FloEMC_Flotherm中文教程T3
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教程 3: 使用发射模型计算屏蔽效能
教程3将介绍如何用将发射天线置于壳体内部的方式来计算壳体的电场屏蔽效能。
在计算了自由空间的场分布之后,用户可以归一化处理这些场分布的大小。
在本例中,用户需要做以下的工作:
第一步:导入提供的模型
第二步:按照辐射问题的要求修改模型的边界条件
第三步:计算有及没有缝隙和底盘两种情况的模型
第四步:分析这两种情况的计算结果
第五步:用没有底盘的计算结果去归一化有底盘的计算结果
第六步:确认电场泄漏位置及情况
在此教程中,将会讨论下列新名词:
精简模型(SmartParts);
∙通风板(Perforated Plates),缝隙( Slots),搭接( Seam),线缆( Wires);
库(Library);
目录组成(Assemblies);
模型等级(Hierarchy);
坐标系统(Coordinate Systems);
网格(Grid);
激活/使无效(Activation / Deactivation)
模型及仿真的问题的描述
水平方向的缝隙 (1.5 x 0.25 in.)
垂直方向的缝隙 (1.5 x 0.25 in.)
有搭接的箱盖 (1cm 搭接)
箱角上缝隙 (4 in. x 10 mil.)
铝箱
(6 x 6 x 4 in.)
FLO/EMC 所建的仿真模型
箱体表面的缝隙等效的通风板模型(Perforated Plate)
壳体上的搭接
(
( )
保存所有操作。
并点击
进入选择模式。
平面,如右图所示。
点击图标
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FLO EMC V6 培训教程教程 3 FLO EMC/T3/01/07 V6 Issue 2.0 2007 Flomerics Ltd. 公司机密,未经许可请勿扩散页 21。