51单片机外扩RAM

c程序#include<reg52.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intint n,m;void main(){unsigned int i;while(1){for(i=0x0000;i<=0x7fff;i++){XBYTE[i]=n;//写入ram}for(i=0x7fff;i>0x0000;i--){m=XBYTE[i];//读外部存储器}}}62256外部ram芯片相关知识：XBYTE是一个地址指针（可当成一个数组名或数组的首地址），它在文件absacc.h中由系统定义，指向外部RAM（包括I/O口）的0000H单元，XBYTE后面的中括号[ ]0x2000H 是指数组首地址0000H的偏移地址，即用XBYTE[0x2000]可访问偏移地址为0x2000的I/O端口。

这个主要是在用C51的P0，P2口做外部扩展时使用，其中XBYTE [0x0002]，P2口对应于地址高位，P0口对应于地址低位。

一般P2口用于控制信号，P0口作为数据通道。

比如：P2.7接WR，P2.6接RD，P2.5接CS，那么就可以确定个外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x4000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是高位的4，当然其余的可以根据情况自己定，然后通过XBYTE [0x4000] = 57;这赋值语句，就可以把57写到外部RAM的0x4000处了，此地址对应一个字节。

XBYTE 的作用,可以用来定义绝对地址,是P0口和P2口的,其中P2口对应的是高位,P0口对应的是低位如XBYTE[0x1234] = 0x56;则等价于mov dptr,#1234hmov @dptr,#56h谢谢大家。

51单片机对外部ram的存取用#include "absacc.h"头文件，对于典型的电路接法，直接写ram=XBYTE[0x0000]或XB YTE[0x0000]=ram就能完成对ram的读写么，外部WR，OE，ALE信号就不用控制了么。

是不是先前要有什么设置。

最好举一个完整的例子说明一下，对外部的电路也做一下简单的说明，控制信号都是怎么接的，接法不一样对应的程序一改怎么变？初学者，渴望赐教。

提问者采纳是的。

对于典型电路接法，对应的WR、OE、ALE信号引脚接在RAM芯片对应引脚，单片机会自动配置各个引脚的时序，以完成XBYTE指令直接访问外部RAM的功能。

这里您所担心的对外部WR，OE，ALE信号的控制实际上是把典型电路接法与用单个引脚模拟端口外接RAM的使用方法混淆了。

比如89C2051单片机，其外部引脚没有P0口和WR、RD、OE、ALE这些引脚，某些情况下非得需要其配合外置RAM使用时，需要定义某些IO脚（譬如P1）模拟为数据接口、某些IO脚（譬如P1、P3）模拟为地址接口、某些IO模拟WR、RD、OE、ALE功能。

这个时候就需要控制了：先准备好要告诉RAM给它发送地址了（控制模拟ALE那个引脚的电平）,然后控制模拟WR的那个引脚，准备告诉RAM你是要给它写地址；然后往地址接口上放地址数据，准备告诉RAM读什么地址（控制模拟的P0、P2口）；片选通知RAM来读取地址（模拟OE的那个引脚给片选电平，通常低电平为选中）；等待RAM响应后，转换WR和RD的电平读出RAM在上述地址中存储的数据。

大致如此，你可以在相应的学习板或者自己搭建的板子上试试~。

51 单片机资源扩展：扩展片外RAM
上一文中扩展了单片机的程序存储器，4KB 存储空间提升到64KB。

其
实，4K 的代码空间还凑合，但是51 自带的256B 数据存储空间使用起来还
真紧张，其中留给用户的连128B 都不到，所以不得不扩展片外RAM。

扩展RAM 方法和扩展ROM 差不多，都是占用P0/P2 口做地址线，同时P0 用锁
存器74373 分时复用地址和数据信号。

以前扩展RAM 是用汇编语言访问存储器，好处是定位精准，指哪打哪，
坏处就是：程序规模一大就有点难维护了，所以还得改用C 实现。

对应于汇编语言用R1,R0/DPTR 访问外部RAM，keil C 扩展了存储类型，增加了如pdata(等同用movx @Rn 访问方式)/xdata(等同于movx @DPTR 访问方式)存储类型用于访问片外ram。

同时，还提供了绝对地址访问的宏，
如PBYTE/XBYTE，查看定义：
[cpp] view plain copy#define PBYTE((unsigned char volatile pdata*)0);
#define XBYTE((unsigned char volatile xdata*)0);。

51MCU内部有RAM，ROM，不同于8031。

尽管如今的增强行51MCU的内部RAM，ROM可能已经很大的空间。

但就技术而言，扩展RAM，ROM还是需要学会的。

对于不同的设计方案需求，扩展可能基于以下任何一种设计：A，只扩展RAMB，只扩展ROMC，扩展ROM，RAM****************************总线扩展时，P2口是否可用做普通IO口************************************这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0P2口就已经不可以再做它用了（有网友提供信息，总线扩展P2还可以做普通IO口用，有两种可能：1，P2口复用，如同P1利用373锁存器。

2，在总线扩展时，只用到了低地址总线，P2口未用到。

就作为普通IO口应用。

由于技术还不到位，不做评论。

）*******************************************扩展RAM****程序************************************************扩展RAM，在程序中定义的xdata类型XBYTE类型等地址范围在外部RAM的变量，对其读写的过程。

用C51语言编写程序，且使用总线扩展的RAM，则时序电路不用考虑，WR RD等信号由编译器/硬件自动完成。

**************************************编译器设置*****************************************内部RAM：0x00~~0xFF外部RAM：0x0000~~0xFFFFRAM的地址虽重复，但是两个RAM是没有关系的，所以不会造成干扰使用了外部RAM，就在工程选项---off-chip xdata memory中设置start：0x0000 size：0xFFFF（根据具体的RAM大小设置size）。

*******************************扩展RAM时的变量定位及连续读取问题********************************* ROM，RAM的扩展时，需要用到变量的绝对地址定位，函数定位等。

基于51单片机外部扩展RAM的调试作者：左厚臣前言当51单片机需占用大量的RAM就不得不扩展外部RAM了，如何扩展呢？怎样才算成功了呢，本实验利用HM6264ALP-12 RAM芯片作为51单片机的外部RAM进行调试，并进行了整理。

关键字：51单片机外部RAM HM6264一、需准备资料1、STC12C5A60S2芯片资料，STC官网下载2、HM6264A_datasheet，文库内搜索下载3、74ls373-datasheet，文库内搜索下载二、电路设计根据HM6264A_datasheet和STC12C5A60S2芯片资料绘制电路图如下：三、Keil编译器设置使用外部扩展RAM需在片外Xdata存储内写上外部RAM的起始地址及RAM大小，否则在编译程序时可能会报错。

四、调试程序根据HM6264A_datasheet和STC12C5A60S2芯片资料可以看出，HM6264ALP写时序读时序及地址建立时间保持时间都是纳秒级的，而STC12C5A60S2基本都是微秒级的，所以51单片机的这些时序无需改动，程序如下：#include <STC12C5A60S2.H>#define u8 unsigned char#define u16 unsigned int#define EXTRAM 2//AUXR寄存器EXTRAM位//EXTRAM =0使用内部扩展RAM//EXTRAM =1使用外部扩展RAMu16 y;u8 xdata x[8192];void main(){x[8189]=0x11;x[8190]=0x22;x[8191]=0x33;x[8192]=0x44;AUXR |= (1<<EXTRAM); //使用外部扩展RAM TMOD = 0x20;SM0 = 0;//SM1 = 1;//串口1工作方式1TH1 = 243;TR1 = 1;//启动定时器1TI=0;for(y=8189;y<8193;y++){SBUF = x[y];while(TI==0);TI=0;}while(1);}串口打印结果如下：符合程序要求。

51 单片机外扩ROM 方法
51 单片机外扩ROM 方法
强烈建议用户尽可能不要考虑外扩程序存储器，如果非扩不可，可以仿照
下图所示电路进行扩展
图中P0 口输出外部ROM 的低8 位地址信号，P2 口输出高8 位地址信
号；ALE 端输出地址锁存信号，/PSEN 输出程序存储器输出使能信号。

两个模块
P89V51RD2 单片机内部有64K 用户ROM 区和8K BOOT ROM 区两个模块
两个模块在物理上是分开的，尽管地址重合，但一般不会发生冲突。

用户程序存储区
P89V51RD2 内部有64K Flash ROM，不需要用户再进行ROM 扩展
地址范围：0000H～FFFFH
其内部分配和其他51 系列单片机是相同的
Flash ROM 可以反复擦除和下载程序
擦除和编程的方法
并行编程器
ISP （在系统编程：In-System Program）。

使用SRAM6264进行片外RAM扩展(2008-11-14 11:04:42)转载标签：分类：单片机c51sram外部扩展6264杂谈MCS-51单片机在扩展RAM的地址空间为0000H--FFFFH共64KB，读写外部RAM时用MOVX指令，用RD选通RAM OE端，用WR选通RAM WE端。

扩展外部RAM芯片一般采用静态RAM，6264具有8KB空间，它需要13位地址（A0-A12），使用P0,P2.0-P2.4作为地址线，P2.7作为片选线。

6264的全部空间为0000H-1FFFH。

Intel 6264芯片6264是一种8K×8的静态存储器，其内部组成如图2．5（a）所示，主要包括512×128的存储器矩阵、行／列地址译码器以及数据输入输出控制逻辑电路。

地址线13位，其中A12～A3用于行地址译码，A2～A0和A10用于列地址译码。

在存储器读周期，选中单元的8位数据经列I/O控制电路输出；在存储器写周期，外部8位数据经输入数据控制电路和列I／O控制电路，写入到所选中的单元中。

6264有28个引脚，如图2．5（b）所示，采用双列直插式结构，使用单一＋5 V电源。

其引脚功能如下：（1）Intel 6264的特性及引脚信号Intel 6264的容量为8KB，是28引脚双列直插式芯片，采用CMOS工艺制造A12～A0（address inputs）：地址线，可寻址8KB的存储空间。

D7～D0（data bus）：数据线，双向，三态。

OE（output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。

WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。

CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。

CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。

VCC：+5V工作电压。

GND：信号地。

图2．5 6264的内部结构图及引脚图6264的工作方式如表2．2所示。