的电压值有16V、25V、50V等。

3. 稳定性：电容器的电容值稳定性。

常见的稳定性等级有Class 1、Class 2等。

4. 耐温范围：电容器能够耐受的温度范围。

常见的耐温范围有-40℃～+85℃、-55℃～+125℃等。

第三部分：电感器1. 电感值：电感器的电感值是指其对电流变化的阻抗。

常见的电感值单位有亨利(H)、毫亨(mH)、微亨(μH)等。

2. 公差：电感器的公差是指在标称电感值周围允许存在的误差范围。

常见的公差值有±5%、±10%等。

3. 频率范围：电感器能够正常工作的频率范围。

常见的频率范围有1kHz～100MHz、10kHz～1GHz等。

4. 耐电流：电感器能够耐受的最大电流。

常见的耐电流值有100mA、500mA、1A等。

第四部分：二极管1. 直流正向电压降：二极管在正向导通时的电压降。

常见的电压降值有0.7V、1.2V等。

2. 存储时间：二极管转向断态后恢复到导通态所需要的时间。

常见的存储时间有5ns、10ns等。

3. 最大反向电压：二极管能够耐受的最大反向电压。

常见的最大反向电压值有50V、100V等。

4. 最大耗散功率：二极管能够耐受的最大功率。