生电流IL
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光生伏特效应
光电池的电流电压特性:
1.P-N结电流方程
qV
I IL IF IL IS (e kT 1)
I:负载电流;
IL:光生电流; Is:P-N结反向饱和电流; V:P-N结两端电压;
光电池:利用半导体的光生伏特效应,而将光能转换成电能的装置。即将p-n结与外电路接通,只要光照不停止, 就会有源源不断的电流流过电路,p-n结起到了电源的作用。这类装置叫光电池。
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光生伏特效应
光电池的电流电压特性:
2.开路电压 ➢ 负载电流I=0,即IL=IF: 3.短路电流
Voc kT ln( I L 1) q IS
I I ➢ 将p-n短路V=0,则IF=0,所得电流为短路电流ISC:
SC
L
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光生伏特效应
光电池的电流电压特性:
4.特性曲线
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e P e e n e 浅结
太阳光
在光激发下多数载流子浓度一般改变很小,
而少数载流子浓度却变化很大,因此应主要研 究光生少数载流子的运动.
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光生伏特效应
P-N结的内建电场:
p
n
e e
e e
空穴
电子
p 耗尽层 n
---- ---- ++++ ++++
x0
U0
x
x0
动平衡时 p 型与 n 型接触区域的电势变化
光生伏特效应
光电池的电流电压特性:
5.光电池的实际结构
栅指形状(减少接触电阻,尽量少挡住阳光)
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