内存技术指南

从内存中加载DLL指南

从内存中加载DLL指南 ........................................................................................................................ 1

前言 ...................................................................................................................................................... 2

内容提纲 .............................................................................................................................................. 2

简介 ...................................................................................................................................................... 2

PE文件格式 ........................................................................................................................................ 2

DOS header /DOS stub 格式 .......................................................................................................... 3

Dell EMC NVDIMM-N 永久性内存

用户指南注意、小心和警告注: “注意”表示帮助您更好地使用该产品的重要信息。小心: “小心”表示可能会损坏硬件或导致数据丢失，并告诉您如何避免此类问题。

警告: “警告”表示可能会导致财产损失、人身伤害甚至死亡。

© 2017 - 2021 Dell Inc. 或其子公司。保留所有权利。Dell、EMC 和其他商标是 Dell Inc. 或其附属机构的商标。其他商标可能是其各自所有者的商标。章 1: 简介........................................................................................................................................5

章 2: 更改列表.................................................................................................................................6

章 3: NVDIMM-N 概览......................................................................................................................7

正常运行.................................................................................................................................................................................7

mand Per Clock(CPC) 1T/2T:

CPC 的设定特徵是允许你在单一资料存取的延迟选择，信号在记忆体控制器开始把命令送到记忆体的时间。设定值愈低记忆控制单元能送到外部记忆体的命令就越快。当 CPC设定為1T时，记忆控制器读写一次资料花费一个时脉週期。当 CPC设定為2T时，记忆控制器读写一次资料发费两个时鐘週期的命令延迟。

2.CAS Latency Control(tCL)

这是随机存起记忆体公司第一个会拿来做评比的时间参数， 例如，你可能看见RAM 被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。第一的设定值 4，如被评為 3 產生最好的性能，CAS 5通常能提供较好的稳定性。CAS从开始到结束的时间被称為CAS latency。 既然CAS 是找出正确资料的最后依个阶段，所以它也是记忆体最重要的计时步骤。(设定值小 = 效能高)

3.RAS# to CAS# Delay(tRCD)

这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第二个时间参数。 例如，你可能看见RAM

被评為4-4-4 -12 @ 400mhz。在JEDEC 的规格裡，这是在3 或者5 个数列的第2 位数。因為这次延迟发生每当排被更新或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能。 因此，推荐你把延迟降低到4或者更好的记忆性能3。 请注意如果你使用对于你的记忆体模组来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。 如果你的系统在降低RAS对CAS 的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。有趣的是，增加RAS对CAS 的延迟可以允许记忆体模组以更高的时脉运转。因此，如果你遇到意外困难超频 你SDRAM 模件，你可以试著增加RAS对CAS 的延迟。 (设定值小 = 效能高)

4.Row Precharge Timing(tRP)

这是大多数随机存取记忆体公司会拿来做评比的第3个时间参数。他的BIOS具备有对相同的DDR 设备指定在连续的活动指令之间的最小时间。 更短的延迟，下一个储存排可能被更快速的啟动来作读或写。 不过，因為记忆体的排被啟动需要很多电流，使用短的延迟可能引起过度的电流激增。对桌上型电脑来说，建议一次延迟2个循环，因為电流激增其实不是重要的。 使用更短的2次循环延迟的性能好处大过负面的影响。 更短的延迟表明一切一个接一个的记忆体活动将带得较短一个时脉週期作秀。 这改进DDR 设备读与写性能。 只有当有2个循环的稳定问题时，才转换3个循环。 关於带宽/ 稳定的大的影响。 许多RAM 将不能使用3，并且达到他们的最大的OC。 (设定值小 = 效能高)

Supermicro X12系列主板的

内存配置

基于

第三代intel® Xeon®可扩展处理器

用户指南

版本1.0c2Supermicro X12系列主板的内存配置用户指南

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