掺银ITO薄膜退火前后的性能比较

退火温度对ITO薄膜电导率的影响孟庆哲;方允樟;马云;李文忠;金林峰【期刊名称】《材料科学》【年(卷),期】2013(003)001【摘要】采用电子束蒸镀技术研究ITO薄膜的电导率与热处理(RTA)温度的关系。

利用XRD分析薄膜的相结构,用SEM观测薄膜的显微结构,利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能。

结果表明,退火后ITO薄膜的结晶度得到明显改善,晶相择优生长,晶粒尺寸变大,薄膜电导率随退火温度的上升先升高后下降。

经过520℃退火15 min时,制备的薄膜样品电导率最大。

【总页数】5页(P45-49)【作者】孟庆哲;方允樟;马云;李文忠;金林峰【作者单位】[1]浙江师范大学数理与信息工程学院;;[1]浙江师范大学数理与信息工程学院;;[1]浙江师范大学数理与信息工程学院;;[1]浙江师范大学数理与信息工程学院;;[1]浙江师范大学数理与信息工程学院【正文语种】中文【中图分类】O48【相关文献】1.薄膜厚度和退火温度对纳米多晶硅薄膜特性影响 [J], 赵晓锋;温殿忠;王天琦;丁玉洁2.3A21不同均匀化退火温度对电导率的影响 [J], 时羽;郭红;李丹;赵淑丽3.Zr添加量和退火温度对热轧Al板电导率和硬度的影响 [J],N.A.BELOV;A.N.ALABIN;I.A.MATVEEVA;D.G.ESKIN4.Zr添加量和退火温度对热轧Al板电导率和硬度的影响 [J],N.A.BELOV;A.N.ALABIN;I.A.MATVEEVA;D.G.ESKIN;5.退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响 [J], 江锡顺;万东升;宋学萍;孙兆奇因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

退火温度对ITO薄膜微结构和光电特性的影响江锡顺;万东升;宋学萍;孙兆奇【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2011(40)6【摘要】用直流磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。

制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃、300℃和400℃,保温时间为1 h。

采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等测试手段分别对薄膜的微结构、化学组分和光电特性进行了测试分析。

分析结果表明:Sn元素已经溶入In2O3晶格中形成了固溶体。

退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率。

退火温度为200℃时ITO薄膜的性能指数最高,为4.56×10-3Ω-1。

【总页数】6页(P1536-1540)【关键词】ITO薄膜;磁控溅射;光电特性【作者】江锡顺;万东升;宋学萍;孙兆奇【作者单位】滁州学院电子信息工程系;安徽大学物理与材料科学学院【正文语种】中文【中图分类】O484【相关文献】1.不同退火温度对ZnO:In薄膜的结构及光电特性影响 [J], 徐庆;张萍;张红2.热处理对ITO薄膜的显微结构及光电特性的影响 [J], 杨觉明;余萍;陈平;张海礁;许岗3.退火温度对SiO 2薄膜微结构和光学特性的影响 [J],4.退火温度对BiFeO3薄膜微结构与电特性的影响 [J], 梁珍珍;李慧平5.退火温度和涂膜层数对溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜微结构及光学特性的影响 [J], 袁欢;徐明;黄勤珍;刘以良;张丽因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

退火对溅射沉积ITO膜电学性能的影响
黄步雨;史月艳
【期刊名称】《真空科学与技术》
【年(卷),期】1994(014)005
【摘要】运用直流磁控反应溅射技术在氮气和氧气气氛下，以In（90wt％）－Sn （10wt％）作为靶材，基体处于自然升温状态下沉积ITO膜。

在空气中，选用200℃，250℃，300℃，350℃，400℃保温20min，对ITO膜进行退火处理。

这里着重研究溅射气氛及退火条件对膜的方块电阻的影响。

【总页数】4页(P379-382)
【作者】黄步雨;史月艳
【作者单位】不详;不详
【正文语种】中文
【中图分类】O484.42
【相关文献】
1.沉积温度对磁控溅射Ti/TiN多层膜光学和电学性能的影响 [J], 胡敏;刘莹
2.沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响 [J], 周继承;胡利民
3.氧气氛退火对磁控溅射Ta2O5薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响 [J], 马志伟;米仪琳;张铭;王波;严辉
4.成膜与热处理参数对溅射沉积ITO膜电性能的影响 [J], 张浩康;邓一唯
5.退火时间对射频溅射p型透明SnO_2/Al/SnO_2导电薄膜结构、形貌、光学和
电学性能的影响(英文) [J], Keun Young PARK;Ho Je CHO;Tae Kwon SONG;Hang Joo KO;Bon Heun KOO
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ito退火原理
ITO（indiumtinoxide）是一种广泛用于透明导电膜的材料，具有良好的透明性和导电性能。

但是，ITO薄膜会受到退火过程中的热应力和氧化等因素的影响，使其性能发生变化。

因此，ITO退火是一项关键的工艺步骤，可以提高ITO薄膜的电学性能和稳定性。

ITO退火的原理主要是通过热处理来使其结构重新排列，同时去除薄膜中的有机杂质和氧化物。

在退火过程中，ITO薄膜会发生晶格结构变化，形成更稳定的结构，从而改善其导电性能和透明性。

ITO退火过程的参数包括温度、时间和气体环境等。

通常，ITO 退火的温度范围在200℃至400℃之间，时间在几分钟到几小时不等。

气体环境通常为惰性气体或氮气，以避免氧化反应的发生。

总之，ITO退火是一项重要的工艺步骤，可以提高ITO薄膜的电学性能和稳定性，从而广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、触摸屏等领域。

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ITO薄膜性能及制成技术的发展一、前言真正进行透明导电薄膜材料的研究工作还是19世纪末，当时是在光电导的材料上获得很薄的金属薄膜。

经历一段很长时间后的第二次世界大战期间，关于透明导电材料的研究才进入一个新的时期，于是开发了由宽禁带的n型简并半导体SnO2材料，主要应用于飞机的除冰窗户玻璃。

在1950年，第二种透明半导体氧化物In2O3首次被制成，特别是在In2O3里掺入锡以后，使这种材料在透明导电薄膜方面得到了普遍的应用，并具有广阔的应用前景。

图1 ITO的结晶结构掺锡氧化铟（即Indium Tin Oxide, 简称ITO）材料是一种n型半导体材料，由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性，因此它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（EL/OLED）、触摸屏（Touch Panel）、太阳能电池以及其它电子仪表的透明电极最常用的材料。

图2 ITO薄膜透过率曲线二、ITO薄膜的基本性能1、ITO薄膜的基本性能如图1所示ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。

这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。

图3 溅射电压与电阻率关系曲线ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev。

紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。

同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好。

由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。

光学功能薄膜铟锡氧化物(ito)镀膜用高温保护膜
标准
光学功能薄膜，听起来就很高大上，其实它就像是我们手机屏幕上的那层保护膜，只不过它的作用更大更强大。

今天我们就要来聊聊这层神奇的膜——铟锡氧化物(ito)
镀膜用高温保护膜。

让我们来了解一下什么是铟锡氧化物(ito)。

简单来说，它就是一种金属氧化物，由铟和锡组成。

这种氧化物在高温下具有很好的稳定性和耐腐蚀性，因此被广泛应用于各种工业领域。

而在光学领域，它则可以用来制作高质量的光学功能薄膜。

为什么我们需要使用铟锡氧化物(ito)镀膜用高温保护膜呢？原因很简单，因为这种膜可以有效地保护我们的光学设备免受损坏。

比如说，在高温环境下工作时，如果没有这层保护膜的话，光学设备的表面很容易受到腐蚀和磨损，从而影响其性能和寿命。

但是有了这层保护膜之后，情况就完全不同了——它可以有效地隔绝氧气和水分的侵入，防止光学设备受到氧化和腐蚀的影响，从而延长其使用寿命。

要想制作出高质量的铟锡氧化物(ito)镀膜用高温保护膜并不是一件容易的事情。

这需要我们在生产过程中严格控制每一个环节的质量，确保每一层膜都能达到最佳的效果。

我们还需要不断地进行研发和创新，以满足市场对于高品质光学功能薄膜的需求。

铟锡氧化物(ito)镀膜用高温保护膜虽然看起来很神秘很高大上，但其实它的作用非常重要。

只有通过不断地研发和创新，才能制作出更加优质、高效的光学功能薄膜，为人们的生产和生活带来更多的便利和效益。