2SC2625 开关电源功率管

SW2604内置高压三极管电流型PWM控制器SW2604中文资料SW2604内置高压三极管电流型PWM控制器描述：SW2604采用双极工艺制造、内建防过载、防饱和电路，能满足绿色环保标准的开关电源控制器；采用宽电源（85-264V）设计，输出功率8-12W，广泛适用于经济型开关电源，如DVD机顶盒、打印机、传真机、LCD显示器等。

SW2604特点：1，采用双极型三极管为开关管，同时利用其放大作用完成启动，并将启动电阻功耗减小10倍以上2，内建过载、饱和电路，能及时防范过载，开关变压器饱和输出短路等故障3，开关管内置，减少成本，提高电源性价比4，内置斜坡补偿电路、热保护电路、斜坡电流驱动电路5，低待机功耗，可小于0.3WSW2604应用：1，便携式设备电源2，电池充电器电源3，DVD\DVB电源4，适配器电源5，家用电器电源SW2604极限参数：1，供电电压：16V2，启动输入电压：16V3，引脚输入电压：VCC+0.3V4，OC集电极承受电压：-0.3—7.05，峰值开关电流：1000mA6，总耗散功率：1000mW7，工作温度范围：0-125°8，存储温度范围：-55-150°9，焊接温度：126°SW2604电源设计要点：1，反激式电流控制型开关电源设计，不连续（或低压时浅连续）电流工作模式2，电源启动电流选择0.5-3mA，功率管的放大倍数可按10计算，则启动电阻（见PDF资料图2，图3的R1），选择应保证电源启动时功率管基极电流为0.05-0.3mA，因此，可按10倍减少启动电阻的功率，降低了待机功耗。

3，图2，图3中C5=820PF，工作频率约54KHZ4，开关变压器（图2，图3的T1），参数绕组整流输出4.8-9V（推荐6V）为SW2604提供工作电源5，如开关变压器初级峰值电流最大值选择为0.8A6，电源功率管选择：如最大峰值电流0.8A，参考OB开电流则功率管β值应达10/5VCE/0.8A,对应检测电阻（图2，图3的R3）为0.75欧；任意电流情况下，功率管应工作在包河区，检测电阻为0.6V/最大峰值电流7，尽管SW2604有热保护，但在需要高输出功率时，如不考虑加大SW2604的PCB板散热面积，则可能会降低输出功率和输出电压；同样，在高输出功率时，应考虑功率管的散热问题。

场效应管参数大全2型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2518-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大200 20 502SK2519-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 402SK2520-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 302SK2521-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 18 502SK2522-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大300 18 402SK2523-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 602SK2524-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 402SK2525-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 802SK2526-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 602SK2527-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 402SK2528-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 4 802SK2529 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 35 2SK2530 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2532 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 10 402SK2533 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2534 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 16 502SK2538 PANASONIC N-MOSFET,用于高速开关、高频功率放大250 2 302SK2539 PANASONIC N-MOSFET,用于高频功率放大、模拟开关15 0.05 0.22SK2541 NEC N-MOSFET,用于高速开关50 0.1 0.252SK2542 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 802SK2543 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 402SK2544 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 802SK2545 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动600 6 402SK2549 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动16 2 1.52SK2550 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 45 1002SK2551 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 50 1502SK2553 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2554 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 75 150 型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2559 SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 10 402SK2560 SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 20 602SK2561-01R FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管600 9 802SK2562-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放800 7 802SK2563 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 4 302SK2564 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 8 502SK2568 HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换500 12 1002SK2569 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关50 0.2 0.15 2SK2570 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关20 0.2 0.15 2SK2570-01MR FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 402SK2571 PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源450 13 1002SK2571-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 802SK2573 PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源500 20 1002SK2573-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应300 20 1252SK2586 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 60 125 2SK258H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大250 8 125 IRF2322SK2590 HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换、电动机控制200 7 125502SK2592 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 13 602SK2593 PANASONIC N-MOSFET,用于低频放大、开关55 0.03 0.1252SK2597 NEC N-MOSFET,用于900MHz基站便携式电话功率放大60 15 2902SK2598 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 13 602SK2599 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 22SK259H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大350 5 125 IRF3232SK2601 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 10 1252SK2602 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 1252SK2603 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 3 1002SK2604 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 1252SK2605 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 452SK2606 TOSHIBA N-MOSFET,用于DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 8 852SK2607 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 9 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2608 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流900 3 1002SK260H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大400 5 125 IRF3222SK261 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF5122SK2610 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 5 1502SK2611 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 9 1502SK2613 TOSHIBA N-MOSFET,用于开关调整、DC/DC 转换和电动机驱动300 32 2002SK2614 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 20 402SK2615 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 2 0.52SK2616 SANYO N-MOSFET,用于高速开关500 2 302SK2617ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 252SK2617LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 4 252SK2618ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 6.5 302SK2618LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 302SK262 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2623 SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 1.5 302SK2624ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 3 252SK2625ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 5 302SK2625LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 4 302SK2627 SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 5 402SK2628ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 6 352SK263 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2631 SANYO N-MOSFET,用于高速开关800 1 302SK2632LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用800 2.5 252SK2638-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2639-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 1002SK264 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF6122SK2640-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 502SK2641-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 1002SK2642-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 502SK2643-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 1252SK2645-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 50 2SK2646-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2647-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 402SK2648-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1502SK2649-01R FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1002SK2651-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 502SK2652-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 1252SK2653-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 802SK2654-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 8 1502SK2655-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大2SK266 TOSHIBA 停产,N-FET,电容话筒专用15 0.1 PN4119A 2SK2661 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 5 752SK2662 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 5 352SK2663 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 1 102SK2664 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2665 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2666 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 302SK2667 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 652SK2668 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 402SK2669 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流2SK2670 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 602SK2671 SHINDENGEN关电源、高压电源、换流900 5 402SK2672 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 802SK2673 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2674 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 1002SK2675 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 552SK2676 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 1202SK2677 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 652SK2679 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 5.5 352SK2682LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 13 35 2SK2684 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2685 HITACHI GAAS N-MOSFET,用于UHF低噪声放大6 0.02 0.12SK2687-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 602SK2688-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 50 602SK2689-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关30 50 402SK2690-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2691-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放60 70 1002SK2695-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换700 5 602SK2698 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 15 1502SK2699 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 12 1602SK270 TOSHIBA 停产,用2SK389代替,N-FET,配对管,音频（低频）40 0.02 0.6 U4052SK2700 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 402SK2701 SANKEN N-MOSFET 450 7 35 2SK2702 SANKEN N-MOSFET 450 10 35 2SK2703 SANKEN N-MOSFET 450 10 75 2SK2704 SANKEN N-MOSFET 450 13 40 2SK2705 SANKEN N-MOSFET 450 13 75 2SK2706 SANKEN N-MOSFET 450 18 85 2SK2707 SANKEN N-MOSFET 600 4.5 35 2SK2708 SANKEN N-MOSFET 600 7 40 2SK2709 SANKEN N-MOSFET 600 8.5 85 2SK271 TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频（低频）140 8 120 2SK405型号PDF厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2710 SANKEN N-MOSFET 600 12 85 2SK2715 ROHM N-MOSFET，用于开关500 2 202SK2717 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动900 5 45机驱动2SK2718 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 2.5 402SK2719 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 1252SK272 TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频（低频）140 8 120 2SK2712SK2723 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 25 252SK2724 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 35 302SK2725 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 5 302SK2726 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 7 302SK2727 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 10 100 2SK2728 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 18 150 2SK2729 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 20 150 2SK273 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1400 2SK2730 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 25 1752SK2731 ROHM N-MOSFET，用于开关30 0.2 0.22SK2733 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 602SK2734 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 5 0.9 2SK2735 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2735L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2735S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2736 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 25 2SK2737 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 45 302SK2738 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 302SK274 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1402 2SK2740 ROHM N-MOSFET，用于开关600 7 302SK2741 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 5 2.52SK2742 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 3 2.52SK2744 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 45 1252SK2745 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 50 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2746 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 7 1502SK2749 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 7 1502SK275 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1412 2SK2750 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 3.5 352SK2751 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、红外传感器40 0.01 0.22SK2751J ON N-JFET,用于低频放大器、恒流源和阻抗转换等40 0.01 0.022SK2753-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大120 50 1502SK2754-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放450 10 80大2SK2754-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 802SK2755-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 1252SK2756-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 802SK2757-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2759-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 802SK276 GaAs,微波,超高频 6 0.08 0.22SK2760-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大600 9 602SK2761-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大600 10 502SK2762-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2762-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2763-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 1002SK2764-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2765-01 FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 1252SK2766-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 802SK2767-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2768-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2768-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2769-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 402SK277 N-MOSFET,功率场效应管350 7 100 BUZ632SK2770-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 100型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2771-01R FUJI N-MOSFET,用于开关900 9 100 2SK2775 SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 25 402SK2776 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 8 652SK2777 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 6 652SK2778 SANKEN N-MOSFET 100 12 302SK2779 SANKEN N-MOSFET 100 20 352SK278 N-MOSFET,功率场效应管400 7 100 BUZ632SK2782 TOSHIBA 关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 20 40 2SK2787LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用450 8 40 2SK2788 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 2 12SK2789 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 27 602SK279 GaAs,功率放大,微波,超高频8 0.25 1 MGF-1801 2SK2792 ROHM N-MOSFET,用于开关600 4 302SK2793 ROHM N-MOSFET,用于开关500 5 302SK2796 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2798 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 6 302SK2799 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 10 502SK280 GaAs,功率放大,微波,超高频 5 0.1 0.27 NE13783 2SK2800 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 50 2SK2802 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关30 0.5 0.152SK2803 SANKEN N-MOSFET 450 3 302SK2804 SANKEN N-MOSFET 450 5 352SK2805 SANKEN N-MOSFET 450 15 802SK2806-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01L FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2808-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 202SK2809-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大60 50 50第59页共120页型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK281 GaAs,超高频,甚高频 5 0.12 0.3 NE218892SK2823 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.22SK2824 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.12SK2825 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.12SK2826 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 70 100 2SK2827-01 FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 602SK2828 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关,用于开关整流、DC-DC转换700 12 1752SK283 N-FET,激励、驱动80 0.0017 0.15 2SK2832-01 FUJI N-MOSFET,用于开关60 50 80 2SK2833-R FUJI N-MOSFET,用于开关120 50 100 2SK2834-01 FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 80 2SK2835 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动200 5 1.32SK2836 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 1 2.52SK2837 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 20 1502SK2838 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 6.6 402SK2839 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 10 2.52SK283R3 N-FET,激励、驱动80 0.0012 0.15 2SK283R4 N-FET,激励、驱动80 0.0025 0.15 2SK283R5 N-FET,激励、驱动80 0.005 0.15 2SK283R6 N-FET,激励、驱动80 0.01 0.152SK2841 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 10 802SK2842 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 12 402SK2843 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 452SK2844 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 35 602SK2845 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 402SK2846 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 1.32SK2847 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 8 852SK2848 SANKEN N-MOSFET 600 2 302SK2849-01L FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2849-01S FUJI N-MOSFET,用于开关900 6 125型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2850-01 FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2851 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 5 0.9 2SK2854 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 0.5 0.5 2SK2855 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 1 0.52SK2856 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段低噪声放大3 0.08 0.12SK2858 NEC N-MOSFET,用于高速开关30 0.1 0.15 2SK2859 SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 2 1.6 2SK286 N-FET,功率放大,音频(低频) 60 8 1002SK2862 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 3 252SK2864 SANYO N-MOSFET,用于高速开关200 20 50 2SK2865 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 202SK2866 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 1252SK2869 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 20 30 2SK2870-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2870-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2871-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2872-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 302SK2873-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 602SK2874-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2874-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2875-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2876-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 302SK2877-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 602SK2879-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 20 1502SK287K N-FET,高频放大(射频放大),功率放大,开关60 8 1002SK2882 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动150 18 452SK2883 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 8 752SK2884 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换800 5 1002SK2885 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 2SK2885L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2885S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 752SK2886 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 45 402SK2887 ROHM N-MOSFET,用于开关200 3 20 2SK2889 ROHM N-MOSFET,用于开关600 10 1002SK288K N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关80 8 1002SK2890-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 502SK2891-01 FUJI N-MOSFET,用于开关30 100 1252SK2892-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 90 1002SK2893-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1502SK2894-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1252SK2895-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2896-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2897-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2898-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2899-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1252SK289H N-FET,高频放大（射频放大）,功率放大,开关80 8 1002SK2900-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2901-01L FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 60 2SK2901-01S FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 602SK2902-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2903-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 50 502SK2904-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2905-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 70 1002SK2906-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2907-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 125。

/index.php我注册的数码之家地址大功率管2SC2625 怎么用万用表测量是坏了还是好的用测二极管测量档。

1：正面第一脚B,分别对中间C和第三脚E，正反向测都只有一个方向会通（600左右）2：CE两脚正反向都不通为好。

BC通（600左右）CB不通，BE通EB不通，CE、EC都不通，满足以上条件为好。

13009和2SC2625能代换吗一般情况可以互换，但要求高的话就只能用13009去换2SC2625，因为：13009参数：硅NPN 450V 12A 100W 。

2SC2625参数：硅 NPN 450V 10A 80W 。

长城电脑电源atx-350p4拆机顺便修理一下【7P】：第 1 页共16 页第 1 页共16 页拆下来发现很重，打开发现保险管爆了，肯定高压部分由短路，果然，滤波电容鼓包了，并联的100K电阻肯定也挂了。

保险起见，顺便测量一下2个80W的2625的开关管，都挂了。

直接用100w的13009代换。

通电，故障解除。

最后一幅图是参考的电路图刚打开，正面反面鼓包的电容器和击穿的电阻器拆下来的开关管，用的是2sc262513009都焊好了，正面反面，两边留的洞是原来2625用的看电路图更明白。

红圈是换掉的元件朋友的这个电源烧了，拿去店里修不好又拿回来，有一个三脚元件好象拆掉又扔掉了，现在不知是什么元件，该元件的位置是：第一块大散热片在上面，电路板上的电源线靠近自己，第一块散热片上左边是一个C3866的芯片，中间是2SC2625，这个烧掉的三脚元件就在这二个芯片中间往下一点的位置，有人知道这是什么型号的芯片吗？场效应管电脑开关电源的做工漫谈前言：电源作为消费性产品，漂亮的外包装固然需要，但电源的核心作用在于提供稳定纯净的电力，内在的质量才是更应该关注的焦点。

劣质电源不仅直接影响了电脑的正常的使用，对主板、显卡等其它配件造成损害，而且这种电源所产生的电磁辐射，对人身健康也构成了潜在的威胁。

k25t120场效应管参数1. 漏极-源极电压（VDSS）：这个参数是指最大可承受的直流电压，也称为最大工作电压。

k25t120场效应管的VDSS为120V，意味着该管子在最大负载的情况下，漏极-源极电压不能超过120V，否则会烧毁。

2. 最大漏极电流（IDmax）：这是指在充分通态下，可以通过场效应管的最大直流电流。

k25t120场效应管的IDmax为25A，这个参数是设计时必须考虑的关键因素，因为过流会导致管子发热过度甚至损坏。

4. 输入电容（Ciss）：这是指场效应管的输入电容，它由栅源电容、漏源电容和漏极栅电容组成。

k25t120的Ciss为3300 pF。

除了以上提到的关键参数之外，还有一些其他的因素也需要考虑和理解。

1. 开关特性：k25t120场效应管的开关特性是指，在控制电压实际加到栅极上之前，漏极-源极电压随时间变化的情况。

开关特性对于确定场效应管的工作频率非常重要。

2. 热特性：当k25t120场效应管在工作时，会发生能量转换和热能损失，这可能导致它发热过度。

在设计电路时需要对其热特性进行充分的考虑，以确保其正常、稳定的运行。

3. 稳定性：稳定性是场效应管设计中一个重要的考虑因素。

稳定性取决于许多因素，包括管子和其他电路元件之间的匹配、外部温度和漏极电压变化等。

在设计电路时，需要尽可能地减小这些变化的影响，以提高场效应管的稳定性。

4. 环境条件：场效应管在不同的环境条件下的性能和安全性都有着很大的影响。

在高温、低温或高湿度的条件下，场效应管的性能可能会受到影响，因此需要在设计时考虑这些因素。

为了确保场效应管的正常、可靠运行，设计者需要深入理解场效应管的关键参数、特性和环境条件，以便对其进行合理的选择和应用。

在电路设计过程中，需要充分考虑场效应管与其他电路元件之间的匹配、稳定性和热性能等因素，以确保电路的安全、可靠和稳定工作。

在实际应用中，k25t120场效应管经常用于电源管理、功率放大器、电机驱动器、逆变器和开关模式电源等设备中。

版本变更记录目录1. 特性 (1)2. 描述 (1)3. 应用领域 (1)4. 引脚 (2)4.1 引脚定义 (2)4.2 引脚描述 (2)5. 结构框图 (3)6. 典型应用电路 (3)7. 电气特性 (4)7.1 极限参数 (4)7.2 典型参数 (5)7.3 开关时间特性及死区时间波形图 (6)8. 应用设计 (7)8.1 Vcc端电源电压 (7)8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 (7)8.3 自举电路 (8)9. 封装尺寸 (9)9.1 SOP8封装尺寸 (9)EG2122芯片数据手册V1.01. 特性◼高端悬浮自举电源设计，耐压可达200V◼适应5V、3.3V输入电压◼最高频率支持500KHZ◼带VCC欠压保护◼输出电流能力I O+/- 0.8A/1.2A◼内建死区控制电路◼自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通◼HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出◼LIN输入通道高电平有效，控制低端LO输出◼外围器件少◼封装形式：SOP8◼无铅无卤符合ROHS标准2. 描述EG2122是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

EG2122高端的工作电压可达200V，低端Vcc的电源电压范围宽8V～20V，静态功耗低。

该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN和LIN内建了200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力I O+/- 0.8/1.2A，采用SOP8封装。

3. 应用领域◼移动电源高压快充开关电源◼电动车控制器◼变频水泵控制器◼200V降压型开关电源◼无刷电机驱动器◼高压Class-D类功放4. 引脚4.1 引脚定义图4-1. EG2122管脚定义4.2 引脚描述5. 结构框图LOGNDVccHOVS VBLIN图5-1. EG2122内部电路图6. 典型应用电路+15V+200VH L OUT图6-1. EG2122典型应用电路图7. 电气特性7.1 极限参数注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。

SG3525芯片SG3525 是一款功能齐全、通用性强的单片集成PWM 芯片。

由基准电压调整器、振荡器、误差放大器、比较器、锁存器、欠压锁定电路、闭锁控制电路、软起动电路、输出电路构成（图一）。

因其外围电路简单，故将SG3525集成电路应用于各类开关电源、斩波器的控制具有较高的性价比。

图一、SG3525内部结构一、S G3525的主要特点其主要特点为：输出级采用推挽输出,双通道输出,占空比0一50%可调,每一通道的驱动电流最大值可达200mA,灌拉电流峰值可达500mA。

可直接驱动功率MOS管,工作频率高达500KHz,具有欠压锁定、过压保护和软启动等功能。

该芯片内部电路由基准电压源、振荡器、误差放大器、PWM比较器与锁存器、分相器、欠压锁定输出驱动级,软启动及关断电路等组成。

可正常工作的温度范围是0—70C°,基准电压为5.1士1%,工作电压范围很宽,为8V到35V。

二、S G3525引脚端子的功能SG3525采用16端双列直插DIP封装,各引脚端子（图二）功能如下：（1）INV.Input(反相输入端1)：误差放大器的反相输入端,此端通常与9脚构成负反馈。

（2）N.I.Input(同相输入端2)：此端通常接到基准电压16脚的分压电阻上,取得基准比较电压与反相输入端的取样电压相比较。

（3）SYNC(同步端3)：振荡器外接同步信号输入端。

该端接外部同步脉冲信号可实现与外电路同步。

图二、SG3525引脚（4）OSCoutPut(同步输出端4)：同步脉冲输出。

作为多个芯片同步工作时使用。

如不需多个芯片同步工作时,3脚和4脚悬空。

（5）CT(振荡电容端5)：振荡电容接至5脚,另一端直接接至地端。

其取值范围为0.001uF到0.luF。

正常工作时,在CT两端可以得到一个从0.7V到3.6V变化的锯齿波。

（6）RT(振荡电阻端6)：振荡电阻一端接至6脚,另一端直接接至地端。

RT的阻值决定了内部恒流值对CT充电,其取值范围为2KΩ到150KΩ，RT和CT越大充电时间越长,反之则充电时间短。

TCL-AT25211 STR-W6856（6854）开关电源电路的工作原理浅析作者：刘一东开关电源电路是采用SANKEN公司最新研制的STR-W6854（6856）电源控制芯片，它是高性能电压模式控制器，内藏功率MOSFET和控制器的FLYBACK（电压反馈）型开关电源用厚膜集成电路。

使用该IC可以大量减少电源元件的数量，简化电路的设计。

在现在的电视机中得到了广泛的运用。

STR-W6854电源控制芯片具有完善的过流、电压检测保护功能、内部热保护功能、过负荷保护功能。

它主要工作模式：为了实现电源在全负载范围的高效率的工作，电源设置了三种工作方式：轻负载、中等负载、重负载。

IC控制器根据负载的状态自动进行工作方式的切换。

一、电路的原理简介1．工作原理简述：当插上电源开关后，AC220V/50HZ的交流市电，经过电源开关S801、F801、以及C801、T801A和C802、T801组成共模滤波器，把供电电路引入的各种电磁干扰抑制掉，消除电网电压中的高频干扰脉冲。

T801A和T801的感量都很大，分布的电容小，对非对称信号来说，T801A和T801及其前后联接的电容C801、C802，可以看成л型滤波器，对非对称信号有很好的滤除作用，而对从市电线路进入的对称性干扰信号来说，流过T801SA和T8021两线圈的干扰电流，其大小相等，方向相反，因而能够相互抵消。

由于共模滤波器具有双向性，即对随交流电供电线路引入的干扰信号，及由开关稳压电源高频振荡注入交流市电的电磁干扰具有同等的抑制作用。

所以共模滤波器是改善电视机电磁兼容性的一种有效措施。

电路如图⑴所示。

（ 1）经干扰抑制后的市电，进入桥硅DB801（桥式全波整流）输出约+300V（空载时）不稳压直流脉冲电压，经C806、C807平滑滤波，由开关变压器T802的⑦、⑨脚绕组加到IC801(STR-W6854)第①脚,内部连接了调整管漏极D。

与此同时，电源输入端220V电压由桥硅DB801中的一个二极管半波整流后得到的脉动直流电，经R803（820K）限流，对C813（4.7UF）进行快速充电，以提供IC 801的启动电压，当C813两端的电压达到IC801启动电压（18.2V）时，STR-W6854开始工作。

SG3525：SG3525脉宽调制型控制器是美国通用电气公司的产品，作为SG3524的改进型，更适合于运用MOS管作为开关器件的DC/DC变换器，它是采用双级型工艺制作的新型模拟数字混合集成电路，性能优异，所需外围器件较少。

它的主要特点是:输出级采用推挽输出，双通道输出，占空比0-50%可调.每一通道的驱动电流最大值可达200mA,灌拉电流峰值可达500mA。

可直接驱动功率MOS管，工作频率高达400KHz，具有欠压锁定、过压保护和软启动等功能。

该电路由基准电压源、震荡器、误差放大器、PWM比较器与锁存器、分相器、欠压锁定输出驱动级，软启动及关断电路等组成，可正常工作的温度范围是0-700C。

基准电压为5.1 V士1%，工作电压范围很宽，为8V到35V.SG3525采用16端双列直插DIP封装，引脚图及各端子功能介绍如下:图形如图GROUND(接地端):该芯片上的所有电压都是相对于GROUND而言，即是功率地也是信号地。

在实验电路中，由于接入误差放大器反向输入端的反馈电压也是相对与12脚而言，所以主回路和控制回路的接地端应相连。

+VIN(芯片电源端):直流电源从15脚引入分为两路:一路作为内部逻辑和模拟电路的工作电压;另一路送到基准电压稳压器的输入端，产生5.1士1%V的内部基准电压。

如果该脚电压低于门限电压(Turn-off: 8V)，该芯片内部电路锁定，停止工作‘基准源及必要电路除外)使之消耗的电流降至很小(约2mA)e另外，该脚电压最大不能超过35V.使用中应该用电容直接旁路到GROUND端。

VC(推挽输出电路电压输入端):作为推挽输出级的电压源，提高输出级输出功率。

可以和15脚共用一个电源，也可用更高电压的电源。

电压范围是1. 8V-3. 4V INV. INPUT(反相输入端):误差放大器的反相输入端，该误差放大器的增益标称值为80db，其大小由反馈或输出负载来决定，输出负载可以是纯电阻，也可以是电阻性元件和电容元件的组合。