(整理完)电子技术专科网上作业题及参考答案(电气专业)

东北农业大学网络教育学院电子技术专科网上作业题半导体器件一、判断题1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。

( )2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。

( )3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。

( )4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。

( )5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。

( )6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。

( )7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。

( )8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。

( )9．常温下，硅晶体管的U BE＝0．7V，且随温度升高U BE增加。

( )10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。

（）11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。

( )12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

( )13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

( )14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

( )15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。

( )16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。

( )17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。

( )18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且U CE小于BU CEO时，晶体管就能安全工作。

( ) 19．晶体管的电流放大系数β值越大，说明该管的电流控制能力越强。

所以晶体管的β值越大越好。

( )20．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。

( )21．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。

( )22．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。

( ) 23．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。

( )24．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。

( ) 25．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。

（）26．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，I B愈小，输入电阻愈小。

( )27．晶体管的集电极—发射极击穿电压BU CEO的值同工作温度有关，温度越高，BU CEO越大。

( ) 28．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，R BE、r be都减小。

( )二、选择题1．如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管( )。

A．正常B．已被击穿C．内部断路2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于( )。

A．饱和状态B．放大状态 C.截止状态3．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。

A．饱和状态B．放大状态C．截止状态4．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，U B＝0．7V，U E＝0V，则该晶体管的工作状态是( )A．饱和B．正常放大C．截止5．当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。

A．增大B．减小C．不变6．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。

A．大电阻B．接通的开关C．断开的开关7．用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是：U B＝4．7V，U C＝4．3V，U E ＝4V，则该晶体管的工作状态是( )。

A．饱和状态B．放大状态C．截止状态8．点接触型二极管比较适用于( )A．大功率整流B．小信号检波C．大电流开关9．用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。

A．R×100Ω或R xl k挡B．R×1Ω挡C．R×10kΩ挡10．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( )半导体。

A．N型B．P型C．本征11．N型半导体( )，P型半导体( )。

A．带正电B．带负电C．呈中性12．对PN结加反偏电压时，参与导电的是( )。

A．多数载流子B．少数载流子C．既有多数载流子，也有少数载流子13．当晶体管饱和时会发生( )。

A．I C随I B变B．I C不随I B变C．I C随U be变D．Ic随β变14．两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( )。

A．二种B．三种C．四种D．五种15．场效应管G—S之间的电阻比晶体管B—E之间的电阻( )。

A．大B．小C．差不多16．场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。

A．栅极电流B．栅源电压C．源极电压D．源极电流17．下列半导体材料中热敏性突出（导电性受温度影响最大）的材料是( )。

A．本征半导体B．N型半导体C．P型半导体18．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( )。

A．温度B．杂质浓度C．原本征半导体的纯度19．P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。

A．正电B．负电C．电中性20．PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( )。

A．变窄B．变宽C．不变21．使晶体管具有放大作用的外部条件是( )。

A．发射结正偏B．发射结反偏C．集电结正偏D．集电结反偏22．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( )A．电流放大系数βB．反向饱和电流I CBO C．反向击穿电压B U CEO D．耗散功率P CM三、填空题1．半导体按导电类型分为（）型半导体与（）半导体。

2．N型半导体主要靠（）来导电，P型半导体主要靠（）来导电。

3．二极管按所用材料可分为（）和（）两类，按PN结的结构特点可分为（）型和（）型两种。

4．PN结的正向接法是P型区接电源的（）极，N型区接电源的（）极。

5．P型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。

6．N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。

7．晶体管的三个电极分别称为（）极、（）极和（）极，它们分别用字母（）、（）和（）来表示。

8．由晶体管的输出特性可知，它可分为（）区、（）区和（）区三个区域。

9．晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做（），另一个叫做（）。

10．晶体管具有电流放大作用的内部条件是：（）区的多数载流子浓度高；（）结的面积大；（）区尽可能地薄；（）结正向偏置；（）结反向偏置。

11．晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（）结正向偏置；（）结反向偏置。

12．晶体管的电流放大作用，是通过改变（）电流来控制（）电流的，其实质是以（）电流控制（）电流。

13．硅晶体管的饱和电压降为（），锗晶体管的饱和电压降为（）。

14．硅晶体管发射结的导通电压约为（），锗晶体管发射结的导通电压约为（）。

15．当晶体管处于饱和状态时，它的发射结必定加（）电压，集电结必定加（）电压或（）电压。

16．当晶体管的U CE一定时，基极与发射极间的电压U BE与基极电流I B之间的关系曲线称为（）曲线；当基极电流I B一定时，集电极与发射极间的电压U CE与集电极电流I C的关系曲线称为（）曲线。

17．晶体管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管（），所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。

18．晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在（）状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在（）状态和（）状态。

19．PN结中的内电场会阻止多数载流子的（）运动。

促使少数载流子的（）运动。

20．NPN型晶体管的发射区是（）型半导体，集电区是（）型半导体，基区是（）型半导体。

21．有一个晶体管继电器电路，其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。

若晶体管的电流放大系数β＝50，要使继电器开始动作，晶体管的基极电流至少应为（）。

22．点接触型二极管因其结电容（），可用于（）和（）的场合；面接触型二极管因其接触面积大，可用于（）的场合。

23．晶体管的输入特性曲线和二极管的（）关系特性相似，晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是（）和（）的比值。

24．晶体管的输出特性是指（）为常数时，（）与（）之间的函数关系。

25．二极管的直流电阻(即静态电阻)定义表达式为（），如果工作点上移，直流电阻值将（）。

26．二极管的结电容包含两部分：（）电容和（）电容，一般（）电容占主要地位。

27．晶体管的穿透电流I CEO是在基极开路时，由（）流向（）的电流。

它是由—（）产生的，随温度的增高（）。

28．晶体管的集电极发射极击穿电压BU CEO是指基极开路时（）的（）允许电压值，BU CEO随温度的增高（）。

29．半导体中的总电流是（）与（）的代数和。

30．在半导体中，自由电子带（）电，空穴带（）电。

31．理想二极管正向导通时，其压降为（）V；反向截止时，其电流为（）μA。

32．使晶体管处于放大状态的偏置状况是：（）结正偏，（）结反偏。

33．场效应管分（）和（）两大类。

34．场效应管的三个管脚分别称为（）、（）和（）。

它的输入电阻（），这是晶体管与之无法比拟的特点。

35．场效应管中参与导电的载流子，只能是电子或空穴中的一种，NMOS管的载流子是（），PMOS 管的载流子是（）。

四、计算题1．如图所示，设二极管的正向电压降为0．5V，求U A分别为十5V、—5V、0V时，U B的值。

2．某二极管的正向电压为1V时电流为40mA，这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0．8V时的电流变化为20mA，则二极管的交流内阻是多少?3．在如图所示电路中，当U A＝十10V、U B＝0V时，试求输出端电压U F及各元件中通过的电流。

(设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大)4．在如图所示电路中，V1、V2、V3均为理想二极管。

A、B两端的等效电阻及R AB应为多少?5．某人测量一只3DG6型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态?(1) U BE＝0.7V，U BC＝0.4V，U CE＝0.3V；(2) U BE＝0.7V，U BC＝-6V，U CE＝6.7V；(3) U BE＝0V，U BC＝-12V，U CE＝12V。

6．在如图所示电路中，已知V A＝2.3V，V1、V2为硅管，其管压降为0.7V，试估计V B等于几伏?U AB等于几伏?五、作图题1．如图所示电路中，已知u i为幅值8V的正弦波，画出u o波形，其中二极管设为理想二极管。